「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses projecting like hemispherical surfaces on one surface includes: a resist forming step of forming a resist layer for formation of shapes of microlenses, on an organic film layer being a material layer of the microlenses; and an etching step of etching the formed resist layer and the organic film layer by using mixed gas resulting from mixing molecules including hydrogen and molecules including fluorine.例文帳に追加

一方の面に、略半球面状に突出したマイクロレンズを複数有するマイクロレンズアレイの製造方法であって、マイクロレンズの材料層となる有機膜層の上にマイクロレンズの形状を形成するためのレジスト層を形成するレジスト形成工程と、形成したレジスト層および有機膜層を、水素を含む分子およびフッ素を含む分子を混合させた混合ガスを用いてエッチングするエッチング工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the manufacturing method of the crystal oscillator which forms a coating film consisting of photopolymer on the quartz plate, forms a desired shape by exposing resin with exposed light by using a mask and performs batch dry etching processing of the quartz plate by using the resin shape, transmissivity of the exposed light transmitted the mask is controlled and the batch dry etching processing of the quartz plate is performed.例文帳に追加

水晶板上に感光性樹脂からなる被膜を形成し、マスクをもちいて露光光により前記樹脂を感光させることによって、所望の形状を形成し、前記樹脂形状を用いて水晶板を一括ドライエッチング加工する水晶振動子の製造方法であって、前記マスクを透過した露光光の透過率が制御されかつ水晶板を一括ドライエッチング加工することを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting to form a desired wiring pattern, by etching treatment of a copper foil adhered on the surface of an insulating film comprises the step of etching treatment by breadthwise reciprocating and swinging an etchant jet nozzle arranged above the film to jet the etchant to the top face of the film in a direction vertical to the film feed direction.例文帳に追加

絶縁フィルム表面に接着した銅箔をエッチング処理することによって所望の配線パターンを形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法において、前記フィルムの上方に配置され、エッチング液をフィルム上面に吐出するエッチング液吐出ノズルを、フィルムの送給方向に対して垂直な方向であるフィルムの幅方向に往復揺動して、エッチング処理することを特徴とする。 - 特許庁

The etching method includes a process to form a layer of Al or Al alloy on a surface of a substrate, a process to treat the surface of the layer of Al or Al alloy with TMAH, a process to form a resist pattern on the surface of the Al or Al alloy layer treated with TMAH, and a process to wet-etch the Al or Al alloy layer with the resist pattern as an etching mask.例文帳に追加

下地表面上にＡｌまたはＡｌ合金の層を形成する工程と、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層の表面をＴＭＡＨで処理する工程と、前記ＴＭＡＨで処理したＡｌまたはＡｌ合金の層の表面上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクとして用い、前記ＡｌまたはＡｌ合金の層をウエットエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied includes a step for generating plasma and etching a substrate by a first excitation source which is connected to a processing room and which is for generating plasma, and a second excitation source which is connected to an electrode of a stage where the substrate is placed; and a step for generating plasma and depositing the substrate by the second excitation source.例文帳に追加

エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、処理室に接続された、プラズマを生成するための第一励起源と、基板を載置するステージの電極に接続された第二の励起源とによりプラズマを生成して基板のエッチングを行うステップと、前記第二の励起源によりプラズマを生成して基板のデポジションを行うステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a glass substrate for a magnetic disk includes: an etching process for etching plate-like glass to adjust plate thickness; a scribing process for forming the plate-like glass into an annular glass substrate; and a chemical surface treatment process that is a post-process of the scribing process to perform chemical surface treatment of the glass surface before a polishing process of the glass substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、板状ガラスをエッチングして板厚を調整するエッチング工程と、前記板状ガラスを円環状のガラス基板に形成するスクライブ工程と、前記スクライブ工程の後工程であって前記ガラス基板の研磨工程の前に前記ガラス表面の化学的表面処理を行う化学的表面処理工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

