| 例文 |
etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
To provide an improved method of controlling critical dimensions of structures, formed on a substrate using an etching processing, in a semiconductor substrate processing system.例文帳に追加
半導体基板処理システムにおいて、エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の最小寸法を制御する改善された方法を提供すること。 - 特許庁
To provide both a method for producing a high-purity texafluorothane usable as an etching gas or a cleaning gas in a production process for a semiconductor device and the use thereof.例文帳に追加
半導体デバイスの製造工程でエッチングガスあるいはクリーニングガスとして使用することができる高純度のヘキサフルオロエタンを製造する方法およびその用途を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a mold for imprinting which can smoothly proceed dry etching to a hard mask layer and forms a fine pattern with high pattern accuracy.例文帳に追加
ハードマスク層に対するドライエッチングの進行をスムーズに行うことができ、高いパターン精度で微細パターンを形成するインプリント用モールドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a substrate for a liquid discharge head capable of forming a liquid supply port on a silicon substrate by dry etching with high accuracy and high yield.例文帳に追加
ドライエッチングでシリコン基板に液体の供給口を、高精度に歩留まり良く形成することが可能な液体吐出ヘッド用の基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an etching liquid which can form copper wiring free from undercut and hollowing and also having excellent linearity, and to provide a method for forming copper wiring using the same.例文帳に追加
アンダーカット及びえぐれが少なく、且つ直線性に優れた銅配線を形成できるエッチング液、及びこれを用いた銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device provided with a fuse and a capacitor while minimizing photographic and etching processes provided with the fuse and a MIM capacitor and a manufacturing method of the same.例文帳に追加
ヒューズとMIMキャパシタを備え、写真及びエッチング工程を最小化しながらヒューズとキャパシタを備える半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for forming a silica-based washability working film, where a part that is worked and exposed by selective etching treatment has washability by an acid solution.例文帳に追加
選択的エッチング処理により加工され露出した部分が酸水溶液による洗浄耐性を有するシリカ系耐洗浄性加工被膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a wet-etching device for an edge of a semiconductor disc, capable of removing burrs from a wafer edge by a prescribed method without the possibility of wafer contamination.例文帳に追加
ウェーハ汚染の危険なく、規定された方法でウェーハエッジをバリ取りすることが可能になる半導体ディスクのエッジのウェットエッチング装置を提供することである。 - 特許庁
To provide an exposure device capable of rapidly reducing a processing conversion difference even when an etching characteristic varies, and to provide a method of manufacturing an electronic device.例文帳に追加
本発明は、エッチング特性が変動した場合であっても加工変換差の迅速な低減を図ることができる露光装置および電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a liquid droplet discharge head which improves a yield by preventing a defect caused by etching and can manufacture an accurate head.例文帳に追加
エッチングによって生じる不良を防止することで歩留まりを向上させ、かつ高精度なものを製造できる、液滴吐出ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device such as an EEPROM or the like wherein, when an upper gate electrode layer overlapped on a lower gate electrode layer is formed, an etching residue is eliminated.例文帳に追加
EEPROM等の半導体装置の製法において、下方ゲート電極層に重なる上方ゲート電極層を形成する際にエッチング残りをなくす。 - 特許庁
To provide a glass plate allowed to have an etching effect having stereoscopic feeling by using spherical glass beads having sizes of 20-40 μm; and a method for forming a pattern on a glass plate.例文帳に追加
20〜40μm大の円形ガラスビードを利用して立体感を有するエッチング効果を得られるようにしたガラス板およびその紋様成型方法を提供する。 - 特許庁
To provide a polymer capable of forming a resist pattern having a high resolution and exhibiting excellent etching resistance, a positive resist composition and a resist pattern-forming method.例文帳に追加
高解像性で、しかもエッチング耐性にも優れたレジストパターンを形成できる重合体、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method and a wet etching apparatus for a semiconductor device which prolong the liquid life time of phosphoric acid and reduce the frequency of maintenance of a circulation system.例文帳に追加
熱リン酸の液寿命延長及び循環系のメンテナンス頻度削減を実現する半導体装置の製造方法及びウェットエッチング装置を提供する。 - 特許庁
In addition, a lift-off method without requiring an etching process for patterning a source electrode and a drain electrode of the pixel part, and source wiring extending in the terminal part is employed.例文帳に追加
さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 - 特許庁
To provide a method for forming a contact plug whose depth is different by preventing the resistance increase of a contact plug, and minimizing the etching quantity of a semiconductor substrate.例文帳に追加
深さの異なるコンタクトプラグ形成方法において、コンタクトプラグの抵抗増加を防止し、半導体基板のエッチングされる量を最小にする方法を提供する。 - 特許庁
To provide a ridge semiconductor laser having a high oscillation efficiency without making an etching stop layer exist between blocking layers and a first upper clad layer and to provide a method of manufacturing the ridge semiconductor laser.例文帳に追加
