「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element, with which generation of a pit originating from a pit source 14 such as a micro scratch is suppressed in chemical etching of surfaces 11a, 12a of glass substrates 11, 12.例文帳に追加

ガラス基板１１，１２の表面１１ａ，１２ａをケミカルエッチングする際、微少な傷などのピット起点１４を起点としたピットの発生を抑制できる液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal display device which can be safely handled in the following process even after etching a pair of large-sized transparent substrate 1, and is hard to crack on an end surface.例文帳に追加

一対の大判透明基板１をエッチングした後でも、以降の工程において安全にハンドリングができ、且つ端面にクラックの入り難い液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a conductive pattern with high conductivity which uses an etching liquid with less environmental load, the reduced number of steps and low-temperature processing that is applicable even for a plastic substrate.例文帳に追加

環境負荷の少ないエッチング液で、工程数が少なく、プラスチック基板に対しても適用可能な低温処理で、高伝導率の導電性パターンを形成することができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in resolution in lithography, having high etching resistance and capable of giving an ultrafine resist pattern and to provide an appropriate pattern forming method using the composition.例文帳に追加

リソグラフィーにおける解像度に優れ、高エッチング耐性を有し、極めて微細なレジストパターンを得ることを可能とするレジスト組成物及びこれを用いた好適なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To equalize the etching rates of a laminated part of insulating layer/ metal layer and a part in which the insulating layer does not substantially exist, in a method of manufacturing the magneto-resistive(MR) element to simultaneously etch both parts.例文帳に追加

絶縁層と金属層の積層部と、絶縁層が実質的に存在しない部分とのエッチングを同時に行うＭＲ素子の製造方法において、両部分のエッチング速度の均一化を図る。 - 特許庁

To planarize a Cu layer which is formed by electroplating and has asperities on its surface by slight over-etching in order to prevent remaining of the Cu layer in the asperities after removing excess Cu layer by a damascene method.例文帳に追加

ダマシン配線を電気めっきで形成すると、めっきで形成されたＣｕ層表面の凹凸が大きくＣＭＰでは平坦化できず、この凹凸部にＣｕ層が残留して短絡要因となる。 - 特許庁

To provide a method for recovering and reducing relative dielectric constant of an interlayer insulating film which has been deteriorated and raised, being influenced by preceding etching, ashing or the like treatment, with a comparatively simplified arrangement.例文帳に追加

先行するエッチング、アッシング処理等の影響で劣化上昇した層間絶縁膜の比誘電率を比較的簡易な構成で回復低下させる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

The method uses a gas containing Xe in a process that uses plasma for forming films, etching, surface deterioration and the like.例文帳に追加

本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an iron oxide for the raw material of ferrite, by which the iron oxide having prescribed powder characteristic values and scarcely containing impurities can be produced from an etching waste liquid, and to provide a device for producing the same.例文帳に追加

エッチング廃液から所定の粉体特性値を有し、かつ不純物の少ないフェライト原料用酸化鉄を製造することができる製造方法および製造装置の提供。 - 特許庁

To provide a substrate with transparent conductive film which achieves a resistance showing no problem in view of practical use without annealing and has good etching resistance and light transparency, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

アニールなしで実用上問題ない抵抗値を実現するとともに、対エッチング性および光の透過性も良好な、透明導電膜付き基板、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of flattening the treated surface reduces maximum protrusion 5a, 5b, 5c length (Rmax) of the treated surface 2 to 10 nm or less by etching the treated surface using the near-field light.例文帳に追加

さらに、被処理面の平坦化方法は、近接場光を用いて被処理面をエッチングすることにより、この被処理面２の最大突起５ａ，５ｂ，５ｃ長（Ｒｍａｘ）を１０ｎｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device which facilitates the etching process of a device isolation film to be executed after gate patterning by lowering the height of the device isolation film formed in a peripheral region.例文帳に追加

周辺領域に形成される素子分離膜の高さを下げるように形成して、ゲートパターニング後に実施する素子分離膜のエッチング工程を容易にするフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively producing etched parts by pasting both sides of a metallic thin sheet with the etched parts having half- etched parts in a multi-face way without connecting them by a bridge, and performing etching working.例文帳に追加

金属薄板の両面にハーフエッチング部を有するエッチング部品をブリッジで連結させずに多面付けしてエッチング加工によって廉価に製造するエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an array substrate of a liquid crystal display that reduces the extent of over-etching of a TFT channel and can secure display function of the liquid crystal display.例文帳に追加

