「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing submicron gate including the anisotropical etching, which enables the self alignment by a simple process and can manufacturing high-reliability submicron gates at a low cost.例文帳に追加

簡単な工程により自己整合が可能で、しかも信頼度が高いサブミクロンゲートを安価に製造することができる、非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device containing a base layer and an emitter layer, in which the number of times of photolithography and etching processes is small at the time of creating the base layer.例文帳に追加

ベース層を作成するときのフォトリソグラフィおよびエッチング工程の回数が少ない、ベース層とエミッタ層とを含む半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus and method permitting the trend dispersion of reaction gas and control of discriminating etching to a substrate, and a liquid crystal display device thereof.例文帳に追加

反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming the fine ruggedness at random on a substrate includes a step of forming an organic compound film on the surface of the substrate and a step of etching the organic compound film.例文帳に追加

基体上に微細な凹凸をランダムに形成する方法は、前記基体の表面に有機化合物の膜を形成するステップと、前記有機化合物の膜をエッチングするステップと有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing a short channel effect by reducing or eliminating substrate digging caused in a substrate around a gate electrode due to etching.例文帳に追加

ゲート電極周辺の基板に生じるエッチングによる基板掘れを低減又は解消し、短チャネル効果を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for producing a glass pipe where uneven thickness in a longitudinal direction is suppressed to be as thin as possible by uniformly etching the inner surface of the glass pipe in the longitudinal direction.例文帳に追加

ガラスパイプの内面を長手方向で均一にエッチングし、長手方向における偏肉が極力抑えられたガラスパイプを製造することが可能なガラスパイプの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition excellent in etching resistivity and the stability during a post-exposure delay (PED) period, and to provide a method of forming a pattern using the same.例文帳に追加

エッチング耐性及びＰＥＤに対する安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of forming a groove or a hole of which the bottom surface is smooth on a polymer material, such as PMMA and PC, or an ultrafine pillar structure on the bottom surface.例文帳に追加

ＰＭＭＡやＰＣなどポリマー材料に、底面が平滑である溝や孔、もしくは底面に極微細な柱状構造を形成可能とするプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate surface processing apparatus capable of suppressing degradation of an etching speed due to stay of a low-concentration medical solution, in a substrate surface processing apparatus of a horizontal transport method.例文帳に追加

水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。 - 特許庁

To manufacture a master mold high in the uniformity of a recess of an uneven pattern containing a wide recess and a narrow recess in manufacturing the master mold using a reactive ion etching method.例文帳に追加

反応性イオンエッチング法を用いたマスターモールドの製造において、広幅凹部および狭幅凹部を含む凹凸パターンの凹部の均一性の高いマスターモールドを製造することを可能とする。 - 特許庁

The method further includes a step of etching the protection layer (44) and the metal layer (42) to form a structure (56) having a remaining portion of the protection layer formed over a remaining portion of the metal layer.例文帳に追加

方法は、保護層（４４）および金属層（４２）をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造（５６）を形成するステップをさらに含む。 - 特許庁

To reduce parasitic capacity in a groove wiring, using a simple method whereby a low dielectric constant film can be applied effectively to a layer insulation film by facilitating dry-etching of an SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ膜のドライエッチングを容易にし、低誘電率膜を効果的に層間絶縁膜に適用でき簡便な方法で溝配線間の寄生容量の低減を可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of avoiding break of structure due to etching, when a through hole is formed on the substrate with the structure constituted on the back thereof.例文帳に追加

裏面側に構造物が形成された基体に貫通孔を形成する際に、エッチングによる構造物の崩れを防止することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a platinum working method which is capable of finely working platinum with high accuracy without remaining of deposits ands does not damage the ground surface of the platinum in treatment after dry etching.例文帳に追加

デポ物残りのない高精度な白金の微細加工を可能とし、さらにはドライエッチング後の処理において白金の下地にダメージを与えることのない白金の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor laser element that can improve processing precision of a ridge portion by improving controllability of etching depth and then sufficiently suppress occurrence of kinking.例文帳に追加

