「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a transparent conductive film which does not erode a supplemental electrode when patterning, disusing a complicated patterning process like photolithographic etching, and a manufacturing method of the same, and to provide an electroluminescent element using the same.例文帳に追加

フォトリソ・エッチングなどの複雑なパターニング工程が不要であり、また、パターニング時に補助電極を侵食しない透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

An etching method comprises a step of supplying a silylating agent onto a substrate having a silicon nitride film and a silicon oxide film exposed on the surface thereof, to form a protection film composed of a silylated film on the surface of the silicon oxide film.例文帳に追加

エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、シリル化剤を供給してシリコン酸化膜表面にシリル化膜からなる保護膜を形成する工程を有している。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnetic head comprising subjecting a contact surface 14 of the magnetic head 1a or 1b to a short time of ion etching, then directly coating the surface with a thin DLC film 15 as the protective layer and the magnetic head are provided.例文帳に追加

磁気ヘッド１ａ又は１ｂの接触面１４に短時間のイオンエッチングを施した後に保護層としての薄いＤＬＣ膜１５を直接的にコーティングした磁気ヘッドの製造方法及び磁気ヘッドを得る。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method for accurately adjusting the phase contrast of a phase shift mask by appropriately selecting materials used for the phase shift mask (a transparent substrate and a phase shifter film) and an etching solution.例文帳に追加

位相シフトマスクに使用される材料（透明基板及び位相シフタ膜）及びエッチング薬液を適宜選定することにより、位相シフトマスクの位相差を精度良く調整する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This etching processing method of a piezoelectric wafer forms masks 18 having openings 16 on an one surface 12 of the piezoelectric wafer and the other surface 14 thereof, and etches the openings 16 to form a through-groove.例文帳に追加

圧電ウエハのエッチング加工方法は、圧電ウエハの一方の面１２および他方の面１４に開口部１６を有するマスク１８を形成し、前記開口部１６をエッチングして貫通溝を形成するものである。 - 特許庁

To provide a method for removing etching residues from ≥1 opening part formed in ≥1 one layer of small relative permittivity insulating materials on the copper metal interconnecting layer of the integrated circuit structure.例文帳に追加

集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises steps of perforating a contact hole CONT in the insulating film 8 with the silicon nitride film 7 as an etching stopper layer, then removing the exposed silicon nitride film 7, and then exposing an n-type semiconductor region D for forming a drain.例文帳に追加

次いで、窒化シリコン膜７をエッチングストッパ層として絶縁膜８にコンタクトホールＣＯＮＴを穿孔した後、露出した窒化シリコン膜７を除去して、ドレインを形成するｎ型半導体領域Ｄを露出する。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide selectively dissolving only one type of copper oxide when copper oxides with different oxidation degrees are present, and to provide an etching method for copper oxide by using the etchant.例文帳に追加

異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which the concentration of residual sulphur (S) on a substrate to be processed can be controlled to a specified value or below after an oxide film is subjected to plasma etching by using CF based gas and COS gas.例文帳に追加

ＣＦ系ガスとＣＯＳガスとを用いて酸化膜をプラズマエッチングした後に、被処理基板上に残留する硫黄（Ｓ）の濃度を所定値以下に制御することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of etching resin which can perform plating with a high plating adhesiveness at a low cost with respect to a substrate formed of almost any kind of resin material and which can improve the printing adhesiveness.例文帳に追加

大部分の樹脂材料からなる基材に対して低コストでメッキ密着性の強いメッキを施すことができると共に、印刷の密着性を高めることができる樹脂のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element and a method of manufacturing the same which can prevent a residue of a protective metal layer in a dry etching process from being deposited on a compound semiconductor layer and degrading electrical characteristics.例文帳に追加

ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polymer for a photoresist having high transmittance, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity for a developer in order to obtain a pattern improved of LFR (line edge roughness), and to provide a photoresist composition including the polymer, and a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＬＥＲが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide the collection apparatus of solid matter suited to simple and safe treatment of dry etching exhaust gas containing solid matter, and the collection method of the solid matter using the same.例文帳に追加

