「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(115ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can form via holes, a wiring groove or the like by etching a layer insulation film or the like, while restraining enlargement of a pattern size of a hard mask and can properly remove the used hard mask.例文帳に追加

ハードマスクのパターン寸法の拡大を抑制しつつ層間絶縁膜等をエッチングしてビアホールや配線溝等を形成することができ、また、用いたハードマスクを十分に除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid jetting head in which a reservoir can be formed good by surely removing an adhesion layer by wet etching, and a channel-forming substrate and a reservoir-forming substrate can be firmly joined to each other, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

密着層をウェットエッチングによって確実に除去してリザーバを良好に形成することができ、且つ流路形成基板とリザーバ形成基板とを強固に接合することができる液体噴射ヘッド及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The invention relates to the method for manufacturing of the mechanical part including a step providing a substrate 53 made of micro-machinable material, and a step etching, with help of photo-lithography, a pattern that includes the mechanical part over the entire substrate 53.例文帳に追加

マイクロ機械加工可能材料から構成される基板５３を用意するステップと、フォトリソグラフィを用いて、前記基板５３の全体にわたって機械パーツを含むパターンをエッチングするステップとを含む、機械パーツを製造する方法に関する。 - 特許庁

The electrostatic printing method forms an etching-resistive toner resin pattern directly on a conductive layer on the surface of a dielectric material (i.e., a PCB-precursor) which can be used for production of a printed circuit board(PCB's).例文帳に追加

プリント回路板（ＰＣＢ’ｓ）の製造に用いることができる誘電材料の表面上（すなわちＰＣＢ−前駆体上）の導電性層上にエッチング−抵抗性トナー樹脂のパターンを直接形成するための直接静電印刷法を記載する。 - 特許庁

This is a manufacturing method for the two-layer wiring semiconductor device which includes a process of forming barrier metal and a conductor wiring layer by electrolytic plating, with a conductive frame as a lead for electrolytic plating, and a process of etching off the conductive frame.例文帳に追加

導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin copper-clad laminate, which can produce the thin copper-clad laminate with uniform thickness distribution of a copper foil by continuous etching with using a cupric chloride and alkali persulfate etchants.例文帳に追加

塩化第二銅系エッチング液と過硫酸アルカリ塩エッチング液を用いて連続的にエッチングを行うことにより銅箔の厚みばらつきの少ない薄型銅張積層板を得ることが可能な薄型銅張積層板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for plasma processing able to control the transmittance of electromagnetic waves and improve the discharge characteristic and the uniformity of the plasma and the performance and stability of etching processing by selecting material of the transmission window.例文帳に追加

本発明は、透過窓の素材を選択することにより、電磁波の透過率をコントロールでき、プラズマの放電特性と、プラズマの均一性と、エッチングプロセス性能および安定性が向上するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the inorganic compound is silicon oxide and the chemical etching liquid is preferably hydrofluoric acid, an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed solution of them and the first and second films are preferably formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

このとき、無機化合物が酸化珪素であり、化学エッチング液がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましく、第一の膜と第二の膜がプラズマＣＶＤ法で形成されることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method that forms fine metal patterns without etching and enables metal patterns with a good adhesivenes of board and metal film to be formed even when the board surface scarcely contains concaves and convexes.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基板界面の凹凸が少ない場合でも基板と金属膜との密着性に優れた金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供することにある。 - 特許庁

In the method, since metal copper is not reduced from an etching waste liquid, there is no need of using an extraction solution easily contaminating chemicals and an expensive ion selective membrane, and there is no need of using high temperature molten copper and purification which extremely consumes electric power.例文帳に追加

本発明の方法はエッチング廃液から金属銅を還元しないため、容易に薬品を汚染する抽出溶液や高価なイオン選択膜を使用する必要も、高温溶銅と非常に電力を消費する純化を用いる必要もない。 - 特許庁

The method for manufacturing an element including the structures 3, 5 having the photonic crystal effect comprises the steps of forming a GaN system semiconductor layer 3 including a crystal inverting region 4 and removing the crystal inverting region 4 with the wet etching process.例文帳に追加

フォトニック結晶効果を有する構造３，５を含む素子を製造する方法であって、結晶反転領域４を含むＧａＮ系半導体層３を形成する工程と、結晶反転領域４をウェットエッチングにより除去する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device in which the line width or the like of a resist pattern really formed in a photo-lithography process can be precisely measured and a desired circuit pattern can be finally formed after etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程で実際に形成されたレジストパターンの線幅等を精密に測定でき、エッチング処理後において最終的に所望の回路パターンを形成することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

