「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the leaving of recesses and projections having a pitch the same as that of a scanning pitch on a surface when a semiconductor wafer having an oxide film is subjected to a flattening work by local dry etching method.例文帳に追加

酸化膜の付いた半導体ウェハを局所ドライエッチング法によって平坦化加工するとき、加工後の表面にスキャンピッチと同じピッチの凹凸が残されることを防止することを課題とする。 - 特許庁

To improve characteristics of an element by recovering an element substrate from a damage due to etching treatment in a method of manufacturing an element substrate having a laminate structure of a first conductive film, an insulation film and a second conductive film.例文帳に追加

第１導電膜／絶縁膜／第２導電膜の積層構造を有する素子基板の製造方法において、エッチング処理に伴うダメージを回復させて、素子特性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a hardening component for a transferring material which is preferable to a nano-imprint method that the selectivity of a dry etching speed of an argon gas and an oxygen gas is high and can form a fine pattern with a high throughput.例文帳に追加

アルゴンガスと酸素ガスでのドライエッチング速度の選択性が高く、高いスループットで微細パターンを形成することができるナノインプリント法に好適な転写材料用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method by which application of a resist on the surface of a wafer is eliminated to reduce the number of manufacturing steps, when the rear surface of the wafer is etched entirely and productivity can be improved.例文帳に追加

ウェーハの裏面を全面エッチングする場合に、ウェーハの表面にレジストを塗布することを不用にして製造工程数を減らし、生産性を高くすることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating an electromagnetic wave shielding material which can form a fine metal pattern with high accuracy without carrying out an etching process, and which can achieve good adhesion between the metal pattern and a substrate.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく、微細な金属パターンを高精度で形成することができ、該金属パターンの基材との密着性も良好な、電磁波シールド材料の作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method by which the residue of a trench etching can be reduced, hence increase the manufacturing yield.例文帳に追加

素子領域を確定するリソグラフィー工程において、有効チップ外のウェハ周辺部に残ったレジストにより、ウェハ全体に占める被エッチング領域は小さくなり、残さが多量に残って製品の歩留まりが低下する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which the need of separately forming a mask oxide film thickness at the time of gate etching and the gate formation of a stack gate transistor and a peripheral transistor is facilitated.例文帳に追加

ゲートエッチングの際のマスク酸化膜厚を作り分ける必要をなくし、スタックゲートトランジスタ部及び周辺トランジスタ部のゲート形成を容易にした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The forming method of a conductor pattern (1) forms the conductor pattern (1) by etching at least one metal chosen from Ni, Cr, Ni-Cr alloy and Pd with the liquid.例文帳に追加

本発明の導体パターン(1)の形成方法は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ合金及びＰｄから選ばれる少なくとも一つの金属を、前記エッチング液によりエッチングして導体パターン(1)を形成する。 - 特許庁

This method has a process of depositing a metal film containing aluminum on a semiconductor substrate, and a process of etching the metal film by using plasma of mixed gas of Cl_2 gas, BCl_3 gas, and CH_2Cl_2 gas.例文帳に追加

半導体基板上にアルミニウムを含む金属膜を堆積する工程と、Ｃｌ_2ガス、ＢＣｌ_3ガス、ＣＨ_2Ｃｌ_2ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、前記金属膜をエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode, having a vertical side shape by overetching films etched by a first etching step by using a mixed etchant of a fluorine etchant and a chlorine etchant.例文帳に追加

フッ素系エッチャントと塩素系エッチャントとの混合エッチャントを用いて第１エッチングステップを過度エッチングすることによって垂直した側面形状を有するゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interconnection member having a sharp tip shape part of various shapes without depending on a supporting substrate and having a sufficient hardness without etching a supporting substrate directly, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

支持基板を直接エッチングすることなく、かつ、十分な硬度を有し、かつ、支持基板によらずに様々な形状の先端鋭利形状部を有する相互接続部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a mask by which the dimensional unevenness of etching rate of a chromium film due to fogging and the area of a resist can be suppressed independently of the pattern layout of LSI.例文帳に追加

Fogging及びレジスト面積に起因したクロム膜のエッチングレートの寸法バラツキを、ＬＳＩのパターンレイアウトに依存せずに抑制することができるマスクの形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for monitoring a plasma etching or deposition process that reduces the sensitivity of a detector to fluctuations in plasma emission, has a sufficient signal to noise ratio, and allows for measurements over a broad range of wavelengths.例文帳に追加

プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode with a homogeneous aluminum surface layer oxide film and excellent etching characteristic which can be treated in a short time without any precise atmospheric control.例文帳に追加

精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、アルミニウム表層酸化膜が均質でエッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The number of etching factors Ef of the wiring pattern 2 in the subtractive method is 2 to 4, the top width T of the wiring 3 of the wiring pattern 2 is 2 to 6 μm, and a wiring pitch is ≤30 μm.例文帳に追加

サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide an optical element in which a periodic structure itself is hardly separated from a substrate even when removing the minute particles being an original form of the periodic structure by etching or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

周期性構造の元型となる微粒子をエッチングなどで除去する際にも、周期性構造物そのものが基板から剥がれ難い光学素子およびその作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing method and a substrate processing device capable of removing a predetermined part of a layer on a substrate without carrying out a complicated step such as etching, ashing, cleaning or the like.例文帳に追加

基板上の層の所定部分をパターニング、エッチング、アッシング、洗浄等の煩雑な工程を経ることなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element, with which generation of a pit originating from a pit source 14 such as a micro scratch is suppressed in chemical etching of surfaces 11a, 12a of glass substrates 11, 12.例文帳に追加

ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをケミカルエッチングする際、微少な傷などのピット起点１４を起点としたピットの発生を抑制できる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic device includes a process of performing dry etching using a gas containing fluorine on the metal film containing Ti such as the TiN film 103 formed on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

電子デバイスの製造方法は、半導体基板１００上に形成されたＴｉＮ膜１０３等のＴｉを含む金属膜に対し、フッ素を含むガスを用いてドライエッチングを行なう工程を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily prevent damage to etching of a copper wiring due to substitutional plating of a catalyst metal for forming an upper surface barrier film of a copper groove wiring.例文帳に追加

銅の溝配線の上面バリア膜を形成するための触媒金属の置換めっきに起因する銅配線のエッチング損傷を容易に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect detection method for easily detecting defects in an SOI substrate by performing etching while restraining deterioration in the surface roughness of a silicon film and uniformity in a film thickness within a plane.例文帳に追加

シリコン膜の表面粗さおよび面内の膜厚均一性の悪化を抑えながらエッチングすることで、ＳＯＩ基板の欠陥を検出容易にする、欠陥検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method is used for collectively etching a layered product including a layer, containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt.例文帳に追加

及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the needle-shaped material includes the steps of forming a needle shape 11 on a monocrystal silicon substrate 10 and crystal-anisotropic-wet-etching the silicon substrate having the needle shape formed.例文帳に追加

針状体製造方法は、単結晶シリコン基板１０に針状体形状１１を形成し、針状体形状が形成された単結晶シリコン基板に結晶異方性ウェットエッチング処理を施す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which a plurality of trenches having the same width are formed on the entire substrate, while preventing residues generated at etching of a gate conductive film.例文帳に追加

本発明は、ゲート導電膜のエッチングの際に発生する残滓を防止すると同時に、基板全体に同じ幅を有する複数のトレンチを形成する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which can improve in-plane uniformity in etching of a processing target substrate and form an element isolation trench having a round and smooth bottom surface.例文帳に追加

被処理基板のエッチングにおける面内均一性を向上させるとともに、丸みのある滑らかな底面を有する素子分離用トレンチを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a langasite-based single crystal substrate capable of obtaining good surface state at a relative low temperature for a short time without forming a film on substrate surface by etching.例文帳に追加

エッチングにより基板表面に被膜が形成されることなく、比較的低温および短時間で良好な表面状態を得ることができるランガサイト系単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device wherein a mesa structure is formed by using wet etching of little damage and a mask which has not eaves can be used for forming current constriction parts.例文帳に追加

ダメージの少ないウェットエッチングによってメサ構造を形成すると共に、電流狭窄部の形成に庇のないマスクを使用することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having few shape failures in a patterned wiring layer even if the device has the wiring layer which needs to be patterned for long etching time, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

