「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a measurement method of a profile, an etching dispersion estimation method and a measurement device capable of previously estimating or reducing dimensional dispersion after etching by measuring resist pattern width with a plurality of threshold values to detect the difference of a resist profile in a length measurement SEM, and capable of improving the quality of a product and the manufacturing yield.例文帳に追加

測長ＳＥＭにおいて、複数の閾値でレジストパターン幅を測定し、レジストプロファイルの違いを検知し、エッチング後の寸法ばらつきを未然に予測または低減することができ、製品の品質向上および製造歩留まりを向上させることができるプロファイルの測定方法、エッチングばらつき予測方法および測定装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a single particle film etching mask suitably used for manufacture of a fine structure (luminance improving structure) on the surface of a semiconductor light emitting element, its manufacturing method, a manufacturing method of the fine structure using the single particle film etching mask, and the semiconductor light emitting element having the fine structure on a light extracting surface.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子表面の微細構造体（輝度向上構造）の製造に好適に使用される単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体を光取り出し面に有する半導体発光素子に関する。 - 特許庁

Then the insulating material layer is removed secondarily by a normal wet etching method or a dry etching method, to a prescribed protruded thickness from the surface of the semiconductor substrate, namely a thickness equal to the insulating material layer which is removed at intermediate treatment process, after removing the CMP cut-off pattern and before forming a gate oxide film is left.例文帳に追加

次に、半導体基板の表面から所定の突出した厚さ、すなわち、ＣＭＰ遮断パターンを除去してからゲート酸化膜を形成する前までの中間処理工程時に除去される絶縁物質層の厚さに該当する厚さが残るまで絶縁物質層を通常のウェットエッチング法またはドライエッチング法により２次的に除去する。 - 特許庁

To provide a two-layer structured substrate for a stencil mask with a thin film being an independent film having a function as an etching stopper layer to a supporting substrate and with the stress of the thin film adjusted, in a method for manufacturing a stencil mask using a substrate having the thin film being the etching stopper layer, and to provide the stencil mask and a method for exposing using it.例文帳に追加

エッチングストッパー層となる薄膜を持つ基板を用いたステンシルマスクの製造において、自立メンブレンとなる薄膜が支持基板に対するエッチングストッパー層としての機能を兼ね備え、さらにその薄膜の応力が調整された２層構造を有するステンシルマスク用基板、ステンシルマスク及びそれを用いた露光方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes sequentially forming a first insulating layer, a metal shield, and a second insulating layer on a resistive chip of a substrate; etching the second insulating layer to expose the metal shield on a resistive region; etching the exposed metal shield; and etching the first insulating layer to expose the resistive region.例文帳に追加

基板上で抵抗性チップ上に第１絶縁層、メタルシールド及び第２絶縁層を順次に形成する工程と、第２絶縁層をエッチングして抵抗領域上のメタルシールドを露出する工程と、露出されたメタルシールドをエッチングする工程と、第１絶縁層をエッチングして抵抗領域を露出する工程とを含むことを特徴とする自己整列されたメタルシールドを備えた抵抗性探針の製造方法である。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

In a method for forming a positive oxide thin film pattern in which the top of a substrate is coated with a composition containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer, the resulting coating film is irradiated with light, a chemical reaction of the unirradiated part in the coating film is allowed to proceed and the irradiated part is dissolved and removed by etching with an etching solution, an aqueous alkali solution is used as the etching solution.例文帳に追加

金属アルコキシド及びキレート安定化剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布膜に光照射すると共に、この塗布膜における非照射部の化学反応を進行させた後、エッチング溶液にてエッチングして照射部を溶解、除去するポジ型酸化物薄膜パターンの形成方法において、前記エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices includes a process for forming the compound oxide film containing rare earths that contains rare-earth elements, metal elements that are not rare earths, and O at an upper portion of semiconductor substrates, and an etching process for alternately performing etching by acid without containing fluorine and etching by a solution containing fluorine for dissolving oxides of other metal elements to the compound oxide film containing rare earths a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Ｏとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the piezoelectric vibrator 20 has: a process S10 for preparing a flat piezoelectric material 10 having etching anisotropy in a prescribed direction; a process S18 for performing wet etching to the piezoelectric material to form the piezoelectric vibrator in the piezoelectric material; and a process S20 for applying laser beams to the side section of the piezoelectric vibrator subjected to wet etching for partially removing the side section.例文帳に追加

