「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the color filter using first mixed gas and second mixed gas, the color filter is manufactured by a stopper layer formation step, a colored layer formation step, a photo resist layer formation step, an image formation step, a first etching step, a second etching step and a photo resist layer removal step.例文帳に追加

第１の混合ガスと第２の混合ガスとを用いたカラーフィルタの製造方法において、ストッパー層形成工程と、着色層形成工程と、フォトレジスト層形成工程と、画像形成工程と、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程と、フォトレジスト層除去工程とによりカラーフィルタを製造する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for extracting impurities present in the surface and in the depth direction of a semi conductor substrate with high accuracy in which the etching speed is high, the etching quantity can be controlled correctly, and the concentration of impurities of the back ground is low.例文帳に追加

半導体基板の表面および深さ方向に存在する不純物を高精度で抽出する方法と装置に関し、エッチング速度が速く、エッチング量を正確に制御できて、かつバックグラウンド不純物濃度の低い半導体基板の不純物抽出方法ないし不純物抽出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography, for forming a resist underlayer film capable of reducing reflectance, having high etching resistance, high heat resistance and solvent resistance, and free of the occurrence of twist particularly in the etching of a substrate; and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises steps of: depositing a copper-containing metallic thin film on a base material; selectively exposing the metallic thin film; and applying etching to the exposed part or the unexposed part by the use of the etching agent to which the additive for prevention of secular change is added to form the desired pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上に銅を含む金属薄膜を形成する工程と、その金属薄膜を選択的に露光する工程と、露光された部位又は露光されない部位を経時変化防止用添加剤が添加されたエッチング剤でエッチングして所望のパターンを形成する工程とからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a semiconductor device capable of minimizing tunnel oxide film loss, preventing a semiconductor substrate from being damaged, and improving cell characteristics by removing a nitride film in a wet etching process when performing the gate etching of a SANOS structure where a dielectric film is formed by a high-dielectric substance.例文帳に追加

誘電体膜を高誘電物質で形成したＳＡＮＯＳ構造のゲートエッチングの際、窒化膜をウェットエッチング工程で除去することにより、トンネル酸化膜損失を最小化し、半導体基板の損傷を防止してセル特性を向上させることが可能な半導体素子のゲート形成方法の提供。 - 特許庁

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.例文帳に追加

オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and the source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

To provide an etching liquid little in trouble due to short circuit between conductor circuits and superior in circuit forming property by suppressing the generation of residue of a copper foil, even in an inner layer conductor circuit to which the rust preventing treatment such as chromate treatment has been applied, and to provide a manufacturing method of print wiring boards using the etching liquid.例文帳に追加

クロメート処理等の防錆処理が施された内層導体回路においても、銅箔の根残りの発生を抑え、それにより導体回路間のショート不良が少なく、回路形成性に優れたプリント配線板を提供し得るエッチング液、およびこのエッチング液を用いたプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The etching method comprises a step of using the periphery of a copper film 101 where a mask material 102 was formed on its surface as the atmosphere of an organic compound gas 22 and a step of anisotropically etching the copper film 101 by irradiating the copper film 101 with an oxygen ion 6 using the mask material 102 as a mask in the atmosphere of the organic compound gas 22.例文帳に追加

表面にマスク材１０２が形成された銅膜１０１の周囲を、有機化合物ガス２２雰囲気とする工程と、有機化合物ガス２２雰囲気中で、銅膜１０１に、マスク材１０２をマスクに用いて酸素イオン６を照射し、銅膜１０１を異方性エッチングする工程と、を具備する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a plating resist to a metal plate as a lead for electrolytic plating, and then irradiating laser or partially etching to the metal plate of the part to be finally becoming a terminal for connecting the chip, forming a wiring pattern by the electrolytic plating, forming an insulating film on it, and removing the metal plate by etching at the end.例文帳に追加

電解メッキ用リードとしての金属板にメッキレジストを形成後、最終的にチップ接続用端子となる部分の金属板に、レーザー照射もしくは、部分エッチングを行い、電解メッキにより配線パターンを形成し、その上に絶縁膜を形成し、最後に金属板をエッチングにより除去する。 - 特許庁

The etching method includes a first process which arranges droplets including a thin film forming material on a substrate, a second process which dries the droplets and forms a dry film of a narrower width than a diameter of the droplets at arrangement described above, and a third process to etch using the dry film as an etching protective film.例文帳に追加

