「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an Fe-Ni alloy cold rolled sheet more excellent in etching properties and surface properties and to provide a method for refining an Fe-Ni alloy by which the same cold rolled sheet can suitably be produced.例文帳に追加

エッチング性および表面性状のより優れたＦｅ−Ｎｉ合金冷延板と、このような冷延板を好適に製造し得るＦｅ−Ｎｉ合金の精錬方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory device which suppresses the etching of an element isolation insulating film when an insulating film formed between a control gate and a floating gate is etched.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートとの間に形成される絶縁膜のエッチング時の素子分離絶縁膜のエッチングを抑制することができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

To provide a substrate sheet for an IC tag for surely exerting an antistatic function even in the case of forming an antenna part by etching and a method for manufacturing the substrate sheet for the IC tag.例文帳に追加

アンテナ部をエッチングによって形成する場合であっても帯電防止機能を確実に発揮できるＩＣタグ用基材シート及びＩＣタグ用基材シートの製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to the method including a step to remove the selected portions of the capacitor by sandblasting or other means so that a ceramic dielectric may not contact acid etching liquid.例文帳に追加

本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a semiconductor substrate will not be damaged, even if over-etching is carried out at forming of an opening for contact, and a method of manufacturing of the semiconductor device.例文帳に追加

コンタクト用の開口部を形成する際にオーバーエッチングを行っても、半導体基板にダメージを与えることのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To planarize color layers of two colors simultaneously by planarization using an etch-back method by equalizing etching rates of color layers formed of colorant containing compositions of two or more colors.例文帳に追加

２色以上の着色剤含有組成物からそれぞれ形成された着色層のエッチングレートを均一化し、エッチバック法を用いた平坦化処理で２色同時に平坦化する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film and its patterning method whereby patterning characteristics can be improved by adjusting the etching rate of the zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加

酸化亜鉛系透明導電膜のエッチングレートを調整してパターニング特性を向上させることができる酸化亜鉛系透明導電膜及びそのパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus and method capable of easily adjusting an H_3PO_4 liquid which can provide a desired etching rate and a desired selection ratio to an oxide film.例文帳に追加

所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるＨ_３ＰＯ_４液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type source/drain layer 40 is film-formed by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a in a shape of the gate electrode 32 of the n-type TFT region 12n.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって、ｎ型ソース・ドレイン層４０を成膜する。 - 特許庁

To provide a pattern working method and a pattern working device, working the worked base within a mask width to be flat without over-etching by anisotropy working, and performing microprocessing.例文帳に追加

異方性の加工によりオーバエッチングを生じることなくマスク幅内の加工底面を平坦に加工でき、微細加工が可能なパターン加工方法及びパターン加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a peeling method for an organic film by plasma etching that reduces the consumption of fluorine-based gas, has a desired organic film peeling speed, and less damages a substrate etc.例文帳に追加

フッ素系ガスの使用量を低減し、かつ所望の有機膜剥離スピードを有し、また、基板等に対するダメージが少ないプラズマエッチングによる有機膜の剥離方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor by which the starting position of etching is highly accurately controlled, and area expansion treatment can be highly accurately performed in large quantity.例文帳に追加

高精度にエッチング開始位置を制御し、高効率でかつ大量に拡面処理することが可能な、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method is such that a capacitor lower electrode layer 113, a ferroelectric film 114 and a capacitor upper electrode layer 115 are formed in this order, and a dry etching using a photo resist 116 and a patterning follow.例文帳に追加

容量下部電極層１１３、強誘電体膜１１４、および容量上部電極層１１５をこの順で成膜した後、フォトレジスト１１６を用いてドライエッチングし、パターニングする。 - 特許庁

The method and the device for obtaining the etching degree of the material 25 by arranging detector elements 60 and 72 adjacently to a part of the material 25 to be etched are provided.例文帳に追加

材料２５のエッチングの程度を、エッチングされる材料２５の一部分に隣接して検出器素子６０、７２を配置することによって求める方法および装置が提供される。 - 特許庁

To provide a fine semiconductor device with little variation in characteristics, by reducing edge roughness of a resist pattern and improving etching resistance, and its manufacturing method.例文帳に追加