In a step of ashing a resist mask used for etching the layer having a low dielectric constant included in this method of manufacturing the semiconductor element, the ashing is performed so as to suppress the arrival of oxygen radicals at the surface of the layer having the low dielectric constant.例文帳に追加

半導体素子の製造方法における低誘電率層のエッチングに用いたレジストマスクをアッシングする工程であって、前記低誘電率層表面への酸素ラジカルの到達を抑制するようにアッシングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode foil for electrolytic capacitors which forms compact and high-density etching pits into the surface of an aluminum foil to increase the surface area and improve the capacitance and the leakage current characteristics.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面を緻密で高密度のエッチングピットを生成させて表面積を拡大し、静電容量および漏れ電流特性を向上させることができる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a flexible base material having superior peeling strength, without using a metal vapor-deposited film with nickel and chromium possibly causing a migration as main components also without requiring two-time etching processes, and to provide a manufacturing method for the base material.例文帳に追加

マイグレーションの原因ともなり得るニッケルおよびクロムを主成分とする金属蒸着膜を用いることなく、また、２度のエッチング工程も必要となることなく、優れた剥離強度を有するフレキシブル基材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method or the like for a semiconductor device capable of making the time required for a plasma etching process forming a trench for an element isolation shorter than conventional devices, and capable of improving a productivity by enhancing a throughput.例文帳に追加

素子分離のためのトレンチを形成するプラズマエッチング工程に要する時間を従来に比べて短縮することができ、スループットの向上による生産性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming semiconductor device oxide films that allows oxide films of different thickness to be formed in different areas as well as prevents etching damage on the semiconductor substrate and oxide film quality deterioration.例文帳に追加

半導体基板にエッチング損傷が発生することと酸化膜の膜質が低下することを防止すると共に、相異した領域に異なる厚さの酸化膜をそれぞれ形成することが可能な半導体素子の酸化膜形成方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method therefor includes an etching process by photolithography, or a process for forming the EBD probe tip 5 in the hole 6 of the sensor tip 4 by corpuscular beam deposition, after removing a material by irradiation of a corpuscular beam.例文帳に追加

その製造方法はホトリソグラフィーのエッチング工程によるか又は粒子線照射による材料の除去後に、センサ尖端（４）の孔（６）にＥＢＤ探針尖端（５）を粒子線蒸着により形成する工程を含むことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of preventing the defective phenomenon of the semiconductor device in which its generation is expected by a recess even when the recess is formed to an insulating film and a foundation layer by an over-etching.例文帳に追加

オーバエッチングによって絶縁膜や下地層に凹みが形成された場合でも、その凹みによって発生することが予想される半導体装置の不良現象を防止できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This is a method of removing a photoresist 16 and/or residues after etching from an exposed low K dielectric layer 14 and makes a non-oxygen plasma, having electrically neutral particles and charged particles, by exposing a non-oxygen gas to an energy source.例文帳に追加

フォトレジスト16および／またはエッチング後の残留物を露出した低ｋ誘電体層14から除去する方法で、無酸素ガスをエネルギー源にさらすことにより、電気的に中性な粒子と荷電粒子を有する無酸素プラズマを作り出す。 - 特許庁

To provide an adamantane derivative having excellent optical characteristics such as light resistance, mechanical properties such as heat resistance, adhesion properties, etching resistance and the like, to provide a method for producing the same, to provide a resin composition containing the derivative and to provide a cured product using the derivative.例文帳に追加

耐光性などの光学特性、耐熱性などの機械物性、接着性、エッチング耐性等に優れるアダマンタン誘導体、その製造方法、当該誘導体を含む樹脂組成物及び当該誘導体を使用する硬化物を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and a pattern forming method that uses identical satisfying high sensitivity, high resolution, proper pattern shape, proper line edge roughness and dry etching resistance, at the same time.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なパターン形状及び良好なラインエッジラフネス、さらには耐ドライエッチング性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性低分子化合物含有組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing 3,3,3-trifluoropropene capable of serving as a functional material such as a refrigerant, a foaming agent, a detergent, a solvent, an etching agent and an aerosol, an intermediate of a physiologically active substance or a functional material or a monomer composing a polymer compound.例文帳に追加

