「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can facilitate trench formation by thinning the thickness of a laminated film required for forming a trench for separation, and dispenses with the use of wet etching in the trench formation.例文帳に追加

分離用トレンチ形成に必要な積層膜の膜厚を薄くして、トレンチ形成を容易にできるとともに、トレンチ形成に際してウエットエッチングを使用せずに済む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin which has good solubility to organic solvent when applied for a resin for resist and exhibits high etching resistance, a resist composition, and a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

レジスト用樹脂等に応用した場合に有機溶媒への溶解性が良好で、基板への密着性が良く、更に高い耐エッチング性を発揮できる樹脂、及びレジスト組成物、ならびに半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sealing plate 30 is produced from a sheet-shaped transparent glass raw substrate made of an alkali-containing glass, for example, by wet etching method and a peripheral protrusion 31 is formed at the peripheral part so as to define a concave central part.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明なアルカリ含有ガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁

To prevent satisfactory ohmic contact between a p-type nitride semiconductor and metal even if a defect occurs on the surface of the p-type nitride semiconductor worked by using a dry etching method and metal is deposited.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いて加工したｐ型の窒化物半導体の表面に欠陥が発生し、金属を蒸着しても、ｐ型の窒化物半導体と金属の間には良好なオーミック性接触が形成されない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress a crack in a semiconductor layer from reaching a semiconductor element region when a wafer having the semiconductor layer on a principal surface side is cut by etching from a rear surface side.例文帳に追加

半導体層を主面側に有するウェハを裏面側からエッチングにより切断する際に、半導体層のクラックが半導体素子領域に達することを抑止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which corners which are boundaries between side faces and a bottom face of concave portions can be rounded by carrying out isotropic dry etching after forming the concave portions such as trenches in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体層にトレンチ等の凹部を形成した後に、等方性ドライエッチングをおこなうことにより、凹部の側面と底面との境界となる角部を丸めること。 - 特許庁

A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy by which a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy having excellent corrosion resistance and coating film adhesion can be formed on the surface of a magnesium alloy without requiring etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を行う必要なしで、マグネシウム合金の表面に、耐食性、塗膜密着性に優れた化成処理被膜を形成し得る、マグネシウム合金の化成処理被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a CMOS image sensor which can suppress fixed pattern noise(FPN) by eliminating etching damage generated in a surface of a semiconductor substrate forming a photodiode during a full-scale E/B, and its manufacturing method.例文帳に追加

全面Ｅ／Ｂの時にフォトダイオードを形成する半導体基板の表面に生じるエッチングダメージを無くして固定パターンノイズ（ＦＰＮ）を抑制することのできるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a composition for wet etching capable of effectively preventing a leaning phenomenon between lower electrodes which comes out when a capacitor of a cylinder type is manufactured, and also to provide a method of manufacturing a capacitor using the composition.例文帳に追加

シリンダー型キャパシタの製造時に生じる下部電極間のリーニング現象を効果的に防止することができる湿式食刻に用いられる組成物及びこれを用いたキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metalized polyimide film which does not deteriorate the etching characteristic and plating life of a wiring circuit pattern and has a strong adhesive strength, excellent durability and good migration resistance, and also to provide its production method.例文帳に追加

配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、接着強度が強く、かつその耐久性に優れ、耐マイグレーション特性の良い金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminate having a patterned metal film capable of easily performing plasma etching treatment of a plated layer and obtaining a laminate excellent in insulation properties between patterned metal films.例文帳に追加

被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the light extraction area of the element can be enlarged, compared to the conventional method for performing only surface roughening treatment by anisotropic etching, and resulting in further improvement of light extraction efficiency.例文帳に追加

その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。 - 特許庁

In the method for forming the embedded bit line, a non-electrolytic metal layer is selectively formed in a groove for bit line formed by etching a substrate, and a silicide film is formed inside the groove for bit line by executing a silicide process.例文帳に追加

埋め込みビットラインの形成方法は、基板をエッチングして形成されたビットライン用溝に無電解金属層を選択的に形成し、シリサイド工程を行ってビットライン用溝の内部にシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for removing etching residues from ≥1 opening part formed in ≥1 one layer of small relative permittivity insulating materials on the copper metal interconnecting layer of the integrated circuit structure.例文帳に追加

集積回路構造の銅金属相互接続層上の低比誘電率絶縁材料の一以上の層において形成される一以上の開口部からエッチング残留物を除去するための方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a glass substrate by which a pattern faithful to a shape pattern of a photomask can be provided in a thin glass substrate which deforms when provided with a film used as etching mask.例文帳に追加

