「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a surface treatment method for a copper foil which can increase adhesive strength to a substrate, reduce treatment cost and prevent the falling of copper powder or copper residue after etching from occurring.例文帳に追加

基板に対する銅箔の接着強度を高めることができ、かつ処理コストを抑えることができ、しかも銅粉落ちやエッチング後の銅残留が起こらない銅箔の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The sealing plate 30 is obtained by processing a glass plate of flat and transparent no-alkali glass by an etching method for example, and a peripheral protrusion 31 is formed at its periphery to specify that its center part takes a recessed shape.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

The organic EL element is formed by performing patterning by an optical etching method, so that the organic EL display device is manufactured inexpensively with high accuracy compared with a case wherein coating is carried selectively by different colors using vapor-deposition masks.例文帳に追加

光エッチング法によりパターニングを行って有機ＥＬ素子を形成するため、蒸着マスクを用いて塗り分けを行う場合に比べ、低コストかつ高精度に有機ＥＬ表示装置を製造できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which an insulator film after wet etching has a large taper angle, a linear taper form is ensured, and the variation in the taper angle within a substrate plane can be reduced.例文帳に追加

ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention describes an interferometric method and an apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thin film using a flash lamp providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.例文帳に追加

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁

To provide a die cutter having a blade with sharpness and superior durability by effectively utilizing the processing characteristic in etching, forming a DLC layer, and the like, and to provide a method of manufacturing the die cutter.例文帳に追加

エッチングしたり、ＤＬＣ層を形成したりする際の加工特性を有効に利用して切れ味が良く耐久性に優れた刃部を有するダイカッターおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a compound semiconductor light absorption layer for performing etching using potassium cyanide improved in working efficiency and obtaining a uniformly etched light absorption layer.例文帳に追加

シアン化カリウムによるエッチングを作業性良く行うことができ、且つ、均一にエッチングされた光吸収層を得ることが可能な化合物半導体光吸収層の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a curing composition for transfer materials, which is suitable for a nanoimprint method in which selectivity of a dry etching speed with argon gas and oxygen gas is high, and which is capable of forming a fine pattern with a high throughput.例文帳に追加

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

This textured surface and the oxidized layer coating on a metal material is attained by a chemical and/or electrochemical surface etching, and an in-situ surface oxidation method, of modifying a texture of the surface.例文帳に追加

金属材料上のテクスチャ加工表面および酸化層コーティングが、表面のテクスチャを改質する、表面の化学的および／または電気化学的エッチング、ならびに現場酸化方法により達成される。 - 特許庁

To provide a method for creating a pattern for reducing deviation from a design pattern of a post-etching feature caused by a step feature that generates after rule-base OPC used for correcting a residual component of an OPC model.例文帳に追加

パターン作成方法に関し、ＯＰＣモデルの残渣成分を補正するために用いるルールベースＯＰＣ後に発生する段差形状に起因するエッチング後形状と設計図パターンとの乖離を低減する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

In this method, precursor liquid for forming a titanium oxide-based transparent conductive film is applied to a transparent substrate and dried at a temperature not more than 350°C, and the thus-obtained coating film is subjected to etching and then to annealing.例文帳に追加

透明基板上に酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液を塗布し、３５０℃以下の温度で乾燥させ、得られた被膜にエッチング処理を施した後、アニール処理を施す。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a semiconductor device in which an etching process is eliminated by removing residue of a pattern obtained from mold pressing, and even a fine pattern having a size equal to a wavelength of irradiated light or less can be formed.例文帳に追加

モールドプレスすることにより得られたパターンの残渣をなくすことでエッチング工程をなくし、照射光の波長以下の微細パターンまで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method of surface-modifying an unvulcanized rubber includes irradiating a region to be jointed of the unvulcanized rubber member 12 with infrared laser light La to remove an adhesion-inhibiting substance, such as blooming caused due to fatty acid zinc and waxes, by etching.例文帳に追加

