「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

The Al taper dry etching method, which is based on resist backstep sequence method for obtaining a small Al taper angle, consists of a step of forming a resist pattern having the small resist taper angle corresponding to a desired small Al taper angle on Al or an Al alloy, and a step of performing anisotropic dry etching on Al or Al alloy having the resist pattern.例文帳に追加

所望の小さいＡｌテーパ角に対応した小さいレジストテーパ角を有するレジストパターンをＡｌまたはＡｌ合金膜上に形成する工程および該レジストパターンを有するＡｌまたはＡｌ合金膜に異方性ドライエッチングを行なう工程からなる、小さいＡｌテーパ角をうるためのレジスト後退法にもとづくＡｌテーパドライエッチング方法。 - 特許庁

To provide a single particle film etching mask suitably used for manufacture of a fine structure (luminance improving structure) on the surface of a semiconductor light emitting element, its manufacturing method, a manufacturing method of the fine structure using the single particle film etching mask, and the semiconductor light emitting element having the fine structure on a light extracting surface.例文帳に追加

本発明は、半導体発光素子表面の微細構造体（輝度向上構造）の製造に好適に使用される単粒子膜エッチングマスクとその製造方法、該単粒子膜エッチングマスクを用いた微細構造体の製造方法および該製造方法で得られた微細構造体を光取り出し面に有する半導体発光素子に関する。 - 特許庁

To provide a material of an antireflection film ensuring high etching selectivity to a resist, that is, a high etching speed to a resist, to provide a pattern forming method for forming an antireflection film layer on a substrate using this antireflection film material, and to also provide a pattern forming method using this antireflection film as a hard mask for substrate working.例文帳に追加

レジストに対してエッチング選択比が高い、即ちレジストに対してエッチングスピードが速い反射防止膜の材料を提供し、且つこの反射防止膜材料を用いて基板上に反射防止膜層を形成するパターン形成方法及び、この反射防止膜を基板加工のハードマスクとして用いるパターン形成方法も提供する。 - 特許庁

The method also includes: applying a resist 5 on the hydrophilic portion 4; forming an opening on a desired part of the resist 5; forming an opening on the hydrophilic portion 4 and the silicon-containing thin film 1 by using a chemical containing fluorine to expose the surface of the GaAs semiconductor substrate 2; and forming a via hole 6 by etching on the GaAs semiconductor substrate 2 by a dry etching method.例文帳に追加

この親水化部４上にレジスト５を塗布し、該レジスト５の所望の部位に開口部を形成し、フッ素を含む薬液によりレジスト開口部内の親水化部４および含シリコン薄膜１に、開口部を形成してＧａＡｓ半導体基板２の表面を露出し、ドライエッチ法によりＧａＡｓ半導体基板２にビアホール６をエッチング形成する。 - 特許庁

The method includes sequentially forming a first insulating layer, a metal shield, and a second insulating layer on a resistive chip of a substrate; etching the second insulating layer to expose the metal shield on a resistive region; etching the exposed metal shield; and etching the first insulating layer to expose the resistive region.例文帳に追加

基板上で抵抗性チップ上に第１絶縁層、メタルシールド及び第２絶縁層を順次に形成する工程と、第２絶縁層をエッチングして抵抗領域上のメタルシールドを露出する工程と、露出されたメタルシールドをエッチングする工程と、第１絶縁層をエッチングして抵抗領域を露出する工程とを含むことを特徴とする自己整列されたメタルシールドを備えた抵抗性探針の製造方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

The plating pretreatment method 10 for an object to be treated made of an aluminum alloy member includes an etching step 12 of etching the object by using alkaline etching solution, a desmutting step 13 of cleaning a surface of the etched object by using a desmutting solution containing phosphoric acid and hydrogen peroxide, and zinc-substitution steps 14, 16 of immersing the desmutted objected in zinc substitution solution.例文帳に追加

アルミニウム合金部材からなる被処理物のめっき前処理方法１０は、前記被処理物を、アルカリエッチング液を用いてエッチングするエッチング処理工程１２と、前記エッチング処理された被処理物の表面を、リン酸と過酸化水素を含むデスマット処理液を用いて清浄するデスマット処理工程１３と、前記デスマット処理された被処理物を、亜鉛置換液に浸漬する亜鉛置換処理工程１４、１６とを含む。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which has high etching nature in formation of conductor wiring lines, specifically, has less etching residue of ground metal layer components remaining between conductor wiring lines when etching is performed by aqueous ferric chloride solution or aqueous hydrochloric acid acidic cupric chloride solution, has high insulation reliability and corrosion resistance when high voltage is applied between the conductor wirings, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

