「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

To satisfy magnetic characteristics, film thickness, adhesion, uniformity, smoothness, etc. required for a soft magnetic backing layer of a vertical magnetic recording medium to be a hard disk by forming a soft magnetic plating film by an electroless plating method after applying etching processing to a glass substrate by using an etching solution capable of uniformly applying suitable roughness to the surface of the glass substrate without generating defects.例文帳に追加

表面に適度な粗さを均一に欠陥なく付与することが可能なエッチング液を用いてガラス基板にエッチング処理を施した後に無電解めっき法により軟磁性めっき膜を形成することにより、ハードディスクとしての垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層に要求される磁気特性、膜厚、密着性、均一性、平滑性などを満足させる。 - 特許庁

In this etching treating method for cleaning a cleaning member, the cleaning member set in a cleaning tank is subjected to wet etching treatment using a chemical solution, the chemical solution after the completion of the treatment is moved to an another tank through at least one piping, and the cleaning member is not moved and is subjected to water washing treatment in the same cleaning tank.例文帳に追加

洗浄部材を洗浄するエッチング処理方法において、洗浄槽内に設置した該洗浄部材を、化学溶液を用いてウエットエッチング処理を行い、処理終了後の該化学溶液を、少なくとも一つの配管を通して別槽へ移動し、該洗浄部材は移動せず、同一洗浄槽内で水洗処理を行うことを特徴とするエッチング処理方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of: forming a first mask pattern on a layer to be etched; forming a second mask pattern on the layer to be etched; forming a spacer on the sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern; and etching the layer to be etched on the basis of an etching mask in which the second mask pattern was removed.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体素子の製造方法は、被エッチング層上に第1マスクパターンを形成する段階、被エッチング層上に第2マスクパターンを形成する段階、第1マスクパターン及び第2マスクパターンの側壁にスペーサを形成する段階、及び第2マスクパターンが除去されたエッチングマスクを基準に前記被エッチング層をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

This manufacturing method comprises the steps of machining the {0001} plane of silicon carbide, etching the surface of the silicon carbide by plasma of a material containing at least a halogen after the machining step, and exposing the surface of the silicon carbide to a plasma of a material not containing a halogen and containing at least oxygen after the etching step.例文帳に追加

炭化珪素の｛０００１｝面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面を、少なくともハロゲンを含有する物質のプラズマによりエッチングする工程と、前記エッチング工程後に、前記炭化珪素の表面を、ハロゲンを含有せず、なおかつ少なくとも酸素を含有する物質のプラズマに曝露する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

A substrate processing method includes: a first step of carrying a substrate into a reaction chamber, supplying a material gas into the reaction chamber, irradiating the supplied material gas with the ultraviolet light, processing the substrate with an induced gas, and then carrying the substrate out; and a second step of supplying an etching gas into the reaction chamber after the first step and irradiating the supplied etching gas with the ultraviolet light.例文帳に追加

基板を反応室内へ搬入し、材料ガスを反応室へ供給し、供給された材料ガスに紫外光を照射し、誘起されたガスで基板を処理し、その後基板を搬出する第一のステップと、第一のステップの後、反応室内にエッチングガスを供給し、供給されたエッチングガスに紫外光を照射する第二のステップを有する基板処理方法。 - 特許庁

The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加

石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a silicon-containing Al alloy film 3 on a silicon substrate 1; a step of providing a resist pattern 4 on the Al alloy film 3; a step of etching the Al alloy film 3 using the resist patter 4 as a mask; a step of washing after etching; and a step of removing a silicon residue 5 using a two-fluid nozzle 6.例文帳に追加

半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 - 特許庁

In the light-transmission thin film solar cell module, the light-transmission area is formed by using a mask blank-assisted sandblasting etching method including: a step of positioning a mask blank to cover the back electrode of the thin film solar cell module; and a step of performing a sandblasting etching to the mask blank to form the light-transmission area in the thin film solar cell module.例文帳に追加