本発明は、基板上に膜形成材料を含む液滴を配置する第１工程と、前記液滴を乾燥し、前記配置時の液滴の径よりも狭い幅の乾燥膜を形成する第２工程と、前記乾燥膜をエッチング保護膜としてエッチングする第３工程と、を含むエッチング方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the method of dry-etching the silicon nitride film 103 for dry-etching the silicon nitride film 103, the silicon nitride film 103 is dry-etched with no generation of plasma by using a process gas at least containing a hydrogen fluoride gas (HF gas) and a fluorine gas (F_2 gas) for an object to be processed 100 with the silicon nitride film 103 formed.例文帳に追加

窒化珪素膜１０３をドライエッチングする窒化珪素膜１０３のドライエッチング方法であって、窒化珪素膜１０３が形成された被処理体１００に対して、少なくともフッ化水素ガス（ＨＦガス）とフッ素ガス（Ｆ_２ガス）とを含む処理ガスを用いて、プラズマを生成することなく、窒化珪素膜１０３をドライエッチングする。 - 特許庁

This method for evaluating the etching accuracy comprises forming a test pattern 2 for measuring resistance including test patterns 21-24 each with a predetermined width and a space between lines arranged in rows and columns on all over the test substrate, measuring a resistance value after etching, and assuming a finished state of a circuit pattern by converting the resistance value into the widths of the line.例文帳に追加

縦、横に配列された所定線幅および線間のテストパターン２１〜２４を含む抵抗測定用テストパターン２をテスト基板の全面にわたって形成し、エッチング後に抵抗値を測定し、その抵抗値を線幅に換算して回路パターンの仕上がり状態を想定しエッチング精度を評価する。 - 特許庁

The method forms structures arranged on a substrate in a two-dimensional manner by forming a single layer by arranging spherical particles on the surface of the substrate so as to fill the surface with the spherical particles most densely using self-organization of the spherical bodies, and performing etching processing using the single layer formed of the spherical particles as an etching mask.例文帳に追加

球体の自己組織化を利用して、基板表面に球状粒子を最密に充填するように配置して単層を形成し、前記球状粒子からなる単層をエッチングマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法。 - 特許庁

This method first etches a device separation film by employing an island mask where the channel area and its adjacent device separation film are partially exposed in the etching process of the recess gate area, and then etches a semiconductor substrate to prevent silicon horns from being formed in the recess gate area and increase a margin in the etching process.例文帳に追加

リセスゲート領域の食刻工程でチャンネル領域とこれに隣接した素子分離膜を部分的に露出させるアイランド型マスクを用いて素子分離膜を先に食刻した後、半導体基板を食刻することにより、リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防止し、食刻工程のマージンを高める。 - 特許庁

To provide a method of protecting the sides of laminated word lines during SAS etching to avoid the problem that the sides of the laminated word lines of flash memory cells are exposed during SAS etching and prevents an inter-polysilicon dielectric and a gate dielectric from being undercut to increase the data hold loss.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルの積層されたワード線の側をＳＡＳ食刻中に露呈すること生ずる問題点、ポリシリコン間誘電体及びゲート誘電体をアンダーカットし、データ保持損失の増加を生ずること、を防ぐため、ＳＡＳ食刻中に、積層されたワード線の側を保護する方法を提供する。 - 特許庁

In the plasma etching method, a substrate W having a mask pattern formed on a surface is etched in a plasma chamber wherein a target material 30 for sputtering is installed, and plasma of an oxygen-based gas is generated in the plasma chamber in or after the etching of the substrate to ash a surface of a target material 30.例文帳に追加

本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材３０が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Ｗをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材３０の表面をアッシングする。 - 特許庁

In the manufacturing method of wafer, the crystal orientation accuracy of orientation flat is improved by processing only an orientation flat end surface of ingot formed by cutting the orientation flat mechanically or wafer formed by slicing the orientation flat, in a wet-etching with an anisotropy wet-etching liquid suitable for a material of the wafer and an orientation flat direction desired to be used.例文帳に追加

本発明によるウエハの製造方法は、オリフラを機械的にカットしたインゴット又はスライスしたウエハのオリフラ端面のみをウエハの材質及び使用したいオリフラ方位に適した異方性エッチング液でウエットエッチングを行うことにより、オリフラの結晶方位精度を高くすることを特徴としている。 - 特許庁

In the manufacture of copper wiring substrate formation by a semi additive method, an etching solution containing a hydrogen peroxide of 0.1 to 10 wt.% and a phosphoric acid of 0.5 to 50 wt.% is used as an etching solution of a metal thin film layer (seed layer), whose weight ratio of a hydrogen peroxide/phosphoric acid is 0.02-0.2.例文帳に追加

