「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(102ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a first stopper layer formation step, a colored layer formation step, a second stopper layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a photo resist layer removal step and a second etching step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、第１のストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、第２のストッパー層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程と、第２のエッチング工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

A method for manufacturing a ridge type semiconductor laser comprises: a semiconductor stacked layer forming step S1 for forming a semiconductor stacked layer 23 having an active layer 13 and an etching stop layer 17; a first semiconductor stacked layer etching step S3; a semiconductor part forming step S5; a ridge waveguide part forming step S7; and a semiconductor diffracting grating element forming step S9.例文帳に追加

リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層１３とエッチングストップ層１７を含む半導体積層２３を形成する半導体積層形成工程Ｓ１と、第１半導体積層エッチング工程Ｓ３と、半導体部形成工程Ｓ５と、リッジ導波路部形成工程Ｓ７と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９とを備える。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine metallic pattern of a semiconductor element, based on a damascene technique which can ensure broad width of a metallic layer for improving the operational speed of the element and can easily control steps by etching only the metal layer without etching the metallic layer, anti-diffusion layer and bonding layer at the same time.例文帳に追加

金属膜の幅を広く確保可能として素子の動作速度を向上させることができ、従来のように金属膜，拡散防止膜及び接着膜を同時に蝕刻せずに、金属膜のみを蝕刻することにより工程を容易に制御可能である象嵌技法を利用した半導体素子の微細金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method includes processes of: (1) forming a single layer film of a translucent light shielding layer comprising one of metal-silicon oxide, metal-silicon nitride and metal-silicon oxynitride or forming a multilayer film of a transparent layer and a light shielding layer on a transparent substrate; and (2) selectively removing the single layer film or the multilayer film by dry etching using an etching gas containing chlorine atoms.例文帳に追加

１）透明基板上に金属−シリコンの酸化物、金属−シリコンの窒化物、金属−シリコンの酸化窒化物のいずれかからなる半透明遮光層の単層膜、もしくは透明層と遮光層からなる多層膜を形成し、２）単層膜、もしくは多層膜を塩素原子を含むエッチングガスを用いたドライエッチングにより選択的にエッチング除去する。 - 特許庁

The machining method further comprises a step 105 for forming an oxide film etching mask pattern corresponding to a deep trench in the upper surface of the oxide film, a step 106 for forming the mask pattern on the upper surface of the silicon substrate 1, and a step 107 for making two trenches of desired profile and depth in the silicon substrate 1 by etching.例文帳に追加

該酸化膜の上面に、深い溝に対応して、酸化膜エッチングマスクパターンが作製され（工程１０５）、エッチングにより、シリコン基板１の上面には、当該酸化膜マスクパターンが形成されて（工程１０６）、エッチングにより、シリコン基板１に対しては、それぞれ所望の形状ならびに深さを有する二つの溝が形成される（工程１０７）。 - 特許庁

A process for eliminating an insulating film formed on a Cu film in a method for eliminating the insulating film comprises a process for etching under conditions, where the penetration of an etching active species onto the surface of a Cu film is 15 nm or less on the surface of the Cu film; and a process for washing the surface of the Cu film after eliminating the insulating film.例文帳に追加

Ｃｕ膜上に形成された絶縁膜を除去する工程において、Ｃｕ膜表面へのエッチング活性種の入り込みがＣｕ膜表面から１５ｎｍ以下となる条件でエッチングを行う工程と、絶縁膜を除去した後Ｃｕ膜表面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする絶縁膜の除去法方法を提供する。 - 特許庁

A process for making oxidizing gas, containing oxygen into plasma and exposing a silicon material in the plasma gas, is provided as another process different from an etching process or a protective film depositing process; and then, a method wherein these processes are repeated sequentially is adopted, whereby an etching arriving surface can be very much smoothed, even when a complex silicon form having level differences is etched.例文帳に追加

酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.例文帳に追加

ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

The method of uniformalizing the electrochemical etching is carried out by arranging a block of an insulating body on the outermost part of the part-to-be-worked surface of a panel in the electrochemical etching of a hole on the surface of the panel by applying voltage between the panel used as an anode and a cathode of a counter electrode in an aqueous solution tank.例文帳に追加

本発明の電気化学的エッチングの均一化手法は、水溶液槽内においてパネルを陽電極とし対向電極の陰電極との間に電圧を印加して前記パネルの面に穴を電気化学的反応でエッチング加工する際に、前記パネルの被加工面部の最も外側部分に絶縁体のブロックを配置してエッチングを実施するようにした。 - 特許庁

