「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 formed of nickel to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

An etching medium is made to flow in a laminar in a flow direction toward the edge of a semiconductor wafer in a semiconductor wafer manufacturing method when a semiconductor wafer is manufactured by etching, and a protective shield is arranged in front of the edge of the semiconductor wafer, by which the etching medium flows toward the protective shield, being restrained from flowing toward the edge of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハをエッチングすることによって半導体ウェハを製造する際に、エッチング媒体を流動方向に沿って層流で半導体ウェハの縁部方向に向かって流す半導体ウェハの製造方法において、半導体ウェハの縁部の前に保護シールドを配置することで、エッチング媒体が保護シールドに対して流れ、半導体ウェハの縁部に対しては流れないようにすることを特徴とする半導体ウェハの製造方法 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V nitride semiconductor layer has a process of forming a metal fluoride layer containing a bivalent or trivalent metal element as at least one part of an etching mask on a group III-V nitride semiconductor layer; a process of patterning the metal fluoride layer by wet etching; and a process of dry etching the group III-V nitride semiconductor layer using the patterned metal fluoride layer as a mask.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、２価または３価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層のエッチング方法。 - 特許庁

To provide a waveguide type optical modulator with high performance which has its dc drift suppressed and is superior in long-period reliability by suppressing the contamination of a buffer layer when a signal electric field adjustment area is formed in the buffer layer by a lift-off method or etching method.例文帳に追加

バッファ層に信号電界調整領域などをリフトオフ法やエッチング法で形成する場合のバッファ層の汚染を抑制し、ｄｃドリフトが抑えられ長期信頼性に優れた高性能の導波路型光変調器を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal wafer grown by Czochralski method is free of any defective region detectable by RIE (reactive ion etching) method, in the N region outside the OSF region formed in a ring when the whole wafer surface is thermally oxidized.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、ＲＩＥ法により検出される欠陥領域が存在しない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a pattern particularly having a small critical dimension with high accuracy, since roughness on edges of a photoresist or enlargement of a resist aperture during etching results in unevenness of a pattern in a method for manufacturing a photomask using a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを使用するフォトマスクの製作方法において、フォトレジストの縁の荒さやエッチング中のレジスト開口の拡大が、パターンの不均一性をもたらすため、特に臨界寸歩の小さいパターンを高精度に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching treatment method for copper by which wiring of a wiring board, particularly, the fine wiring with an L/S of 15 μm/15 μm or below or with a wiring thickness of ≤15 μm can be formed, and a wiring board obtained by using the method.例文帳に追加

配線基板の微細配線形成、特に、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１５μｍ以下または配線厚み１５μｍ以下の微細配線形成が可能な銅のエッチング処理方法およびこの方法を用いてなる配線基板を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a diamond semiconductor for obtaining a high-quality P-type/N-type diamond semiconductor which can not be obtained by a conventional method by preventing the etching of a diamond surface caused by the high-temperature/high-pressure annealing of an ion-implanted diamond.例文帳に追加

イオン注入したダイヤモンドの高温高圧アニールにより起こるダイヤモンド表面のエッチングを防ぎ、従来の方法では得られない高品質Ｐ型、Ｎ型ダイヤモンド半導体を得るダイヤモンド半導体の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high reliability by providing an etching method which can supply added gas stably for a future period, has less problems of particles and no problem of the peeling of a side-wall protection film, and also has high shape control capability.例文帳に追加

添加ガスが将来にわたって安定供給でき、パーティクルの問題が少なく、側壁保護膜の剥離の問題がなく、かつ形状制御能力が高いエッチング法を提供し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing high purity fluorine gas used, for example, as an etching gas and a cleaning gas for the manufacture of a semiconductor or a liquid crystal and an apparatus for producing the high purity fluorine gas which is used for the production method.例文帳に追加

例えば、半導体や液晶を製造する際にエッチングガス及びクリーニングガスとして使用することができる高純度フッ素ガスの製造方法およびこの製造方法に用いることができる高純度フッ素ガス製造装置を提供すること。 - 特許庁

By changing a size of the blanking, the length of an antenna can be easily adjusted, the RFID tag is adaptive to the products to be produced by a method of production of multiple models in smaller lots, and material cost and processing cost are reduced more than in a method using the conventional etching, conductive paste or the like.例文帳に追加