セミアディティブ法における銅配線基板製造において、金属薄膜層（シード層）のエッチング液として、過酸化水素 ０．１〜１０重量％とリン酸 ０．５〜５０重量％を含有し、かつ過酸化水素／リン酸の重量比が ０．０２〜０．２であるエッチング液を使用する銅配線基板製造方法。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device includes etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the bottom of the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side wall junction region, and forming a bit line coupled to the side wall junction region.例文帳に追加

基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定の深さエッチングして側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続するビットラインを形成するステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for straightening the warping of the ceramic plate 50 in which the warping is generated has an etching process of etching a surface 50A formed to a convex shape by the warping in the ceramic plate 50 by irradiating the surface 50A formed to the convex shape with a beam of at least either of an ion beam or neutral particle beam.例文帳に追加

反りを生じたセラミック板５０の反りの矯正方法であって、セラミック板５０において反りによって凸状とされている面５０Ａに対してイオンビーム又は中性粒子ビームの少なくとも一方のビームを照射して、凸状とされている面５０Ａをエッチングするエッチング工程を備える。 - 特許庁

To provide a metal insulator metal capacitor which can prevent surface etching damage to a capacitor electrode by avoiding the generation of a large amount of a polymer and the lifting of a film formed on the upper portion of the capacitor electrode by etching a barrier metal film for capacitor electrode by using a hard mask, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ハードマスクを利用してキャパシタ電極用バリアー金属膜をエッチングすることにより、多量のポリマー発生を防ぎキャパシタ電極の表面エッチング損傷を防ぐことと、キャパシタ電極上部に形成される膜質のリフティングを防ぐことのできるＭＩＭキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optical device, which is capable of preventing the occurrence of an insufficient withstand voltage or capacity unevenness of holding capacities from being caused by remaining of etching residuals or roughness of surfaces though dry etching is used when forming the holding capacities provided with thin dielectric layers, and to provide the electro-optical device.例文帳に追加

薄い誘電体層を備えた保持容量を形成する際にドライエッチングを利用しても、エッチング残滓の残存や表面の荒れに起因する保持容量の耐電圧不足や容量ばらつきの発生を防止可能な電気光学装置の製造方法および電気光学装置を提供することこと。 - 特許庁

In this manufacturing method, the conductive layer 2 of a semi- insulating substrate 1 is element-isolated into a required patterning shape through mesa etching and left inside an element formation area, an insulator such as ozone is ion-implanted to step part 4, formed at the peripheral edge part of the conductive layer 2 by mesa etching and the step part 4 is constructed as an electrical insulating body.例文帳に追加

半絶縁性基板１の導電層２をメサエッチにより必要なパターニング形状に素子分離して素子形成領域１ａ内に残し、メサエッチにより導電層２の周縁部に形成される段差部４にオゾン等の絶縁物をイオン注入し、段差部４を電気絶縁体として構築する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: forming an etching inhibition layer 107; then forming an n-type extension region (diffusion layer) 112 and a p-type extension region (diffusion layer) 115 in a silicon substrate (semiconductor substrate) 104; and then cleaning the top surface of the silicon substrate 104 in a state where the etching inhibition layer 107 is formed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層１０７を形成した後に、シリコン基板（半導体基板）１０４内にn型エクステンション領域（拡散層）１１２およびp型エクステンション領域（拡散層）１１５を形成した後、エッチング抑制層１０７を形成した状態でシリコン基板１０４の上面を洗浄する。 - 特許庁

To provide a method for circulating an etchant, which solves unevenness in an etching rate due to dispersion of a temperature of a chemical solution without upsizing or pluralizing a tank, performs a rapid and uniform stirring in a circulation tank, uniformly keeps concentration of the chemical solution in the circulation tank, and performs stable etching, and to provide the circulation tank.例文帳に追加

槽を大型、複数化することなく、薬液温度のばらつきにより発生するエッチング速度のむらを解消し、また循環槽内の撹拌を迅速且つむらなく行い槽内の薬液濃度を均一に保持し、安定したエッチングを可能にするエッチング循環方法および循環槽を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a thin film transistor, a stack in which a first conductive film, an insulating film, a semiconductor film, an impurity semiconductor film, and a second conductive film are stacked in this order is formed, and the first conductive film is exposed by first etching and a pattern of the first conductive film is formed by second etching.例文帳に追加