A sine-wave or sine-wave half-wave type resist pattern corresponding to grating grooves is formed on a substrate 10 by a holographic exposure method, and then the substrate 10 and resist 21 are etched until the resist reaches an approximately 1/3 height through a 1st etching stage of irradiating them with an ion beam obliquely at the same angle as a blaze angle while using CF_4 as etching gas.例文帳に追加

ホログラフィック露光法により基板１０上に格子溝に対応した正弦波状又は正弦半波状のレジストパターン２１を作製し、その後、ＣＦ_4をエッチングガスとしてブレーズ角と同じ角度で斜めからイオンビームを照射する第１エッチング工程によりレジストが約１／３の高さになるまで基板１０とレジスト２１とを削る。 - 特許庁

In this manufacturing method, a projection for forming a contact terminal 42 is formed by anistropic etching of a silicon wafer with a silicon dioxide film as a mask, and a cantilever having a projection is formed by anistropic etching the silicon dioxide film on the periphery of the projection in a projecting shape sideways, and a contact terminal 42 and draw-out wiring 40 are formed by using a conductive coating.例文帳に追加

接触端子４２を形成するための突起を、二酸化シリコン膜をマスクとして、シリコンウェハの異方性エッチングにより形成して、この突起の周辺の二酸化シリコン膜をコ字形に異方性エッチングすることにより、突起を有した片持ち梁を形成し、導電性被覆を用いて、接触端子４２、および引き出し用配線４０を形成する。 - 特許庁

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals.例文帳に追加

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム（AlN）を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 - 特許庁

Also, the method includes a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, or a step of irradiating the resist pattern with light in a photosensitive wavelength range of the photosensitizer via a photomask, a step of etching the workpiece with the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern on the workpiece.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board has a blackening step of blackening the surface of a conductive layer provided on an insulating substrate; a photolithography step of laminating a dry film on the blackened surface, and exposing and developing the dry film; and an etching step of etching the conductive layer exposed by the photolithography step to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁基板上に設けられた導電層の表面を黒化する黒化処理工程と、黒化された該表面にドライフィルムを積層し、該ドライフィルムを露光、現像するフォトリソグラフィ工程と、該フォトリソグラフィ工程により露出した導電層をエッチングして回路パターンを形成するエッチング工程とを有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus which supply a chemical to a treatment region of a periphery region of a surface of a substrate and carry out etching removal of disused substances of the treatment region, wherein there is formed a favorable interface of the treatment region and a non-treatment region, formed in the periphery region of the surface by the etching removal.例文帳に追加

基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。 - 特許庁

In the method for forming a pattern comprising the steps of: pattern-stacking resist ink for wet etching on a metal-deposited layer provided on a base material; thermally drying the resist ink; and forming a pattern composed of a metal-deposited layer by wet etching, the resist ink comprises a binder resin and a compound (A) having a specified fundamental skeleton.例文帳に追加

基材上に設けた金属蒸着層上に、ウェットエッチング用レジストインクをパターン積層し、次いで、該レジストインクを熱乾燥させ、しかるのち、ウェットエッチングにより金属蒸着層からなるパターンを形成させるパターン形成方法において、該レジストインクが、バインダー樹脂と、特定の基本骨格を持つ化合物（Ａ）を含有するパターン形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the photovoltaic device comprises processes of: forming a film having an anti-etching property on a silicon substrate; irradiating the film with laser light whose focus depth is adjusted to 10 μm or above to form a plurality of fine holes in the film to expose the surface of the base silicon substrate; and etching the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

光起電力装置の製造方法は、シリコン基板上に耐エッチング性を有する膜を形成する工程と、焦点深度が１０μｍ以上に調整されたレーザ光を照射することにより上記膜に複数の微細孔を開けて下地のシリコン基板表面を露出する工程と、上記シリコン基板の表面をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a silicon etching liquid which removes the surrounding constituent material accurately and efficiently so as to form a capacitor structure having protrusions and recesses, for amorphous or polycrystalline silicon, while ensuring a well-balanced etching in the center and at the end of a wafer in which a large number of capacitor structures are formed, and to provide a formation method of a capacitor structure using the same.例文帳に追加

アモルファスシリコン又は多結晶シリコンについて、凹凸を有するキャパシタ構造をなすよう周囲の構成材料を的確かつ効率よく除去し、しかもキャパシタ構造を多数形成するウエハの中央部と端部とにおいてバランスよくエッチングするシリコンエッチング液及びこれを用いたキャパシタ構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises etching a block copolymer layer 102, selectively removing a granular region 102a to form the block copolymer layer 102 on which a plurality of pores are formed, etching a base material 101 using the obtained block copolymer layer 102 as a mask to form the plurality of pores 101a on the surface of the base material 101, and then forming a catalyst metal layer 103 in the pores 101a.例文帳に追加