長いエッチング時間をかけてパタニングする必要のある配線層を有する場合であっても、パタニングされた配線層の形状不良が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus where hydrogen peroxide in a hydrogen peroxide-containing copper etching waste solution is efficiently decomposed to a low concentration, and copper with high purity is more efficiently recovered from the copper waste solution.例文帳に追加

過酸化水素含有銅エッチング廃液中の過酸化水素を効率的に低濃度まで分解し、銅廃液から、より効率的に高純度の銅を回収する方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a microphone, for forming a cavity in a semiconductor substrate by etching from a front surface side and easily forming vent holes with large acoustic resistance.例文帳に追加

表面側からのエッチングによって半導体基板に空洞を形成することができると共に、音響抵抗の大きなベントホールを容易に作製することのできるマイクロフォンの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes: flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; irradiating the substrate with a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma.例文帳に追加

また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。 - 特許庁

To provide a composition for a resist underlay film having excellent etching selectivity and preferable antireflection ability against short wavelengths and to provide a resist underlay film and a method for forming a pattern on a substrate both using the above composition.例文帳に追加

優れたエッチング選択性を有し、かつ、短波長に対する反射防止能が良好なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field emission electron gun capable of forming extremely-thin needle-like parts at a tip of an emitter electrode by etching a tip surface of the emitter electrode.例文帳に追加

エミッタ電極の先端面をエッチング加工することによりエミッタ電極の先端に極めて細い針状部を形成することができる電界放出型電子銃の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a gate with nitride film sidewalls whose shape of shoulders of a stopper nitride film is vertically formed and which can reduce recession of the nitride film during contact hole etching.例文帳に追加

ストッパー窒化膜肩部の形状が垂直化され、コンタクトホールエッチングでの窒化膜の後退を低減することができる窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base material for forming an underlayer film having a low exposure light reflectance and also excellent in resistance to etching with oxygen plasma or the like, and also to provide a multilayer resist pattern forming method using the base material.例文帳に追加

露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor device capable of alleviating the damage to the main surface of a semiconductor substrate upon the etching of an insulating film between conductive films on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の導電膜間の絶縁膜をエッチングする際に、半導体基板の主表面に与えるダメージを軽減することができる不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor wafer cutting device by which protective sheets can be prevented from being thermally damaged at the time of cutting semiconductor wafers by plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method is to pattern a thin film pyroelectric 23 into a desired shape for constituting an infrared photodetector through a laminate etching mask made of an organic resist material and an inorganic resist material.例文帳に追加

赤外線受光部を構成する薄膜焦電体２３が有機系レジスト材料と無機系レジスト材料の積層エッチングマスクを介して所望形状にパターニング形成できる製造方法である。 - 特許庁

The method is performed by a reactive ion etching by using a mask, plasma and a fluorinated organic compound arranged on a substrate, and the fluorinated organic compound is provided in solid polymer form.例文帳に追加

この方法は基板上に配置したマスクおよびプラズマならびにフッ素含有有機化合物を用いて反応性イオンエッチングによって行われ、フッ素含有有機化合物は固体ポリマーの形態で設けられる。 - 特許庁

To provide a method for etching a ruthenium film, which can surely remove ruthenium layered or deposited particularly on a periphery, a back side, and the other part, of a substrate other than the circuit formed part.例文帳に追加

特に回路形成部以外の基板周縁部および裏面、その他の部分に成膜ないし付着したルテニウムを確実にエッチング除去できるようにしたルテニウム膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of commercially manufacturing a high purity caustic soda aqueous solution which is reduced in iron and nickel content to the level capable of using as an etching agent of silicon wafer at a low cost.例文帳に追加

シリコンウエーハのエッチング剤として使用できるレベルにまで鉄分およびニッケル分を除去した高純度の苛性ソーダ水溶液を、低コストで工業的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant composition which secures the stability of the etchant, and guarantees a margin in an etching process to reduce the cost, and to provide a method for manufacturing an array substrate using the same.例文帳に追加

エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, when a film composed of a zirconium oxide- or hafnium oxide-based material is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method of producing a high-purity fluorine gas that is employable as an etching gas or a cleaning gas in the process for manufacturing semiconductors or liquid crystals inexpensively on a mass scale.例文帳に追加

半導体や液晶等の製造工程においてエッチングガスまたはクリーニングガスとして使用することができる高純度フッ素ガスを、安価に、かつ、大量に製造する方法を提供すること。 - 特許庁