薄膜トランジスタの作製工程において、第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と第２の導電膜をこの順に積層した積層体を形成し、第１のエッチングにより第１の導電膜を露出させ、第２のエッチングにより第１の導電膜のパターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical module includes the steps of first etching to form at least one or more grooves on the first surface of a wafer, and second etching to form at least one or more stopper holes so that the wafer is etched so as to penetrate from the second surface of the wafer.例文帳に追加

光学モジュールの製造方法は、ウェーハの第１面に少なくとも１つ以上の溝を形成する第１エッチング段階と、前記ウェーハの第２面から前記ウェーハが貫通するようにエッチングして少なくとも１つ以上のストッパホールを形成する第２エッチング段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for removing resist enhanced in a removing function of resist residual dross and resistance against corrosion of a copper film and an insulator film, when the resist residual dross after etching or ashing, and other etching residual dross are removed in a semiconductor manufacturing process including a copper wiring process, and a manufacturing method for a semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

銅配線プロセス等の半導体装置製造方法工程において、エッチング後またはアッシング後のレジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物を除去する際に、レジスト残さ物等の除去性、銅および絶縁体膜の耐腐食性が高いレジスト除去用洗浄液を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step (oxide film formation step) of forming a silicon oxide film on a silicon substrate surface, a step (etching step) of etching the silicon oxide film to a desired film thickness, and a step (high-k film formation step) of forming the high-k film on the silicon oxide film having been etched.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程（酸化膜形成ステップ）と、シリコン酸化膜を所望膜厚だけ残してエッチングする工程（エッチングステップ）と、エッチング後のシリコン酸化膜上に高誘電体膜を形成する工程（高誘電体膜形成ステップ）とを有する。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

To provide a composition for etching with which enables to collectively etch a metal-stacked film including an aluminum metal film or an aluminum alloy film and a molybdenum metal film or a molybdenum alloy film formed on a substrate so that the taper angle is less than or equal to 60 degrees, and provide an etching method using the composition.例文帳に追加

基板上に形成されたアルミニウム金属膜又はアルミニウム合金膜とモリブデン金属膜又はモリブデン合金膜との金属積層膜を一括してエッチングでき、テーパー角が６０度以下となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング用組成物及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a circuit pattern of a printed circuit board includes (a) a step of applying an etching liquid to the portions of an insulating board where the circuit pattern is formed, (b) a step of curing the etching liquid under adjusted curing conditions, (c) a step of coating a metal ink over the etched circuit pattern, and (d) a step of sintering the metal ink.例文帳に追加

(ａ)絶縁基板の回路パターンの形成される部分にエッチング液を塗布する段階、(ｂ)養生条件を調節してエッチング液を養生する(curing)段階、(ｃ)エッチングされた回路パターンにメタルインクを塗布する段階、及び(ｄ)メタルインクを焼成する段階を含む印刷回路基板の回路パターン形成方法。 - 特許庁

This manufacturing method is executed by forming a photoresist 35 acting as a mask so that the tip part of the upper pole is exposed after the upper pole 34 is formed so as to cover the pole chip 28 and applying anisotropic etching, in which an insulation layer 29 filling up the surrounding of the pole chip constitutes an etching stopper, thereby retreating the tip face of the upper pole from the air bearing surface.例文帳に追加

ポールチップ２８を覆うように上部ポール３４を形成した後、マスクとして作用するフォトレジスト３５を、上部ポールの先端部分が露出するように形成し、ポールチップの周囲を埋める絶縁層２９をエッチングストッパとする異方性エッチングを施して、上部ポールの先端面をエアベアリング面から後退させる。 - 特許庁

This etching method is provided with a process wherein ion implantation is performed to a nitride based compound semiconductor layer 2 to form a region 4 to be etched by deteriorating crystallinity, and a process wherein the region 4 where crystallinity is deteriorated is removed selectively with respect to a region where crystallinity is not deteriorated by wet etching.例文帳に追加

窒化物系化合物半導体層２にイオン注入を行って結晶性を悪化させることにより被エッチング領域４を形成する工程と、ウエットエッチングにより、結晶性を悪化させた被エッチング領域４を結晶性が悪化していない領域に対して選択的に除去する工程とを備えている。 - 特許庁

In addition to a method of manufacturing the FBAR element, there is provided a method of manufacturing the FBAR element, which is capable preventing structural drawbacks occurring in an air gap forming process due to normal wet etching, by forming a sacrificial layer 53 with a polysilicon and forming an air gap (A3) by dry etching, and which is capable of freely adjusting locations and the number of via holes.例文帳に追加