This method includes the steps of forming a film 2 on a semiconductor substrate 1 and forming an interlayer insulating film 3 thereon, subjecting the film 3 through photolithography to a patterning process to form a hole 4, subjecting the film 3 to wet etching process with use of an etchant having a etching rate larger than that of the film 2 to the film 3, and observing the hole 4 from an open side thereof.例文帳に追加

半導体基板１上に膜２を形成し膜２の上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜３をフォトリソグラフィ法によりパターニングしてホール４を形成する工程と、層間絶縁膜３に対する膜２のエッチング速度の比が大きいエッチング液を使用して層間絶縁膜３をウェットエッチングする工程と、ホール４を開口側から観察する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the liquid jet head includes a step of laminating a first metal layer 191 enhancing adhesion and a second metal layer 192 serving as wiring on one surface of a channel formation substrate 10 where a piezoelectric actuator is formed, a step for patterning the second metal layer 192 by wet etching, and a step for patterning the first metal layer 191 by dry etching.例文帳に追加

圧電アクチュエーターが一方面に形成された流路形成基板１０の当該一方面に密着を向上する第１の金属層１９１と、配線となる第２の金属層１９２とを積層する工程と、前記第２の金属層１９２をウェットエッチングによりパターニングする工程と、前記第１の金属層１９１をドライエッチングによりパターニングする工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加

炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a polysilicon layer 3 on a silicon substrate 1, forming a photoresist mask 5 on the polysilicon layer 3, dry etching the polysilicon layer 3 with the use of the photoresist mask 5 as a mask, and depositing a by-product 6 produced in the act of dry etching the polysilicon layer 3 on and on the side of the photo resist mask 5.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上にポリシリコン層３を形成する工程と、ポリシリコン層３上にフォトレジストマスク５を形成する工程と、フォトレジストマスク５をマスクにしてポリシリコン層３をドライエッチングするとともに、ポリシリコン層を３ドライエッチングしている最中に生成される副生成物６を、フォトレジストマスク５の上面および側面の上に堆積する工程とを有する。 - 特許庁

The cleaning method for plasma etching equipment includes the steps of supplying a cleaning gas into a chamber 102 of plasma etching equipment 100, changing the cleaning gas into plasma in the chamber 102, and putting the cleaning gas, changed to plasma, into contact with a deposit adhering to the inner wall of the chamber 102 to etch and remove the deposit, thus performing plasma cleaning inside the chamber 102.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング装置のクリーニング方法は、プラズマエッチング装置１００のチャンバー１０２内に、クリーニングガスを供給する工程と、チャンバー１０２内において、前記クリーニングガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された前記クリーニングガスを、チャンバー１０２の内壁に付着した堆積物に接触させ、該堆積物をエッチング除去することにより、チャンバー１０２内のプラズマクリーニングを行う工程と、を含む。 - 特許庁

In the method for processing a semiconductor wafer, by polishing the surface of the semiconductor wafer at a prescribed polishing pressure slidingly with polishing cloth to implement plasma-etching of the polished surface, polishing is carried out with a polishing pressure at a peripheral part of the semiconductor wafer smaller than that at the central part, whereby the peripheral part is raised and only the peripheral part is subjected to plasma etching.例文帳に追加

半導体ウエーハの表面を所定の研磨圧で研磨布に摺接させて研磨し、該研磨した表面をプラズマエッチングする半導体ウエーハの加工方法において、前記半導体ウエーハの周辺部分の研磨圧を中央部分より小さくして研磨することにより周辺部分が盛り上がった形状とし、該周辺部分のみをプラズマエッチングすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation layer of a semiconductor memory device, capable of filling a fluid first insulating film on the bottom surface of a trench, forming a second insulating film, then performing a dry etching process and a wet etching process and reducing the amount of fluorine (F) included in the second insulating film while expanding the top width of the trench.例文帳に追加