ブロック層と第1上クラッド層との間にエッチングストップ層が存在せず、発振効率の高いリッジ型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma etching method and the like capable of improving selection ratio of a dielectric layer containing silicon to an organic film layer as a mask as compared with a conventional system.例文帳に追加
従来に比べてマスクとしての有機膜層に対するシリコン含有誘電層の選択比を向上させることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁
By applying a subtractive construction method for the copper-clad board for the printed wiring board having such a structure as above, a wiring pattern 3 of a large etching factor is formed.例文帳に追加
このような構造を有するプリント配線板用銅張板に対してサブトラクティブ工法を施すことにより、エッチングファクタ−の大きな配線パタ−ン3を形成する。 - 特許庁
The method includes a filtering step wherein oxalic acid containing etchant used for etching ITO is filtered by an NF membrane 25 into permeate and non-permeate.例文帳に追加
本発明では、ITOのエッチングに使用した蓚酸含有エッチング液をNF膜25によりろ過して透過液と非透過液とに分離するろ過工程を備える。 - 特許庁
The method includes a chemical etching stage for developing macrostructure, and in addition, a bleaching stage with an electrochemical corrosion using a bath containing phosphoric acid and at least one weak acid.例文帳に追加
化学的マクロ組織腐食段階を含み、さらに、リン酸と少なくとも1つの弱酸とを含む浴を使用して電気化学的腐食による「ブリーチング」段階を行う方法。 - 特許庁
A silicon nitride film used in an etching stopper film is formed by a Catalytic-CVD method at a substrate temperature of 250-400°C and a catalyst temperature of 1,600-2,000°C.例文帳に追加
本発明は、エッチングストッパー膜に用いたシリコン窒化膜を触媒CVD(Catalytic−CVD)法により、基板温度250〜400℃、触媒体温度1600〜2000℃で成膜する。 - 特許庁
In this growth method, a process for successively injecting source, etching, and reduction gases into a chamber where a semiconductor substrate is loaded is repeatedly performed.例文帳に追加
本発明の成長方法では、半導体基板がローディングされたチャンバ内にソースガス、エッチングガス及び還元ガスを順に注入する過程を反復的に実施する。 - 特許庁
To provide an electric absorption type optical modulation element wherein an etching stop layer intervenes in a lower clad layer in its width and length directions and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
下部クラッド層中にその幅および長さ方向にエッチングストップ層を介在させた電気吸収型光変調素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
After that, the soft magnetic material only of the flat part is removed by an etching method having the anisotropy such as an ion milling so as to leave the soft magnetic material on the side surface of the dummy pattern.例文帳に追加
その後、イオンミリングなどの異方性をもつエッチング手法により、平坦部の軟磁性材料のみを除去し、ダミーパターン側面の軟磁性材料を残すようにする。 - 特許庁
In this method for constructing a damascene structure, a process gas containing CHF_3 as its main constituent is used for etching a barrier layer 44 containing SiC or SiCN.例文帳に追加
本発明のダマシン構造を形成する方法では、SiC又はSiCNを含むバリア層44をエッチングするプロセスガスに、主としてCHF_3を含むプロセスガスが用いられる。 - 特許庁
To provide a method for suppressing the damage of a silicon nitride film when etching the silicon nitride film whose underlayer is a silicon oxide film by using a hard mask having silicon oxide as its main component.例文帳に追加
酸化シリコン膜を下地とした窒化シリコン膜を、酸化シリコンを主成分とするハードマスクによりエッチングする際に、窒化シリコン膜の損傷を抑える方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for depositing an electroless plating film by which a film with excellent adhesion can be deposited onto the surface of a material to be plated without performing etching.例文帳に追加
エッチング処理を行わなくとも密着性に優れた被膜を被めっき物表面上に形成することができる無電解めっき被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a wireless suspension blank by which a fine wiring part can be formed at a low cost and dry etching of an insulation layer can be performed with high accuracy.例文帳に追加
低コストで、微細な配線部を形成することができ、また絶縁層に対するドライエッチングを加工精度よく行えるワイヤレスサスペンションブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of removing a polysilicon film for reliably etching/removing the polysilicon film at an end of a substrate in desired width without a complicated process.例文帳に追加
煩雑な工程を経ることなく、基板の端部のポリシリコン膜を所望の幅で確実にエッチング除去することができるポリシリコン膜の除去方法を提供すること。 - 特許庁
Thus etching or the like for a high step part, which is performed in a conventional method, is unnecessary, and the movable structure body is accurately manufactured with simple manufacturing processes.例文帳に追加
これにより、従来の高段差部へのエッチング等を行う必要がなくなり、簡便な製造プロセスにより精度良く可動構造体を製造することができる。 - 特許庁
Another example includes a method for processing a wafer in a plasma environment, pre-loading a reactive gaseous flow and previously preventing the erosion of a wafer mask or an etching stop layer.例文帳に追加
他の実施例は、プラズマ環境においてウエハを処理し、反応性気体流を事前ロードしてウエハマスクまたはエッチングストップ層の浸食を防ぐ方法を含む。 - 特許庁
To provide a trench etching method of a silicon carbide semiconductor substrate capable of controlling an angle of a trench side wall at a 90 degree without generating a microtrench at the bottom of a trench.例文帳に追加