さらに、本発明は、かかるＦＢＡＲ素子の製造方法ばかりでなく、犠牲層５３をポリシリコンから構成しドライエッチングによりエアギャップ（Ａ３）を形成することで通常のウェットエッチングによるエアギャップ形成工程において生じる構造的欠陥を防止できると同時に、バイアホールの形成位置及び数を自在に調節できるＦＢＡＲ素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus and the semiconductor apparatus, in which the roughness of a copper film surface after the etching treatment is reduced, and which can be performed in a short time and in a proper precision in few steps, in a copper film surface etching method, in which the copper film is oxidized and the oxide product is eliminated by an acid, alkali or the like.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法、半導体製造装置及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching a silicon substrate that can make the absolute amount of metal impurities as a generation source other than the silicon substrate lower than before during etching of the silicon substrate which is important for metal impurity evaluation by high-sensitivity chemical analysis necessary for shipping a product of high quality; and to provide a method of analyzing impurities of the silicon substrate using the same.例文帳に追加

高品質な製品を出荷するために必要な高感度化学分析による金属不純物評価を行うために重要なシリコン基板のエッチングにおいて、シリコン基板以外が発生源となる金属不純物の絶対量を従来に比べて低くすることができるシリコン基板のエッチング方法と、それを利用したシリコン基板の不純物分析方法を提供する。 - 特許庁

To prevent wiring accuracy from being lowered by etching fine wiring already, molded as well when etching a thin metal layer in semi-additive method (FAM: foil additive method) for forming fine wiring, by removing the thin metal layer on the surface of an insulating substrate after adding the thin metal layer on the surface of the substrate, and forming a wiring pattern with electric plating.例文帳に追加

絶縁基板表面に薄手の金属層を付加し、電気めっきにより配線パターンを形成後、基板表面の薄手金属層を除去して微細配線を形成するセミアデイテイブ（ＦＡＭ：Ｆｏｉｌ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｍｅｔｈｏｄ）工法において、薄手金属層のエッチング時に既に成形した微細配線をもエッチングして、配線精度の低下を招くことを防止する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming an insulating film; a step of forming a conductive film on the insulating film; a step of forming a pixel electrode with an aperture by patterning the conductive film; and a step of forming the contact hole for communicating with the insulating film through the aperture by an etching method using the pixel electrode with the aperture as an etching mask.例文帳に追加

絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL display panel and a thinning method of a glass substrate for the organic EL display panel capable of thinning the glass substrate by immersing it in an etching solution without damaging components of the organic EL display panel by the etching solution; and to provide a glass substrate for an organic EL display panel and an organic EL display using these methods.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイパネルの構成部材をエッチング液によって損傷させることなく、エッチング液に浸漬してガラス基板を薄型化することが可能な有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法及び有機ＥＬディスプレイパネル用ガラス基板の薄型化方法、並びにこれらの方法を使用した有機ＥＬディスプレイパネル用ガラス基板及び有機ＥＬディスプレイの提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode with superior etching properties for solving such a problem that the etching properties of the aluminum material, after final annealing is not sufficient owing to the inhomogeneous melting of the aluminum material surface in melting the aluminum material surface layer, by cleaning in the manufacturing method of conventional aluminum materials for electrolytic capacitors.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic thin membrane layer 15 has 0.5-50 oersted coercive force, may have a squareness ratio regulated so as to be 0.7-1.0, may be formed into the pattered one by a thin film-removing means such as a laser processing method, an etching method and a lift-off method, and further may have a bar code mark formed by patterning.例文帳に追加

上記強磁性薄膜層１５は、保磁力が０．５〜５０エルステッドで、かつ角型比が０．７〜１．０に調整されているようにでき、レーザ加工法、エッチング法、リフトオフ法等の薄膜除去手段によりパターン化されたものとすることができ、また、バーコードマークをパターン化して設けることができる。 - 特許庁

To provide a method for forming microstructures formable of the microstructure such as a micro-pore and a micro-groove at a substantially constant etching speed, without affected by arrangement in a substrate, a laser irradiation device used in the forming method, and the substrate produced using the forming method.例文帳に追加

基板における配置に左右されず、ほぼ一定のエッチング速度で微細孔及び微細溝等の微細構造を形成することができる微細構造の形成方法、該形成方法に使用されるレーザー照射装置、及び該形成方法を用いて製造された基板の提供。 - 特許庁