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etching methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6852件
To address, in the present invention, a problem how to prevent contamination of a wafer and a chamber in a plasma processing apparatus and a plasma processing method suitable for usage, in the case of wafer plasma etching.例文帳に追加
本発明はウェハをプラズマエッチングする際に用いて好適なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、ウェハやチャンバの汚染を防止することを課題とする。 - 特許庁
To provide a steel sheet for a tension mask having excellent high temperature creep resistance and magnetic shielding properties without deteriorating its surface properties and etching properties, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加
表面性状やエッチング性を劣化させることなく、優れた耐高温クリープ性と磁気シールド性とを有するテンションマスク用鋼板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of an electrooptical device with which a wire for short circuit is cut nearly without performing unnecessary etching for an insulating film being the base of the wire for the short circuit.例文帳に追加
電気光学装置の製造方法において、短絡用配線の下地となる絶縁膜に対して不要なエッチングを殆ど施すことなく、短絡用配線を切断する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a powder magnetic core capable of minimizing the environmental load and the facility and human burden, while ensuring a stabilized etching rate.例文帳に追加
安定したエッチングレートを確保しつつ、環境的な負荷並びに設備的及び人的な負担を最小限に抑えることができる圧粉磁心の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a fine grid manufacturing method where the surface of a base material is not oxidized even when a metal pattern film is formed on the base material, and consequently, etching processing is not affected.例文帳に追加
金属製のパターン膜を基材上に形成しても、基材表面が酸化されずエッチング加工に影響を及ぼさない微細格子の作製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method to suppress etching of a base silicon oxide film in a peeling-off/removal step for hard mask of P-SiN after forming an Al-alloy wiring.例文帳に追加
Al合金の配線形成後のP−SiNのハードマスクの剥離、除去工程において下地シリコン酸化膜のエッチングを抑制する製造方法を提供する。 - 特許庁
This method includes a stage of etching a surface of a substrate (12) and forming channels (24, 26) and a stage of forming pedestals (54, 88) on the surface of the substrate.例文帳に追加
本方法には、基板(12)の表面をエッチングして、チャネル(24、26)を形成する段階と、基板の表面に台座(54、88)を形成する段階と、が含まれる。 - 特許庁
To prevent a plating layer from peeling off around a substrate, without deteriorating chips in yield, in a method of forming an embedded wiring layer and a jet-type spin-etching device.例文帳に追加
埋込配線層の形成方法及び噴流式スピンエッチング装置に関し、チップ収率を低下させることなく、基板周辺でのメッキ層の膜剥がれを防止する。 - 特許庁
To provide a process monitoring method, which is capable of easily and accurately monitoring the state of a process (film forming, etching, and cleaning) carried out by a thin-film manufacturing apparatus, and to provide the thin-film manufacturing apparatus.例文帳に追加
薄膜製造装置を用いたプロセス(成膜、エッチング及びクリーニング)の状態を簡易かつ正確に監視し得るプロセスモニタリング法及び薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the microwave semiconductor device includes steps of forming an epitaxial layer 3 having different etching properties from those of the semi-insulating board 2 on the board 2, and further forming a PIN diode 4 on the layer 3.例文帳に追加
半絶縁性基板2上に、半絶縁性基板2とエッチングの性質が異なるエピタキシャル層3を形成し、更にその上にPINダイオード4を形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an Fe-Ni base or an Fe-Ni-Co base alloy thin sheet excellent in an etching property and to obtain the thin sheet for shadow mask and the shadow mask excellent in various characteristics.例文帳に追加
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁
To provide a method of etching and denaturing the surface of an object to be treated to a prescribed pattern form or introducing a functional material thereto without applying a resist to the surface.例文帳に追加
被処理物表面にレジストを塗布することなく、所定のパターン状に表面をエッチング、変性を行う、または機能性物質を導入する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a contact capable of reducing an aspect ratio of the contact formed in a logic circuit region so as to reduce an etching process time of a contact hole.例文帳に追加
論理回路領域に形成されるコンタクトのアスペクト比を小さくでき、コンタクトホールのエッチング加工時間を短縮できるコンタクトの製造法を提供すること。 - 特許庁
The method further comprises the steps of then forming a second silicon oxide film 154B, etching back, and processing so that the film 154B retains in a sidewall state on the side of the electrode 152.例文帳に追加
次に、第2シリコン酸化膜154Bを成膜し、エッチバックし、第1転送電極152の側部にサイドウォール状に第2シリコン酸化膜154Bが残るように加工する。 - 特許庁
To provide a method for producing an Fe-Ni or Fe-Ni-Co alloy thin sheet excellent in etching properties, to produce a thin sheet for a shadow mask excellent in various characteristics and to attain a shadow mask.例文帳に追加
エッチング性に優れたFe-Ni系またはFe-Ni-Co系の合金薄板の製造方法を提供し、諸特性に優れたシャドウマスク用薄板、シャドウマスクを達成する。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescent device with a photodiode formed with a defect site on a light-receiving part by also applying dry etching to the light-receiving part, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