導体配線の形成時における高いエッチング性、具体的には塩化第２鉄水溶液又は塩酸酸性塩化第２銅水溶液でエッチングした際に導体配線間に残留する下地金属層成分のエッチング残渣が少なく、導体配線間に高電圧を印加した場合に高い絶縁信頼性及び耐食性を兼ね備えたプリント配線基板およびその製造方法の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the piezoelectric vibrator 20 has: a process S10 for preparing a flat piezoelectric material 10 having etching anisotropy in a prescribed direction; a process S18 for performing wet etching to the piezoelectric material to form the piezoelectric vibrator in the piezoelectric material; and a process S20 for applying laser beams to the side section of the piezoelectric vibrator subjected to wet etching for partially removing the side section.例文帳に追加

圧電振動片（２０）を製造する製造方法は、所定の向きにエッチング異方性を有する平板の圧電材料（１０）を準備する工程（Ｓ１０）と、この記圧電材料に圧電振動片を形成するため、圧電材料をウェットエッチングする工程（Ｓ１８）と、このウェットエッチングされた圧電振動片の側面部にレーザー光を照射して、側面部の一部を除去するレーザー加工の工程（Ｓ２０）と、を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices by which harmful effects due to residues of deteriorated layer formed in a metal film during a wet etching process on subsequent processes and on device characteristics can be reduced, and high-quality semiconductor devices can be stably manufactured when it has a process for wet etching the metal film and a process for dry etching the metal film afterward.例文帳に追加

金属膜をウエットエッチングする工程と、この後、この金属膜をドライエッチングする工程を有する場合において、ウエットエッチング工程において金属膜に形成された変質層の残渣に起因する以後の工程に与える悪影響及びデバイス特性に与える悪影響を軽減することができ、良質な半導体装置を安定的に製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for film carrier tapes for electronic component mounting and an etching processor of film carrier tapes for electronic component mounting, which can provide film carrier tapes for electronic component mounting satisfactory in electrical characteristics, mechanical characteristics, etc., with a uniform finish of line widths in wiring patterns, for the purpose of forming wiring patterns by etching treatment of films with an etchant in an etching processor.例文帳に追加

エッチング処理装置内において、フィルムをエッチング液にてエッチング処理して、配線パターンを形成する際に、配線パターンの線幅の仕上がりが均一で、電気諸特性、機械的強度などの良好な電子部品実装用フィルムキャリアテープを提供できる電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法、ならびにそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのエッチング処理装置を提供する。 - 特許庁

In a dry etching method, first reaction gas containing hydrogen and second reaction gas containing fluorine are brought into contact with a heating element 110 to generate hydrogen radicals and fluorine radicals, the hydrogen radicals and the fluorine radicals are reacted with the first reaction gas and the second reaction gas to generate etching gas, and a silicon oxide layer on a substrate is etched with the etching gas.例文帳に追加

本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとを加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。 - 特許庁

In a method for forming a positive oxide thin film pattern in which the top of a substrate is coated with a composition containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer, the resulting coating film is irradiated with light, a chemical reaction of the unirradiated part in the coating film is allowed to proceed and the irradiated part is dissolved and removed by etching with an etching solution, an aqueous alkali solution is used as the etching solution.例文帳に追加

金属アルコキシド及びキレート安定化剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布膜に光照射すると共に、この塗布膜における非照射部の化学反応を進行させた後、エッチング溶液にてエッチングして照射部を溶解、除去するポジ型酸化物薄膜パターンの形成方法において、前記エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁

The processing method of semiconductor silicon wafer comprises a polishing process for polishing the surface of semiconductor wafer to the mirror-surface, an evaluation process for evaluating the flatness of a semiconductor wafer polished in the polishing process, an etching process for etching semiconductor wafer determined as defective in the flatness in the evaluation process using an alkali solution, and a re-polishing process for re-polishing the semiconductor wafer which etched in the etching process.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する研磨工程と、この研磨工程において研磨された半導体ウェーハの平坦度を評価する評価工程と、この評価工程により平坦度が不良と判定された半導体ウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程と、このエッチング工程によりエッチングされた半導体ウェーハを再研磨する再研磨工程とを有する半導体ウェーハの加工方法。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices includes a process for forming the compound oxide film containing rare earths that contains rare-earth elements, metal elements that are not rare earths, and O at an upper portion of semiconductor substrates, and an etching process for alternately performing etching by acid without containing fluorine and etching by a solution containing fluorine for dissolving oxides of other metal elements to the compound oxide film containing rare earths a plurality of times.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Ｏとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.例文帳に追加