未加硫ゴム部材１２の接合予定部位に赤外線のレーザー光Ｌａを照射して表面の密着阻害物質（例えば、脂肪酸亜鉛、ワックス類等のブルーム）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a laminate manufacturing method capable of suppressing a metal residue from occurring during etching processing and acquiring a laminate having a plating film including patterned copper excellent in linearity and adhesion.例文帳に追加

エッチング処理時における金属残渣の発生が抑制されると共に、直線性、および、密着性に優れるパターン状銅含有めっき膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the stencil mask and its manufacturing method can be provided, which can improve the size precision in the stencil mask substrate surface by reducing the influence of microloading effect in the dry etching process.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させて、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a physical value detector which can eliminate easily a bridge such as a sacrifice beam formed in manufacturing processes without performing laser assisted etching treatment.例文帳に追加

レーザアシストエッチング処理を行うことなく、製造工程で形成される犠牲梁等の架橋部分を容易に除去することができる物理量検出器の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition of superior etching resistance, sensitivity, preservation stability and safety and developable with water or an aqueous alkali solution, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

耐エッチング性、感度、保存安定性及び安全性に優れ、かつ水又はアルカリ水溶液により現像が可能な感光性組成物並びにこれを用いたパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

In Fig. 2 (a), an impurity diffusion area 2 is formed as a lower electrode on the surface of a Si substrate, then a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 by a dry etching method.例文帳に追加

図２の（ａ）ではＳｉ基板１の表面に下部電極となる不純物拡散領域２を形成した後、不純物拡散領域２に複数のトレンチをドライエッチング法により形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.例文帳に追加

酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁

To provide an improved method for etching a silicon wafer which produces a silicon surface having a little roughness and a little metal concentration and does not significantly deteriorate the shape and the size of the wafer.例文帳に追加

わずかな粗面性及びわずかな金属濃度を有するシリコン表面が生じ、同時にウェハの形状寸法は著しく悪化しない、シリコンウェハの改善されたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor, a focus ring and a plasma processing method for much more improving the in-face uniformity of etching and productivity than a conventional manner.例文帳に追加

従来に比べてエッチング処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface wave plasma etching method which can greatly reduce a preheat time of a glass plate transmitting a surface wave and suppress damages to the glass plate caused by fluorine and the deposition of polymers to the glass plate.例文帳に追加

表面波を伝えるガラス板の予熱時間を大幅に短縮でき、フッ素によるガラス板の損傷およびガラス板へのポリマー付着を抑えることができる表面波プラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Since an etching mask having a fin pitch can be formed by ink jet method, a fine protruding/recessed structure can be obtained and since the light confinement effect is improved, a high efficiency solar cell can be produced.例文帳に追加

また、インクジェット法により、ピッチが小さいエッチング用マスクを形成できるので、微細な凹凸構造ができ、その結果、光閉じ込め効果が改善されるので、高効率の太陽電池を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby leakage is prevented by increasing a current path between cells without deeply etching a device isolation region, so that the degradation of an active region can be prevented.例文帳に追加

素子分離領域を深くエッチングせずにセル間の電流経路を長くして漏れを防止し、活性領域の崩壊を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a hard mask is used having high etching resistance and fine adhesiveness to a ground layer such as a silicon oxide film and a silicon nitride film and allowed to be easily removed.例文帳に追加

酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の下地層に対して、高いエッチ耐性及び良好な密着性を有し、且つ除去が容易なハードマスクを用いる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide means for shortening the time required for a gas phase decomposition reaction and improving the analytical sensitivity, in analyzing metallic contamination of a silicon wafer by a gas phase etching method.例文帳に追加

気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for designing a mask dimension at the formation of metallic wiring by etching for making the width of the metallic wiring smaller than that of an ohmic electrode, and making it larger than that of a contact hole.例文帳に追加

金属配線の幅を、オーミック電極の幅よりも小さく、かつ、コンタクトホールの幅よりも大きくできるように、金属配線をエッチングにより形成する際のマスク寸法の設計方法を提供する。 - 特許庁

The nitride film obtained by the method has an etching-resistant property and high conformality, and an excellent barrier layer can be provided without changing the structure and processes of a conventional semiconductor device.例文帳に追加

