「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a frequency adjusting method which does not cause deterioration of electrical characteristics of a piezoelectric oscillator due to ion etching used for adjusting the frequency of the piezoelectric oscillator.例文帳に追加

圧電振動子の周波数調整を行うために用いるイオンエッチングに起因した圧電振動子の電気的特性劣化を引き起こさない周波数調整方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which is hardly causes the film-peeling of an interlayer insulating film on a polycide layer coated with a clamp upon etching treatment for creating a polysilicon gate electrode.例文帳に追加

ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a piezoelectric film element capable of microfabricating a piezoelectric film layer in a short time by wet etching and selectively stopping microfabrication in a lower electrode layer.例文帳に追加

ウェットエッチングにより圧電膜層を短時間で微細加工することを可能とし、下部電極層において選択的に加工を停止することを可能とした圧電膜素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for etching treatment which can suppress the contact between an etchant within a treatment vessel and a gas outside the treatment vessel, and can sharply reduce the concentration change of etchant.例文帳に追加

処理槽内のエッチング液と処理槽外部の気体との接触を抑制することができ、エッチング液の濃度変化を大幅に低減させることができるエッチング処理装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by which, for example, a film having a composition containing Si, C, and N, particularly, a film containing Si, C, and N at an arbitrary ratio and used as an etching stopper layer can be formed.例文帳に追加

例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜、特にＳｉとＣとＮとを任意の割合で含む膜を形成できる技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range, and to provide a method for forming a resist pattern.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁

This manufacturing method is for manufacturing a semiconductor wafer, wherein both surfaces of the surface and rear of a chamfered semiconductor wafer are lapped over, and then when the wafer is subjected to alkali etching with an alkaline solution, a defect which is generated in the surface of this wafer is removed.例文帳に追加

面取りされた半導体ウェーハの表裏両面をラップし、次に半導体ウェーハをアルカリ性溶液でアルカリエッチングすると、このウェーハ表面に発生していた欠陥が除去される。 - 特許庁

To provide an etching method with which deposition of reaction products called a fence can be suppressed when an AlNd layer to which Nd having heat resistance of approximately 400°C is added by 2 atom% is plasma etched.例文帳に追加

４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and a method for processing a substrate capable of nicely removing unwanted substance from the peripheral rim of a substrate surface through etching in spite of the nature of the unwanted substance adhered to the substrate.例文帳に追加

基板に付着する不要物の性状にかかわらず、基板表面の周縁部から該不要物を良好にエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the first metallic layer 43 to have the width W1 through the use of an anisotropic etching method, and then, the gate electrode with the lamination structure is formed ((c) in Fig.5).例文帳に追加

次に、感光膜４７をマスクとして第１金属層４３を異方性エッチング方法で幅（Ｗ１）を持つようにパターニングして積層構造のゲート電極を形成する（図５（ｃ））。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

A barrier insulating material 36 is deposited through a CVD method and formed by etching, with which the lower electrode 26 is set separate from the source region 18 and the drain region 20 by a distance D of 50 to 300 nm.例文帳に追加

障壁絶縁材３６をＣＶＤ堆積した後エッチングにより成形し、下部電極２６とソース領域１８及びドレイン領域２０とが５０〜３００ｎｍの距離Ｄ離れるようにする。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method which can reduce bad influence on treatment results such as etching shape due to the wear of a focus ring, and can prolong the duration of service of the focus ring.例文帳に追加

フォーカスリングの消耗に起因するエッチング形状などの処理結果への悪影響を極力低減するとともに、フォーカスリングの使用期間を長期化することが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In another method for the production of a polyimide optical waveguide, the polyimide of a lower clad is subjected to wet etching to form a groove, a core is formed in the groove by using a dispenser, and further, a clad consisting of a polyimide is formed on the polyimide of the lower clad.例文帳に追加

下部クラッドのポリイミドをウェットエッチングし、その溝の部分にディスペンサによりコアを作製し、更に該ポリイミド上にポリイミドからなるクラッドを形成するポリイミド光導波路の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the probe finger structure comprises a preparation step, consisting of an upper layer, an under layer and a wafer or a wafer part having an insulation or an etching stop layer which is located between the upper layer and the under layer.例文帳に追加

