「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(106ページ目) - Weblio英語例文検索

By selective oxidation, a silicon oxide film 6 as thick as 3 nm or so is formed, a silicon nitride film 7 of thickness 10 nm or so is formed through a CVD method, and the silicon nitride film 7 is etched using the silicon board 10 as an etching stopper.例文帳に追加

選択酸化により、約３ｎｍのシリコン酸化膜６を形成し、ＣＶＤにより、約１０ｎｍのシリコン窒化膜７を形成した後、シリコン基板１０をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜７がエッチングされる。 - 特許庁

Further, the laser processing method carries out various laser processings of a processing, reforming or film formation, such as a perforation, etching, doping or annealing, with respect to a processing object (work 26) by using a laser energy generated to a related laser processing device.例文帳に追加

また、レーザ処理方法は、係るレーザ処理装置に発生させたレーザエネルギを用いて被処理物（ワーク２６）に対し、穿孔、エッチング、ドーピング、アニール等、加工・改質・成膜等の各種のレーザ処理を行う。 - 特許庁

The layer 40 is etched by a plasma etching method using the masks 42 to form a wiring structure 44 consisting of the film 34, the layer 36 and the film 38 on a base layer.例文帳に追加

エッチングマスク４２を使ってプラズマエッチング法によって配線層４０をエッチングして、下地層上に、Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜、Ａｌ−Ｃｕ合金層及びＴｉＮ／Ｔｉ積層膜からなる配線構造４４を形成する。 - 特許庁

To provide an optical film having enhanced adhesiveness between a TAC (triacetyl cellulose) substrate and PVA or an optical thin film, one surface of the substrate subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

一方の面にプラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施されたＴＡＣ基材とＰＶＡ、光学薄膜との密着性を強化する光学フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can enhance fabrication efficiency of the product, i.e. the semiconductor device, while suppressing the in-plane variations of the etching conversion difference within the plane of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板面内におけるエッチング変換差の面内ばらつきを小さく抑えるとともに、製品たる半導体装置の製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of pattern formation includes a step for coating a pattern formed on an organic film of a layered product comprising a base and the organic film with the film-forming material and etching the organic film using this pattern as a mask.例文帳に追加

基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, with which changes in the contact resistance value between the upper metal layer and the lower metal layer can be minimized, by preventing etching of the lower metal layer, when forming a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition with high resolution, excellent in dry etching resistance, with reduced wear of the film and suitably used in a method for forming a resist pattern via an exposing step using a low-energy electron beam.例文帳に追加

高解像性で、ドライエッチング耐性に優れ、膜減りの低減された、低加速電子線を用いて露光する工程を経てレジストパターンを形成する方法に好適に用いられるポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

The sealing plate 30 is fabricated from a plate-like transparent glass material plate made of non-alkali glass by, for instance, wet-etching method, and its center part is machined into a recessed form so as to define a peripheral projection part 31 in its peripheral part.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、周辺部に周辺突条部３１を規定すべく中央部が凹状に加工されている。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a resist pattern having a halftone pattern portion is formed using a photosensitive resist composition so that excellent residual film thickness exposure margin and dry etching resistance of the halftone pattern portion are ensured.例文帳に追加

感光性レジスト組成物を用いて、ハーフトーンパターン部を有するレジストパターンを形成する方法であって、ハーフトーンパターン部の残膜厚露光マージンと耐ドライエッチング性に優れたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a reflection preventing film, which has a high etching rate, and with which problems associated with embedding characteristics, removability with a stripper, and reflected light absorption characteristics are improved, and a wiring forming method using the composition.例文帳に追加

高エッチングレートを有し、埋め込み特性、剥離液による剥離性および反射光吸収特性の問題を改善した反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid jet head suitable to make nozzles densified and longer by applying anisotropic etching to a silicon wafer a surface of which is <110> plane and forming the liquid jet nozzles having rectangular cross-sections.例文帳に追加

表面が〈１１０〉面のシリコンウエハに異方性エッチングを施して断面矩形状の液吐出用ノズルを形成し、ノズルの高密度化および長尺化に好適な液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily obtaining a rare earth oxide coating film to be used for the corrosion-resistant film of an inner wall of a plasma etching chamber, the coating film of an inner surface of a glass bulb of a fluorescent lamp, or the like as a dense and smooth coating film.例文帳に追加

プラズマエッチング処理室内壁の耐食性皮膜や蛍光ランプのガラスバルブ内面の皮膜などに用いられる希土類酸化物皮膜を、簡便に、緻密平滑な皮膜として得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor laser which is easy to detect the final point of etching, in the case of working a width of an active layer of the emission end to a submicron size, and which can prevent mismeasurement, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

出射端部の活性層幅をサブミクロンサイズまで加工する際に、エッチングの終点検出が容易で、誤測定を防止できる、半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The channel protective film 15a comprises a plurality of insulation layers whose etching rate increases going toward the lower layers, and is patterned by a photolithographic method to be formed into an inverted tapered shape, which is wider at the upper side and narrower at the lower side.例文帳に追加