マスクブランクスを薄膜太陽電池モジュールの背電極に位置決めをして覆わせるステップと、マスクブランクスに対してサンドブラスト・エッチングを施し薄膜太陽電池モジュールに透光性領域を形成するステップと、を含むマスクブランクス補助サンドブラスト・エッチング法を使用して、透光性領域を形成することを特徴とする透光性薄膜太陽電池モジュールを製造する。 - 特許庁

To provide an exposure mask and a method for making a mask pattern by which not only the focus margin is improved in a photolithographic process but shrinkage in a line end is suppressed, and difference in the finish dimension in an etching process is suppressed.例文帳に追加

フォトリソグラフィー工程において、フォーカスマージンを向上させるだけでなく、ライン末端部の縮みを抑制し、かつエッチング工程において仕上がり寸法差を抑制する、露光用マスクとマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CVD facility having a plasma etching device capable of removing a naturally deposited oxide film inevitably generated in transferring a semiconductor wafer substrate to a thin film deposition step, and a thin film deposition method utilizing the CVD facility.例文帳に追加

薄膜形成工程への半導体ウェーハ基板の移送時に不可避的に生成される自然酸化膜を除去できるプラズマエッチング装置を具備したＣＶＤ設備、および同ＣＶＤ設備を利用した薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion bonding article, in which it can be simply and exactly confirmed whether many sheet members, each having a pattern formed by etching, are laminated in a correct order, correct front and back sides, and a correct angle, and a manufacturing method, therefor.例文帳に追加

エッチングによりパターンが形成された多数枚のシート状部材が、正しい順序・表裏・角度で積層されているかを簡単かつ正確に確認できるよう工夫した拡散接合品及びその製造方法を提供する - 特許庁

To provide a porous insulating film in which the etching damage can be improved while maintaining the low dielectric constant and the mechanical strength of the insulating film, as it is, without requiring any complicated control, or the like, in the process, and to provide a method of producing the same.例文帳に追加

工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween.例文帳に追加

このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing cover glass which improves an etching rate to improve cover glass productivity and forms the cover glass of a high shape accuracy even if its shape is complicated, and to provide the cover glass.例文帳に追加

エッチングレートを向上させることによりカバーガラスの生産効率を向上し、さらには、複雑な形状であっても、形状精度の高いカバーガラスを形成することができるカバーガラスの製造方法およびカバーガラスを提供する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display device whose array substrate wherein a thin film transistor including an etching preventing film is constituted can be fabricated by three mask processes and to obtain a method of fabricating the same.例文帳に追加

液晶表示装置用アレイ基板の製作において、エッチング防止膜を含む薄膜トランジスタが構成された液晶表示装置用アレイ基板を３マスク工程によって製作可能な液晶表示装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for removing a resist for sufficiently suppressing damage of an insulating film consisting of a low dielectric constant material when removing a residual resist from a base substance to be treated after patterning in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程においてパターニング後の被処理基体から残留レジストを除去するに際し、低誘電率材料からなる絶縁膜のダメージを十分に抑制することが可能なレジストの除去方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, a chemically amplified resist composition and a resist film which satisfy high sensitivity, high resolution, excellent roughness performance and excellent dry etching resistance, and further have excellent developing time dependency.例文帳に追加

高感度、高解像性、優れたラフネス性能、及び、優れたドライエッチング耐性を同時に満足するとともに、更には、現像時間依存性に優れたパターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting and separation method of glass which can suppress generation of a glass cullet and cracks and glass breaking of a cutting and separation face during cutting, can cut and separate by short-time etching, and is excellent in production efficiency.例文帳に追加

切断時におけるガラスカレットの発生、並びに切断分離面のクラック及びガラス割れが抑制され、短時間のエッチングによって切断分離することが可能な生産効率の優れたガラスの切断分離方法の提供。 - 特許庁

To provide a TFT substrate with contact holes that are accurately formed by enhancing the accuracy of processing a contact etching, and to provide a method of manufacturing the TFT substrate which can reduce manufacturing costs without causing complication in manufacturing process of the TFT substrate.例文帳に追加

コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

In removing a resist after dry etching in the step of manufacturing a mask, this method has a step of irradiating light, before removing the resist and a step of removing the resist irradiated with light by a developer thereafter.例文帳に追加

マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジストを剥離する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device which doesn't require post-processing like etching and is good for environment and is capable of enhancing the strength of substrates by eliminating flaws and cracks on surfaces, and a manufacturing method of the electro-optical device.例文帳に追加

エッチング処理のように後処理を必要とせず、環境にもやさしく、表面の傷やクラックを消滅させて基板の強度を向上できる電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method is provided with a stage of forming a light-emitting structure including a p-type electrode on an n-type substrate, a stage of etching the lower surface of the substrate and a stage of forming an n-type electrode on the etched lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a structure by anisotropic etching, which can reduce a rate of inferior goods of the structure by reducing such a possibility that a final shape of the structure is etched into a shape different from the target shape.例文帳に追加

構造体の最終形状が目標形状と異なる形状にエッチングされる可能性を低減して、構造体の不良品率を低減することができる異方性エッチングによる構造体の作製方法などを提供する。 - 特許庁

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.例文帳に追加

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

In this dry etching method, the primary rear surface of a silicon wafer W is covered with a thermal buffer film 20, and the primary front surface of the silicon wafer W is etched while the thermal buffer film 20 is cooled by blowing a cooling gas or the like.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法においては、シリコンウェーハＷの主裏面側を熱緩衝膜２０で覆い、その熱緩衝膜２０に冷却ガスを吹き付けるなどして冷却しつつシリコンウェーハＷの主表面をエッチングする。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 112 in which a region corresponding to an element isolation region is opened is used as a mask, and a part of a silicon oxide film 111 and a semiconductor silicon substrate 110 is removed by sequential etching to form a trench 114.例文帳に追加

素子分離領域に対応する領域が開口されたシリコン窒化膜１１２をマスクとしてシリコン酸化膜１１１および半導体シリコン基板１１０の一部を順次エッチングにより除去してトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.例文帳に追加

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a method of making a stamper which is ≥70° in the angle of inclination on the projecting flanks of a resist serving to be a mask in etching a substrate and is formed by direct mastering to regulate the angle of inclination on the projecting flanks of the stamper to ≥60° and an apparatus for the same.例文帳に追加

基板エッチング時のマスクとなるレジスト突起側面の傾斜角が７０゜以上あり、スタンパーの突起側面の傾斜角を６０゜以上とするダイレクトマスタリングによるスタンパー作製方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photocurable resin composition which is of low volatility and low viscosity and is excellent in such etching resistance as is usable for the optical nanoimprint technique to work a substrate with a high accuracy; a method for forming patterns using the same; and a microstructure.例文帳に追加

低揮発性、低粘度で、基板を高精度に加工する光ナノインプリント技術に利用可能な、エッチング耐性に優れる光硬化性樹脂組成物、これを用いたパターン形成方法及び微細構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method, by which, contained carbon density is made high even if the film formation is carried out at a comparatively low temperature, thereby an etching rate during cleaning can be made comparatively low, and controllability of the film thickness during the cleaning can be improved.例文帳に追加

比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of cleaning gas in an epitaxial growth furnace by which removal time for silicon deposited in the furnace is shortened or etching frequency be reduced, and productivity is improved, contamination of the inside of the furnace by silicon pieces be suppressed and high yield be established.例文帳に追加

炉内で析出したシリコンの除去時間の短縮やエッチング頻度の低減が図れ、生産性が高まり、シリコン片による炉内汚れが抑制され、高歩留まりとなるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of keeping a plasma environment more uniform than usual and enables a plasma expansion ring arranged in a processing chamber to be easily replaced and to lengthen its service life, and to provide a semiconductor device manufacturing method and an Si ring.例文帳に追加