本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing a high planarity semiconductor wafer by machining a semiconductor wafer through plasma etching comprises a step S5 for measuring the thickness distribution of the semiconductor wafer, and a step S7 for locally plasma etching the rear surface of the semiconductor wafer, while varying the etching amount depending on the thickness distribution measured in the planarity measuring step, thus planarizing the rear surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハをプラズマエッチングにより加工する高平坦度半導体ウェーハの製造方法であって、前記半導体ウェーハの厚さ分布を測定する平坦度測定工程Ｓ５と、プラズマエッチングにより前記半導体ウェーハの裏面を前記平坦度測定工程で測定された厚さ分布に応じてエッチング量を変えながら局部的に加工し平坦化する裏面プラズマ加工工程Ｓ７とを備えている。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same ensuring etching resistance for both hydrofluoric acid and phosphoric acid, and preventing withdrawal of an element isolating and insulating film due to the processes by hydrofluoric acid and phosphoric acid, and to provide a method for forming an oxynitrided silicon film used for the same device and method.例文帳に追加

フッ酸とリン酸両方に対してエッチング耐性があり、フッ酸やリン酸の処理による素子分離絶縁膜の後退を防止することができる半導体装置及びその製造方法と、それに用いる酸窒化シリコン膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing electronic components, which does not cause discoloration due to foreign materials on the surface of a metal sheet, after peeling a resist film, in the method for manufacturing the electronic components by etching the metal sheet, with a photoetching method using the resist film as a mask.例文帳に追加

金属薄板をレジスト膜をマスクとして用いてフォトエッチング法によりエッチングして電子部品を製造する方法において、レジスト膜を剥離した後に、金属薄板表面に異物等による変色が生じない電子部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of forming the capacitor and inductor element in the printed wiring board in the manufacturing process, the lower electrode 4 of the capacitor is formed by the subtractive method used for etching metal foil 2, and the upper electrode 7 of the capacitor is formed by the additive method or semi-additive method used for plating a metal.例文帳に追加

製造工程内にてキャパシタ及びインダクタ素子を作り込む際に、金属箔２をエッチングするサブトラクティブ法でキャパシタの下部電極４を形成し、金属をめっきするアディティブ法又はセミアディテイブ法でキャパシタの上部電極７を形成すること。 - 特許庁

A working method for enhancing both of the fatigue strength and the magnetic characteristics in the end part to be worked of the electromagnetic steel sheet includes subjecting the end part to be worked of the electromagnetic steel sheet to the ultrasonic impact treatment, and etching the end part by 1 to 20 μm with the electrolytic grinding method or the chemical polishing method.例文帳に追加

電磁鋼板の加工端部に超音波衝撃処理の後、電解研磨もしくは化学研磨方法で１μｍ以上20μｍ以下エッチングし、電磁鋼板の加工端部の疲労強度および磁気特性の両方を向上させる加工方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device provided with an etching process capable of applying a pattern work, uniform in the surface and excellent in accuracy without depending upon the roughness and fineness of a processing pattern.例文帳に追加

加工パターンの疎密に依存することなく面内均一に精度良好なパターン加工行うことが可能なエッチング工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for and manufacturing line of plated and coated product, by which a conventional etching process becomes unnecessary, all processes can be automated, manufacturing cost is greatly reduced.例文帳に追加

従来のエッチング工程が不要となり、全工程を自動化し得、製造コストが大幅に低減化できるめっき塗装製品の製造方法及びめっき塗装製品の製造ラインの提供。 - 特許庁

To provide a method for so tapering the end surface of a conductor pattern by etching a metal film as to give it a desired taper-angle, and to provide a thin-film capacitor element capable of preventing its short-circuit generated between its upper and lower electrodes.例文帳に追加

金属膜をエッチングして導体パターンの端面に所望角度のテーパを付ける方法、および、上下電極間のショートを防止できる薄膜キャパシタ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a mask cleaning device for an organic EL element aiming at restraint of temperature increase of a mask and improvement of etching efficiency, and to provide a method of manufacturing an organic EL display using it.例文帳に追加

マスクの温度上昇の抑制及びエッチング効率の向上が図れる有機EL素子用マスククリーニング装置及びそれを用いた有機ELディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a lead frame which generates no metal strip from a lead frame in a post-process by crushing ends of a thin metal bar after an etching process in manufacturing the lead frame.例文帳に追加

リードフレームの製造工程でエッチング処理後の薄板金属条材の端部を押し潰して、後工程でリードフレームから金属片が発生しないリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing unreacted gas and by-products with high efficiency from treating devices such as a CVD device for forming an amorphous semiconductor thin film, and an etching device of the thin film.例文帳に追加

非晶質半導体薄膜形成用のＣＶＤ装置や該薄膜のエッチング装置などの処理装置において、未反応ガスや副生成物を効率良く除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate with a high-quality patterned metal film by which the generation of pitting can be prevented during wet-etching of the metal film formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された金属膜のウェットエッチング時において孔食の発生を抑制し得る、品質の良好なパターン化金属膜を有する基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a copper film, which can form a copper film having a predetermined pattern without needing an etching step, and to provide a composition which can be used therefor.例文帳に追加

