「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(118ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method for selectively anisotropically etching a silicon nitride film with respect to a silicon oxide film, a polysilicon film and a silicon, the temperature of a substrate is kept at 10°C or below, and a mixed gas of a compound gas, containing fluorine, carbon and hydrogen, and a carbon monoxide (CO) is used as a reaction gas.例文帳に追加

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を１０℃以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素（ＣＯ）との混合ガスを反応ガスとして使用する。 - 特許庁

This method comprises: a process of coating an element isolation region and at least a part of an element region adjacent to the element isolation region by a resist layer; and a process of completely removing the oxide film on the source and drain regions and on the gate electrode by acidification or anisotropic etching.例文帳に追加

素子分離領域及び少なくとも素子分離領域に隣接した素子領域をレジスト層で覆う工程と、ソース、ドレイン領域及びゲート電極上の前記酸化膜を酸処理及び異方性エッチングにより完全に除去する工程を有する。 - 特許庁

In addition, the method includes the process of forming a first recessed part by laser processing in a region in which at least a region in which the beam 19 is formed in the face to be etched is excluded, and has the process of performing a first wet etching from the face to be etched to the silicon substrate.例文帳に追加

さらに、被エッチング面のうち梁１９を形成する領域を少なくとも除いた領域に、レーザー加工によって第１の凹部を形成する工程と、シリコン基板に対して、被エッチング面から第１のウエットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern.例文帳に追加

このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of an oxidizer such as a hydrogen peroxide aqueous solution.例文帳に追加

過酸化水素水などの酸化剤に代えてＵＶインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a zinc oxide based transparent conductive film forming material, capable of being used for a target for forming a transparent conductive film which has weather resistance while maintaining conductivity sufficient for practical use, and has an appropriate etching rate in patterning.例文帳に追加

実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a solar cell is characterized in that an insulating film is formed on the surface of a silicon substrate, a plurality of holes are formed in the surface of the insulating film by a wet etching and then, a diffusion layer is formed in the surface of the silicon substrate via these holes.例文帳に追加

シリコン基板の表面に絶縁膜を形成し、ウェットエッチングにより絶縁膜の表面に複数の穴を形成し、次いで、それらの穴を介してシリコン基板の表面に拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To provide a photomask which prevents the degradation in pattern accuracy during etching by a difference in aperture ratios from appearing at a chip pattern 11 by improving the unbalance of the aperture ratios between the peripheral region of the chip pattern 11 and the central part of the chip pattern 11 and a method for manufacturing the photomask.例文帳に追加

チップパターン１１の周辺領域とチップパターン１１の中央部との開口率の不均衡を改善し、開口率の違いによるエッチング時のパターン精度低下がチップパターン１１に現れることのないフォトマスク及びフォトマスク製造方法を提供する - 特許庁

To provide a dry etching apparatus for shortening the time until start of process of the next processing work after start of process of the first processing work in the process to form a recessed area or a through-hole to the processing work, and also to provide a processing method of a processing work.例文帳に追加

被加工物に凹部又は貫通孔を形成する工程において、第１の被加工物の加工を開始してから次の被加工物の加工を開始するまでの時間を短くする事ができるドライエッチング装置及び被加工物の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing copper foil by which the crystal grains of electrolytic copper foil having granular crystals are controlled, and the surface of the electrolytic copper foil is subjected to etching roughening, thereby the adhesion of the copper foil with a resin is increased, and to provide a printed wiring board using the copper foil.例文帳に追加

粒状晶を有する電解銅箔の結晶粒を制御し、該電解銅箔の表面をエッチング粗化することで樹脂との密着力を増大させる銅箔の製造方法を提供し、該銅箔を使用したプリント配線板を提供する。 - 特許庁

By the etching method, a conductor film 12 electrically connected to an electrode on a gate oxide film 6 formed on a substrate 2 is etched, a mask 15 made of a conductive material is thinly formed on the conductor film 12, and the conductor film 12 is etched by the mask 15.例文帳に追加

基板２上に形成されたゲート酸化膜６上の電極に電気的に接続された導体膜１２をエッチングする方法であって、導体膜１２上に導電性材料からなるマスク１５を薄く形成し、該マスク１５を用いて導体膜１２をエッチングする。 - 特許庁

To provide an electrode plate for plasma etching and a method of production, in which generation of dust particles can be minimized in order to enhance the yield of device.例文帳に追加

デバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電極板及びデバイスの歩留まり向上を図るため上記の異物発生を極力少なくすることが可能なプラズマエッチング電極板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure body of a structure release that can extremely reduce the time required for an structure etching operation, can increase the throughput of an optical interference type display, and is appropriate to an optical interference type display cell structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

構造物エッチング操作に要する時間を格別に短縮することができ、また光学干渉型ディスプレイのスループットを増加させることができる、光学干渉型ディスプレイセル構造物に適する構造物放出のための構造体及び製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for liquid treatment enabling uniform development for a substrate to be processed, such as a reticle by preventing a loading effect in which the etching rate, etc., changes due to local variations in amounts of dissolution product or concentration of developer liquid.例文帳に追加

溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果を防止し、レチクル等の被処理基板に対する均一な現像処理が可能な液処理方法及び液処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode forming method for a surface acoustic wave (SAW) device in which power resistance is improved by suppressing the occurrence of hillocks or voids without any residue when etching an Al alloy film containing metal halides low in vapor pressure.例文帳に追加

本発明の目的は、ハロゲン化物の蒸気圧が低い金属を含んでいるＡｌ合金膜のエッチングにおいて、残渣を残さずに、ヒロックやボイドの発生を抑制し耐電力性が向上する弾性表面波デバイスの電極形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory apparatus that is highly reliable, and wherein a diffused layer and a contact of a select transistor are electrically and appropriately connected and the surface of the diffused layer of a memory cell transistor are protected from etching; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層とコンタクトとが電気的に良好に接続され、かつ、メモリセルトランジスタの拡散層の表面がエッチングから保護された、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and a system for fabricating a semiconductor device in which scattering of particles to an etching object can be suppressed when an insulating film and an antireflection film on a metal film are etched in the same reaction chamber and generation of pattern defect can be suppressed.例文帳に追加

金属膜上の絶縁膜と反射防止膜とを同一の反応室内でエッチングする際におけるエッチング対象物へのパーティクルの散布を抑制でき、パターン欠陥の発生を抑制し得る半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

The method of patterning the organic metal film includes a step of forming the organic metal film 3 on a first base 21, a step of pressing a pressed region 310 set at part of the organic metal film 3 with an indenter 4 along the film thickness, and a step of etching the organic metal film 3.例文帳に追加

第１の基材２１上に有機金属膜３を形成する工程と、有機金属膜３の一部に設定した加圧領域３１０を圧子４により膜厚方向に加圧する工程と、有機金属膜３にエッチング処理を施す工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor optical integrated device 1 forms a shape retaining layer 31 consisting of InP with p-type conductivity on the surface of a contact layer 16 consisting of InGaAs in performing the wet etching for forming an element isolation part 32.例文帳に追加

半導体光集積素子１の製造方法では、素子分離部３２を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１６の表面に、導電型がｐ型のＩｎＰからなる形状保持層３１を形成している。 - 特許庁

To provide an etching method, in which a resin base material, such as polyester, does not contain hexavalent chromium reduced in the influence not only on the manufacturing environment but also on the global environment in pretreatment at the time of forming a metallic film having good adhesion on the resin base material.例文帳に追加

ポリエステル等の樹脂基材に、密着の良い金属被膜を形成する際の、前処理エッチングにおいて、製造環境はもとより地球環境への影響を低減した、六価クロムを含有しないことを特徴とするエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying the requirements of wide exposure latitude, reduction in line edge roughness, a desirable pattern configuration and dry etching resistance and giving a pattern with few defects after development, and to provide a method for forming a pattern by use of the above composition.例文帳に追加

広い露光ラチチュード、ラインエッジラフネスの低減、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce the required amount of a flocculant to be added, reduce the volume of generated sludge, reduce the water content of sludge and improve dewaterability, and stabilize the quality of treated water in a method for solid-liquid separation of silica (SiO_2) precipitated by adding an acid to wastewater from silicon wafer etching.例文帳に追加

シリコンウエハエッチング排水に酸を添加して析出したシリカ（ＳｉＯ_２）を固液分離する方法において、凝集剤の必要添加量の低減、発生汚泥の減溶化、汚泥含水率の低減と脱水性の向上、処理水質の安定化を図る。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a pattern simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution and good dry etching resistance even in the formation of an isolated pattern, to provide a resist film using the composition, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