上層、下層、及び、上層と下層との間に位置する絶縁又はエッチング停止層を有するウェーハ又はウェーハ部分を準備する段階を含むプローブフィンガ構造体を製造する方法。 - 特許庁

To relate to a reaction furnace which decomposes organic halogen gas such as PFC,HFC to be used in a wafer etching device such as a semiconductor production device into a harmless substance with high temperature, and also relate to a reaction method used for the same.例文帳に追加

半導体製造装置などのウエハエッチング装置で使用されるＰＦＣ、ＨＦＣなどの有機ハロゲンガスを、高温で無害な物質に分解する反応炉、および反応方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a rugged structure, the method forming a uniform fine rugged structure by directly performing etching without performing development after abrasion or irradiation of laser light in the method of manufacturing the rugged structure using a resist layer made of a heat mode type recording material, and to provide a light-emitting element formed by applying the manufacturing method and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ヒートモード型の記録材料で構成されたレジスト層を用いた凹凸構造体の製造方法において、アブレーションやレーザ光の照射後に現像を行うことなく直接エッチングを行って均一な微細凹凸構造を形成することができる凹凸構造体の製造方法、この製造方法を応用した発光素子、発光素子の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The production method for a vehicle window glass for forming an infrared reflective film using a vacuum deposition method is characterized by involving a process for removing, by means of dry etching, the film edge of an infrared reflective film having an electromagnetic wave transmission window that has been formed using a masking material and transmits electromagnetic waves, and is particularly characterized by using a whetstone or a laser as the dry etching means.例文帳に追加

真空成膜法を用いて赤外線反射膜を形成する車両用窓ガラスの製造方法であって、マスキング材を用いて形成した電磁波を透過する電磁波透過窓を有する赤外線反射膜の膜端部をエッチングにより除去する工程を有することを特徴とし、特に上記エッチング手段として砥石又はレーザーを使用することを特徴とする車両用窓ガラスの製造方法。 - 特許庁

To solve a problem that an aluminum material after final annealing has an insufficient etching characteristic because a surface layer of the material is unevenly dissolved when the surface layer is dissolved by washing in a conventional manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor, and to provide a method of manufacturing the aluminum material for the electrolytic capacitor that has an excellent etching characteristic and achieves high electrostatic capacitance.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決し、エッチング特性に優れ高静電容量を実現できる電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid which removes iodine and an iodine compound that remain in a semiconductor device, when etching by using an iodine based etching liquid to form a gold electrode or gold wiring in the semiconductor device, and which will not give secondary damages to the semiconductor device, and to provide a cleaning method that uses the cleaning liquid, and the high-reliability semiconductor device cleaned by this cleaning method.例文帳に追加

半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

An etchant that selectively etches an oxide film containing hafnium and silicon, an oxide film containing hafnium and aluminium, an oxide film containing zirconium and silicon, or an oxide film containing zirconium and aluminium with respect to a thermally oxidized film; a method for producing an etching material that etches materials to be etched on which the above oxide films and a silicon oxide film are formed; and the etching material obtained from the method are provided.例文帳に追加

熱酸化膜（THOX）に対してハフニウムとシリコンを含む酸化物膜，ハフニウムとアルミニウムを含む酸化物膜，ジルコニウムとシリコンを含む酸化物膜又はジルコニウムとアルミニウムを含む酸化物膜を選択的にエッチングするエッチング液；該エッチング液を用いて、前記酸化物膜並びにシリコン酸化膜が形成された被エッチング物をエッチング処理するエッチング処理物の製造方法；該方法により得ることができるエッチング処理物。 - 特許庁

The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film.例文帳に追加

絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a first step of forming a trench 5a on a semiconductor substrate 1 by anisotropic etching and a second step of making a corner 5 at the bottom of the trench 5 round after the first step, by isotropic etching under the condition which does not eliminate a reaction product 20 formed on the inner plane of the side wall of the trench 5 by the anisotropic etching.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、異方性エッチングを行うことにより半導体基板１上にトレンチ５を形成する第１の工程を備え、そして、この第１の工程の後、前記異方性エッチングにより前記トレンチ５の側壁の内面に形成された反応生成物２０を除去しない状態で、等方性エッチングを行うことにより前記トレンチ５の底部のコーナー部５ａを丸める第２の工程を備えたところに特徴を有する。 - 特許庁