レジストパターンのエッジラフネスを低減すると共にそのエッチング耐性を向上させることにより、特性ばらつきの少ない微細な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus preventing a dielectric breakdown of a passivation film in a process of dry etching for forming a pad opening on the passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜にパッド開口部を形成するためのドライエッチング工程において、パッシベーション膜が絶縁破壊することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing submicron gate including the anisotropical etching, which enables the self alignment by a simple process and can manufacturing high-reliability submicron gates at a low cost.例文帳に追加

簡単な工程により自己整合が可能で、しかも信頼度が高いサブミクロンゲートを安価に製造することができる、非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device containing a base layer and an emitter layer, in which the number of times of photolithography and etching processes is small at the time of creating the base layer.例文帳に追加

ベース層を作成するときのフォトリソグラフィおよびエッチング工程の回数が少ない、ベース層とエミッタ層とを含む半導体装置の製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a thin film deposition apparatus and method permitting the trend dispersion of reaction gas and control of discriminating etching to a substrate, and a liquid crystal display device thereof.例文帳に追加

反応ガスの傾向性散布が可能であって、基板に対する差別的なエッチングの制御が可能な薄膜形成装置及び方法並びに液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The method for forming the fine ruggedness at random on a substrate includes a step of forming an organic compound film on the surface of the substrate and a step of etching the organic compound film.例文帳に追加

基体上に微細な凹凸をランダムに形成する方法は、前記基体の表面に有機化合物の膜を形成するステップと、前記有機化合物の膜をエッチングするステップと有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing a short channel effect by reducing or eliminating substrate digging caused in a substrate around a gate electrode due to etching.例文帳に追加

ゲート電極周辺の基板に生じるエッチングによる基板掘れを低減又は解消し、短チャネル効果を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which realizes a removal of an etching stopper film stably with excellent controllability in a SAC process, and is superior in reproducibility and high in reliability.例文帳に追加

ＳＡＣプロセスにおいて安定かつ制御性良くエッチングストッパ膜の除去を実現し、再現性の優れた信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a first sealing film 14 is formed on a second electrode 13 by a CVD method in a first sealing film formation process, the first sealing film 14 is etched in an etching process.例文帳に追加

第１封止膜形成工程で、ＣＶＤ法によって第２電極１３上に第１封止膜１４を形成した後、エッチング工程で、第１封止膜１４をエッチングする。 - 特許庁

In this etching method, the resist layer is formed to have a shape of having a thin film which is formed by leaving part of the resist layer in the thickness direction of the substrate corresponding to the removed part of the substrate.例文帳に追加

このエッチング方法では、基材の除去する部分に対応して、レジスト層の厚さ方向の一部を残してなる薄膜部を有する形状に、レジスト層を形成する。 - 特許庁

To provide a dry etching method whereby a wiring pattern can be formed with ensuring a sufficient remaining quantity of resist, without giving damage to a base in manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造において、下地にダメージを与えずに、十分なレジスト残量を確保しながら配線パターンを形成することができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant which is free of dissolution of liquid and the corrosion of a substrate, and low in cost and has a high etching rate for tungsten-based metal, and a removing method for the tungsten-based metal.例文帳に追加

液の分解や基板の腐食が無く、低コストであって、かつタングステン系金属のエッチングレートの大きいエッチング液およびエッチングによるタングステン系金属の除去方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, in a step immediately before forming the field plate electrode, the thickness of the surface protective film corresponding to its formation site is set at a predetermined value by etching.例文帳に追加

また、その製造方法においては、フィールドプレート電極を形成する直前の工程において、その形成部位の表面保護膜の膜厚をエッチングにより所定の値に加工する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element by which leakage current due to a gap generated by damaging a spacer of a storage node plug side wall by etching.例文帳に追加

エッチングによってストレージノードプラグ側壁のスペーサが損傷されて発生した隙間による漏洩電流を防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device, a working process for forming the hole in the insulating film on a wafer using the plasma etching device is performed continuously for a plurality of wafers.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、プラズマエッチング装置を用いてウエハ上の絶縁膜にホールを形成する加工処理を、複数のウエハに連続して施すものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming multilayer polysilicon resistors 5, 6 and 7 on the semiconductor substrate, and regulating the depth etching on a contact 10 to obtain the desired resistance.例文帳に追加