ブロックコポリマー層１０２をエッチングし、選択的に粒状領域１０２ａを除去し、複数の孔が形成されたブロックコポリマー層１０２を形成し、このブロックコポリマー層１０２をマスクとして基板１０１をエッチング加工し、基板１０１表面に複数の孔部１０１ａを形成し、この孔部１０１ａ内に触媒金属層１０３を形成する。 - 特許庁

The processing method comprises the step (i) of irradiating glass (a glass sheet 12) with a pulsed laser 12 at a wavelength λ after condensation with a lens to form a degenerated part 13 on that part of the glass which is irradiated with the pulsed laser 12 and the step (ii) of etching the regenerated part 13 with an etchant having a larger etching rate to the regenerated part 13 than to the glass.例文帳に追加

（ｉ）波長λのレーザパルス１２をレンズで集光してガラス（ガラス板１２）に照射することによって、ガラスのうちレーザパルス１２が照射された部分に変質部１３を形成する工程と、（ii）ガラスに対するエッチングレートよりも変質部１３に対するエッチングレートが大きいエッチング液を用いて変質部１３をエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The method of removing the substrate structure includes a step of forming a plurality of peeler-shape bodies on the substrate by a photolithography etching process; a step of growing a group-III nitride semiconductor layer on a plurality of peeler-bodies; a step of chemical-etching a plurality of peeler-bodies; and a step of separating the group-III nitride semiconductor layer from the substrate.例文帳に追加

本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 - 特許庁

The hole formation method includes: a hole formation step for forming a hole by etching a first film formed on a substrate; a second film deposition step of depositing a second film on the first film so that the upper side of the hole becomes thick and the bottom side becomes thin; and a shape correction step of correcting the shape of the hole by etching the first and second films.例文帳に追加

基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 - 特許庁

The etching method comprises a step of forming a copper oxide 103 anisotropically oxidized for all thickness directions of a copper film 101 in the copper film 101 by irradiating the copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask and a step of etching an anisotropically oxidized copper oxide 103.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１内に、銅膜１０１の厚さ方向の全てに対して異方的に酸化された酸化銅１０３を形成する工程と、異方的に酸化された酸化銅１０３をエッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.例文帳に追加

少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing material from a semiconductor substrate by grinding, in which the semiconductor substrate and a grinding wheel opposited to the semiconductor substrate are rotated independently of one another, and the damage on the semiconductor substrate by a grinding stone, especially the damage on the center section of the substrate is decreased, and a subsequent etching can be reduced into fine quantity, or the etching can be omitted.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板に向き合う砥石車を互いに独立して回転させて半導体基板を研削するものであって、砥石による半導体基板の損傷、特に基板の中央部の損傷を減少させ、次いで行われるエッチングを微少量とするか、またはエッチングを省くことが可能な方法を提供する。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

The method of manufacturing the piezoelectric vibrator includes: a first etching process of processing a surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a first etchant consisting of a potassium hydroxide aqueous solution prior to a process of mounting the piezoelectric vibration piece 2; and a second etching process of processing the surface of the piezoelectric vibration piece 2 using a second etchant consisting of a solution of potassium ferricyanide and potassium hydroxide.例文帳に追加

圧電振動片２をマウントする工程の前に、水酸化カリウム水溶液からなる第１エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第１エッチング工程と、フェリシアン化カリウム及び水酸化カリウムの水溶液からなる第２エッチャントを用いて圧電振動片２の表面を処理する第２エッチング工程とを有することを特徴とする - 特許庁

The etching method includes a process (a) of etching the material containing silicon using the gas plasma containing halogen atoms other than fluorine, a process (b) of dry cleaning the interior of the reaction chamber using the gas plasma containing fluorine after the above process (a), and a process (c) of generating oxygen plasma within the above reaction chamber and performing plasma treatment immediately after the above process (b).例文帳に追加

エッチング方法は、（ａ）反応室内で、シリコンを含む材料を弗素以外のハロゲン元素を含むガスプラズマを用いてエッチングする工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記反応室内を弗素を含むガスプラズマを用いてドライクリーニングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の直後に、前記反応室内で酸素プラズマを発生させ、プラズマ処理する工程とを含む。 - 特許庁