より均一なプラズマ環境を維持でき、処理室内に配されるプラズマ拡張用のリングの交換容易性、長寿命化対策が得られるドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリングを提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition comprises a polymer which can form an insulating film hard to be damaged even by an etching step, the insulating film, a semiconductor device provided with the insulating film, and a method for producing the polymer.例文帳に追加

エッチング工程によってもダメージを受けにくい絶縁膜を形成し得る重合体を含む膜形成用組成物、前記絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置、さらには前記重合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring a thin film in an accurate and rapid measurement real time when the film is deposited or etched in a film forming step or an etching step used in a manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程で用いられている成膜工程や、エッチング工程で、薄膜を堆積あるいはエッチングしていく際に、高精度で迅速にリアルタイムで測定のできる薄膜測定方法とその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a surface-treated copper foil which satisfies all of adhesion strength to a polyimide, acid resistance and etching property, a surface treatment method for the surface-treated copper foil, and a laminated circuit board using the surface-treated copper foil.例文帳に追加

ポリイミドに対する銅箔との接着強度、耐酸性、エッチング性を全て満足する表面処理銅箔、該表面処理銅箔の表面処理方法、並びに該表面処理銅箔を用いた積層回路基板を提供すること。 - 特許庁

To obtain a resin for a resist which is highly transparent to far ultraviolet rays having wavelengths of about 220 nm or lower and high etching resistance and is excellent in adhesion to a substrate; and a chemical amplification-type resist and to provide a pattern formation method using the resist.例文帳に追加

略２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外線に対する光透明性が高く、エッチング耐性が高く、且つ基板密着性の優れたレジスト用樹脂、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide colloidal silica for mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica.例文帳に追加

半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な表面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By this way, the deformation generated in the blind section 11 of the metal thin plate 10 having the slit-like opening manufactured by the photo-etching method such as twists, positional misalignments, dents and the like can be corrected.例文帳に追加

この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口を有する金属製薄板１０の簾部分１１に発生したねじれ、位置ずれ、へこみ（出っ張り）等の変形を修正することができる。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which a titanium nitride layer can be etched so that the shape of its side wall is more vertical than before even if the layer has a part where a pattern is coarsely arranged and a part where a pattern is closely arranged.例文帳に追加

パターンが疎に配置された部分と、密に配置された部分とを有するものであっても、従来に較べて、窒化チタン層の側壁部分の形状を略垂直にエッチングすることのできるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method has first and second thin film forming processes by sputter deposition and a simultaneous etching process for the first and second thin films and manufactures the thin films under the conditions to make the reflectivity of the second thin film higher than the reflectivity of the first thin film and to lower the resistance.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

The forming method of a circuit pattern includes (1) a step to apply the aforementioned composition on a substrate, (2) a step to expose the photosensitive composition to light and then to develop, and (3) a step to perform wet etching of the substrate by using the pattern as a resist.例文帳に追加

回路パターン形成方法は、（１）基板上に上記感光性組成物を塗布する工程、（２）上記感光性組成物にパターン露光した後現像する工程、（３）該パターンをレジストとして基板をウエットエッチングする工程を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the thin film transistor, a back channel portion is formed in the thin film transistor by conducting etching using a resist mask, the resist mask is removed by removal or the like, and a superficial part of the back channel portion is further etched.例文帳に追加

薄膜トランジスタの作製方法において、レジストマスクを用いてエッチングを行うことで薄膜トランジスタにバックチャネル部を形成し、このレジストマスクを剥離等により除去し、バックチャネル部の表層部に更なるエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an apparatus and method capable of applying a film deposition treatment and an etching treatment to a member to be treated properly in a single chamber, thereby sufficiently applying a predetermined treatment to the member to be treated.例文帳に追加

１つのチャンバ内で被処理部材への成膜処理とエッチング処理とを適宜行って被処理部材に対して所定の処理を良好に行うことができる被処理部材の処理装置及び被処理部材の処理方法を提供する。 - 特許庁