受光部にも乾式エッチングを加えて受光部にディフェクトサイトが形成されたフォトダイオードを具備する有機電界発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing an Fe-Ni based thin sheet in which cracking at the time of hot working and roll marks at the time of cold rolling are prevented, and having excellent etching properties and press formability.例文帳に追加
熱間加工時の割れおよび冷間圧延時のロールマークを防止し、エッチング性およびプレス成形性に優れたFe-Ni系薄板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing contamination-free semiconductor wafer which does not allow generation of local etching flaw in the rear surface side thereof and has improved yield of external appearance.例文帳に追加
半導体ウェーハの裏面側に局所的なエッチング痕の発生がなくて、汚れがなく、外観歩留が向上する半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for treating sulfur hexafluoride gas to be used as an insulating medium of a gas insulation switchgear, or the like and a dry etching agent or a fluorinating agent of LSI (large scale integrated circuits).例文帳に追加
ガス絶縁開閉装置などの絶縁媒体、LSIのドライエッチング剤あるいはフッ素化剤として使用されている六フッ化硫黄ガスの処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide the formation method of an STI that prevents a divot from being formed at a wet etching stage even if a micro scratch is generated on the surface of a buried insulating film by CMP.例文帳に追加
CMPにより埋め込み絶縁膜の表面にマイクロ・スクラッチが発生しても、ウェット・エッチの段階でディボットが形成されないSTIの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide an LED(light emitting diode) for preventing dissolution or peeling of an electrode due to etching at the time of manufacturing, and for increasing light emitting efficiency even in the case of a horizontal type, and a method for manufacturing this LED.例文帳に追加
製造時のエッチングによる電極の溶解,はく離を防止できると共に、横置き型でも発光効率の高いLEDおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A method for producing an optical member comprising modifying the surface of a light-transmitting material by plasma etching to regulate its light reflecting properties and light transmitting properties is also provided.例文帳に追加
透光性のある材料の表面をプラズマエッチングして改質し、光の反射特性または透光性を調整する光学部材の製造方法である。 - 特許庁
To provide the method for forming a thin film pattern made of a substance difficult in etching or a substance hard in bringing it into close contact to a substrate.例文帳に追加
本発明の目的は、難エッチング物質や、基板との密着性の悪い物質の薄膜パターンを高精度に作成できる薄膜パターンの作成方法を提案することにある。 - 特許庁
To provide a manufacturing method by which such an electromagnetic wave shielding film that can be handled easily when the film is subjected to such working as the resist application, exposure, development, etching, etc., and hardly causes failures.例文帳に追加
レジスト塗工、露光、現像、エッチングといった加工をするに際してハンドリング性にすぐれ、不良発生の少ない電磁波シールドフィルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for etching processing of magnetic material by which a magnetic material that can further suppress the electric current flowing through a side wall material, and so on.例文帳に追加
側壁物を通じて流れる電流をより抑えることができる磁性体を加工することを可能にする磁性体のエッチング加工方法等を提供する。 - 特許庁
To provide a method of reducing light-induced etching and redeposition of metal used to make mutually connected wires during a semiconductor manufacturing process, e.g., copper.例文帳に追加
半導体製造プロセス中に相互接続配線を作るために用いられる金属、例えば銅の光誘導の腐蝕及び再堆積を減少する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method of dry etching which does not deteriorate the processed shape of a copper-contained aluminum film that is a wire and can suppress the production of copper residue.例文帳に追加
配線である銅含有アルミニウム膜の加工形状を劣化させることなく、かつ銅の残さ発生の抑制可能なドライエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device excellent in the electrical characteristic by preventing a natural oxide film removed by etching from sticking again to a sidewall etc.例文帳に追加
エッチングにより除去した自然酸化膜がサイドウォールなどに再付着しないようにして、電気的特性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method for forming the etching mask transfers, develops, and trims an exposure pattern 10 of linear shape in a photo resist 11 using a first reticle, then etches an SiO_2layer 12 making this as a mask.例文帳に追加
第1のレチクルを用いて、フォトレジスト11に直線状の露光パターン10を転写、現像、トリミングした後、これをマスクとしてSiO_2層12をエッチングする。 - 特許庁
To provide a production method of an ingot for manufacturing an Fe-Ni base alloy thin plate for shadow mask, etc., improving uneven etching grade while restraining increase of the manufacturing cost as much as possible.例文帳に追加
エッチングむら品位を、製造コストの増加を極力抑制しつつ改善するシャドウマスク用等のFe−Ni系合金薄板製造用インゴットの製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an electrooptical device for efficiently carrying out a scum removal process and an etching process, and to provide an electrooptical device and a electronic equipment.例文帳に追加
スカム除去工程およびエッチンング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁
To provide an etching method in which oxygen plasma can be prevented from having an adverse effect on the ground of an insulating film when the insulating film formed on a substrate is etched.例文帳に追加
基板に形成された絶縁膜をエッチングするとき、絶縁膜の下地に酸素プラズマの悪影響が生ずるのを防止できるエッチング方法を提供する - 特許庁