孤立パターンの形成においても、高感度、高解像性、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which is excellent in sensitivity, roughness characteristics, the resolution and dry etching resistance of an isolated pattern and enables a pattern of good configuration to be formed, and to provide a pattern forming method using the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

感度、ラフネス特性、孤立パターンの解像性及びドライエッチング耐性に優れ、且つ良好な形状のパターンを形成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a capacitor preventing that an electrode support film may be removed and fall off or be contracted to lead a lower electrode to collapse even when solution etching is used to form the lower electrode of a crown structure, involving simple processes, and suppressing an increase of a process cost.例文帳に追加

クラウン構造の下部電極形成に溶液エッチングを用いても電極支持膜が剥離脱落したり、収縮して下部電極が倒壊することを抑制し、工程が簡略であり、プロセスコストの増大を抑えたキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a light-emitting device capable of preventing light extraction efficiency from being degraded while securing an excellent bondability by subjecting a p-clad layer located on a surface layer to wet etching according to a mask pattern, and to provide a light-emitting device.例文帳に追加

表面層に位置するｐクラッド層がマスクパターンに準じてウェットエッチングされることで、良好なボンディング性を確保しつつ、光取り出し効率を低下させることを防止することができる発光装置の製造方法および発光装置を提供する。 - 特許庁

A trapezoidal trench is formed on the surface of a semiconductor substrate by using a LOCOS method and wet etching, and a lower electrode layer 5 is formed on the surface of the trapezoidal trench, and a capacitance insulating film 6 and an upper electrode 7 are laminated in this order over the lower electrode layer.例文帳に追加

半導体基板の表面にＬＯＣＯＳ法およびウェットエッチングを用いて台形状トレンチを設け、台形状トレンチ表面に下部電極層５を形成し、下部電極層の上に容量絶縁膜６と上部電極７を順次積層する。 - 特許庁

After a photosensitive resin pattern is formed on a copper seed film on an insulating substrate and a buried wiring pattern of copper is formed at an opening part thereof, a peak part and a side face part of the buried wiring pattern are exposed from the photosensitive resin film through selective etching by a wet blast method.例文帳に追加

絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。 - 特許庁

The new method for manufacturing the structure comprises the steps of: preparing a film in which a first material containing a noble metal is dispersed in a second material; and removing the second material in the film by dry etching.例文帳に追加

本発明に係る新規製造方法は、貴金属を含み構成される第１の材料が、第２の材料に分散している膜を用意する工程、及び前記膜中の前記第２の材料をドライエッチングにより除去する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an end point detecting method, in which the etching end point is rapidly detected by using an interlayer insulating film having a novel structure when the interlayer insulating film is etched, so that embedded wiring is formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に埋め込み配線を形成する際に行われる層間絶縁膜のエッチングを行う場合に、新規な構造の層間絶縁膜を用いてエッチングの終点検出を速やかに行うことを特徴とする終点検出方法を提供する。 - 特許庁

This method for making a sample comprises thinning a sample piece 2 that becomes the transmission electron microscopic sample, forming a pattern by a photo resist 3 followed by etching, and polishing a formed etched part 4 by an ion milling device to form an observation part 5.例文帳に追加

透過型電子顕微鏡観察用の試料となる試料片２を薄片化した後、フォトレジスト３でパターンを形成して、エッチングを行い、形成されたエッチング部４にイオンミリング装置による研磨を行って観察部５を形成する試料作製方法である。 - 特許庁

The method includes a step of forming the alignment film on a substrate having an electrode pad at a position corresponding to a transfer electrode for applying a voltage to a common electrode, and a step of locally etching the alignment film to expose the electrode pad without using a mask pattern.例文帳に追加

共通電極に電圧を印加するトランスファ電極に対応する電極パッドを備える基板上に配向膜を形成する段階と、前記電極パッドを露出させるようにマスクパターンを用いずに前記配向膜をエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

To provide a method and/or TMBS [trench MOS (metal oxide semiconductor) barrier Schottky] device by and/or in which edge leak due to etching is reduced, wherein in the TMBS device, polysilicon is formed in trenches and a contacting metal is connected to a surface between adjacent trenches.例文帳に追加

