「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(98ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a deposition method capable of forming a silicon nitride film having an excellent film quality with high insulating property and low etching rate while suppressing generation of particles, and having a high deposition rate.例文帳に追加

パーティクルの発生を抑制しつつ絶縁性が高くてエッチングレートが低い等のように膜質が良好で、しかも成膜レートも高いシリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an insulating film comprising a BPSG film, an oxidizing atmosphere is composed in a substrate 10 formed with an etching stop film 12 using oxygen gas, and thereafter, a first seed layer is formed using tetraethyl orthosilicate and oxygen gas.例文帳に追加

エッチング阻止膜１２が形成された基板１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by enabling to rapidly execute processes of removing an etching mask and forming a gate insulation film at a low cost.例文帳に追加

本発明は、エッチングマスクの除去とゲート絶縁膜の形成工程を低コスト且つ迅速に行うことができ、高品質の半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer.例文帳に追加

サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効率的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。 - 特許庁

The method includes further a step for releasing structure including the probe structure and the holder from the substrate, by under-etching the probe structure from a side of substrate generated with the probe structure.例文帳に追加

該方法は、さらに、プローブ構造が生成された基板の側から該プローブ構造にアンダーエッチングを行うことにより、プローブ構造とホルダとを含んでいる構造を基板から離型するステップを含んでいる。 - 特許庁

This method for correcting the light proximity effect corrects the mask wiring pattern in order to compensate the light proximity effect when forming an etching mask by transferring the mask wiring pattern by photolithography.例文帳に追加

本方法は、フォトリソグラフィによりマスク配線パターンを転写してエッチングマスクを形成する際、光近接効果を補償するためにマスク配線パターンを補正する光近接効果補正方法である。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加

さらに、Ｈ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、ＳｉＮ膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Furthermore, the method includes the process of performing a second wet etching until the face to be etched penetrates through the silicon substrate and reaches a sacrifice layer to the silicon substrate to form an ink feeding opening 20 equipped with the beam 19.例文帳に追加

さらに、シリコン基板に対して、被エッチング面がシリコン基板を貫通して犠牲層に達するまで第２のウエットエッチングを行い、梁１９を備えたインク供給口２０を形成する工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for recovering valuable materials from a spent copper chloride etching solution that treats the surplus spent solution within the site and allows an effective utilization of the byproducts from the treatment process within the site.例文帳に追加

余剰となる廃液を同一工場内で処理し、処理に伴い発生する副生物が当該工場内で有効利用できる塩化銅エッチング廃液からの有価物回収方法。 - 特許庁

After a resist layer 6 is formed via the heat-resisting ultraviolet light peeling tape 5, the GaAs substrate 1 is removed (peeled off) from the semiconductor layer 2 by the wet etching method, in a state with the substrate 1 stuck to the support.例文帳に追加

耐熱性紫外光剥離テープ５の周辺にレジスト層６を形成した後に、この貼り付けられた状態でGaAs基板１を半導体層２からウェットエッチング法により除去（剥離）する。 - 特許庁

After that, the silicon wafer surface mirror-finished by the gas-phase etching is scanned by a TXRF method so that in-plane distribution information of the metal impurities contained in the first surface layer of the silicon wafer is obtained.例文帳に追加

その後、気相エッチングにて鏡面化されたシリコンウェハ表面をＴＸＲＦ法にてスキャンし、シリコンウェハの第１表層に含まれる金属不純物の面内分布情報を取得する。 - 特許庁

To provide a flat thin film which does not have a domain structure and is excellent in etching characteristics even in the case an ITO thin film is formed at the substrate temp. not lower than the crystallization temp. by a sputtering method.例文帳に追加

ＩＴＯ薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。 - 特許庁

The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal.例文帳に追加

フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。 - 特許庁

Further, this method is provided with a step for forming a reaction layer on the surface of the semiconductor wafer, and a step for etching the surface of the wafer by detaching the reaction layer formed on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

さらに、半導体ウエハの表面に反応層を形成する段階及び前記半導体ウエハの表面に形成された反応層を脱着させてウエハ表面をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for treating a layer to be treated, which suppresses an increase in the number of processes as few as possible, and forms a layer to be treated into a desired shape by removing part of the layer by etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、エッチングによって被処理層の一部を除去して、被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