エッチングマスクとなる膜を設けて変形が生じる薄いガラス基板に対して、フォトマスクが有する形状パターンに忠実なパターンをガラス基板に設けることができるガラス基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for accurately adjusting the phase contrast of a phase shift mask by appropriately selecting materials used for the phase shift mask (a transparent substrate and a phase shifter film) and an etching solution.例文帳に追加

位相シフトマスクに使用される材料（透明基板及び位相シフタ膜）及びエッチング薬液を適宜選定することにより、位相シフトマスクの位相差を精度良く調整する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A silicon etchant is an alkaline solution containing an alkali compound, hydroxylamines, and acid, and characterized in anisotropically dissolving single-crystal silicon; and the etching method for silicon using the same etchant.例文帳に追加

アルカリ化合物、ヒドロキシルアミン類および酸を含有したアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、且つ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法。 - 特許庁

To provide a polymer for a photoresist having high transmittance, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity for a developer in order to obtain a pattern improved of LFR (line edge roughness), and to provide a photoresist composition including the polymer, and a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＬＥＲが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide the collection apparatus of solid matter suited to simple and safe treatment of dry etching exhaust gas containing solid matter, and the collection method of the solid matter using the same.例文帳に追加

本発明の課題は、固形物を含有するドライエッチング排ガスの簡便且つ安全な処理をするために適した固形物捕集装置及び当該捕集装置を用いた固形物含有の捕集方法を提供することにある。 - 特許庁

In a method for forming a chip from wafer, a die 30 containing an integrated circuit removes a substrate material 32 damaged in a cutting process through selective etching, after the material 32 is separated (cut off) from a wafer with a CO2 laser beam in the cutting process.例文帳に追加

本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがＣＯ_2レーザによりウェハから分離（切断）された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method in which the concentration of residual sulphur (S) on a substrate to be processed can be controlled to a specified value or below after an oxide film is subjected to plasma etching by using CF based gas and COS gas.例文帳に追加

ＣＦ系ガスとＣＯＳガスとを用いて酸化膜をプラズマエッチングした後に、被処理基板上に残留する硫黄（Ｓ）の濃度を所定値以下に制御することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of etching resin which can perform plating with a high plating adhesiveness at a low cost with respect to a substrate formed of almost any kind of resin material and which can improve the printing adhesiveness.例文帳に追加

大部分の樹脂材料からなる基材に対して低コストでメッキ密着性の強いメッキを施すことができると共に、印刷の密着性を高めることができる樹脂のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element and a method of manufacturing the same which can prevent a residue of a protective metal layer in a dry etching process from being deposited on a compound semiconductor layer and degrading electrical characteristics.例文帳に追加

ドライエッチング工程で生じる保護金属層の残留物が化合物半導体層に付着され、電気的特性が低下することを解決することができる発光素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a separator for a fuel cell with a gas flow channel formed by applying etching treatment on a metal plate hardly broken, thin, and excellent in gas mobility, and its manufacturing method as well as a fuel cell using it.例文帳に追加

割れ難く、薄型で、ガス流動性の優れた、金属板にエッチング加工を施してガス流路を形成した燃料電池用セパレータおよびその製造方法、並びに、それを用いた燃料電池を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a microlens, and the like, whereby when recesses for forming microlenses are formed, improved discharge properties of foreign matter from etching holes is ensured, while holding a satisfactory shape.例文帳に追加

マイクロレンズを形成するための凹部を形成する際に、良好な形状を維持しつつ、エッチング用穴からの異物の排出性の向上を図ることができるマイクロレンズの製造方法等を提案することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing the dielectric constant of an inter-wiring layer insulating film, and improving the controllability of etching at the time of forming a via hole in the inter-wiring layer insulating film.例文帳に追加

配線層間絶縁膜の低誘電率化を図るとともに、配線層間絶縁膜にビアホールを形成する際にエッチングの制御性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

These through grooves 404 are formed by an isotropic wet etching method using an HF solution.例文帳に追加

この構成により真空下におけるエッチング処理等によってデバイス収納部に達する開口を形成する際、デバイス収納部の雰囲気を外界と同様の雰囲気に保持し、デバイス収納部の急激な圧力変化を防止した。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of realizing an etching high in aspect ratio and high in precision, wherein the masking film is very thin and the base film (etch-stop film) has a high selection ratio.例文帳に追加