本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

This method for manufacturing a multilayered wiring board includes the consecutive steps of a step of forming a curing insulation resin layer, a step of selectively forming a via hole in the curing insulation resin layer, a step of etching a metal for a wiring pattern, a step of curing the curing insulation resin layer after etching, and a step of applying a plating treatment for interlayer connection.例文帳に追加

配線パターンが形成された絶縁基材上に、硬化性絶縁樹脂層を設ける工程、該硬化性絶縁樹脂層に選択的にビアホールを形成する工程、配線パターンの金属をエッチングする工程、エッチング後に該硬化性絶縁樹脂層を硬化する工程、およびメッキ処理を行って層間接続を行う工程、をこの順に行うことを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an upper gate 16 by partly etching a silicon nitride film layer 15 and a metal layer 14, forming an upper sidewall 17 of a silicon nitride film on a sidewall of the gate 16, etching the layer 13 and the film 12 with the sidewall 17 as a mask, and conducting a sidewall oxidation of the remaining layer 13.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法では、シリコン窒化膜層１５およびメタル層１４が部分的にエッチングされて上側ゲート部１６が形成され、その上側ゲート部１６の側壁部にシリコン窒化膜の上側サイドウォール１７が形成され、その上側サイドウォール１７をマスクとして、ポリシリコン層１３およびゲート酸化膜１２がエッチングされるとともに、残留しているポリシリコン層１３の側壁酸化が行われる。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

The method of manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly comprising using the multilayered lamination sheet having the first layer 50 consisting of the metallic spring material, the intermediate second layer 90 consisting of the electrical insulating material and the third layer 70 consisting of the conductive material and performing the dry etching process after wet etching as a process step of molding the second layer 90 and the laminated structure thereof are provided.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングの後、ドライエッチングプロセスを行うことを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

The method for fabricating a photomask includes the steps of: providing a film stack having a molybdenum layer and a light-shielding layer in a processing chamber; pattering a first resist layer on the light-shielding layer; etching the light-shielding layer using the first resist layer as an etch mask; and etching the molybdenum layer using the patterned light-shielding layer and the patterned first resist layer as a composite mask.例文帳に追加

フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display panel and a thinning method of a glass substrate for thinning the glass substrate by immersing it in an etching solution without damaging components of the organic EL display panel; and to provide a glass substrate for an organic EL display panel and an organic EL display using these methods.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイパネルの構成部材を損傷させることなく、エッチング液に浸漬してガラス基板を薄型化する有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法及びガラス基板の薄型化方法、並びにこれらの方法を使用した有機ＥＬディスプレイパネル用ガラス基板及び有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁

The method, in which a CNT vertical orientation film is formed on a substrate surface by a chemical vapor synthesis method, and the CNT aggregate is manufactured from the CNT vertical orientation film, includes forming the CNT vertical orientation film on the substrate, and then removing an upper part of the CNT vertical orientation film by oxygen plasma etching.例文帳に追加

化学気相合成法によって、基板表面にＣＮＴ垂直配向膜を形成し、そのＣＮＴ垂直配向膜からＣＮＴ集合体を製造する方法において、基板上にＣＮＴ垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、ＣＮＴ垂直配向膜の上部を除去する。 - 特許庁

The embossing roll of the present invention is characterized by forming an emboss consisting of projected stripes and recessed channels on the surface of a metal roll by means of an engraving mill method or an etching method, forming fine unevenness on the embossed face by means of a blast treatment and half abrading the top parts of the fine projected parts formed on the projected stripes forming the emboss.例文帳に追加

本発明のエンボスロールは、金属ロールの表面に彫刻ミル法またはエッチング法により凸条と凹溝とからなるエンボスが形成され、該エンボス面にブラスト処理により微細な凹凸が形成され、エンボスを形成する凸条に形成された微細な凸部の上部が半研磨されてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polymer capable of forming an electrical insulation film with low water-adsorbing tendency and dielectric constant, high etching resistance and chemical liquid resistance and high mechanical strength; to provide a method for producing the polymer; to provide an electrical insulation film-forming composition containing the polymer; to provide a method for producing such electrical insulation film; and to provide silica-based electrical insulation film.例文帳に追加