圧電振動片（２０）を製造する製造方法は、所定の向きにエッチング異方性を有する平板の圧電材料（１０）を準備する工程（Ｓ１０）と、この記圧電材料に圧電振動片を形成するため、圧電材料をウェットエッチングする工程（Ｓ１８）と、このウェットエッチングされた圧電振動片の側面部にレーザー光を照射して、側面部の一部を除去するレーザー加工の工程（Ｓ２０）と、を有する。 - 特許庁

The processing method of semiconductor silicon wafer comprises a polishing process for polishing the surface of semiconductor wafer to the mirror-surface, an evaluation process for evaluating the flatness of a semiconductor wafer polished in the polishing process, an etching process for etching semiconductor wafer determined as defective in the flatness in the evaluation process using an alkali solution, and a re-polishing process for re-polishing the semiconductor wafer which etched in the etching process.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する研磨工程と、この研磨工程において研磨された半導体ウェーハの平坦度を評価する評価工程と、この評価工程により平坦度が不良と判定された半導体ウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程と、このエッチング工程によりエッチングされた半導体ウェーハを再研磨する再研磨工程とを有する半導体ウェーハの加工方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

The plating pretreatment method 10 for an object to be treated made of an aluminum alloy member includes an etching step 12 of etching the object by using alkaline etching solution, a desmutting step 13 of cleaning a surface of the etched object by using a desmutting solution containing phosphoric acid and hydrogen peroxide, and zinc-substitution steps 14, 16 of immersing the desmutted objected in zinc substitution solution.例文帳に追加

アルミニウム合金部材からなる被処理物のめっき前処理方法１０は、前記被処理物を、アルカリエッチング液を用いてエッチングするエッチング処理工程１２と、前記エッチング処理された被処理物の表面を、リン酸と過酸化水素を含むデスマット処理液を用いて清浄するデスマット処理工程１３と、前記デスマット処理された被処理物を、亜鉛置換液に浸漬する亜鉛置換処理工程１４、１６とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

The method for producing a high planarity semiconductor wafer by machining a semiconductor wafer through plasma etching comprises a step S5 for measuring the thickness distribution of the semiconductor wafer, and a step S7 for locally plasma etching the rear surface of the semiconductor wafer, while varying the etching amount depending on the thickness distribution measured in the planarity measuring step, thus planarizing the rear surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハをプラズマエッチングにより加工する高平坦度半導体ウェーハの製造方法であって、前記半導体ウェーハの厚さ分布を測定する平坦度測定工程Ｓ５と、プラズマエッチングにより前記半導体ウェーハの裏面を前記平坦度測定工程で測定された厚さ分布に応じてエッチング量を変えながら局部的に加工し平坦化する裏面プラズマ加工工程Ｓ７とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting and an etching processor of film carrier tapes for electronic component mounting, which can provide film carrier tapes for electronic component mounting satisfactory in electrical characteristics, mechanical characteristics, etc., with a uniform finish of line widths in wiring patterns, for the purpose of forming wiring patterns by etching treatment of films with an etchant in an etching processor.例文帳に追加

エッチング処理装置内において、フィルムをエッチング液にてエッチング処理して、配線パターンを形成する際に、配線パターンの線幅の仕上がりが均一で、電気諸特性、機械的強度などの良好な電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供できる電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法、ならびにそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which has high etching nature in formation of conductor wiring lines, specifically, has less etching residue of ground metal layer components remaining between conductor wiring lines when etching is performed by aqueous ferric chloride solution or aqueous hydrochloric acid acidic cupric chloride solution, has high insulation reliability and corrosion resistance when high voltage is applied between the conductor wirings, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

導体配線の形成時における高いエッチング性、具体的には塩化第２鉄水溶液又は塩酸酸性塩化第２銅水溶液でエッチングした際に導体配線間に残留する下地金属層成分のエッチング残渣が少なく、導体配線間に高電圧を印加した場合に高い絶縁信頼性及び耐食性を兼ね備えたプリント配線基板およびその製造方法の提供。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

A working method for enhancing both of the fatigue strength and the magnetic characteristics in the end part to be worked of the electromagnetic steel sheet includes subjecting the end part to be worked of the electromagnetic steel sheet to the ultrasonic impact treatment, and etching the end part by 1 to 20 μm with the electrolytic grinding method or the chemical polishing method.例文帳に追加