In the substrate-processing method for the above purpose, the final process in the surface on which the crystal of the Mg_xZn_1-xO substrate is to be grown is performed by the acidic wet-etching at pH3 or below.例文帳に追加

このための基板処理方法として、Ｍｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ基板の結晶成長を行う側の表面における最終処理は、ｐＨ３以下の酸性ウェットエッチングで行われる。 - 特許庁

A trench 7 is provided to a silicon layer 3 by anisotropic dry etching through the opening 6 of a trench forming mask, and an oxide film 9 is formed as an isolation insulating film inside the trench 7 through a CVD method.例文帳に追加

シリコン層３にトレンチ形成マスクの開口部６から異方性ドライエッチングによりトレンチ７を形成し、その内部に分離絶縁膜としての酸化膜９をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern film, capable of forming a pattern film with a narrower width than the resolution of an exposure machine and a resist used independently of etching at the end.例文帳に追加

最終的にエッチングに依存せずとも、使用される露光機及びレジストの分解能よりも小さな幅を有するパターン膜を形成することができるパターン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a copper foil which can increase adhesive strength to a substrate, reduce treatment cost and prevent the falling of copper powder or copper residue after etching from occurring.例文帳に追加

基板に対する銅箔の接着強度を高めることができ、かつ処理コストを抑えることができ、しかも銅粉落ちやエッチング後の銅残留が起こらない銅箔の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

The sealing plate 30 is obtained by processing a glass plate of flat and transparent no-alkali glass by an etching method for example, and a peripheral protrusion 31 is formed at its periphery to specify that its center part takes a recessed shape.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

To perform high-precision processing by suppressing pitting or striation due to resist damage when the pattern is formed by a dry etching method using a resist film of the post ArF lithography generation or the subsequent as a mask.例文帳に追加

ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成においてレジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。 - 特許庁

The organic EL element is formed by performing patterning by an optical etching method, so that the organic EL display device is manufactured inexpensively with high accuracy compared with a case wherein coating is carried selectively by different colors using vapor-deposition masks.例文帳に追加

光エッチング法によりパターニングを行って有機ＥＬ素子を形成するため、蒸着マスクを用いて塗り分けを行う場合に比べ、低コストかつ高精度に有機ＥＬ表示装置を製造できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, by which an insulator film after wet etching has a large taper angle, a linear taper form is ensured, and the variation in the taper angle within a substrate plane can be reduced.例文帳に追加

ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention describes an interferometric method and an apparatus for in-situ monitoring of a thin film thickness and of etching and deposition rates of the thin film using a flash lamp providing a high instantaneous power pulse and having a wide spectral width.例文帳に追加

高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。 - 特許庁

To provide a method of forming a compound semiconductor light absorption layer for performing etching using potassium cyanide improved in working efficiency and obtaining a uniformly etched light absorption layer.例文帳に追加

シアン化カリウムによるエッチングを作業性良く行うことができ、且つ、均一にエッチングされた光吸収層を得ることが可能な化合物半導体光吸収層の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a die cutter having a blade with sharpness and superior durability by effectively utilizing the processing characteristic in etching, forming a DLC layer, and the like, and to provide a method of manufacturing the die cutter.例文帳に追加

エッチングしたり、ＤＬＣ層を形成したりする際の加工特性を有効に利用して切れ味が良く耐久性に優れた刃部を有するダイカッターおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a curing composition for transfer materials, which is suitable for a nanoimprint method in which selectivity of a dry etching speed with argon gas and oxygen gas is high, and which is capable of forming a fine pattern with a high throughput.例文帳に追加

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

This textured surface and the oxidized layer coating on a metal material is attained by a chemical and/or electrochemical surface etching, and an in-situ surface oxidation method, of modifying a texture of the surface.例文帳に追加

金属材料上のテクスチャ加工表面および酸化層コーティングが、表面のテクスチャを改質する、表面の化学的および／または電気化学的エッチング、ならびに現場酸化方法により達成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device in which a sufficient selection ratio of etching to a lower layer of a hydrogen barrier film can be obtained and whose contact hole forming process is simplified.例文帳に追加