打ち抜きのサイズを変更することにより、容易にアンテナ長の調整が可能で、多品種少量の製品にも対応でき、従来のエッチング及び導電ペースト等を用いた方法に比べ、材料費及び加工費を低減させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor element comprises steps of forming a groove 9 to form the side face of a chip body by mesa etching or half dicing, and then forming a silicon nitride film (SiN film) as a protective film so as to coat the upper surface and the side face of the chip body by a plasma CVD method.例文帳に追加

メサエッチング又はハーフダイシングを行って、チップ本体の側面をなすべき溝９を形成した後、プラズマＣＶＤ法により、チップ本体の上面および側面を覆うように保護膜としての窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a wiring circuit board wherein exfoliation of a conductor pattern and increase in the electric resistance of the conductor pattern can be avoided by preventing production of side etching, and to provide the wiring circuit board manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

サイドエッチングの発生を防止して、導体パターンの剥離や導体パターンの電気抵抗の増大を防止することのできる、配線回路基板の製造方法、および、その製造方法によって製造される配線回路基板を提供すること。 - 特許庁

To enable an ultra-fine element structure to be manufactured by a lithography method and an ion etching method by manufacturing an electron beam aligner with a linear high density electron beam source or an X-ray aligner with a linear high brightness X-ray source.例文帳に追加

線状高密度電子線源を有する電子線露光装置、あるいは、線状高輝度Ｘ線源を有するＸ線露光装置を作製することにより、超微細な素子構造を、リソグラフィ法およびイオンエッチング法により作製可能とすること。 - 特許庁

To provide a piezoelectric device and a manufacturing method of the piezoelectric device in which a wiring connecting portion to a base electrode layer is efficiently formed, and to provide the manufacturing method of the piezoelectric device in which a single crystal silicon layer is efficiently formed by etching.例文帳に追加

下地電極層への配線接続部を効率良く形成することができる圧電素子及び圧電素子の製造方法、並びにエッチングによる単結晶シリコン層の成形を効率良く行うことができる圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a composition for surface hydrophobing which aims at restoring a damage of a siloxane series insulating layer after etching/ashing used for an electronic device such as a semiconductor device is performed, and to provide a method of hydrophobing a surface, a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element laminated substrate, which is capable of easily separating a base substrate from it by etching, a semiconductor device, a method of manufacturing them, and a semiconductor crystal substrate and a semiconductor device obtained through the method.例文帳に追加

エッチングにより容易に基礎基板を分離することができる半導体発光素子積層基板，半導体素子およびそれらの製造方法、ならびにそれにより得られた半導体結晶基板，半導体素子およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing various forms of replica molds for nano imprint using nano imprint and a dry etching process; and a method of forming a multi-step pattern or a micro pattern using a nano imprint process with the manufactured replica molds for nano imprint.例文帳に追加

ナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて多様な形態のナノインプリント用のレプリカモールドを製作する方法と製作されたナノインプリント用のレプリカモールドでナノインプリント工程を用いて多段パターンや微細パターンを成形する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of removing a ground strain layer on the reverse surface of a semiconductor wafer without providing large-scale facilities like in a method by chemical etching or producing substances which should be disposed of as industrial wastes in quantity.例文帳に追加

半導体ウエーハの裏面の研削歪み層を、化学的エッチングによる方法のごとき、大がかりな設備を設けることなく、また産業廃棄物として処理すべき物質を大量に生成することなく、除去することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stamper, in which the stamper is formed by controlling the width of a projecting part pattern as desired while estimating an amount of side etching during pattern transfer by an imprinting method and satisfactory mold release characteristic is obtained when applying a mold release agent.例文帳に追加

インプリント法によるパターン転写時のサイドエッチング量を見込んで凸部パターンの幅を所望の通りに制御して形成できるとともに、離型剤を塗布したときに良好な離型性が得られるスタンパの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide: a radiation-sensitive composition for nanoimprint, sufficiently satisfying basic characteristics such as hardenability and excellent in etching resistance, in forming a pattern by means of a nanoimprint method; and a method for forming a pattern using the radiation-sensitive composition.例文帳に追加