マスク膜厚の薄い高アスペクト比のエッチングにおいて、下地膜（エッチングストッパ膜）の高選択比で高精度な高アスペクト比のエッチングを実現可能な処理条件とするプラズマ処理方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reaction product peeling preventive structure capable of preventing or suppressing the peeling of reaction products undesirably sticking and deposited on a member in a chamber of a plasma etching device, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバ内で部材に不所望に付着・堆積する反応生成物の剥離を防止ないし抑制することができる反応生成物剥離防止構造及びその制作方法を提供する。 - 特許庁

With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).例文帳に追加

感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a Cu anti-diffusion layer having a relative dielectric constant of about 6 or smaller and having a satisfactory alignment with a wiring step and/or an etching stopper layer, and also to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

比誘電率が６程度以下で、しかも配線工程との整合性も良いＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI wafer including a low-stress film without causing a problem in a process of lithography, resist application, dry etching or the like when used as an MEMS substrate; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＭＥＭＳ基板として使用する際に、リソグラフィー、レジスト塗布、ドライエッチングなどの工程で問題を引き起こさないような低応力膜を備えたＳＯＩウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-optical apparatus having a reflection plate structure which does not receive a damage of etching in a process in which an electrode is formed in a reflection display region, a method of manufacturing the apparatus and electronic equipment.例文帳に追加

反射表示領域において、電極を形成する工程におけるエッチングにより損傷を受けない反射板構造を有する電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The metal blade body 15 constituting the fixed blade 10 (or the movable blade 11) is constituted of a blade body 28 which is formed by the etching method, and a reinforcing plate 29 which is bonded and fixed to the non-sliding surface side of the blade body 28.例文帳に追加

固定刃１０（または可動刃１１）を構成する金属刃体１５を、エッチング法で形成される刃本体２８と、刃本体２８の非摺動面側に接合固定される補強板２９とで構成する。 - 特許庁

To obtain a CPP type thin-film magnetic head advantageous to formation of a narrower shield by reducing an element output noise and a resistance not contributing to the element output and also by evading an etching damage to a thin-film magnetic head element, and to obtain its manufacturing method.例文帳に追加

素子出力ノイズ及び素子出力に寄与しない抵抗を低減し、且つ、薄膜磁気ヘッド素子へのエッチングダメージを回避して狭シールド化に有利なＣＰＰ型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a device and so on, in which a yield is prevented from being lowered owing to a foreign matter produced by film floating even when the film floating (film peeling) has newly occurred especially through wet etching.例文帳に追加

特にウエットエッチングによって新たに膜浮き（剥離）が生じた場合にも、この膜浮きに起因して異物が発生し、これによって歩留まりが低下するのを防止した、デバイスの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of an interlayer insulating film in a semiconductor device, which prevents etching residues, when wirings are formed, from being generated, can prevent reduction in the yield of the formation of the interlayer insulating film due to short-circuiting between the wirings and also is superior in reliability.例文帳に追加

配線を形成するときのエッチング残りを防ぎ、配線間のショートによる歩留りの低下を防ぐことができると共に、信頼性が優れた半導体装置の層間絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of avoiding contamination of the inside of a processing chamber and a substrate by preventing etching of a high purity SiC film formed on the surface of a substrate support composed of a carbon base or Si-impregnated SiC base, when cleaning the processing chamber.例文帳に追加

カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of etching a side face of a mesa type diode chip 4, then coating the side face with a surface protective film 6 generated by a reaction generated water, heat treating it at 200 to 450°C, and growing a modified oxide film 5 on the connecting surface.例文帳に追加

メサ型ダイオードチップ４の側面をエッチング後、反応生成水を生じる表面保護膜６を塗布し、２００〜４５０℃で熱処理して、接合表面に改質酸化膜５を成長させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of electro-optical device capable of erasing micro-damages and cracks existing on a substrate edge and a cut face by etching without damaging wiring, and to provide an electro-optical device and an electronic equipment.例文帳に追加

配線を損傷することなく、基板縁および切断面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a method or producing aluminum foil for an electrolytic capacitor where, when aluminum foil for an electrolytic capacitor is largely subjected to annealing treatment at a time, an oxide film is suitably formed, and satisfactory etching properties are obtained, so as to be able to produce an electrolytic capacitor of high quality.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム箔を一度に大量に焼鈍処理する際に、酸化皮膜を適切に形成して良好なエッチング性を得て高品質の電解コンデンサの製造を可能にする。 - 特許庁