本発明は、冷媒、発泡剤、洗浄剤、溶剤、エッチング剤、エアゾール等の機能材料又は生理活性物質、機能性材料の中間体、高分子化合物のモノマーとなりうる、３，３，３−トリフルオロプロペンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for cleaning a substrate which remove a by-product and residual fluorine without damaging a pattern including an exposed portion of a silicon layer when forming the pattern by plasma etching.例文帳に追加

シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for recovering patterns on a silicon substrate, wherein foreign matters grown between the patterns formed on the silicon substrate by etching are removed to recover a shape of the patterns.例文帳に追加

シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide membrane made of TEOS with a CVD method and thin membrane 13 made of NSG are formed on one surface of a substrate 11, and a space 12 is formed from the other surface side of the substrate 11 by etching so as to remain the thin membrane 13.例文帳に追加

基板１１の一方面にＣＶＤ法によりＴＥＯＳを原料とするシリコン酸化膜やＮＳＧからなる薄膜１３を形成し、基板１１の他方面側から薄膜１３が残るように空間１２をエッチングで形成する。 - 特許庁

To provide a technology for manufacturing a light-emitting diode which has a vertical electrode structure, where two electrodes are located, divided into an upper surface and a lower surface, and to provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting diode, using an etching technology for sapphire substrate.例文帳に追加

二つの電極がチップの上面と下面に分けて配置された垂直型電極構造を有する発光ダイオードの作製技術及びサファイア基板のエッチング技術を利用した発光ダイオード製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a passive element of a semiconductor device in which a fault of bringing about a decrease in etching rate or ashing rate by storing a charge between a lower layer electrode and an upper layer electrode in the case of plasma working, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

プラズマによる加工の際に、電荷が下層電極と上層電極間にチャージされてエッチングレートや、アッシングレート等の低下が生じるといった不具合が生じることのない半導体装置の受動素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which eliminates the need for tapering a connection hole by wet etching to reduce the aspect ratio of the connection hole and can reduce the generation rate of a connection hole formation defect.例文帳に追加

本発明は、接続孔のアスペクト比を低減するために、ウェットエッチングにより接続孔にテ−パを施す必要がなく、接続孔形成不良の発生率を低減することができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide an etching method for a metal film wherein a metal film comprising a plurality of layers is etched at the same speed for each layer, while a seam at the center of a connection hole or groove is suppressed from widening with a loading effect suppressed.例文帳に追加

複数の層からなる金属膜を各層が同じ速度でエッチングすることができ、しかも接続孔や溝の中央の合わせ目の広がりを押さえることができ、且つローディング効果の抑制された金属膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a treating agent which can safely and efficiently make an oxidative gas and an acidic gas discharged from an etching process, a CVD process, or the like, in the production of semiconductors and liquid crystals harmless, and to provide a detoxifying method using the treating agent.例文帳に追加

半導体・液晶製造におけるエッチング工程やＣＶＤプロセスなどから排出される酸化性ガス及び酸性ガスを、安全に且つ高効率で無害化できる処理剤並びに該処理剤を用いた無害化方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device comprising a step for etching a metal film using a resist pattern as a mask in which resist used as a mask at the time of patterning the film can be removed easily along with reaction products produced at the time of patterning the film.例文帳に追加

レジストパターンをマスクに使用して金属膜をエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法に関し、膜のパターニングにマスクとして使用されたレジストと膜のパターニングの際に発生した反応生成物を容易に除去すること。 - 特許庁

This method for producing a langasite-based single crystal substrate comprises a step for polishing at least either one main face of a raw material substrate and a step for carrying out wet etching of main face of the polished substrate in a solution containing H3PO4, HNO3 and CH3COOH.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の製造方法は、原料基板の少なくとも一方の主面を研磨する工程と、この研磨した基板の主面をＨ_3ＰＯ_4、ＨＮＯ_3およびＣＨ_3ＣＯＯＨを含む溶液で湿式エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method of element comprises a process for forming the aluminum alloy film on a substrate to form the wiring circuit by etching the aluminum alloy film, the aluminum alloy film is formed and, thereafter, the surface of aluminum alloy film is oxidized.例文帳に追加

基板上に、アルミニウム合金膜を形成し、当該アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える、素子の製造方法において、アルミニウム合金膜を形成後、アルミニウム合金膜表面を酸化させるものとした。 - 特許庁