本発明の目的は、ナノインプリント法によるパターン形成において、硬化性等の基本特性を十分満足すると共に、エッチング耐性に優れるナノインプリント用感放射線性組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of recovering dielectric constant increase caused by damage of dry etching, and of preventing increase of a dielectric constant due to storage in the atmosphere, in relation to a manufacturing method of a semiconductor device using a silica-based insulating layer.例文帳に追加

シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nozzle-hole formation method for preventing a misalignment between a channel and a nozzle without performing alignment, also, suppressing uneven etching even when the channel is very fine, and highly accurately forming a nozzle hole, and to provide a method of manufacturing an inkjet recording head.例文帳に追加

アライメントを行うことなく流路とノズルの位置ズレを防ぐとともに、流路が微細であってもエッチングムラを抑制してノズル孔を高精度に形成することができるノズル孔の形成方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a semiconductor device from deteriorating in reliability by a method, wherein a transistor capable of recovering its characteristics is in a state where a gate insulating film suffers no damage, even if wirings are formed through an inductively coupled plasma etching method.例文帳に追加

誘導結合型プラズマを用いて等価回路で表した場合に保護ダイオードに接続されるような配線加工を行うと、電気遮蔽効果によりトランジスタのゲート酸化膜が破壊され、トランジスタ性能が低下するという問題の解決を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board which removes an unnecessary part of a foundation layer and at the same time protects a necessary foundation layer during soft etching in the formation of a metal wiring pattern in manufacturing a printed wiring board by a semi-additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法によるプリント配線板の製造で、金属配線パターンを形成する際のソフトエッチング時に、下地層の不要な部分を除去すると同時に、必要な下地層を保護するプリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a gate recess 16A by applying a wet etching method in condition that at least either electrode of the source electrode 11a and the drain electrode 12 is connected conductively to a channel region 13.例文帳に追加

ソース電極１１及びドレイン電極１２の少なくとも何れか一方の電極をチャネル層１３と導電接続した状態でウエット・エッチング法を適用してゲート・リセス１６Ａを形成する工程が含まれていることが基本になっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical waveguide which uses a wet etching method and by which an optical waveguide having uniform polarization polarity within an optical waveguide formation region and producing no irregularity is manufactured.例文帳に追加

ウェットエッチング方法による光導波路の製造方法であって、光導波路形成領域内の分極極性が一様であって不均一性が生じていない光導波路を製造することができる光導波路製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably provide a worked portion having both enhanced fatigue strength and magnetic characteristics in a worked end part of an electromagnetic steel sheet, by subjecting an end part to be worked of the electromagnetic steel sheet to ultrasonic impact treatment, and then etching the end part with an electrolytic grinding method or a chemical polishing method.例文帳に追加

電磁鋼板の加工端部に超音波衝撃処理の後、電解研磨もしくは化学研磨方法でエッチングを行い、電磁鋼板の加工端部の疲労強度および磁気特性の両方を向上させた加工部を安定して得る。 - 特許庁

Further, the method includes a step of removing the second interlayer insulating film 8 on the local wiring 15a by etching after forming of the sidewall 10, and forming a via hole 23 to expose on the local wiring 15a.例文帳に追加

さらに、サイドウォール１０を形成した後で、局所配線１５ａ上の第二層間絶縁膜８をエッチングして除去し、当該局所配線１５ａ上を露出させるビアホール２３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a trench, in a short time, which has no sub-trench and has a flat bottom through dry etching in which a trench made narrow to approximately ≤200 nm is formed in a single crystal Si.例文帳に追加

単結晶Ｓｉに２００ｎｍ以下程度に狭幅化したトレンチを形成するドライエッチングにおいて、サブトレンチがなく底部が平坦なトレンチを短時間で形成する方法を提供する。 - 特許庁

The method of detoxifying-treating the exhaust gas discharged from a dry etching device 30 by using the detoxifying device 1 is provided.例文帳に追加

ドライエッチング装置３０から排出される排ガスを除害装置１を用いて除害処理する方法であって、ドライエッチング装置３０から排出された排ガスを除害装置１に導入して除害処理する。 - 特許庁

To provide a forming method of a patterned conductor layer capable of forming a minute patterned conductor layer without using metal particles while reducing the number of photolithography steps and etching steps.例文帳に追加