水吸着性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができるポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing diamond includes the steps of: growing a semiconductor diamond layer by a vapor phase synthesis method on a diamond substrate; growing an insulating diamond layer by a vapor phase synthesis thereon; and separating the insulating diamond layer from the substrate by electrochemical etching in the semiconductor diamond layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層を成長させる工程と、その上に気相合成法により絶縁性ダイヤモンド層を成長させる工程と、前記半導体ダイヤモンド層の電気化学的エッチングにより、絶縁性ダイヤモンド層と該基板を分離する工程を含むダイヤモンドの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for exfoliating the resist without causing resin remainder and exfoliation of the resin layer in a manufacturing method of a polymer optical waveguide substrate comprising a process for removing an unnecessary part of the polymer optical waveguide by reactive ion etching via a resist containing silicon, and then exfoliating the resist.例文帳に追加

シリコン含有レジストを介して反応性イオンエッチングによりポリマー光導波路の不要部を除去し、次いでレジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、樹脂残りや樹脂層の剥離を発生させずにレジストを剥離することができる方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for analyzing the semiconductor substrate, the semiconductor substrate containing an analyte is etched by a vapor phase cracking method using hydrogen fluoride vapor and ozone-containing gas produced by discharge, and a recovery liquid is discharged on the semiconductor substrate after etching, so that the analyzing target is recovered along with the recovery liquid.例文帳に追加

本発明は、フッ化水素の蒸気と、放電により発生させたオゾン含有ガスとを用いた気相分解法により分析対象物を含む半導体基板をエッチングし、エッチング後の半導体基板上に回収液を吐出し、回収液とともに分析対象物を回収する半導体基板の分析方法に関する。 - 特許庁

The manufacturing method of the solid oxide fuel cell uses a method such as pressing, pattern printing, mechanical grinding, etching, or ultrasonic machining, when the porous electrode 30 equipped with either one or both of the gas inflow side gas sub-passage and the gas exhaust side gas sub-passage is formed.例文帳に追加

前記固体電解質型燃料電池の製造方法は、ガス流入側ガス副通路及びガス排出側ガス副通路のいずれか一方又は双方を備える多孔質電極３０を形成するに当たり、プレス加工、パターン印刷加工、機械研削加工、エッチング加工、超音波加工などの方法を用いる。 - 特許庁

To provide an effective method for reducing the amount of a consumed iron material and inhibiting increase in zinc concentration in an obtained ferrous chloride solution, in a method for recovering cobalt from a cobalt chloride- containing aqueous solution, such as etching waste water, and obtaining a ferrous chloride solution containing a low concentration of cobalt.例文帳に追加

エッチング廃液等の塩化コバルトを含有する水溶液からコバルトを回収し、かつコバルト濃度の低い塩化第一鉄水溶液を得る方法に関して、鉄材の使用量を減少させ、かつ取得する塩化第一鉄水溶液中の亜鉛濃度の上昇を抑制する効果的方法の提供。 - 特許庁

To solve the following problem: eaves occurs due to a difference in etching rate of a multilayer film at a peripheral part to cause contamination diffusion to a next process in a conventional substrate peripheral processing method for making constant the number of rotations of the substrate, in a substrate processing method for supplying a processing liquid to a substrate having a multilayer film formed, from backside of the substrate, while rotating the substrate.例文帳に追加

多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。 - 特許庁

To provide manufacturing method such as dry etching process of a cylinder for forming a capacitor of a D-RAM whereas the conventional manufacturing method causes problems of a short circuit between adjacent holes or coverage trouble in electrode deposition formed in the hole since a profile of the cylinder or a contact having high aspect ratio becomes a bowing profile.例文帳に追加