半導体基板上に、ポリシリコン抵抗５、６、７を多層に形成し、コンタクト部の１０エッチングの深さを調節することで、所望の抵抗値を得るように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate with microlenses capable of arbitrarily setting pattern shapes of a second aperture for etching and having such an advantage that the degree of freedom in designing the lens shape widens.例文帳に追加

第２のエッチング用開口のパターン形状を任意に設定でき、レンズ形状設計の自由度が広がる等の利点があるマイクロレンズ付基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an MIS semiconductor device in which an etching selection ratio between a high dielectric gate insulating film and a silicon layer of its base is taken greatly.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜とその下地のシリコン層との間のエッチング選択比を大きく取ることを可能にしたＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production method of the ingot for manufacturing the Fe-Ni base alloy containing 20-80 mass% Ni and performing the etching treatment, the molten alloy at ≥1500°C is cast into an ingot case.例文帳に追加

質量％で２０−８０％のNiを含みエッチング処理されるFe−Ni系合金製造用インゴットの製造方法において、１５００℃以上の溶湯をインゴットケースに鋳造する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device and its working method capable of quickly removing reaction product and effecting etching high in uniformity with high speed, in plasma processing employing gas pulse.例文帳に追加

ガスパルスを用いたプラズマ加工において、反応生成物を迅速に除去し、均一性の高いエッチングを高速で行うことができるプラズマ処理装置及び加工方法の提供。 - 特許庁

In addition, when a film composed of aluminum oxide or aluminum silicate is used as a gate insulating film, the gate insulating film is etched by this method for etching at the time of processing a gate electrode.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜として、酸化アルミニウム、あるいは、珪酸アルミニウムからなる膜を用いた場合に、ゲート電極加工の際、このエッチング方法により、このゲート絶縁膜のエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element having highly accurate pixel electrodes by making electric conductivity, visible light transmissivity, and an etching characteristic compatible with each other, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

画素電極の電気伝導性と可視光透過性およびエッチング特性を両立させ、高精細な画素電極を有する液晶表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes a step of etching the protection layer (44) and the metal layer (42) to form a structure (56) having a remaining portion of the protection layer formed over a remaining portion of the metal layer.例文帳に追加

方法は、保護層（４４）および金属層（４２）をエッチングして、金属層の残り部分上に形成された保護層の残り部分を有する構造（５６）を形成するステップをさらに含む。 - 特許庁

To reduce parasitic capacity in a groove wiring, using a simple method whereby a low dielectric constant film can be applied effectively to a layer insulation film by facilitating dry-etching of an SiC film.例文帳に追加

ＳｉＣ膜のドライエッチングを容易にし、低誘電率膜を効果的に層間絶縁膜に適用でき簡便な方法で溝配線間の寄生容量の低減を可能にする。 - 特許庁

To provide a composition for conditioning a copper surface, which can maintain adhesiveness between copper and an insulation material such as a resin, without roughing the copper surface by using a method such as etching.例文帳に追加

銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅の表面調整組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor that has reduced alignment precision required in a lamination process and dispenses with any special processes, such as etching processing, and to provide a method of manufacturing the multilayer ceramic capacitor.例文帳に追加

積層工程で要求される位置合わせ精度が緩く、かつ、エッチング処理などの特殊な工程を必要としない積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film with excellent transmittance characteristics, a required electric property and etching speed, as well as a method of manufacturing the conductive film with safety and a high productivity.例文帳に追加

透過率特性が良好であり、所望の電気特性、エッチング速度を有する透明導電膜、及び該導電膜を安全に、生産性高く製造する手段を提供する。 - 特許庁

To provide a film depositing method that allows comparatively reducing an etching rate during cleaning even if depositing a film at comparatively low temperatures and thus allows improving the controllability of a film thickness.例文帳に追加

比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of suppressing a plasma from damaging a wafer light-receiving surface and suppressing a scraping amount of a diffusion layer by reducing etching more than necessary.例文帳に追加

必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the size, after etching, of a contact pattern formed on an insulating film, without changing a photolithographic process.例文帳に追加

絶縁膜に形成されるコンタクトパターンのエッチング処理後の寸法を、ホトリソ工程を変更させることなく、小さい値に変更させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain a rear-surface cleaning method of etching ruthenium deposited on a bevel portion and on the rear surface of a substrate with a simple device arrangement, enabling chemical solution treatment without using a shield plate.例文帳に追加

遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。 - 特許庁