To provide a method for etching an ultraviolet light-transmitting polymer material that realizes high-quality and high-speed processing by a simple technique without detriment to excellent light transmission properties inherent in the material even in a processing region when the ultraviolet light-transmitting polymer material such as CYTOP (R) is etching-processed.例文帳に追加

サイトップ（登録商標）などの紫外光透過性高分子材料をエッチング加工する際に、加工領域においても材料本来が持つ優れた光透過特性を損なうことなしに、簡便な手法により高品質かつ高速な加工を実現することができるようにした紫外光透過性高分子材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device for removing a metal bonded to the surface and sidewalls of wiring, a polymer caused by a resist and the residue of an alteration layer without thinning the wiring by etching, in post-treatment by which wiring constituted of aluminum or an aluminum alloy is formed by reactive-ion etching.例文帳に追加

リアクティブイオンエッチングを用いてアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる配線を形成した後処理において、その配線のエッチングによる細り等を招くことなく、前記配線の表面および側壁に付着された金属、レジストに由来するポリマーおよび変質層などの残渣物を除去することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method which prevents the surface and the sidewall of ArF photoresist from being roughened when high anisotropy plasma-etching is performed by applying a high bias voltage, and forms a pattern of a desired shape by controlling occurrence of striation, LER and LWR, and to provide a computer storage medium.例文帳に追加

高いバイアス電圧を印加した異方性の高いプラズマエッチングを行う際においても、ＡｒＦフォトレジストの表面及び側壁の荒れを抑制することができ、ストライエーション、ＬＥＲ、ＬＷＲの発生を抑制して所望形状のパターンを精度良く形成することのできるプラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The method for producing a glass microlens array includes a step of locally applying stress to a glass substrate so polished as not to leave a crushed layer by being irradiated with laser light, and a step of forming portions in which stress is locally present in a lens shape by subjecting the stress applied glass substrate to isotropic dry etching or isotropic wet etching.例文帳に追加

本ガラス製マイクロレンズアレイ製造方法は、破砕層がないように研磨されたガラス基板にレーザ光を照射して局所的に応力を与える工程と、応力が与えられたガラス基板に等方的なドライ・エッチングあるいは等方的なウエット・エッチングを施して、局所的に応力が存在する部分をレンズ状に成形する工程を有する。 - 特許庁

To provide an etchant capable of etching a molybdenum-based conductive thin film formed on a substrate or a laminated conductive thin film in which molybdenum-based conductive thin films and aluminum-based conductive thin films are laminated to form side surfaces having favorable forward tapered shape effectively, and an etching method by using the etchant.例文帳に追加

基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of processing the glass substrate has a first step S1 for polishing the processing surface of the glass substrate, a third step S3 and a forth step S4 for forming an etching mask on the processing surface and a fifth step S5 for pattern-forming a micro-processed uneven structure on the processing surface of the glass substrate by wet-etching.例文帳に追加

本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板の被加工面を研磨する第１工程Ｓ１と、前記被加工面にエッチングマスクを形成する第３工程Ｓ３及び第４工程Ｓ４と、湿式エッチング処理により前記ガラス基板の被加工面に前記微細凹凸構造をパターン形成する第５工程Ｓ５と、を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a light transmissive optical component 12 includes: a first etching process for etching a silicon region 11 of a plate-like member to form a concavity; a thermal oxidation process for thermally oxidizing an inner surface of the concavity to form a silicon oxide film 14; and a nitride film formation process for forming a silicon nitride film 16 for covering the silicon oxide film 14.例文帳に追加

光透過性光学部品１２を製造する方法であって、板状部材のシリコン領域１１をエッチングして凹部を形成する第１のエッチング工程と、凹部の内側面を熱酸化させて酸化シリコン膜１４を形成する熱酸化工程と、酸化シリコン膜１４を覆う窒化シリコン膜１６を形成する窒化膜形成工程とを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a device comprises a device forming step for forming the device by sticking respective rear surfaces of a pair of glass substrates 31 and 33, on the rear surfaces of which thin film devices are formed and injecting a liquid crystal between the glass substrates 31 and 33; and an etching step for etching the respective surfaces of the pair of glass substrates 31 and 33, after the device forming step.例文帳に追加