ＴＦＴチャンネルのオーバーエッチングされる程度が低下され、液晶表示装置の表示機能が確保できる液晶表示装置のアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a flat thin film which does not have a domain structure and is excellent in etching characteristics even in the case an ITO thin film is formed at the substrate temp. not lower than the crystallization temp. by a sputtering method.例文帳に追加

ＩＴＯ薄膜を結晶化温度以上の基板温度でスパッタリング法により形成した場合においても、ドメイン構造を有さず平坦で、エッチング特性に優れた薄膜を提供する。 - 特許庁

The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal.例文帳に追加

フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。 - 特許庁

Further, this method is provided with a step for forming a reaction layer on the surface of the semiconductor wafer, and a step for etching the surface of the wafer by detaching the reaction layer formed on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

さらに、半導体ウエハの表面に反応層を形成する段階及び前記半導体ウエハの表面に形成された反応層を脱着させてウエハ表面をエッチングする段階を含む。 - 特許庁

To provide a method for treating a layer to be treated, which suppresses an increase in the number of processes as few as possible, and forms a layer to be treated into a desired shape by removing part of the layer by etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、エッチングによって被処理層の一部を除去して、被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily prevent damage to etching of a copper wiring due to substitutional plating of a catalyst metal for forming an upper surface barrier film of a copper groove wiring.例文帳に追加

銅の溝配線の上面バリア膜を形成するための触媒金属の置換めっきに起因する銅配線のエッチング損傷を容易に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor package for realizing rigid deposition thereof on a mounting substrate by projecting terminal electrodes formed by etching from the lower surface of the same package.例文帳に追加

エッチングにより形成した端子電極を半導体パッケージの下面から突出させることによって、実装基板への強固な固着を実現することができる半導体パッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device which performs isolation of a chip appropriately for a semiconductor wafer on which a plurality of chips are formed using dry etching.例文帳に追加

本発明は、ドライエッチングを用いて、複数のチップが形成された半導体ウエハについて、適切にチップの分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method is performed by a reactive ion etching by using a mask, plasma and a fluorinated organic compound arranged on a substrate, and the fluorinated organic compound is provided in solid polymer form.例文帳に追加

この方法は基板上に配置したマスクおよびプラズマならびにフッ素含有有機化合物を用いて反応性イオンエッチングによって行われ、フッ素含有有機化合物は固体ポリマーの形態で設けられる。 - 特許庁

To provide a method for etching a ruthenium film, which can surely remove ruthenium layered or deposited particularly on a periphery, a back side, and the other part, of a substrate other than the circuit formed part.例文帳に追加

特に回路形成部以外の基板周縁部および裏面、その他の部分に成膜ないし付着したルテニウムを確実にエッチング除去できるようにしたルテニウム膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes: flowing the etchant gas mixture into the plasma processing chamber; irradiating the substrate with a second plasma from the etchant gas mixture; and etching the substrate with the second plasma.例文帳に追加

また該方法は、プラズマ処理チャンバ内にエッチングガス混合物を流入させる工程、エッチングガス混合物からの第二プラズマを照射する工程、第二プラズマにより基板をエッチングする工程、を含む。 - 特許庁

To provide a composition for a resist underlay film having excellent etching selectivity and preferable antireflection ability against short wavelengths and to provide a resist underlay film and a method for forming a pattern on a substrate both using the above composition.例文帳に追加

優れたエッチング選択性を有し、かつ、短波長に対する反射防止能が良好なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a field emission electron gun capable of forming extremely-thin needle-like parts at a tip of an emitter electrode by etching a tip surface of the emitter electrode.例文帳に追加

エミッタ電極の先端面をエッチング加工することによりエミッタ電極の先端に極めて細い針状部を形成することができる電界放出型電子銃の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a gate with nitride film sidewalls whose shape of shoulders of a stopper nitride film is vertically formed and which can reduce recession of the nitride film during contact hole etching.例文帳に追加

ストッパー窒化膜肩部の形状が垂直化され、コンタクトホールエッチングでの窒化膜の後退を低減することができる窒化膜サイドウォール付きゲートを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a base material for forming an underlayer film having a low exposure light reflectance and also excellent in resistance to etching with oxygen plasma or the like, and also to provide a multilayer resist pattern forming method using the base material.例文帳に追加

