「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

The etching method includes the steps of forming the antireflective film (Si-ARC film) on an etched layer, forming the resist film (ArF resist film) patterned on the antireflective film, and etching the antireflective film with an etching gas containing CF_4 gas, COS gas and O_2 gas using the resist film as the mask to form a desired pattern on the antireflective film.例文帳に追加

被エッチング層上に反射防止膜（Ｓｉ−ＡＲＣ膜）を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜（ＡｒＦレジスト膜）を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ_４ガスとＣＯＳガスとＯ_２ガスとを含むエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法が提供される。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

To provide an etching treatment method for copper by which wiring of a wiring board, particularly, the fine wiring with an L/S of 15 μm/15 μm or below or with a wiring thickness of ≤15 μm can be formed, and a wiring board obtained by using the method.例文帳に追加

配線基板の微細配線形成、特に、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ以下または配線厚み１５μｍ以下の微細配線形成が可能な銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板を提供することである。 - 特許庁

To prevent a semiconductor device from deteriorating in reliability by a method, wherein a transistor capable of recovering its characteristics is in a state where a gate insulating film suffers no damage, even if wirings are formed through an inductively coupled plasma etching method.例文帳に追加

誘導結合型プラズマを用いて等価回路で表した場合に保護ダイオードに接続されるような配線加工を行うと、電気遮蔽効果によりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され、トランジスタ性能が低下するという問題の解決を図る。 - 特許庁

To provide a method of producing high purity fluorine gas used, for example, as an etching gas and a cleaning gas for the manufacture of a semiconductor or a liquid crystal and an apparatus for producing the high purity fluorine gas which is used for the production method.例文帳に追加

例えば、半導体や液晶を製造する際にエッチングガス及びクリーニングガスとして使用することができる高純度フッ素ガスの製造方法およびこの製造方法に用いることができる高純度フッ素ガス製造装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a wiring circuit board wherein exfoliation of a conductor pattern and increase in the electric resistance of the conductor pattern can be avoided by preventing production of side etching, and to provide the wiring circuit board manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

サイドエッチングの発生を防止して、導体パターンの剥離や導体パターンの電気抵抗の増大を防止することのできる、配線回路基板の製造方法、および、その製造方法によって製造される配線回路基板を提供すること。 - 特許庁

To enable an ultra-fine element structure to be manufactured by a lithography method and an ion etching method by manufacturing an electron beam aligner with a linear high density electron beam source or an X-ray aligner with a linear high brightness X-ray source.例文帳に追加

線状高密度電子線源を有する電子線露光装置、あるいは、線状高輝度Ｘ線源を有するＸ線露光装置を作製することにより、超微細な素子構造を、リソグラフィ法およびイオンエッチング法により作製可能とすること。 - 特許庁

To provide a piezoelectric device and a manufacturing method of the piezoelectric device in which a wiring connecting portion to a base electrode layer is efficiently formed, and to provide the manufacturing method of the piezoelectric device in which a single crystal silicon layer is efficiently formed by etching.例文帳に追加

下地電極層への配線接続部を効率良く形成することができる圧電素子及び圧電素子の製造方法、並びにエッチングによる単結晶シリコン層の成形を効率良く行うことができる圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high reliability by providing an etching method which can supply added gas stably for a future period, has less problems of particles and no problem of the peeling of a side-wall protection film, and also has high shape control capability.例文帳に追加

添加ガスが将来にわたって安定供給でき、パーティクルの問題が少なく、側壁保護膜の剥離の問題がなく、かつ形状制御能力が高いエッチング法を提供し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element laminated substrate, which is capable of easily separating a base substrate from it by etching, a semiconductor device, a method of manufacturing them, and a semiconductor crystal substrate and a semiconductor device obtained through the method.例文帳に追加

エッチングにより容易に基礎基板を分離することができる半導体発光素子積層基板，半導体素子およびそれらの製造方法、ならびにそれにより得られた半導体結晶基板，半導体素子およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a gate recess 16A by applying a wet etching method in condition that at least either electrode of the source electrode 11a and the drain electrode 12 is connected conductively to a channel region 13.例文帳に追加

ソース電極１１及びドレイン電極１２の少なくとも何れか一方の電極をチャネル層１３と導電接続した状態でウエット・エッチング法を適用してゲート・リセス１６Ａを形成する工程が含まれていることが基本になっている。 - 特許庁

To obtain a composition for surface hydrophobing which aims at restoring a damage of a siloxane series insulating layer after etching/ashing used for an electronic device such as a semiconductor device is performed, and to provide a method of hydrophobing a surface, a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

The silicon single crystal wafer grown by Czochralski method is free of any defective region detectable by RIE (reactive ion etching) method, in the N region outside the OSF region formed in a ring when the whole wafer surface is thermally oxidized.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical modulator with high performance which has its dc drift suppressed and is superior in long-period reliability by suppressing the contamination of a buffer layer when a signal electric field adjustment area is formed in the buffer layer by a lift-off method or etching method.例文帳に追加