Ｄ−ＲＡＭのキャパシタを形成するシリンダのドライエッチ加工において、従来技術の製造方法ではアスペクト比が高いシリンダやコンタクトの形状がボーイング形状となり隣接するホール間ショートの問題やホール内に形成する電極成膜のカバレッジ異常などの問題が発生する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the antenna sheet for the non-contact IC tag, an antenna pattern is formed by a wet etching method on a base film 11, an antistatic agent is applied to the antenna pattern surface of a film, and then the IC chip is mounted on the end section of the antenna pattern.例文帳に追加

本非接触ＩＣタグ用アンテナシートの製法は、非接触ＩＣタグのアンテナシートを製造する工程において、ベースフィルム１１にウェットエッチング法によりアンテナパターンを形成した後に、静電防止剤をフィルムのアンテナパターン面に塗布し、その後に、アンテナパターンの端部にＩＣチップを実装することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method which can enhance the efficiency of treating an etchant by electrolytic oxidation treatment, and besides, can facilitate the maintenance of an electrolytic treatment apparatus, in a method of recovering and/or maintaining etching performance by electrolytically anodizing the etchant containing a manganese salt as an effective component.例文帳に追加

マンガン塩を有効成分として含むエッチング液を陽極電解酸化処理してエッチング性能を回復乃至維持する方法において、電解酸化処理によるエッチング液の処理効率をより向上させることができ、しかも電解処理装置のメンテナンスを容易にすることが可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The emboss roll of the invention is characterised in that, on the surface of a metal roll, an embossment comprising projected lines 2 and recessed grooves 1 is formed by an engraving mill method or an etching method, fine ruggedness is formed on the embossed surface by a blast treatment, and fine upper parts of the projected parts formed on the projected lines forming the embossment are half ground.例文帳に追加

本発明のエンボスロールは、金属ロールの表面に彫刻ミル法またはエッチング法により凸条２と凹溝１とからなるエンボスが形成され、該エンボス面にブラスト処理により微細な凹凸が形成され、エンボスを形成する凸条に形成された微細な凸部の上部が半研磨されてなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist material for manufacturing a substrate having a nanoscale rugged structure by patterning a resin composition applied to the surface of a substrate to be processed by a nanoimprinting method to form a resin layer having a rugged structure and then processing the substrate by a dry etching method using the resin layer as a resist.例文帳に追加

被加工基材上に塗布した樹脂組成物をナノインプリント法にてパターニングを行い、凹凸構造を有する樹脂層を形成し、この樹脂層をレジストとしてドライエッチング法にて加工することによりナノスケールの凹凸構造を有する基材を製造するためのレジスト材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of chipping, a semiconductor wafer in which a thin part is formed by plasma etching and it is difficult to apply a dicing method for the chipping, wherein there is a low possibility that a wafer is damaged in handling, it is unnecessary to increase a production process and the number of semiconductor devices to be taken can be increased.例文帳に追加

プラズマエッチングによって肉薄部を形成されてチップ化にダイシング法を適用することが困難な半導体ウェハをチップ化する方法であって、取扱い時にウェハを破損する可能性が低く、製造工程を増やす必要がなく、且つ半導体デバイスの取れ個数をより多くできる方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a process wherein a silicon oxide film 5 is formed on a semiconductor substrate 1; a process wherein a tantalum oxide film 6 is formed on the silicon oxide film 5; and a process wherein by applying IC source power by using gas containing F and etching gas containing O_2 by an IE method, the tantalum oxide film 6 is selectively processed.例文帳に追加

半導体基板１上にシリコン酸化膜５を形成する工程と、このシリコン酸化膜５上に酸化タンタル膜６を形成する工程と、ＲＩＥ法により、Ｆを含むガス及びＯ_２を含有するエッチングガスを用い、ＩＣＰソースパワーを印加して、前記酸化タンタル膜６を選択的に加工する工程とを具備する。 - 特許庁