水素バリア膜の下層との間においてエッチングの十分な選択比が得られると共に、コンタクトホールの形成工程を簡略化した強誘電体メモリ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A method of surface-modifying an unvulcanized rubber includes irradiating a region to be jointed of the unvulcanized rubber member 12 with infrared laser light La to remove an adhesion-inhibiting substance, such as blooming caused due to fatty acid zinc and waxes, by etching.例文帳に追加

未加硫ゴム部材１２の接合予定部位に赤外線のレーザー光Ｌａを照射して表面の密着阻害物質（例えば、脂肪酸亜鉛、ワックス類等のブルーム）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a laminate manufacturing method capable of suppressing a metal residue from occurring during etching processing and acquiring a laminate having a plating film including patterned copper excellent in linearity and adhesion.例文帳に追加

エッチング処理時における金属残渣の発生が抑制されると共に、直線性、および、密着性に優れるパターン状銅含有めっき膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the stencil mask and its manufacturing method can be provided, which can improve the size precision in the stencil mask substrate surface by reducing the influence of microloading effect in the dry etching process.例文帳に追加

したがって、ドライエッチング工程におけるマイクロローディング効果の影響を低減させて、ステンシルマスク基板面内の寸法精度を向上させるステンシルマスクおよび製造方法を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a physical value detector which can eliminate easily a bridge such as a sacrifice beam formed in manufacturing processes without performing laser assisted etching treatment.例文帳に追加

レーザアシストエッチング処理を行うことなく、製造工程で形成される犠牲梁等の架橋部分を容易に除去することができる物理量検出器の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition of superior etching resistance, sensitivity, preservation stability and safety and developable with water or an aqueous alkali solution, and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

耐エッチング性、感度、保存安定性及び安全性に優れ、かつ水又はアルカリ水溶液により現像が可能な感光性組成物並びにこれを用いたパターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

In Fig. 2 (a), an impurity diffusion area 2 is formed as a lower electrode on the surface of a Si substrate, then a plurality of trenches are formed in the impurity diffusion area 2 by a dry etching method.例文帳に追加

図２の（ａ）ではＳｉ基板１の表面に下部電極となる不純物拡散領域２を形成した後、不純物拡散領域２に複数のトレンチをドライエッチング法により形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.例文帳に追加

酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁

To provide an improved method for etching a silicon wafer which produces a silicon surface having a little roughness and a little metal concentration and does not significantly deteriorate the shape and the size of the wafer.例文帳に追加

わずかな粗面性及びわずかな金属濃度を有するシリコン表面が生じ、同時にウェハの形状寸法は著しく悪化しない、シリコンウェハの改善されたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor, a focus ring and a plasma processing method for much more improving the in-face uniformity of etching and productivity than a conventional manner.例文帳に追加

従来に比べてエッチング処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置、フォーカスリング及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a surface wave plasma etching method which can greatly reduce a preheat time of a glass plate transmitting a surface wave and suppress damages to the glass plate caused by fluorine and the deposition of polymers to the glass plate.例文帳に追加

表面波を伝えるガラス板の予熱時間を大幅に短縮でき、フッ素によるガラス板の損傷およびガラス板へのポリマー付着を抑えることができる表面波プラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Since an etching mask having a fin pitch can be formed by ink jet method, a fine protruding/recessed structure can be obtained and since the light confinement effect is improved, a high efficiency solar cell can be produced.例文帳に追加

また、インクジェット法により、ピッチが小さいエッチング用マスクを形成できるので、微細な凹凸構造ができ、その結果、光閉じ込め効果が改善されるので、高効率の太陽電池を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby leakage is prevented by increasing a current path between cells without deeply etching a device isolation region, so that the degradation of an active region can be prevented.例文帳に追加

素子分離領域を深くエッチングせずにセル間の電流経路を長くして漏れを防止し、活性領域の崩壊を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a hard mask is used having high etching resistance and fine adhesiveness to a ground layer such as a silicon oxide film and a silicon nitride film and allowed to be easily removed.例文帳に追加

酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の下地層に対して、高いエッチ耐性及び良好な密着性を有し、且つ除去が容易なハードマスクを用いる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide means for shortening the time required for a gas phase decomposition reaction and improving the analytical sensitivity, in analyzing metallic contamination of a silicon wafer by a gas phase etching method.例文帳に追加

気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。 - 特許庁