電磁鋼板の加工端部に超音波衝撃処理の後、電解研磨もしくは化学研磨方法で１μｍ以上20μｍ以下エッチングし、電磁鋼板の加工端部の疲労強度および磁気特性の両方を向上させる加工方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same ensuring etching resistance for both hydrofluoric acid and phosphoric acid, and preventing withdrawal of an element isolating and insulating film due to the processes by hydrofluoric acid and phosphoric acid, and to provide a method for forming an oxynitrided silicon film used for the same device and method.例文帳に追加

フッ酸とリン酸両方に対してエッチング耐性があり、フッ酸やリン酸の処理による素子分離絶縁膜の後退を防止することができる半導体装置及びその製造方法と、それに用いる酸窒化シリコン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming the capacitor and inductor element in the printed wiring board in the manufacturing process, the lower electrode 4 of the capacitor is formed by the subtractive method used for etching metal foil 2, and the upper electrode 7 of the capacitor is formed by the additive method or semi-additive method used for plating a metal.例文帳に追加

製造工程内にてキャパシタ及びインダクタ素子を作り込む際に、金属箔２をエッチングするサブトラクティブ法でキャパシタの下部電極４を形成し、金属をめっきするアディティブ法又はセミアディテイブ法でキャパシタの上部電極７を形成すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing electronic components, which does not cause discoloration due to foreign materials on the surface of a metal sheet, after peeling a resist film, in the method for manufacturing the electronic components by etching the metal sheet, with a photoetching method using the resist film as a mask.例文帳に追加

金属薄板をレジスト膜をマスクとして用いてフォトエッチング法によりエッチングして電子部品を製造する方法において、レジスト膜を剥離した後に、金属薄板表面に異物等による変色が生じない電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This treatment liquid concentration maintaining method and device is provided to maintain the set concentration of treatment liquid whose concentration is decreased according as the number of times of treatment is increased due to the etching treatment of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハのエッチング処理のように、処理回数を増すに従って濃度が低下していく処理液の濃度を設定濃度に保つ処理液濃度維持方法及び装置である。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor devices, an element isolation insulating film 30 is formed in an element isolation recessed section 22a through thermal oxidation, after the recessed section 22a has been formed on the surface of a substrate 22 through wet etching.例文帳に追加

基板２２の上部に、ウエットエッチングにより素子分離用凹部２２ａを予め形成し、該素子分離用凹部２２ａに、熱酸化により素子分離用絶縁膜３０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for separating a metallic plate, which can show the merits of both of the shearing work and the etching work by compensating for their respective faults by combining both of them.例文帳に追加

せん断加工とエッチング加工を組合わせることによって、それぞれの欠点がカバーされ、お互いの利点を発現できる金属板材の分離加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal polishing composition of which the etching performance is controlled low and which suppresses a defect on a polished surface such as scratch and erosion.例文帳に追加

エッチング性が低いレベルに制御され、同時にスクラッチやエロージョン等の被研磨面の欠陥発生も抑制することのできる金属用研磨組成物の製造方法の提供。 - 特許庁

In the new method, excellent H passivations for interfaces are formed after thermal budget through a standard process flow is generated by carrying out an SF_6-based metal chemical etching reaction for introducing fluorine.例文帳に追加

新規な方法は、フッ素を導入するためにＳＦ_６ベースの金属エッチング化学反応を用い、これにより標準プロセスフローの熱量の後に、界面の優秀なＨパッシベーションが得られる。 - 特許庁

To provide a method of working and a thin glass plate to be used for dielectric film for plasma address liquid display device, wherein the thin glass plate is etching worked for preventing it from breaking.例文帳に追加

プラズマアドレス液晶表示装置の誘電膜に用いる薄板硝子を極薄加工する際に薄板硝子が破損しない様にエッチング加工する加工方法及びその薄板硝子を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device, able to without fail remove a reaction product that adheres to the exposed portion of a wiring pattern during an etching process.例文帳に追加

エッチング工程で配線パターンの露出部に付着する反応生成物の除去を確実に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To further reduce the size of a pattern by utilizing physical, chemical, and mechanical etching after making the pattern 202 of large size and line thickness (for example, 50 nm or larger) in a conventional method.例文帳に追加

既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい（例えば、５０ｎｍ以上）パターン２０２などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display element, which can reduce the loading effect of dry etching in an array process for forming a TFT thin film transistor of a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ薄膜トランジスタ形成のアレー工程において、ドライエッチングのローディング効果を低減できる液晶表示素子の製造方法を提案する - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can remove a high dielectric film such as an HfO_2, HfSiO, or ZrO_2 attached to the internal surface, etc. of a treatment chamber by using an etching gas.例文帳に追加