To provide a method for evenly etching, in a plane, an oxide film with no abnormal electric discharge when an oxide film formed on a glass substrate is etched.例文帳に追加
ガラス基板上に成膜された酸化膜をエッチングする際、異常放電を発生させないようにして酸化膜を面内均一にエッチングする方法を提供する。 - 特許庁
Thereafter, the silicon substrate 10 is etched from the openings 11a in an almost isotropic manner by a wet etching method to form semispherical recessed parts 10a and the mask layer 11 is removed.例文帳に追加
この後、湿式エッチング法によって開口11aから略等方的にシリコン基板10をエッチングし、半球状の凹部10aを形成し、マスク層11を除去する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser element which is provided with an etching stop layer where no restriction caused by a nonmixing region exists on the band gap, and its manufacturing method.例文帳に追加
非混和領域に起因する制約がバンドギャップに関して存在しないエッチング停止層を備える半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a flash memory in which not only CD control is easy, Moat Pit is prevented in floating-gate etching, but also the size of a device is reduced.例文帳に追加
CD制御が容易で、フローティングゲートエッチング時にモトピッを防止するだけではなく、デバイスの大きさを小さくすることができるフラッシュメモリの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of fabricating an alignment film of a liquid crystal display device, which is capable of simply patterning the alignment film at an accurate location and an alignment film etching apparatus used therein.例文帳に追加
簡単で正確な位置で配向膜をパターニングできる液晶表示装置の配向膜製造方法及びこれに用いる配向膜エッチング装置を提供する。 - 特許庁
Also, a first electrode layer 21 is formed in a predetermined light-emitting pattern by forming a thin film on a substrate 11 using screen printing method, and then etching it.例文帳に追加
発光層31をスクリーン印刷法によって所定の発光パターン形状に形成するとともに、第2の電極層41をスクリーン印刷法で薄膜形状に形成した。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a magnetic recording medium which enables formation of a mask having a high aspect ratio and formation of a fine pattern by dry etching of a magnetic recording layer.例文帳に追加
アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a leadframe etching method demanding but a relatively simplified apparatus constitution and yet capable of achieving accurate dimensions even in the case of a fine-pitch leadframe, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加
比較的簡単な装置構成となり、狭リードピッチのリードフレームであっても、寸法精度を確保できるリードフレームのエッチング加工方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
A method for forming a dual etching bonded pad inside an integrated circuit has a resistance property to stress effect, and can form the bonded pad on an active circuit.例文帳に追加
集積回路の内部にデュアル食刻ボンドパッドを形成するための方法が、ストレス効果に対して抵抗性があり、ボンドパッドを能動回路の上に形成することができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin film piezoelectric resonator capable of preventing a lower electrode from being damaged resulting from dry etching during forming a piezoelectric thin film pattern.例文帳に追加
その目的は圧電体薄膜パターンの形成時にドライエッチングに起因する下部電極のダメージを防止できる薄膜圧電共振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Subsequently, after a plated mask resist is formed, a wiring pattern is formed by a plating current from a surface of a semiconductor substrate without need for a wet etching method.例文帳に追加
次いで、メッキマスクレジストの形成を行なったのち、半導体基板の表面からのメッキ電流により、ウエットエッチング工法を行うこと無く、配線パターンの形成を行う。 - 特許庁
Furthermore, it is preferable that the method includes a process for performing isotropic etching with respect to the inner wall of the trench when the metallic film is removed after the process for forming the trench.例文帳に追加
さらに、前記のトレンチを形成する工程の後に、前記金属膜を除去した後、前記トレンチの内壁を等方性エッチングする工程を有することが望ましい。 - 特許庁
To provide an etching method which simplifies a manufacturing process, and eases damage to mesa side walls to enable the manufacturing of a semiconductor with reduced current leakages.例文帳に追加
製造工程を簡素化できると共に、メサ側壁に与えるダメージを軽減して、リーク電流が低減された半導体素子を製造できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁
The method for dry-etching a High-k film by using plasma is configured to add a small amount of fluorocarbon gas with a high carbon element composition ratio to BCl_3 gas mixed with noble gas.例文帳に追加
プラズマを用いHigh−k膜をドライエッチングする方法で、希ガスと混合したBCl_3ガスに、炭素元素比率の高いフルオロカーボンガスを微少添加する構成とした。 - 特許庁
To provide a method for etching features in an etch layer, and a conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer.例文帳に追加
エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。 - 特許庁
Next, by using chemical dry etching (CDE) method or the like, the polycrystal silicon film pattern 108 is isotropic etched from both sides direction and thus the gate electrode layer 115 is formed.例文帳に追加
次に、ケミカルドライエッチング(CDE)法等を用い、多結晶シリコン膜パターン108を両側面の方向から等方性エッチングし、ゲート電極層115を形成する。 - 特許庁
To provide a concave microlens which is highly controlled in form without depending on wet etching, a concave microlens array and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
湿式エッチングによることなく、高度に形状制御された凹型マイクロレンズおよび凹型マイクロレンズアレーならびにそれらの製造方法を提供することを主な目的とする。 - 特許庁
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