裏面に薄膜デバイスが形成された一対のガラス基板３１，３３のそれぞれの裏面を相互に貼り合わせてガラス基板３１，３３間に液晶を注入することによりデバイスを形成するデバイス形成工程と、デバイス形成工程後に第一対のガラス基板３１，３３のそれぞれの表面をエッチングするエッチング工程と、を有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step for forming a fin-shaped projection 5 using plasma etching on a single-crystal silicon layer 3 of the SOI wafer, a step for forming a sacrificial oxide film 6 on the top surface containing the damage arising on the projection 5, a step for eliminating the sacrificial oxide film 6 by wet-etching, and a reflow step for heating a buried oxide layer 2 for reflow.例文帳に追加

ＳＯＩウエハにおける単結晶シリコン層３にプラズマエッチングを施して、フィン状の突起部５を形成する工程と、突起部５に生じたダメージを含む表面に犠牲酸化膜６を形成する工程と、犠牲酸化膜６をウエットエッチングにより除去する工程と、埋め込み酸化物層２を加熱してリフローさせるリフロー工程とを含む。 - 特許庁

This invention is industrially useful as the method where, from an etching waste liquid produced when the indium-containing material to be etched such as an ITO film is subjected to etching treatment with an oxalic acid solution, and in which metal components such as indium and tin are present as complex compounds together with oxalic acid, the indium whose separation/recovery are extremely difficult owing to its low concentration is selectively separated/recovered.例文帳に追加

ＩＴＯ膜などのインジウム含有被エッチング材をシュウ酸溶液でエッチン処理した際に生ずるインジウム、スズなどの金属成分がシュウ酸と共に錯体化合物として存在するエッチング廃液から、低濃度のため分離回収が極めて困難なインジウムを選択的に分離回収する方法として工業的に有用である。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

The method of manufacturing a recess gate of a semiconductor device includes a step of forming a first recess 37 by etching a semiconductor substrate 31, a step of forming a second recess 37A by etching the sidewall and bottom of the first recess 37, and a step of forming a gate insulating film and a gate electrode on the semiconductor substrate 31 on which the second recess 37A is formed.例文帳に追加

本発明の半導体素子のリセスゲートの製造方法は、半導体基板３１をエッチングして第１リセス３７を形成するステップと、第１リセス３７の側壁及び底部をエッチングして第２リセス３７Ａを形成するステップと、第２リセス３７Ａが形成された半導体基板３１上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an SiN film 2 on a wafer 18, a step of forming a hard mask film on the SiN film 2, and a step of etching the SiN film 2 by using the hard mask film as an etching mask, wherein the hard mask film includes either an aluminum nitride film (AlN film 7) or an aluminum silicon nitride film.例文帳に追加

ウエハ１８上にＳｉＮ膜２を形成する工程と、前記ＳｉＮ膜２上にハードマスク膜を形成する工程と、前記ハードマスク膜をエッチングマスクとして前記ＳｉＮ膜２をエッチングする工程と、を有し、前記ハードマスク膜は、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ膜７）または窒化アルミニウムシリコン膜のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide an optical imprint method that measures a remaining film thickness of a dummy pattern so as to recognize a remaining film amount after imprint without cutting an effective region, to allow the same substrate, whose remaining film thickness is actually measured, to advance to etching being the next process, to feedback the remaining film amount to the etching conditions, and consequently, to reliably achieve stable processing.例文帳に追加

本発明は、ダミーパターンの残膜厚さを測定することで、有効領域を切断することなくインプリント後の残膜量を把握することができ、残膜厚さを実際に測定した同一基板を次工程であるエッチングに進めることができ、残膜量をエッチング条件にフィードバックさせることが可能であり、確実に安定した加工を実現できる。 - 特許庁

A production method includes: a step of forming a metallic layer on one main face of a transparent substrate regarding a visible light region; a step of forming a grid-shaped dielectric layer into a linear grid shape at intervals narrower than the wavelength of incident light on a metallic layer; and a step of etching the metallic layer with the dielectric layer as an etching mask.例文帳に追加