エッチング深さの制御性を向上させてリッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To realize an etching liquid and a method, by which a Ti-W(titanium- tungsten) alloy thin film is removed in a process where a solder bump electrode is formed on a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置上への半田バンプ電極製造におけるＴｉ−Ｗ(チタン−タングステン)合金の薄膜を除去するためのエッチング液とそのエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for ion beam etching which can improve the productivity by simplifying the manufacturing process and which is suitable for being used in manufacturing an optical device.例文帳に追加

製造プロセスを簡素化して生産性の向上を図ることができ、また、光学デバイスの製造に用いて好適なイオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of improving a yield and reliability of a product by restraining plasma charge to a gate insulation film in dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制することにより、製品の歩留まり及び信頼性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming a hafnium silicon oxide film under the condition that film thickness uniformity in a wafer surface is excellent and suppressing a variation of a threshold by etching treatment.例文帳に追加

ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an Al alloy sheet of JIS 1000 series, which is subjected to surface treatment such as etching before being used, and is surely and stably surface-treated.例文帳に追加

エッチング等の表面処理が施されて使用されるＪＩＳ １０００番系のＡｌ合金板として、表面処理性が確実かつ安定して優れたものを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Next, with the photosensitive film 47 as a mask, the first metal layer 43 is patterned so as to have the width (W1) by an anisotropic etching method to form the gate electrode with multilayer structure ((c) in Fig.5).例文帳に追加

次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁

Therefore, regarding the method for recovering indium, indium can be efficiently adsorbed from an oxalic acid solution such as an etching waste solution exhausted upon the production of an ITO transparent electrode.例文帳に追加

それ故、本発明のインジウムの回収方法は、ITO透明電極製造時に排出されるエッチング廃液のようなシュウ酸溶液から、インジウムを効率よく吸着することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing electrode foil for an electrolytic capacitor capable of improving capacitance by effectively removing adhering negative ions during etching, and smoothly performing coating formation in chemical conversion.例文帳に追加

エッチングにおける付着陰イオンを効果的に除去し、化成時の皮膜形成を円滑に行い、静電容量を向上できる電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this etching method, the resist layer is formed to have a shape of having a thin film which is formed by leaving part of the resist layer in the thickness direction of the substrate corresponding to the removed part of the substrate.例文帳に追加

このエッチング方法では、基材の除去する部分に対応して、レジスト層の厚さ方向の一部を残してなる薄膜部を有する形状に、レジスト層を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method whereby a wiring pattern can be formed with ensuring a sufficient remaining quantity of resist, without giving damage to a base in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造において、下地にダメージを与えずに、十分なレジスト残量を確保しながら配線パターンを形成することができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant which is free of dissolution of liquid and the corrosion of a substrate, and low in cost and has a high etching rate for tungsten-based metal, and a removing method for the tungsten-based metal.例文帳に追加

液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, in a step immediately before forming the field plate electrode, the thickness of the surface protective film corresponding to its formation site is set at a predetermined value by etching.例文帳に追加

また、その製造方法においては、フィールドプレート電極を形成する直前の工程において、その形成部位の表面保護膜の膜厚をエッチングにより所定の値に加工する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element by which leakage current due to a gap generated by damaging a spacer of a storage node plug side wall by etching.例文帳に追加

エッチングによってストレージノードプラグ側壁のスペーサが損傷されて発生した隙間による漏洩電流を防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, a working process for forming the hole in the insulating film on a wafer using the plasma etching device is performed continuously for a plurality of wafers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、プラズマエッチング装置を用いてウエハ上の絶縁膜にホールを形成する加工処理を、複数のウエハに連続して施すものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which realizes a removal of an etching stopper film stably with excellent controllability in a SAC process, and is superior in reproducibility and high in reliability.例文帳に追加

ＳＡＣプロセスにおいて安定かつ制御性良くエッチングストッパ膜の除去を実現し、再現性の優れた信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a first sealing film 14 is formed on a second electrode 13 by a CVD method in a first sealing film formation process, the first sealing film 14 is etched in an etching process.例文帳に追加