エッチング工程がなくても、所定のパターンを有する銅膜を形成することを可能とした銅膜の形成方法、およびそのために使用することができる組成物を提供する。 - 特許庁

The thin-film-forming method further has a heating step S2 of heating the organic layer on the object to be film-formed thereon in the vacuum, prior to the plasma treatment (etching) step S3 of a plasma exposure step.例文帳に追加

本発明では、プラズマ暴露工程であるプラズマ処理（エッチング）工程Ｓ３の前に、真空中で成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程Ｓ２を有する。 - 特許庁

To solve a problem occurring in a method of manufacturing a conventional wiring board in which a wiring board formed on a metal plate of a predetermined thickness is formed, and thereafter the metal plate is removed by etching.例文帳に追加

所定厚さの金属板上に形成した配線基板を形成した後、金属板をエッチング除去する従来の配線基板の製造方法の課題を解消する。 - 特許庁

In the method of manufacturing semiconductor device, a tungsten member 7 is provided in a plasma forming area provided in a vacuum chamber 1, and plasma etching is performed on a wafer 5 on which a metallic film 10 composed of titanium etc., is formed by using a chlorine gas.例文帳に追加

真空チャンバ１内のプラズマ形成領域内にタングステン部材７を備え、チタン等の金属膜１０が形成されたウエハ５を塩素ガスを用いてプラズマエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a surface acoustic wave element capable of minimizing damages by etching, increasing the production yield of the surface acoustic wave element and also improving the reliability.例文帳に追加

エッチングによるダメージを最小限に抑え、弾性表面波素子の歩留まりを上げると共に信頼性を向上させることができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical source device which is provided with a reliable and low-cost cooling device which can be formed by using an inexpensive chemical etching method, and is suitable for mass production, and has high cooling performance.例文帳に追加

安価な化学エッチング法を用いて形成でき、大量生産に適し、高い冷却性能を有し、信頼性の高い、低価格な冷却装置を備えた光源装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing a DLC (Diamond Like Carbon) film where a DLC film is partially removed by a plasma etching process in which cost does not increase for masking and treatment time is not largely taken.例文帳に追加

マスキングにコストが嵩まず、処理時間を多大に費やさないプラズマエッチング法によって部分的にＤＬＣ被膜を除去するＤＬＣ被膜除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a negative resist material having higher resolution than conventional negative resist materials, giving a good pattern profile after exposure, and exhibiting excellent etching resistance, particularly a chemically amplified negative resist material and a pattern forming method.例文帳に追加

下記一般式（１）で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the rut of a silicon substrate caused by etching is prevented in a region other than a film forming region when a film is removed by a chemical.例文帳に追加

膜を薬液により除去する際に、膜の形成領域以外の領域においてエッチングによりシリコンからなる基板の掘れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for evaluating a structural change in a tooth substance surface layer is characterized in that a sliced segment of a tooth is treated by the dyeing liquid for tissue dyeing or treated by ion etching to observe an obtained segment.例文帳に追加

歯の薄切切片を組織染色用染色液処理、又はイオンエッチング処理し、得られる切片を観察することを特徴とする歯質の構造変化の評価方法。 - 特許庁

This treatment liquid concentration maintaining method and device is provided to maintain the set concentration of treatment liquid whose concentration is decreased according as the number of times of treatment is increased due to the etching treatment of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハのエッチング処理のように、処理回数を増すに従って濃度が低下していく処理液の濃度を設定濃度に保つ処理液濃度維持方法及び装置である。 - 特許庁

To provide a plasma etching device for a crystal plate capable of efficiently working the plate in an ultra-thin manner and a method for manufacturing the plate as well as the crystal plate.例文帳に追加

水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置および水晶板の製造方法並びに水晶板を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a metal polishing composition of which the etching performance is controlled low and which suppresses a defect on a polished surface such as scratch and erosion.例文帳に追加

エッチング性が低いレベルに制御され、同時にスクラッチやエロージョン等の被研磨面の欠陥発生も抑制することのできる金属用研磨組成物の製造方法の提供。 - 特許庁

In the new method, excellent H passivations for interfaces are formed after thermal budget through a standard process flow is generated by carrying out an SF_6-based metal chemical etching reaction for introducing fluorine.例文帳に追加

新規な方法は、フッ素を導入するためにＳＦ_６ベースの金属エッチング化学反応を用い、これにより標準プロセスフローの熱量の後に、界面の優秀なＨパッシベーションが得られる。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor devices, an element isolation insulating film 30 is formed in an element isolation recessed section 22a through thermal oxidation, after the recessed section 22a has been formed on the surface of a substrate 22 through wet etching.例文帳に追加

基板２２の上部に、ウエットエッチングにより素子分離用凹部２２ａを予め形成し、該素子分離用凹部２２ａに、熱酸化により素子分離用絶縁膜３０を形成する。 - 特許庁