トレンチ底部にマイクロトレンチが発生せず、さらにトレンチ側壁の角度を90°に制御できる炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法の提供をすること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a small crystal oscillating piece capable of reducing working variance due to matching accuracy of mask front and rear sides in etching of a crystal wafer.例文帳に追加
水晶ウェハーのエッチングにおけるマスクの表裏の合わせ精度による加工ばらつきを低減することが可能な、小型水晶振動片の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor-carrier film and its manufacturing method by which migration resistance characteristic is significantly improved without deteriorating etching characteristic and solder resistance.例文帳に追加
配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To realize a method for manufacturing a substrate for a semiconductor package for cutting a lead wire for plating by alkali etching, and for operating short/open inspection before the division of the substrate.例文帳に追加
めっき用引出し線をアルカリエッチングによって切断し、基板の分割前にショート・オープン検査ができる半導体パッケージ用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein increase of resistance value of a diffusion layer can be restrained by restraining the etching of a silicon substrate by substrate cleaning.例文帳に追加
基板洗浄によるシリコン基板のエッチングを抑制し、拡散層の抵抗値の増大を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface treatment method of a wiring board in which peeling strength between a conductor metal layer and an insulating resin layer can be enhanced without increasing the etching amount.例文帳に追加
エッチング量を大きくする必要なく、導体金属層と絶縁樹脂層とのピール強度を向上させることができる配線用板の表面処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor element and its manufacturing apparatus which safely ensures the side profile of an object pattern to be etched from which etching by-product is removed.例文帳に追加
蝕刻副産物が除去された蝕刻対象物パターンの側面プロファイルを安全に確保することの出来る半導体素子の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which enables formation of a capacitor element having stabilized characteristics, by suppressing the etching of a capacitor dielectric layer by a resist remover.例文帳に追加
レジスト除去液によるキャパシタ誘電体層のエッチングを抑制し、特性の安定したキャパシタ素子を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an interconnection member capable of forming a tip sharp shape part having various shapes on a cantilever part without etching a substrate directly.例文帳に追加
基板を直接エッチングすることなく、様々な形状の先端鋭利形状部を片持ち梁部に形成することができる相互接続部材の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can dissolve nonconformity caused by the foreign matters produced by the reaction at the time of etching a polysilicon film.例文帳に追加
ポリシリコン膜のエッチングの際の反応により生成された異物による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an aluminum electrode foil for use of an electrolytic capacitor, capable of further improving electrostatic capacitance by optimizing AC waveforms in etching.例文帳に追加
エッチングの際の交流波形を最適化することにより、静電容量をさらに向上することのできる電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method where, in an etching compositional liquid comprising cupric chloride, hydrogen chloride and a 2-aminobenzothiazole compound (I), the quantity of the 2-aminobenzothiazole compound (I) can be determined.例文帳に追加
塩化第二銅、塩化水素および2−アミノベンゾチアゾール化合物(I)を含むエッチング組成液中の上記2−アミノベンゾチアゾール化合物(I)を定量しうる方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor element and a semiconductor light-emitting element of high reproducibility which control the depth of etching with high accuracy.例文帳に追加
エッチングの深さを精度良く制御することが可能でかつ再現性の高い半導体素子および半導体発光素子の製造方法を提供することである。 - 特許庁
In the manufacturing method of the silicon carbide smoothed substrate of this invention, a raw material gas (silane) is added during hydrogen etching in smoothing of a silicon carbide substrate.例文帳に追加
本発明の炭化珪素平滑化基板の作製方法は、炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガス(シラン)を添加することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon wafer, by which only an etch pit of an OSF (Oxidation-induced Stacking Fault) is detected by selective etching and an OSF can be accurately determined.例文帳に追加
選択エッチングによりOSFのエッチピットのみを検出し、OSFを正確に判別することができるシリコンウェーハの結晶欠陥評価方法を提供する。 - 特許庁
To provide an etching apparatus used in sample preparation for more accurately carrying out a substrate surface analysis, and an apparatus and a method for evaluating a substrate surface using it.例文帳に追加
基板表面分析をより正確に行うための試料作製用エッチング装置、およびこれを用いた基板表面評価装置と基板表面評価方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for suppressing an increase in the number of an etching process and deterioration in electrical characteristics of a semiconductor device as much as possible, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
エッチング工程の増加を抑えつつ、半導体装置の電気的特性の劣化を極力抑止可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|