トレンチ金属酸化物半導体（ＭＯＳ）バリアショットキー（ＴＭＢＳ）デバイスでは、トレンチ内にポリシリコンが形成され、隣接するトレンチ間の表面とは、金属コンタクトで接続され、エッチングに起因するエッジリークを低減する方法及び／又は装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring of a favorable sectional configuration with no undercut by side-etching, without affecting the characteristic of a semiconductor device even with a wiring part occupying area far smaller than the area of the semiconductor device.例文帳に追加

配線部の占有面積が半導体装置の面積に比べ非常に小さい場合においても半導体装置の特性に影響を与えることなく、サイドエッチなどによるアンダーカットなどの無い、良好な断面形状を有する金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a stacked type capacitor, a contact 18 (accumulated node contact) is formed by a material, having a selection ratio of wet etching which is higher than that of a capacitor lower electrode 21a.例文帳に追加

スタック型キャパシタを備えた半導体装置の製造方法であって、前記キャパシタ下部電極２１ａよりウエットエッチングにおける選択比が高い材料でコンタクト（蓄積ノードコンタクト）１８を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A polycrystal Si to be a heating resistor section, an interbedded insulation film 36, a metallic wiring pattern layer and a surface protection film 41 are formed on an SI substrate, then the interbedded insulation film 36 and surface protection film 41 are removed by a dry-etching method to open a pit 8 to form an opening.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に発熱抵抗体部となる多結晶Ｓｉ、層間絶縁膜３６、金属配線層、表面保護膜４１などを形成後、層間絶縁膜３６および表面保護膜４１をドライエッチングによって除去し、ピット８を開口させる。 - 特許庁

(1) The method for forming the structure is characterized by using the medium having the laminated structure of the light absorption layer and the thermal reaction layer and forming the fine structure by a step of irradiating at least the medium with the light and a step of etching the medium.例文帳に追加

（１）光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。 - 特許庁

To provide a dry cleaning method applied to a dry etching device provided with a plasma generator employing an alumina discharge tube, which enhances the availability of the device by efficiently removing aluminum fluoride attached to the inner surface of the alumina discharge tube without disassembling a channel for a reactant gas.例文帳に追加

アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチング装置に適用するドライクリーニング方法において、反応ガスの流路を分解することなくアルミナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、装置の稼働率を上げる。 - 特許庁

The COF tape has a wiring pattern 2 made of copper by a subtractive method on one surface of an insulating tape base 1, and the wiring 3 formed by etching is sectioned in a suitable trapezoid shape to secure necessary size precision of a top width T of the wiring.例文帳に追加

絶縁テープ基材１の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープであって、エッチングにより形成される配線３の断面形状を最適な台形状にすることで、配線のトップ幅Tの必要な寸法精度を確保する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents variations in film thicknesses of the peripheral nitride films of the trench from being generated by etching in digging deeply a trench up to a depth for complete separation so that variations in film thicknesses of the element separating films are suppressed.例文帳に追加

トレンチを完全分離の深さに深掘する際のエッチングによって、当該トレンチの周辺の窒化膜の膜厚にばらつきが生じることを抑制し、これにより素子分離膜の膜厚のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold.例文帳に追加

そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, as the etching stopper in forming a groove 10 of a pad portion and a groove 11 of a wiring portion, an SiN film 5 corresponding to a third insulating film is interposed between an oxide film 4 corresponding to a second insulating film and an oxide film 8 corresponding to a fourth insulating film.例文帳に追加

パッド部の溝１０および配線部の溝１１を形成する際のエッチングストッパーとして第３絶縁膜に相当するＳｉＮ膜５を第２絶縁膜に相当する酸化膜４と第４絶縁膜に相当する酸化膜８の間に配置する。 - 特許庁

The metal pattern formation method comprises a process (a) of forming a graft polymer directly bonding with the surface of a base material on the base material, a process (b) of forming a metal film by adhering a conductive material to the graft polymer, and a process (c) of etching the metal film.例文帳に追加

（ａ）基材上に、該基材表面に直接結合したグラフトポリマーを形成する工程と、（ｂ）該グラフトポリマーに導電性材料を付着させて金属膜を製膜する工程と、 （ｃ）該金属膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which does not alter the overall etching characteristics of a substrate to be processed even if the bias power being applied to a wafer is partially divided and applied to a focus ring by controlling the bias power being applied to a wafer not to be affected but is kept constant.例文帳に追加

ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