本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。 - 特許庁

In a method for forming a chip from wafer, a die 30 containing an integrated circuit removes a substrate material 32 damaged in a cutting process through selective etching, after the material 32 is separated (cut off) from a wafer with a CO2 laser beam in the cutting process.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがＣＯ_2レーザによりウェハから分離（切断）された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。 - 特許庁

Further, the laser processing method carries out various laser processings of a processing, reforming or film formation, such as a perforation, etching, doping or annealing, with respect to a processing object (work 26) by using a laser energy generated to a related laser processing device.例文帳に追加

また、レーザ処理方法は、係るレーザ処理装置に発生させたレーザエネルギを用いて被処理物（ワーク２６）に対し、穿孔、エッチング、ドーピング、アニール等、加工・改質・成膜等の各種のレーザ処理を行う。 - 特許庁

The layer 40 is etched by a plasma etching method using the masks 42 to form a wiring structure 44 consisting of the film 34, the layer 36 and the film 38 on a base layer.例文帳に追加

エッチングマスク４２を使ってプラズマエッチング法によって配線層４０をエッチングして、下地層上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜、Ａｌ−Ｃｕ合金層及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜からなる配線構造４４を形成する。 - 特許庁

To provide a separator for a fuel cell with a gas flow channel formed by applying etching treatment on a metal plate hardly broken, thin, and excellent in gas mobility, and its manufacturing method as well as a fuel cell using it.例文帳に追加

割れ難く、薄型で、ガス流動性の優れた、金属板にエッチング加工を施してガス流路を形成した燃料電池用セパレータおよびその製造方法、並びに、それを用いた燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a microlens, and the like, whereby when recesses for forming microlenses are formed, improved discharge properties of foreign matter from etching holes is ensured, while holding a satisfactory shape.例文帳に追加

マイクロレンズを形成するための凹部を形成する際に、良好な形状を維持しつつ、エッチング用穴からの異物の排出性の向上を図ることができるマイクロレンズの製造方法等を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the dielectric constant of an inter-wiring layer insulating film, and improving the controllability of etching at the time of forming a via hole in the inter-wiring layer insulating film.例文帳に追加

配線層間絶縁膜の低誘電率化を図るとともに、配線層間絶縁膜にビアホールを形成する際にエッチングの制御性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

These through grooves 404 are formed by an isotropic wet etching method using an HF solution.例文帳に追加

この構成により真空下におけるエッチング処理等によってデバイス収納部に達する開口を形成する際、デバイス収納部の雰囲気を外界と同様の雰囲気に保持し、デバイス収納部の急激な圧力変化を防止した。 - 特許庁

A silicon etchant is an alkaline solution containing an alkali compound, hydroxylamines, and acid, and characterized in anisotropically dissolving single-crystal silicon; and the etching method for silicon using the same etchant.例文帳に追加

アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン類および酸を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform a desired fine wet etching processing even for a semiconductor substrate that has a hole of high aspect ratio and can manufacture a fine semiconductor device.例文帳に追加

高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To remove a polysilicon film formed on the surface of a semiconductor device, without damaging its base material layer or leaving etching residues, in a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の表面に形成されたポリシリコン膜を、その下地膜にダメージを与えることなく、かつ、エッチング残渣を発生させることなく除去することを目的とする。 - 特許庁

When the size-selective light etching method is applied to nanoparticles, pH on a size-selective photoetching reaction is controlled, so that the preparation of the monodispersed semiconductor nanoparticles having high reproducibility is made possible.例文帳に追加

ナノ粒子に対してサイズ選択光エッチング法を適用する際に、サイズ選択光エッチング反応時のｐＨを制御することにより、再現性の高い単分散半導体ナノ粒子の調製が可能となった。 - 特許庁

A trench 3 of narrow opening width and a trench 5 of wide opening width are formed in a silicon substrate 1 simultaneously by RIE method employing mixture etching gas of halogen based gas, fluorocarbon-based gas, and O2.例文帳に追加

シリコン基板１に開口幅の狭いトレンチ３と開口幅の広いトレンチ５をＲＩＥ法により形成するエッチング加工で、エッチングガスとしてハロゲン系ガス、フロロカーボン系ガス、Ｏ２を混合したガスを用いて同時に形成する。 - 特許庁