バッファ層に信号電界調整領域などをリフトオフ法やエッチング法で形成する場合のバッファ層の汚染を抑制し、ｄｃドリフトが抑えられ長期信頼性に優れた高性能の導波路型光変調器を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor element comprises steps of forming a groove 9 to form the side face of a chip body by mesa etching or half dicing, and then forming a silicon nitride film (SiN film) as a protective film so as to coat the upper surface and the side face of the chip body by a plasma CVD method.例文帳に追加

メサエッチング又はハーフダイシングを行って、チップ本体の側面をなすべき溝９を形成した後、プラズマＣＶＤ法により、チップ本体の上面および側面を覆うように保護膜としての窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of recovering dielectric constant increase caused by damage of dry etching, and of preventing increase of a dielectric constant due to storage in the atmosphere, in relation to a manufacturing method of a semiconductor device using a silica-based insulating layer.例文帳に追加

シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a radiation-sensitive composition for nanoimprint, sufficiently satisfying basic characteristics such as hardenability and excellent in etching resistance, in forming a pattern by means of a nanoimprint method; and a method for forming a pattern using the radiation-sensitive composition.例文帳に追加

本発明の目的は、ナノインプリント法によるパターン形成において、硬化性等の基本特性を十分満足すると共に、エッチング耐性に優れるナノインプリント用感放射線性組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a nozzle-hole formation method for preventing a misalignment between a channel and a nozzle without performing alignment, also, suppressing uneven etching even when the channel is very fine, and highly accurately forming a nozzle hole, and to provide a method of manufacturing an inkjet recording head.例文帳に追加

アライメントを行うことなく流路とノズルの位置ズレを防ぐとともに、流路が微細であってもエッチングムラを抑制してノズル孔を高精度に形成することができるノズル孔の形成方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing various forms of replica molds for nano imprint using nano imprint and a dry etching process; and a method of forming a multi-step pattern or a micro pattern using a nano imprint process with the manufactured replica molds for nano imprint.例文帳に追加

ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board which removes an unnecessary part of a foundation layer and at the same time protects a necessary foundation layer during soft etching in the formation of a metal wiring pattern in manufacturing a printed wiring board by a semi-additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法によるプリント配線板の製造で、金属配線パターンを形成する際のソフトエッチング時に、下地層の不要な部分を除去すると同時に、必要な下地層を保護するプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method capable of removing a ground strain layer on the reverse surface of a semiconductor wafer without providing large-scale facilities like in a method by chemical etching or producing substances which should be disposed of as industrial wastes in quantity.例文帳に追加

半導体ウエーハの裏面の研削歪み層を、化学的エッチングによる方法のごとき、大がかりな設備を設けることなく、また産業廃棄物として処理すべき物質を大量に生成することなく、除去することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pattern particularly having a small critical dimension with high accuracy, since roughness on edges of a photoresist or enlargement of a resist aperture during etching results in unevenness of a pattern in a method for manufacturing a photomask using a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを使用するフォトマスクの製作方法において、フォトレジストの縁の荒さやエッチング中のレジスト開口の拡大が、パターンの不均一性をもたらすため、特に臨界寸歩の小さいパターンを高精度に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stamper, in which the stamper is formed by controlling the width of a projecting part pattern as desired while estimating an amount of side etching during pattern transfer by an imprinting method and satisfactory mold release characteristic is obtained when applying a mold release agent.例文帳に追加

インプリント法によるパターン転写時のサイドエッチング量を見込んで凸部パターンの幅を所望の通りに制御して形成できるとともに、離型剤を塗布したときに良好な離型性が得られるスタンパの製造方法を提供する。 - 特許庁

By changing a size of the blanking, the length of an antenna can be easily adjusted, the RFID tag is adaptive to the products to be produced by a method of production of multiple models in smaller lots, and material cost and processing cost are reduced more than in a method using the conventional etching, conductive paste or the like.例文帳に追加

打ち抜きのサイズを変更することにより、容易にアンテナ長の調整が可能で、多品種少量の製品にも対応でき、従来のエッチング及び導電ペースト等を用いた方法に比べ、材料費及び加工費を低減させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical waveguide which uses a wet etching method and by which an optical waveguide having uniform polarization polarity within an optical waveguide formation region and producing no irregularity is manufactured.例文帳に追加

ウェットエッチング方法による光導波路の製造方法であって、光導波路形成領域内の分極極性が一様であって不均一性が生じていない光導波路を製造することができる光導波路製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably provide a worked portion having both enhanced fatigue strength and magnetic characteristics in a worked end part of an electromagnetic steel sheet, by subjecting an end part to be worked of the electromagnetic steel sheet to ultrasonic impact treatment, and then etching the end part with an electrolytic grinding method or a chemical polishing method.例文帳に追加

電磁鋼板の加工端部に超音波衝撃処理の後、電解研磨もしくは化学研磨方法でエッチングを行い、電磁鋼板の加工端部の疲労強度および磁気特性の両方を向上させた加工部を安定して得る。 - 特許庁

To provide a method for treating the inside surface of a glass tube, which is capable of obtaining the glass tube having a uniform inner diameter and the smooth inside surface by uniformly etching the inside surface of the glass tube along the length direction.例文帳に追加