処理室の内面等に付着したＨｆＯ_２、ＨｆＳｉＯ，ＺｒＯ_２等の高誘電体膜をエッチングガスによりクリーニングできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an inkjet head in which a process of making a cavity substrate in a thin plate can be carried out in a short time, and etching after the thinning process can be carried out highly precisely.例文帳に追加

キャビティ基板を薄板化する工程を短時間で行うことができ、薄板化の工程の後のエッチングを高精度に行うことのできるインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a means for controlling a temperature of a semiconductor wafer upon large input heat etching b the use of a cooling method based on the heat of vaporization in a high-speed and in-plane uniform manner.例文帳に追加

気化熱による冷却方式を用いて、大入熱エッチング処理時における半導体ウエハの温度を、高速かつ面内均一に制御するための手段を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the electronic component mounted with components comprises the steps of embedding the electronic component 1 having electrodes 2 in a thermoplastic resin sheet base 3, and then exposing the electrode 2 to the surface of the sheet base by polishing or plasma etching.例文帳に追加

電極２を有する電子部品１を熱可塑性樹脂シート基材３に埋設した後、研磨加工あるいはプラズマエッチングにより、シート基材表面に電極２を露出させる。 - 特許庁

To manufacture a printed wiring substrate having excellent circuit accuracy by controlling the side etching of a circuit forming area in a process to manufacture a printed wiring substrate by a subtract method.例文帳に追加

サブトラクト法によるプリント配線基板の作製において、回路形成部分のサイドエッチを抑制し、良好な回路精度をもつプリント配線基板を作製することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which can eliminate a dimensional conversion difference and can simplify a manufacturing process by omitting an etching step.例文帳に追加

エッチング工程を省略することにより寸法変換差を無くすことができるとともに製造プロセスを簡略化することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an unnecessary etching groove at the upper end of a trench from being formed, hereby preventing any inconvenience from occurring in other processes, in a semiconductor element using an STI technique.例文帳に追加

ＳＴＩ技術を用いた素子において，トレンチ上端部の不要なエッチング溝の形成を防ぎ，他の工程に不具合を生じない半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is downsized and reduced in the material cost, and also to provide a manufacturing method of the semiconductor device whereby reduction in the yield due to etching processing is less.例文帳に追加

小型化及び材料コストの低減を図ることができる半導体装置、及び、エッチング処理に起因する歩留まりの低下の少ない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, the machining allowance for one tank is 16 μm or less for the total front and rear sides of silicon wafer, and the etching grade is 0.3 μm per second or less for the total front and rear sides of silicon wafer.例文帳に追加

この方法では、１槽当たりの取り代をシリコンウェーハの表裏面合計で１６μｍ以下とし、エッチングレートをシリコンウェーハの表裏面合計で０．３μｍ／秒以下とする。 - 特許庁

This manufacturing method is for laminating combined layers of two types of dielectric thin films 8a and 8b of different etching rates, each having at least two layers and combined with metal electrodes 1a, alternatively and repeatedly.例文帳に追加

エッチング速度が異なる２つの誘電体薄膜８ａ、８ｂを２層以上連続して形成した金属電極１ａとの組み合わせ層をくり返し交互に積層する。 - 特許庁

To provide a color filter producing method which is based on dry etching and makes it possible to produce a color filter that has fine and rectangular pixels and is excellent in flatness.例文帳に追加

ドライエッチング法によるカラーフィルタの製造方法であって、微細かつ矩形な画素を有し平坦性に優れたカラーフィルタを製造することが可能なカラーフィルタの製造方法の提供 - 特許庁

The line forming method employing the printing means is performed by forming a line without employing copper foil etching, allowing metal powder to adhere by using an adhesive layer, and solidifying the metal powder.例文帳に追加

本発明の印刷手段を採用した線路形成方法は、銅箔のエッチングを採用せずに線路を形成し、粘着層を用いて金属粉末を粘着し、金属粉末を固化する。 - 特許庁

To provide a method of producing a blank for Fe-Ni base alloy cold-rolled sheet for shadow masks having an excellent etching piercing property useable as the shadow mask material of a highly clear and bright TV.例文帳に追加

高鮮明・高輝度ＴＶのシャドウマスク材として使用可能なエッチング穿孔性に優れたシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ系合金冷延板用素材の製造方法を提供すること。 - 特許庁