A II-VI semiconductor superlattice 1 is formed on a substrate 2 by a molecular beam epitaxy method, part of the substrate 2 is removed by etching to expose the semiconductor superlattice 1 to the substrate 2 side and an optical antireflection film 3 is formed on the exposed face.例文帳に追加

分子線エピタキシー法を用いて基板２上にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッチングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, wherein higher resistance of a control gate and etching of a silicon substrate are prevented while an element isolation film is etched with a gate electrode in self-alignment to form a source line.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合で素子分離膜をエッチングしてソースラインを形成する半導体装置の製造方法に関し、コントロールゲートの高抵抗化及びシリコン基板のエッチングを防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oscillating body apparatus by which micro oscillating bodies having different resonance frequencies are manufactured with the same etching mask, and reduction in an effective reflection area and variation in the resonance frequency in manufacturing process is suppressed.例文帳に追加

異なる共振周波数のマイクロ揺動体を同じエッチングマスクで製造することができ、有効反射面積の低下及び共振周波数の製造ばらつきを抑制することが可能となる揺動体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After catalyst metal particles of a nanometer size are formed as separated on a substrate by an etching process (step 30), high purity carbon nanotubes perpendicularly arranged on the substrate are grown by a thermochemical vapor phase vapor deposition method using a carbon source gas (step 40).例文帳に追加

蝕刻工程を用いて基板上に分離されたナノサイズの触媒金属粒子を形成した（３０段階）後、カーボンソースガスを用いた熱化学気相蒸着法で基板に垂直整列された高純度のカーボンナノチューブを成長させる（４０段階）。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a new adamantane derivative which is useful as a modifying agent for a resin for a photoresist and a dry etching resistance-improving agent in the photolithography field, agricultural and medical intermediates and other various industrial products.例文帳に追加

フォトリソグラフィー分野におけるフォトレジスト用樹脂の改質剤やドライエッチング耐性向上剤、農医薬中間体、その他各種工業製品として有用な新規なアダマンタン誘導体を効率よく製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide aluminum alloy foil for an electrolytic capacitor cathode which has no insufficiency in mechanical strength caused by its overmelting upon etching treatment, and has both of high electrostatic properties and high mechanical strength, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

エッチング処理時におけるアルミニウム合金箔の過溶解に起因する機械的強度の不足がなく、高い静電特性と高い機械的強度とを併せ持つ電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This plating method on aluminum alloy features that ADC12 including silicone is subjected to anodic electrolytic etching, silicone is protruded from the surface of the ADC12, and a process of forming ruggedness on the surface and a plating process are included therein.例文帳に追加

シリコンを含有するＡＤＣ１２を陽極電解エッチングして、該ＡＤＣ１２の表面からシリコンを突出させると共に、表面に凹凸を形成させる工程と、めっき工程を含むことを特徴とするアルミニウム合金上のめっき方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, preventing the induction of the crystal defects of a channel area and contributing to the performance improvement of a transistor by enabling wet etching through heat phosphoric acid by turning a nitride film to a dummy electrode.例文帳に追加

窒化膜をダミー電極にすることにより、熱燐酸でウェットエッチングできる為、チャネル領域の結晶欠陥の誘発を防ぐことができ、トランジスタの高性能化に寄与することを可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory element and a manufacturing method thereof capable of reducing a load in an etching process for a storage electrode and a plate electrode, and capable of realizing higher integration of a ferroelectric capacitor module.例文帳に追加

ストレージ電極およびプレート電極のエッチング工程における負荷を軽減させるとともに、強誘電体キャパシタモジュールを高集積化させることができる強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ素子を提供すること。 - 特許庁

The area not covered by the plating frame resist 4 of the second metal film 3 is selectively removed by a wet etching method and the exposed area of the first metal film 2 is plated with a magnetic material to selectively form a magnetic thin film 6.例文帳に追加

次にめっきフレームレジスト４に覆われていない第２の金属膜３の領域を、ウェットエッチング法で選択的に除去し、露出している第１の金属膜２の領域上に、磁性材料をめっきして、磁性薄膜６を選択的に形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the nitride semiconductor laser element, a layer 2d formed of AlGaN is formed on a GaN substrate 2 having a stripe groove formed by etching, and the contact layer 8 formed of InGaN is formed on an uppermost layer.例文帳に追加

エッチングによりストライプ状の溝を形成したＧａＮ基板２上にＡｌＧａＮから成る層２ｄを形成し、最上位層にＩｎＧａＮから成るコンタクト層８を形成することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の作製方法。 - 特許庁