チャネル保護膜１５ａは、例えば下側の層ほどエッチングレートが大きい複数の絶縁層により形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、上側が広く下側が狭い逆テーパ状に形成する。 - 特許庁

To provide a ceramic product in which a projected and recessed pattern having a smooth surface can be formed without partially removing a covered glass layer, and which can improve productivity, and to provide a method for etching the same.例文帳に追加

被覆ガラス層を部分的に除去することなく、表面平滑な凹凸パターンを形成することができ、生産性を向上させることができるセラミックス製品及びそのエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for etching a wafer by which a thin film pattern having prescribed dimensional precision can be deposited on a wafer even in the case the amount to be etched can not directly be measured by using a microscope or the like.例文帳に追加

顕微鏡等を用いてエッチング量を直接計測できない場合であっても、所定の寸法精度を有する薄膜パターンをウエハ上に形成することが可能なウエハのエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

In a cleaning method, a cleaning etching gas is used for removing a film stuck to a wall of a reactive tube 16 and a part in the reactive tube 16 of a reduced CVD system 10.例文帳に追加

本クリーニング方法は、クリーニング用エッチングガスを使用して、減圧ＣＶＤ装置の反応管の壁及び反応管内に設けられた部品の壁に付着した被クリーニング膜をエッチング除去するガスクリーニング方法である。 - 特許庁

To provide an automated method for removing or etching embedding media by exposing biological samples for use in histochemical or cytochemical staining procedures without depending on organic solvents.例文帳に追加

有機溶剤に依存しないで組織化学的または細胞化学的染色法に使用するために、生物学的試料を暴露することによる包埋媒体の除去またはエッチングのための自動化された方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming a minute metallic pattern without performing an etching process, the metallic pattern which is excellent in bonding properties with a substrate, has sufficient conductivity, and has small unevenness on an interface with the substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能で、基板との密着性に優れ、十分な導電性を有し、基板との界面における凹凸が小さな金属パターン形成方法の提供。 - 特許庁

The plasma processing method has, in the deep-mined process for the silicon substrate, a conditioning step of cleaning a surface of a target 32, in addition to an etching step and a protective film forming step.例文帳に追加

本発明に係るプラズマ処理方法は、シリコン基板に対する深掘り加工プロセスにおいて、エッチング工程と保護膜形成工程のほかに、ターゲット３２の表面を清浄化するコンディショニング工程を有している。 - 特許庁

To remove a polysilicon film formed on the surface of a semiconductor device, without damaging its base material layer or leaving etching residues, in a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は半導体装置の製造方法に関し、半導体装置の表面に形成されたポリシリコン膜を、その下地膜にダメージを与えることなく、かつ、エッチング残渣を発生させることなく除去することを目的とする。 - 特許庁

When the size-selective light etching method is applied to nanoparticles, pH on a size-selective photoetching reaction is controlled, so that the preparation of the monodispersed semiconductor nanoparticles having high reproducibility is made possible.例文帳に追加

ナノ粒子に対してサイズ選択光エッチング法を適用する際に、サイズ選択光エッチング反応時のｐＨを制御することにより、再現性の高い単分散半導体ナノ粒子の調製が可能となった。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a semiconductor device having excellent electrical characteristics can be manufactured by using a High-k film having good characteristics and combining the characteristics of the film with a realizable etching technique.例文帳に追加

良好な特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜を用い、この良好な特性を実現可能なエッチング技術と組み合わせることによって、電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abatement agent and method, which has high eliminating capability per unit capacity to remove harmful halogen type gas in exhaust gas during fabricating process, such as etching and cleaning of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程のエッチング及びクリーニング排ガスに含まれる有害なハロゲン系ガスに対する単位容積当たりの除害能力が高く、しかも廉価な除害剤及び除害方法を提供する。 - 特許庁

This method for polishing the semiconductor comprises a process of etching a part which belongs to a film formed on a semiconductor substrate and is thicker in thickness than the other part, prior to the other part.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の研磨方法は、半導体基板上に形成された膜のうちの一の部分であって厚さが他の部分より大きい一の部分を他の部分より優先的にエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can perform a desired fine wet etching processing even for a semiconductor substrate that has a hole of high aspect ratio and can manufacture a fine semiconductor device.例文帳に追加

高アスペクト比のホールを有する半導体基板であっても、所望の良好なウエットエッチング処理を行うことができ、良好な半導体装置を製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element in which a substrate for growth can be easily peeled by wet etching processing and further improvement in light extraction efficiency and securing of mechanical strength are made compatible.例文帳に追加

成長用基板の剥離をウェットエッチング処理によって容易に行うことができ、更に、光取り出し効率向上と半導体膜の機械的強度の確保を両立させた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region.例文帳に追加

チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for roughening a surface of copper foil or sheet by etching it in an electrolyte including a salt, is characterized by adding an anion capable of forming a poorly soluble chemical compound through reacting with the copper ion, into the electrolyte.例文帳に追加

塩を含む電解液中で銅箔又は銅板の表面をエッチングにより粗化する方法であって、前記電解液中に銅イオンと反応して難溶性の化合物を形成し得る陰イオンを添加する。 - 特許庁

The method for manufacturing the silicon carbide single crystal substrate has a process for removing zones affected by treatment on the surface of the silicon carbide single crystal substrate by etching by using reactive gas excluding fluorine base gas.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いたエッチングによって除去する工程を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.例文帳に追加

本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method for etching an area having a negatively polarized face in a fluoride ferroelectric single crystal comprises a step of heating hydrochloric acid and a step of applying the hydrochloric acid to the fluoride ferroelectric single crystal.例文帳に追加

フッ化物強誘電体単結晶における負の分極面を有する領域をエッチングする方法は、塩酸を加熱するステップと、塩酸をフッ化物強誘電体単結晶に付与するステップとを包含する。 - 特許庁

To provide a method for oxide dielectric layer formation by a sol-gel process where the oxide dielectric layer is less likely to undergo damage by an etching liquid and has excellent dielectric properties such as high electric capacity.例文帳に追加

ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

A trench 3 of narrow opening width and a trench 5 of wide opening width are formed in a silicon substrate 1 simultaneously by RIE method employing mixture etching gas of halogen based gas, fluorocarbon-based gas, and O2.例文帳に追加

シリコン基板１に開口幅の狭いトレンチ３と開口幅の広いトレンチ５をＲＩＥ法により形成するエッチング加工で、エッチングガスとしてハロゲン系ガス、フロロカーボン系ガス、Ｏ２を混合したガスを用いて同時に形成する。 - 特許庁

The photomask is manufactured by forming a resist pattern by photolithography on the film of the photomask blank manufactured by the above method, etching to remove a part of the film not covered with the resist, and then removing the resist.例文帳に追加

又、この方法で製造されたフォトマスクブランクの膜上にフォトリソグラフィ法にてレジストパターンを形成した後、エッチング法にて膜のレジスト非被覆部分を除去し、次いでレジストを除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method which manufactures a quartz-crystal vibrator for obtaining a desired quartz-crystal piece from a quartz-crystal wafer by etching and freely disposes electrodes without adding a new process.例文帳に追加

新規の工程を追加することなく、エッチングによって水晶のウエハから所望の水晶片を得ることができると共に、電極を自由に配設することができる水晶振動子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a lead frame without generating a filiform waste metal although a periphery of the lead frame is formed by etching, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame.例文帳に追加

本発明は、エッチングによりリードフレームの外周を形成しても、糸状の金属屑が発生しないリードフレーム及びそのようなリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The planarization method for the polysilicon includes a process that forms the polysilicon on the surface of a substrate, a process that reduces the roughness of the surface by etching, and a process that planarizes the polysilicon surface by laser-annealing.例文帳に追加

基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of securely removing a residual halogen without a resistance of a conductive film lowered when etching the conductive film including a silicon by a halogen series gas.例文帳に追加

シリコンを含有する導電膜をハロゲン系ガスでエッチングする際に、導電膜を低抵抗化させることなく確実に残留ハロゲンを除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which an underlayer film can freely be worked without rupturing an etching mask formed on the underlayer film even when a material having a high carbon content is used for the underlayer film.例文帳に追加

下層膜に炭素含有量が高い材料を用いても、下層膜上に形成したエッチングマスクの破裂を起こすことなく、支障なく下層膜を加工することが可能なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an underlayer film composition for forming an underlayer film having a low reflectance for exposure light at a short wavelength and excellent etching resistance against oxygen plasma or the like, and to provide a method for forming a multilayer resist pattern.例文帳に追加

短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下層膜用組成物及び多層レジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In the cleaning method of the semiconductor substrate, the residual generated in dry-etching the insulating film layer is removed by a cleaner including oxidizing agent and chelate agent in the manufacturing process of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の製造工程において、絶縁膜層のドライエッチング時に発生する残渣物を酸化剤とキレート剤とを含有する洗浄剤により除去することを特徴とする半導体基板の洗浄方法である。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal of wide applications, including semiconductor category, and to provide the etching method of the silicon carbide single crystal, capable of smoothing with nitrogen trifluoride plasma on it.例文帳に追加

半導体分野等を含め非常に応用の広い炭化珪素単結晶を得ること、及び、炭化珪素単結晶に三フッ化窒素プラズマを用いて平滑にできる炭化珪素単結晶のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method of etching the ferroelectric substrate includes mounting the substrate W made of a ferroelectric material on a stage 26 installed in a vacuum chamber 21a with a tray 32 interposed.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る強誘電体基板のエッチング方法は、真空チャンバ２１ａ内に設置されたステージ２６の上にトレー３２を介して強誘電体材料でなる基板Ｗを載置することを含む。 - 特許庁