金属微粒子を使用することなく、かつフォトリソグラフィー工程やエッチング工程を削減しながら、微細なパターン化導体層を形成することが可能なパターン化導体層の形成方法を提供する。 - 特許庁

With the photosensitive film 47 as a mask, the second metal layer 45 is patterned so as to have a width (W2) narrower by about 1-4 μm than the photosensitive film width (W1) by an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).例文帳に追加

感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film transistor in which an etch stop material remains in a source/drain isolation etching process, and which solves a problem of deterioration of source/drain interface characteristics, and decreases the required number of optical masks.例文帳に追加

ソース／ドレーン分離エッチングプロセスでエッチストップ材質が残留し、ソース／ドレーンインターフェース特性が悪くなる問題を解消し、必要な光マスク数を減少するフィルムトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for creating a pattern for reducing deviation from a design pattern of a post-etching feature caused by a step feature that generates after rule-base OPC used for correcting a residual component of an OPC model.例文帳に追加

パターン作成方法に関し、ＯＰＣモデルの残渣成分を補正するために用いるルールベースＯＰＣ後に発生する段差形状に起因するエッチング後形状と設計図パターンとの乖離を低減する。 - 特許庁

In this method, precursor liquid for forming a titanium oxide-based transparent conductive film is applied to a transparent substrate and dried at a temperature not more than 350°C, and the thus-obtained coating film is subjected to etching and then to annealing.例文帳に追加

透明基板上に酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液を塗布し、３５０℃以下の温度で乾燥させ、得られた被膜にエッチング処理を施した後、アニール処理を施す。 - 特許庁

To provide a substrate with transparent conductive film which achieves a resistance showing no problem in view of practical use without annealing and has good etching resistance and light transparency, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アニールなしで実用上問題ない抵抗値を実現するとともに、対エッチング性および光の透過性も良好な、透明導電膜付き基板、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fabrication method of a semiconductor device in which an etching process is eliminated by removing residue of a pattern obtained from mold pressing, and even a fine pattern having a size equal to a wavelength of irradiated light or less can be formed.例文帳に追加

モールドプレスすることにより得られたパターンの残渣をなくすことでエッチング工程をなくし、照射光の波長以下の微細パターンまで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range and to provide a method of forming a resist pattern using the same.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method and device stimulated by laser beam using a proximity field light which remarkably improves machining precision, gives little damage to a work and forms little working alternation layer.例文帳に追加

被加工物への損傷が少なく、加工変質層も少ない、加工精度を飛躍的に向上させた近接場光を用いたレーザ光励起エッチング加工装置及びその加工方法を提供する。 - 特許庁

The method also comprises a step of, as shown in Fig, (E), removing the thin film 70 by etching or the like to retain only the film 60, as a gate electrode 110, thereby manufacturing the object thin film transistor.例文帳に追加

そして、図１（Ｅ）に示すように、金属薄膜７０をエッチング等により除去して６０のみを残し、これをゲート電極１１０として、目的の薄膜トランジスタを製造することができる。 - 特許庁

To provide a method for treating the inside surface of a glass tube, which is capable of obtaining the glass tube having a uniform inner diameter and the smooth inside surface by uniformly etching the inside surface of the glass tube along the length direction.例文帳に追加

エッチング量がガラス管の全長にわたって均一となるようにし、内径が均一で、かつ内面の平滑なガラス管を得ることのできるガラス管内面の表面処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing method for reducing adhesion of foreign matter to a sample in transporting the sample from a vacuum transport chamber to a processing chamber, and reducing the foreign matter adhering to the sample after starting an etching process.例文帳に追加

真空搬送室から処理室に搬送する際の試料への異物付着を低減すると共に、試料に付着している異物をエッチング処理開始後に低減する真空処理方法を提供する。 - 特許庁

In a pre-via type dual damascene method, a via hole 10 and a wiring groove 13 are formed, and then an SiN film 8, the exposed part of an SiC film 5 and the exposed part of an SiC film 3 are removed by etching.例文帳に追加

先ビア方式のデュアルダマシン法において、ビアホール１０及び配線溝１３を形成した後、ＳｉＮ膜８、ＳｉＣ膜５の露出部及びＳｉＣ膜３の露出部をエッチングにより除去する。 - 特許庁