第１封止膜形成工程で、ＣＶＤ法によって第２電極１３上に第１封止膜１４を形成した後、エッチング工程で、第１封止膜１４をエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate with microlenses capable of arbitrarily setting pattern shapes of a second aperture for etching and having such an advantage that the degree of freedom in designing the lens shape widens.例文帳に追加

第２のエッチング用開口のパターン形状を任意に設定でき、レンズ形状設計の自由度が広がる等の利点があるマイクロレンズ付基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MIS semiconductor device in which an etching selection ratio between a high dielectric gate insulating film and a silicon layer of its base is taken greatly.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜とその下地のシリコン層との間のエッチング選択比を大きく取ることを可能にしたＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production method of the ingot for manufacturing the Fe-Ni base alloy containing 20-80 mass% Ni and performing the etching treatment, the molten alloy at ≥1500°C is cast into an ingot case.例文帳に追加

質量％で２０−８０％のNiを含みエッチング処理されるFe−Ni系合金製造用インゴットの製造方法において、１５００℃以上の溶湯をインゴットケースに鋳造する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse.例文帳に追加

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。 - 特許庁

In addition, when a film composed of aluminum oxide or aluminum silicate is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化アルミニウム、あるいは、珪酸アルミニウムからなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element having highly accurate pixel electrodes by making electric conductivity, visible light transmissivity, and an etching characteristic compatible with each other, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

画素電極の電気伝導性と可視光透過性およびエッチング特性を両立させ、高精細な画素電極を有する液晶表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which etching residues of a polysilicon film on an inter-layer insulating film covering a MOS transistor can be reduced during electrode formation of a bipolar transistor.例文帳に追加

バイポーラトランジスタの電極形成時に、ＭＯＳトランジスタを覆う層間絶縁膜上のポリシリコン膜のエッチング残りの発生を低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a non-magnetic garnet substrate, only the bevel face of a single crystal wafer is coated with an etching solution to selectively etch the bevel face.例文帳に追加

単結晶ウエハのベベル面のみにエッチング液を塗布することによって、該ベベル面を選択的にエッチングすることを特徴とする非磁性ガーネット基板の製造方法などによって提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an intrinsic Josephson tunnel device which produces the intrinsic Josephson tunnel device without necessitating high grade and complicated technologies such as ion injection, ion beam etching, and lithography.例文帳に追加

イオン注入やイオンビームエッチングおよびリソグラフィーなど高度で複雑な技術を要することなく、固有ジョセフソントンネルデバイスを作製する固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法を提供する。 - 特許庁

The method of etching an aluminum-neodymium alloy is comprised of exposing the alloy to plasma comprising a mixed gas of chlorine 62 and hydrogen iodide (H I) 64.例文帳に追加

本発明は、アルミニウムとネオジムの合金を塩素６２とヨウ化水素（ＨＩ）６４のガス混合物から形成されるプラズマに暴露することによって、合金をエッチングする方法を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing nanotubes from nanorods by selectively etching only inner parts of nanorods of a piezoelectric material having an asymmetric crystal structure, and to provide nanotubes of the piezoelectric material.例文帳に追加

非対称結晶構造を有する圧電物質のナノロッドの内部のみを選択的にエッチングすることにより、ナノロッドからナノチューブを製造する方法及び圧電物質のナノチューブを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mold for forming a glass element, whereby mold life can be extended by eliminating occurrence of selective etching etc. based on crystal plane orientation and increasing number of recycle.例文帳に追加

結晶面配向による選択的エッチング等を排し、リサイクル回数を増やし金型寿命を延ばすことができるガラス素子用成形金型の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a highly accurate wafer by which a high flatness can be obtained by removing minute waving about several nm to several hundred nm in amplitude produced by etching, when manufacturing a wafer.例文帳に追加

ウェーハの製造に際し、エッチングにより形成される振幅が数nmから数百nm程度の微小なうねりを除去して高平坦度が得られる高精度ウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a SONOS (silicon oxynitride oxide semiconductor) memory device which solves the problem of bringing about a damage on a substrate surface in a peripheral circuit region when etching a polysilicon and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ポリシリコンのエッチング中に、周辺回路領域内に基板面の損傷が生じる問題を解決するような、ＳＯＮＯＳメモリーデバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