In this plasma processing method, after the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) is subjected to the etching process, processing is carried out for exposing the film containing the magnetic material (magnetized free layer 33) subjected to the etching process into the plasma atmosphere of a gas mixture having a gas containing hydrogen gas or at least hydrogen atoms and also having oxygen gas or nitrogen gas.例文帳に追加

磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をエッチング加工した後、水素ガスもしくは少なくとも水素原子を含むガスを有するとともに酸素ガスもしくは窒素ガスを有する混合ガスのプラズマ雰囲気中にエッチング加工した磁性体材料を含む膜（磁化自由層３３）をさらす処理を行うプラズマ処理方法である。 - 特許庁

The method for producing the patterned metal oxide thin film comprises a step of coating the composition for the metal oxide thin film on a substrate, a step of irradiating light through a photomask on the coated film, a step of etching an unexposed part of the coated film with a solvent and a step of forming the patterned metal oxide thin film by burning after etching.例文帳に追加

また本発明のパターン状金属酸化物薄膜の製造方法は、金属酸化物薄膜用組成物を基板に塗布する工程、形成された塗布膜にフォトマスクを通して光照射を行う工程、未感光部の塗布膜を溶剤によりエッチングする工程、エッチング後、焼成してパターン状金属酸化物薄膜とする工程とを含む構成とする。 - 特許庁

The method comprises: a process of forming a photo epoxy buffer layer having a groove pattern on the rear surface of a wafer substrate for marking scribe lines to be diced; a process of etching the substrate along the marking groove in the photo epoxy layer; and a process of cutting the wafer along the etching groove by a mechanical force from the front or rear surface to separate the wafer into singulated IC packages.例文帳に追加

ダイシングされるスクライブ線をマーキングするためにウエーハの基板の裏面に溝パターンを有するフォトエポキシバッファ層を形成する工程、フォトエポキシ層中のマーキング溝に沿って基板をエッチングする工程、表面または裏面から機械的な力によりエッチング溝に沿ってウエーハを切断し、個別のＩＣパッケージに分離する工程からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gate electrode of a fine structure by effecting etching to two kinds of insulating films in independent steps, respectively, for substantially reducing the thicknesses of the insulating films, and thus shortening etching time and effectively mitigating aspect ratio, thereby optimizing conditions of thickness, exposure and development of a resist film for obtaining a fine and good resist opening pattern.例文帳に追加

２種の絶縁膜に対し独立した工程でエッチングを行い、絶縁膜の厚みを事実上薄くして、エッチング時間の短縮やアスペクト比を実効的に緩和して、微細で良好なレジスト開ロパタンを得るためのレジスト膜厚・露光・現像条件を最適化して、微細構造のゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the p-type low resistance silicon single crystal substrate evaluating method, the final etching is conducted using an alkali solution after the selective etching of the silicon single crystal substrate using a selective etchant, and thereafter crystal defect of the silicon single crystal substrate is evaluated.例文帳に追加

Ｐ型低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法であって、シリコン単結晶基板を選択エッチング液によって選択エッチングした後、アルカリ溶液によって仕上げエッチングし、その後、前記シリコン単結晶基板の結晶欠陥の評価を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の結晶欠陥評価方法。 - 特許庁

To form a flat inter-layer insulating film with good reproducibility by covering only the region with low step difference with a resist film and selectively wet-etching a BPSG film with well control of etching amount, related to a method for forming an inter-layer insulating film of a BPSG film on a semiconductor substrate comprising a step for satisfactory flattening.例文帳に追加

段差６を有する半導体基板５上にＢＰＳＧ膜から成る層間絶縁膜９を形成して平坦化する方法において、段差の低い領域６ａのみレジスト膜１０で覆って、ＢＰＳＧ膜をエッチング量の制御性良く選択的にウェットエッチングして、平坦性の良好な層間絶縁膜９を再現性良く形成する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device 100 comprises processes of forming a first interlayer insulating film 108 on a semiconductor wafer, providing a second etching stop film 110 on the first interlayer insulating film 108, and selectively forming two or more concaves on the first interlayer insulating film 108, making them penetrate through the second etching stop film 110.例文帳に追加

半導体装置１００の製造方法は、半導体ウェハ上に第１の層間絶縁膜１０８を形成し、第１の層間絶縁膜１０８上に第２のエッチング阻止膜１１０を形成し、第２のエッチング阻止膜１１０を貫通して複数の凹部を第１の層間絶縁膜１０８に選択的に形成する工程を含む。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing method that comprises forming an inorganic film on the surface of a semiconductor element, applying a heat resistant polymer protection film on the inorganic film, patterning the protection film, and then performing the dry-etching of the exposed inorganic film; the dry-etching is performed by mixed gas consisting of fluorinated methane and oxygen or hydrogen.例文帳に追加