The photosensitive resin 31 and the silicon substrate B corresponding to the photosensitive resin 31 are etched by the IPC plasma etching method, to form a slit groove 42 of a three-dimensional structure, and a voltage is impressed to the silicon substrate B to form X-ray absorbing metal parts 111, 112 in the slit groove 42, by an electrocasting method.例文帳に追加

そして、ＩＣＰプラズマエッチング法により、感光性樹脂３１及びその感光性樹脂３１に対応するシリコン基板Ｂをエッチングして３次元構造体のスリット溝４２を形成して、電鋳法により、シリコン基板Ｂに電圧を印加してスリット溝４２にＸ線吸収金属部１１１及び１２１を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate capable of easily forming a required configuration from a substrate slow in etching speed, the manufacturing method of a substrate which forms a metal film employing non-electrolytic plating, and a crystal oscillating piece, a gyroscope oscillating piece and the substrate for indication which are manufactured by these manufacturing methods.例文帳に追加

エッチング速度が遅い基板から容易に所望の形状に成形することができる基板の製造方法、及び無電解めっき法を用いて金属膜を生成する基板の製造方法と、これらの製造方法によって製造された水晶振動片、ジャイロ振動片及び表示用基板を提供することにある。 - 特許庁

Disclosed is the method for manufacturing the layered structure having a smoothed intermediate layer and a layer provided above the intermediate layer, the method being characterized in that the intermediate layer is processed with a gaseous etching agent containing hydrogen fluoride to remove a material and further the intermediate layer is smoothed.例文帳に追加

平滑化された中間層と、前記中間層上に設けられたその上方にある層とを有する層構造の製造方法において、中間層を、フッ化水素を含有するガス状のエッチング剤で処理して、材料の取り去りを達成しかつ中間層を平滑化することを特徴とする、層構造の製造方法。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which enhances resolution/adhesion by high-speed developability (of an unexposed portion) and excellent developer resistance (of an exposed portion), improves dispersibility in a developer, and suppresses foaming of an etching solution, a photosensitive element using the same, a method for producing a resist pattern and a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加

高速現像性（未露光部）と優れた耐現像液性（露光部）により、解像度・密着性を向上させ、また、現像液における分散性を良好にし、且つ、エッチング液の発泡を抑制する感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of via holes which manufactures a via hole structure capable of attaining heat radiation improvement effect by increasing an embedding material to the interior while reducing the number of etching to a semiconductor substrate for via hole formation, and to provide a manufacturing method of a semiconductor element having the via holes.例文帳に追加

内部への埋め込み材料を増量させて放熱性向上効果を得ることが可能なビアホール構造を、ビアホール形成のための半導体基板へのエッチングの回数を少なくしつつ製造することのできるビアホールの製造方法およびビアホールを有する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the lead frames is provided for continuously forming the lead frame 26 by gradually unwinding a strip 11 wound around a reel 10, and the lead frame continuum 29 manufactured by the method is also provided, wherein dot groups 27 and 32 comprising recessed portions are formed by half-etching processing in a portion of each lead frame 26 or the lead frame group 31.例文帳に追加

リール１０に巻かれた条材１１を徐々に解いてリードフレーム２６を連続的に製造するリードフレームの製造方法及びこの方法によって製造されたリードフレーム連続体２９であって、各リードフレーム２６又はリードフレーム群３１の一部に、ハーフエッチング加工によって凹部からなるドット群２７、３２を形成した。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element that realizes a stable ramen mode vibration by processing an LQ2T-cut crystal substrate having a crystal azimuth, which have had difficulty of processing such as punching by a chemical etching method, to have a prescribed shape with high accuracy in a short time and to provide a manufacturing method for the piezoelectric element.例文帳に追加

化学的エッチング方法では打ち抜き等の加工が困難とされていた水晶の結晶方位を有するＬＱ２Ｔカット水晶基板に対して、短時間に精度よく所定形状に加工することにより、安定したラーメモード振動を実現する圧電素子及びこの圧電素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