この方法によって得られた窒化膜は、耐エッチング性を有し、高いコンフォーマリティを有し、従来の半導体デバイスの構造およびプロセスを変更することなく、優れたバリア層を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical waveguide, which is advantageous to the forming of an optical waveguide having an orderly core shape by removing excessive parts of a core material without using an etching process or a vacuum process.例文帳に追加

エッチングや真空プロセスを用いることなくコア材料の余剰分を除去してコア形状の整った光導波路を形成する上で有利な光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁

There are provided the collection apparatus of the solid matter of dry etching exhaust gas containing solid matter having a filter and a cooler, and the collection method of solid matter using the same.例文帳に追加

本発明の課題は、フィルター及び冷却器を備えた固形物含有ドライエッチング排ガスの固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物の捕集方法によって解決される。 - 特許庁

To provide a cleaning method and the like of a thin film formation apparatus which improves the etching rate for extraneous matter adhered to the interior of the apparatus and the selection ratio thereby reducing a burden to a gas supply device.例文帳に追加

装置内部に付着した付着物に対するエッチングレートを高くするとともに選択比を高め、ガス供給装置への負担を低減させた薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。 - 特許庁

This ceramic insulator cleaning method comprise a step to calcine the part of the ceramic insulator in an oxygen atmosphere at 600-1,300°C in the dry etching chamber.例文帳に追加

前記目的を達成するために、本発明は乾式エッチング装置内の絶縁体部品を酸素雰囲気下、６００〜１３００℃でか焼する段階を含むセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of forming a circuit pattern whereby a high- reliability product can be obtained efficiently for a short time, without costing by eliminating the need of etching works and associated facilities, form plates, etc.例文帳に追加

エッチング作業、それに伴う設備や版等を不要として、能率よく短時間で、コストがかからず、しかも信頼性の高い製品を得ることができることとした回路パタ−ンの形成方法とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a dummy pattern which attains an excellent effect in improving a process failure caused by a pattern dependency in a planarization process or an etching process, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a double-gate type thin film transistor which will not give unnecessary plasma damages to a semiconductor film at or near the boundary of a channel-protective film and the semiconductor film at etching.例文帳に追加

エッチング時にチャネル保護膜と半導体膜との界面及びその近傍の半導体膜に不必要なプラズマダメージを与えることのないダブルゲート型薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a section observation sample obtaining a clean machining section without being affected by the size of the sample, when manufacturing the section observation sample by etching using ion beams.例文帳に追加

イオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する場合に、試料の大きさに影響されないで清浄な加工断面が得られる断面観察試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a single or multiple gate field plate which can realize a device with a field plate, without a dry or wet etching process not doing much damage to a dielectric material.例文帳に追加

誘電性材料に与えるダメージの少ない乾式または湿式エッチングプロセスを用いることなく、フィールドプレートされたデバイスを実現できるシングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of removing the exposed part of the first metal layer by etching with the gate electrode upper part pattern 38a formed as above as a mask, and forming the gate electrode lower pattern 36a.例文帳に追加

そして、これにより形成されたゲート電極上部パターン３８ａをマスクとして、第１の金属層の露出部分をエッチングにより除去しゲート電極下部パターン３６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which limits charging caused by plasma processing with a protection circuit and achieves the separation from a protection circuit having no dependence on an etching process, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

保護回路により、プラズマ処理に伴うチャージングを抑え、かつエッチング工程に依存しない保護回路との切り離しを実現する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a bit contact which settles an issue of insufficient separation margin on resist pattern exposure as well as local variations in dry-etching process to suppress increase in the number of steps and laboriousness.例文帳に追加

レジストパターン露光時の分離マージン不足の解消と同時にドライエッチング加工の局所ばらつきを解消し、工程数の増大及び煩雑化を抑えたビットコンタクトの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for producing an SiC single crystal which can control an SiC polycrystal to be accumulated on the surrounding of a pedestal at which a seed crystal is installed even if not using etching gas.例文帳に追加

エッチングガスを使用しなくても、種結晶が設置される台座周囲にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制できるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