半導体素子上に無機膜が施され、該無機膜上に耐熱性高分子保護膜が施され、該耐熱性高分子保護膜がパターン加工された後露出された該無機膜をドライエッチングする製造方法において、フッ素化メタンと酸素もしくは水素とからなる混合ガスによりドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor surface treatment agent along with a manufacturing method of a semiconductor device using the same, capable of selectively and efficiently etching the insulating material of high dielectric ratio which is used in a transistor formation process in manufacturing a semiconductor device, and also capable of easily etching, in a short time, such insulating material of high dielectric ratio as is difficult to be etched.例文帳に追加

半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられる高誘電率絶縁材料を選択的に、かつ効率よくエッチングし、さらにエッチングが困難である高誘電率絶縁材料に対しても短時間で容易にエッチングできる半導体表面処理剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

This dry etching method comprises the steps of: fixing the substrate 1 to a support 2 by making a grease 3 containing a thermoconductive filler exist between them; dry-etching the substrate 1 into a predetermined shape; and separating the substrate 1 from the support 2.例文帳に追加

熱伝導性フィラーを添加したグリース３を介在させることにより支持体２と基板１とを固定する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１をドライエッチングにより所定の形状に加工する工程と、前記基板１を前記支持体２から分離させる工程とを備えたものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the movable gate type field-effect transistor includes a movable gate forming stage of forming a movable gate on a composite sacrificial layer having a first sacrificial layer 15 and a second sacrificial layer 16, a second sacrificial layer removing stage of etching the second sacrificial layer 16 away, and a first sacrificial layer removing stage of etching the first sacrificial layer 15 away.例文帳に追加

第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。 - 特許庁

In a method for producing a semiconductor integrated circuit device, when a plurality of semiconductor integrated circuit devices, in which a circuit pattern having a linear pattern is provided and at least a part of production process is common, is produced, dry etching is performed to a film for processing with controlling dry etching conditions depending on circumferential length per unit area of the linear pattern in each of the semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加

ライン状パターンを有する回路パターンを備えており、製造工程の少なくとも一部が共通する複数の半導体集積回路装置を製造する際に、各半導体集積回路装置におけるライン状パターンの単位面積当たりの周縁長に応じてドライエッチング条件を調整しながら被加工膜に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁

A SOI wafer provided with a silicon thin film which deposits oxygen little is prepared through an SIMOX method or a lamination method, the SOI wafer is cleaned with an alkaline solution such as SCI or TMAH, and a silicon ultra-thin film SOI is manufactured by the etching action of the alkaline solution.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ法や貼り合せ法により、酸素析出物の少ないシリコン薄膜を有するＳＯＩウェハーを用意し、これをＳＣ１やＴＭＡＨなどのアルカリ溶液で洗浄し、この洗浄液のエッチング作用により、シリコン超薄膜ＳＯＩを製造する。 - 特許庁

The method described above includes a process step of working the metallic layer 1 and the conductive layer 3 respectively by a photoetching method and a process step of working the insulating layer 2 by forming resist images in order to work the insulating layers and wet etching according to the resist images.例文帳に追加

金属層１と導電性層３をそれぞフォトエッチング法により加工する工程と、絶縁層２を加工するためのレジスト画像を形成し、当該レジスト画像に従ってウェットエッチングにより絶縁層２を加工する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing method capable of improving a film work in processing accuracy, when the stepped part of the film work is processed by a method where the material or thickness of a mask of an etching stopping layer is selected in a wide range.例文帳に追加

本発明は、段差部を有する被加工膜の前記段差部内の加工を行う際に、マスクあるいはエッチングストッパー層の材料や厚さの選択の幅を広げて加工精度を高くすることができる半導体装置の製造方法を目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining a concentration of a hydrofluoric acid as a whole including the hydrofluoric acid from a fluorophosphoric acid and concentrations of the fluorophosphoric acid and a phosphoric acid in the method for analyzing a mixed acid liquid in an etching process including the hydrofluoric acid, the phosphoric cid and the fluorophosphoric acid.例文帳に追加

フッ酸とリン酸とフルオロリン酸とを含むエッチングプロセスにおける混酸液の分析方法であって、フルオロリン酸からのフッ酸をも含めた全体としてのフッ酸の濃度とフルオロリン酸およびリン酸の各濃度を求めることが出来る方法を提供する。 - 特許庁