The photomask is manufactured by forming a resist pattern by photolithography on the film of the photomask blank manufactured by the above method, etching to remove a part of the film not covered with the resist, and then removing the resist.例文帳に追加

又、この方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィ法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method which manufactures a quartz-crystal vibrator for obtaining a desired quartz-crystal piece from a quartz-crystal wafer by etching and freely disposes electrodes without adding a new process.例文帳に追加

新規の工程を追加することなく、エッチングによって水晶のウエハから所望の水晶片を得ることができると共に、電極を自由に配設することができる水晶振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region.例文帳に追加

チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for roughening a surface of copper foil or sheet by etching it in an electrolyte including a salt, is characterized by adding an anion capable of forming a poorly soluble chemical compound through reacting with the copper ion, into the electrolyte.例文帳に追加

塩を含む電解液中で銅箔又は銅板の表面をエッチングにより粗化する方法であって、前記電解液中に銅イオンと反応して難溶性の化合物を形成し得る陰イオンを添加する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate has a process for removing zones affected by treatment on the surface of the silicon carbide single crystal substrate by etching by using reactive gas excluding fluorine base gas.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いたエッチングによって除去する工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.例文帳に追加

本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method for etching an area having a negatively polarized face in a fluoride ferroelectric single crystal comprises a step of heating hydrochloric acid and a step of applying the hydrochloric acid to the fluoride ferroelectric single crystal.例文帳に追加

フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法は、塩酸を加熱するステップと、塩酸をフッ化物強誘電体単結晶に付与するステップとを包含する。 - 特許庁

To provide a method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process where the oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity.例文帳に追加

ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

This method for polishing the semiconductor comprises a process of etching a part which belongs to a film formed on a semiconductor substrate and is thicker in thickness than the other part, prior to the other part.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の研磨方法は、半導体基板上に形成された膜のうちの一の部分であって厚さが他の部分より大きい一の部分を他の部分より優先的にエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide an abatement agent and method, which has high eliminating capability per unit capacity to remove harmful halogen type gas in exhaust gas during fabricating process, such as etching and cleaning of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程のエッチング及びクリーニング排ガスに含まれる有害なハロゲン系ガスに対する単位容積当たりの除害能力が高く、しかも廉価な除害剤及び除害方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lead frame without generating a filiform waste metal although a periphery of the lead frame is formed by etching, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame.例文帳に追加

本発明は、エッチングによりリードフレームの外周を形成しても、糸状の金属屑が発生しないリードフレーム及びそのようなリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The planarization method for the polysilicon includes a process that forms the polysilicon on the surface of a substrate, a process that reduces the roughness of the surface by etching, and a process that planarizes the polysilicon surface by laser-annealing.例文帳に追加

基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of securely removing a residual halogen without a resistance of a conductive film lowered when etching the conductive film including a silicon by a halogen series gas.例文帳に追加

シリコンを含有する導電膜をハロゲン系ガスでエッチングする際に、導電膜を低抵抗化させることなく確実に残留ハロゲンを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal of wide applications, including semiconductor category, and to provide the etching method of the silicon carbide single crystal, capable of smoothing with nitrogen trifluoride plasma on it.例文帳に追加

半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which an underlayer film can freely be worked without rupturing an etching mask formed on the underlayer film even when a material having a high carbon content is used for the underlayer film.例文帳に追加

下層膜に炭素含有量が高い材料を用いても、下層膜上に形成したエッチングマスクの破裂を起こすことなく、支障なく下層膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an underlayer film composition for forming an underlayer film having a low reflectance for exposure light at a short wavelength and excellent etching resistance against oxygen plasma or the like, and to provide a method for forming a multilayer resist pattern.例文帳に追加

短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下層膜用組成物及び多層レジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In the cleaning method of the semiconductor substrate, the residual generated in dry-etching the insulating film layer is removed by a cleaner including oxidizing agent and chelate agent in the manufacturing process of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、絶縁膜層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレート剤とを含有する洗浄剤により除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法である。 - 特許庁