露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等に対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile semiconductor device capable of alleviating the damage to the main surface of a semiconductor substrate upon the etching of an insulating film between conductive films on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の導電膜間の絶縁膜をエッチングする際に、半導体基板の主表面に与えるダメージを軽減することができる不揮発性半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor wafer cutting device by which protective sheets can be prevented from being thermally damaged at the time of cutting semiconductor wafers by plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングによる半導体ウェハの切断において、保護シートへの熱ダメージを防止することができる半導体装置の製造方法および半導体ウェハの切断装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method is to pattern a thin film pyroelectric 23 into a desired shape for constituting an infrared photodetector through a laminate etching mask made of an organic resist material and an inorganic resist material.例文帳に追加

赤外線受光部を構成する薄膜焦電体２３が有機系レジスト材料と無機系レジスト材料の積層エッチングマスクを介して所望形状にパターニング形成できる製造方法である。 - 特許庁

To provide a method and apparatus where hydrogen peroxide in a hydrogen peroxide-containing copper etching waste solution is efficiently decomposed to a low concentration, and copper with high purity is more efficiently recovered from the copper waste solution.例文帳に追加

過酸化水素含有銅エッチング廃液中の過酸化水素を効率的に低濃度まで分解し、銅廃液から、より効率的に高純度の銅を回収する方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a defect detection method for easily detecting defects in an SOI substrate by performing etching while restraining deterioration in the surface roughness of a silicon film and uniformity in a film thickness within a plane.例文帳に追加

シリコン膜の表面粗さおよび面内の膜厚均一性の悪化を抑えながらエッチングすることで、ＳＯＩ基板の欠陥を検出容易にする、欠陥検出方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method is used for collectively etching a layered product including a layer, containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt.例文帳に追加

及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the needle-shaped material includes the steps of forming a needle shape 11 on a monocrystal silicon substrate 10 and crystal-anisotropic-wet-etching the silicon substrate having the needle shape formed.例文帳に追加

針状体製造方法は、単結晶シリコン基板１０に針状体形状１１を形成し、針状体形状が形成された単結晶シリコン基板に結晶異方性ウェットエッチング処理を施す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which a plurality of trenches having the same width are formed on the entire substrate, while preventing residues generated at etching of a gate conductive film.例文帳に追加

本発明は、ゲート導電膜のエッチングの際に発生する残滓を防止すると同時に、基板全体に同じ幅を有する複数のトレンチを形成する半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a microphone, for forming a cavity in a semiconductor substrate by etching from a front surface side and easily forming vent holes with large acoustic resistance.例文帳に追加

表面側からのエッチングによって半導体基板に空洞を形成することができると共に、音響抵抗の大きなベントホールを容易に作製することのできるマイクロフォンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser device wherein a mesa structure is formed by using wet etching of little damage and a mask which has not eaves can be used for forming current constriction parts.例文帳に追加

ダメージの少ないウェットエッチングによってメサ構造を形成すると共に、電流狭窄部の形成に庇のないマスクを使用することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having few shape failures in a patterned wiring layer even if the device has the wiring layer which needs to be patterned for long etching time, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

長いエッチング時間をかけてパタニングする必要のある配線層を有する場合であっても、パタニングされた配線層の形状不良が少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of commercially manufacturing a high purity caustic soda aqueous solution which is reduced in iron and nickel content to the level capable of using as an etching agent of silicon wafer at a low cost.例文帳に追加

シリコンウエーハのエッチング剤として使用できるレベルにまで鉄分およびニッケル分を除去した高純度の苛性ソーダ水溶液を、低コストで工業的に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etchant composition which secures the stability of the etchant, and guarantees a margin in an etching process to reduce the cost, and to provide a method for manufacturing an array substrate using the same.例文帳に追加

エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, when a film composed of a zirconium oxide- or hafnium oxide-based material is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化ジルコニウム系、あるいは、酸化ハフニウム系の材料からなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a method of producing a high-purity fluorine gas that is employable as an etching gas or a cleaning gas in the process for manufacturing semiconductors or liquid crystals inexpensively on a mass scale.例文帳に追加

半導体や液晶等の製造工程においてエッチングガスまたはクリーニングガスとして使用することができる高純度フッ素ガスを、安価に、かつ、大量に製造する方法を提供すること。 - 特許庁