エッチング量がガラス管の全長にわたって均一となるようにし、内径が均一で、かつ内面の平滑なガラス管を得ることのできるガラス管内面の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming a pattern, a two-layer mask composed of a first mask and a second mask is formed on a film to be worked, and the pattern is formed by etching the film to be worked using the two-layer mask for the mask.例文帳に追加

パターン形成方法において、被加工膜上に、第１のマスクと第２のマスクとからなる２層のマスクを形成し、この２層のマスクをマスクとして被加工膜をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

The method also comprises a step of, as shown in Fig, (E), removing the thin film 70 by etching or the like to retain only the film 60, as a gate electrode 110, thereby manufacturing the object thin film transistor.例文帳に追加

そして、図１（Ｅ）に示すように、金属薄膜７０をエッチング等により除去して６０のみを残し、これをゲート電極１１０として、目的の薄膜トランジスタを製造することができる。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range and to provide a method of forming a resist pattern using the same.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method and device stimulated by laser beam using a proximity field light which remarkably improves machining precision, gives little damage to a work and forms little working alternation layer.例文帳に追加

被加工物への損傷が少なく、加工変質層も少ない、加工精度を飛躍的に向上させた近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

By this method, a Si layer 3 is formed by aligning and growing Si on a LiNbO3 substrate 1 having an optical waveguide 2 formed, and the surface of the layer in the region except for the etching region is oxidized to form a SiI2 film 5.例文帳に追加

光導波路２を形成したＬｉＮｂＯ_3 基板１上にＳｉを配向成長させてＳｉ層３を形成し、エッチング領域以外の表面を酸化してＳｉＯ_2 膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a deposition method capable of forming a silicon nitride film having an excellent film quality with high insulating property and low etching rate while suppressing generation of particles, and having a high deposition rate.例文帳に追加

パーティクルの発生を抑制しつつ絶縁性が高くてエッチングレートが低い等のように膜質が良好で、しかも成膜レートも高いシリコン窒化膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁

A trench 7 is provided to a silicon layer 3 by anisotropic dry etching through the opening 6 of a trench forming mask, and an oxide film 9 is formed as an isolation insulating film inside the trench 7 through a CVD method.例文帳に追加

シリコン層３にトレンチ形成マスクの開口部６から異方性ドライエッチングによりトレンチ７を形成し、その内部に分離絶縁膜としての酸化膜９をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern film, capable of forming a pattern film with a narrower width than the resolution of an exposure machine and a resist used independently of etching at the end.例文帳に追加

最終的にエッチングに依存せずとも、使用される露光機及びレジストの分解能よりも小さな幅を有するパターン膜を形成することができるパターン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

The method includes further a step for releasing structure including the probe structure and the holder from the substrate, by under-etching the probe structure from a side of substrate generated with the probe structure.例文帳に追加

該方法は、さらに、プローブ構造が生成された基板の側から該プローブ構造にアンダーエッチングを行うことにより、プローブ構造とホルダとを含んでいる構造を基板から離型するステップを含んでいる。 - 特許庁

This method for correcting the light proximity effect corrects the mask wiring pattern in order to compensate the light proximity effect when forming an etching mask by transferring the mask wiring pattern by photolithography.例文帳に追加

本方法は、フォトリソグラフィによりマスク配線パターンを転写してエッチングマスクを形成する際、光近接効果を補償するためにマスク配線パターンを補正する光近接効果補正方法である。 - 特許庁

To provide a method for etching an oxide film which can suitably etch the oxide film on a substrate with a high selectivity ratio and can make vertical via holes in the oxide film.例文帳に追加

基板上の酸化膜を高い選択比で良好にエッチングすることができ、酸化膜に垂直形状のビアホールを形成することができる酸化膜のエッチング方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a resist composition having excellent transparency and dry etching durability with which a resist pattern having excellent sensitivity, resolution, flatness and heat resistance can be easily formed, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

透明性、ドライエッチング耐性に極めて優れ、更に感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを容易に形成できるレジスト組成物および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of an insulating film comprising a BPSG film, an oxidizing atmosphere is composed in a substrate 10 formed with an etching stop film 12 using oxygen gas, and thereafter, a first seed layer is formed using tetraethyl orthosilicate and oxygen gas.例文帳に追加

エッチング阻止膜１２が形成された基板１０に酸素ガスを使用して酸化性雰囲気を組成した後に、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用して第１シード層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-quality semiconductor device by enabling to rapidly execute processes of removing an etching mask and forming a gate insulation film at a low cost.例文帳に追加

本発明は、エッチングマスクの除去とゲート絶縁膜の形成工程を低コスト且つ迅速に行うことができ、高品質の半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for efficiently dividing a sapphire wafer by grinding and lapping the rear surface of a sapphire wafer, processing the wafer in a dry etching step, then scribing the wafer.例文帳に追加

サファイアウェーハの背面をグラインディング、ラッピングしてから、ドライエッチング工程により加工した後にスクライビングすることで、サファイアウェーハをより効率的に分割可能にするサファイアウェーハの分割方法に関する。 - 特許庁