可視光域に関して透明な基板の一主面に、金属層を形成する工程と、金属層上に、入射光の波長よりも小さい間隔で、直線のグリッド状にグリッド状誘電体層を形成する工程と、誘電体層をエッチングマスクとして金属層をエッチングする工程と、を含む製造方法とする。 - 特許庁

To provide an organometal complex compound which is easily cured by ultraviolet rays (UV), can be patterned, is excellent in uniformity of a coated film when being converted to the coated film, and has a high resistance to etching using an etching gas such as argon gas; to provide a method for producing the organometal complex compound; and to provide a photocurable composition containing the organometal complex compound.例文帳に追加

紫外線（ＵＶ）により容易に硬化し、パターニングが可能であり、塗膜とした時に塗膜の均一性に優れ、アルゴンガスなどのエッチングガスを用いたエッチングに高い耐性を有する硬化物となる有機金属錯体化合物、該有機金属錯体化合物の製造方法および該有機金属錯体化合物を含む光硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

In the method of etching process for selectively etching a silicon nitride film for a silicon oxide film after arranging, within a plasma processing chamber, a laminated film formed by laminating the silicon nitride film 15 on the silicon oxide film 14, a gas including oxygen is supplied into the plasma processing chamber using a halogen gas including boron as the principal gas as an additive gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１４上にシリコン窒化膜１５を積層してなる積層膜をプラズマ処理室内に配置して、前記シリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするエッチング処理方法において、前記プラズマ処理室内に、主ガスとしてホウ素を含むハロゲンガスを、添加ガスとして酸素含有ガスを供給する。 - 特許庁

To provide a substrate liquid-processing method, a substrate liquid-processing apparatus, and a storage medium capable of improving accuracy of etching width, without the generation of etching defects in a peripheral part of a substrate, when a hydrophobic polysilicon film is formed in the substrate and when a hydrophilic natural oxide film is laminated on the polysilicon film.例文帳に追加

基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor has an electrochemical etching process, a dechlorination treatment process, a post-processing process and a heat treatment process, wherein the post-processing process consists of a first process for performing hydration treatment, and a second process immersed in 0.5-10wt% solution of water of aluminum nitrate or magnesium nitrate.例文帳に追加

電気化学エッチング工程と、脱塩素処理工程と後処理工程と熱処理工程とを有し、上記後処理工程が、水和処理する第１工程と、硝酸アルミニウムまたは硝酸マグネシウムの０．５〜１０ｗｔ％水溶液に浸漬する第２工程とからなることを特徴とする電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁

The method of manufacturing the compound semiconductor includes a process wherein, after bonding the surface side of the SiC wafer 1 whereon a compound semiconductor element is formed and a support substrate 2 for supporting the SiC wafer by an adhesive 3 whose softening temperature is above 200°C, the hole 6 is formed by dry-etching from the rear face side of the SiC wafer using a fluorine-contained etching gas.例文帳に追加

化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 - 特許庁

To provide aluminum material for an electrolytic capacitor electrode in which (100) orientation density of a high level and uniformization of distribution density of etching pits in a high purity aluminum material coil are achieved, thereby the local generation of unetched parts elongating in a rolling direction which has sometimes occurred depending on some DC electrolytic etching conditions is eliminated, and to provide a method for producing the same or the like.例文帳に追加

高純度アルミニウム材コイル内での高レベルの（１００）方位密度の実現とエッチングピットの分散密度の均一化をはかり、一部の直流電解エッチング条件によって生じる場合があった局部的かつ圧延方向に展伸した未エッチング部の発生を解消した、電解コンデンサ電極用アルミニウム材とその製造方法等を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer printed wiring board includes the steps of forming, by laser irradiation, a via hole 5 in an insulating layer 4 formed by a prepreg 3 comprised of a glass cloth 1 impregnated with a thermosetting resin composition 2, subjecting the via hole 5 to a glass etching processing with a glass etching solution, and then subjecting the via hole to a desmear processing with an oxidizing agent solution.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板の製造方法は、ガラスクロス１に熱硬化性樹脂組成物２を含浸させたプリプレグ３により形成された絶縁層４に、レーザー照射によりビアホール５を形成し、該ビアホール５にガラスエッチング溶液によるガラスエッチング処理を施した後、酸化剤溶液によるデスミア処理を施す。 - 特許庁