「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for forming a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy by which a chemical conversion-treated film of a magnesium alloy having excellent corrosion resistance and coating film adhesion can be formed on the surface of a magnesium alloy without requiring etching treatment.例文帳に追加

エッチング処理を行う必要なしで、マグネシウム合金の表面に、耐食性、塗膜密着性に優れた化成処理被膜を形成し得る、マグネシウム合金の化成処理被膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a CMOS image sensor which can suppress fixed pattern noise(FPN) by eliminating etching damage generated in a surface of a semiconductor substrate forming a photodiode during a full-scale E/B, and its manufacturing method.例文帳に追加

全面Ｅ／Ｂの時にフォトダイオードを形成する半導体基板の表面に生じるエッチングダメージを無くして固定パターンノイズ（ＦＰＮ）を抑制することのできるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a composition for wet etching capable of effectively preventing a leaning phenomenon between lower electrodes which comes out when a capacitor of a cylinder type is manufactured, and also to provide a method of manufacturing a capacitor using the composition.例文帳に追加

シリンダー型キャパシタの製造時に生じる下部電極間のリーニング現象を効果的に防止することができる湿式食刻に用いられる組成物及びこれを用いたキャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a metalized polyimide film which does not deteriorate the etching characteristic and plating life of a wiring circuit pattern and has a strong adhesive strength, excellent durability and good migration resistance, and also to provide its production method.例文帳に追加

配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、接着強度が強く、かつその耐久性に優れ、耐マイグレーション特性の良い金属化ポリイミドフィルム及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device having a fine pattern which exceeds the conventional limit of conventional fine work by succeeding previously established i-beam exposure technology as it is and correcting etching technology.例文帳に追加

既に確立されたｉ線露光技術はそのまゝ継承してエッチング技術を小修正することで、従来の微細加工の限界を越える微細パターンを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for the wet etching of a laminate which is obtained by bonding a non-thermoplastic polyimide layer to a metal layer with a thermoplastic polyimide and which is mounted on, e.g. a flexible printed wiring, TAB and COF.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線、ＴＡＢ、ＣＯＦなどに実装される、金属層に非熱可塑性ポリイミド層を熱可塑性ポリイミドで接着してなる積層体を、ウエットエッチングするための工業的に有利な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride compound semiconductor device which employs a layer that can be subjected to wet etching as the etch stopper layer to control the structure with high accuracy in a crystal growth stage.例文帳に追加

ウエットエッチングが可能な層をエッチングストップ層として用いることにより、結晶成長段階における構造を高精度に制御することができる窒化物系化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first metal film 2 and a second metal film 3 are formed by successively laminating them on a substrate 1 and a plating frame resist 4 having a prescribed pattern is formed on the second metal film 3 using a dry etching method.例文帳に追加

基板１上に第１の金属膜２と第２の金属膜３とを順次積層して形成し、第２の金属膜３上に、ドライエッチング法を用いて所定のパターンのめっきフレームレジスト４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device enhancing the yield and capable of obtaining a desired threshold voltage by uniforming the etching depth of an opening of a gate forming region in a semiconductor wafer face, and a production method thereof.例文帳に追加

半導体ウエハ面内におけるゲート形成領域の開口部のエッチング深さを均一化して所望の閾値電圧を得ることができ、併せて歩留を向上した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that can facilitate trench formation by thinning the thickness of a laminated film required for forming a trench for separation, and dispenses with the use of wet etching in the trench formation.例文帳に追加

分離用トレンチ形成に必要な積層膜の膜厚を薄くして、トレンチ形成を容易にできるとともに、トレンチ形成に際してウエットエッチングを使用せずに済む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin which has good solubility to organic solvent when applied for a resin for resist and exhibits high etching resistance, a resist composition, and a semiconductor manufacturing method.例文帳に追加

レジスト用樹脂等に応用した場合に有機溶媒への溶解性が良好で、基板への密着性が良く、更に高い耐エッチング性を発揮できる樹脂、及びレジスト組成物、ならびに半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sealing plate 30 is produced from a sheet-shaped transparent glass raw substrate made of an alkali-containing glass, for example, by wet etching method and a peripheral protrusion 31 is formed at the peripheral part so as to define a concave central part.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明なアルカリ含有ガラス製のガラス素板から加工され、中央部を凹状に規定すべく周辺部に周辺突条部３１が形成される。 - 特許庁

To prevent satisfactory ohmic contact between a p-type nitride semiconductor and metal even if a defect occurs on the surface of the p-type nitride semiconductor worked by using a dry etching method and metal is deposited.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いて加工したｐ型の窒化物半導体の表面に欠陥が発生し、金属を蒸着しても、ｐ型の窒化物半導体と金属の間には良好なオーミック性接触が形成されない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress a crack in a semiconductor layer from reaching a semiconductor element region when a wafer having the semiconductor layer on a principal surface side is cut by etching from a rear surface side.例文帳に追加

半導体層を主面側に有するウェハを裏面側からエッチングにより切断する際に、半導体層のクラックが半導体素子領域に達することを抑止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which corners which are boundaries between side faces and a bottom face of concave portions can be rounded by carrying out isotropic dry etching after forming the concave portions such as trenches in a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、半導体層にトレンチ等の凹部を形成した後に、等方性ドライエッチングをおこなうことにより、凹部の側面と底面との境界となる角部を丸めること。 - 特許庁

A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which a semiconductor device having excellent electrical characteristics can be manufactured by using a High-k film having good characteristics and combining the characteristics of the film with a realizable etching technique.例文帳に追加

良好な特性を有するＨｉｇｈ−ｋ膜を用い、この良好な特性を実現可能なエッチング技術と組み合わせることによって、電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminate having a patterned metal film capable of easily performing plasma etching treatment of a plated layer and obtaining a laminate excellent in insulation properties between patterned metal films.例文帳に追加

被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the light extraction area of the element can be enlarged, compared to the conventional method for performing only surface roughening treatment by anisotropic etching, and resulting in further improvement of light extraction efficiency.例文帳に追加

その結果、異方性エッチングによる面粗し処理のみを行なう従来の手法と比較して、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる。 - 特許庁

In the method for forming the embedded bit line, a non-electrolytic metal layer is selectively formed in a groove for bit line formed by etching a substrate, and a silicide film is formed inside the groove for bit line by executing a silicide process.例文帳に追加

埋め込みビットラインの形成方法は、基板をエッチングして形成されたビットライン用溝に無電解金属層を選択的に形成し、シリサイド工程を行ってビットライン用溝の内部にシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method of processing a glass substrate by which a pattern faithful to a shape pattern of a photomask can be provided in a thin glass substrate which deforms when provided with a film used as etching mask.例文帳に追加

エッチングマスクとなる膜を設けて変形が生じる薄いガラス基板に対して、フォトマスクが有する形状パターンに忠実なパターンをガラス基板に設けることができるガラス基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In this method, the semiconductor wafer 1 is heated for releasing the gas 8 out of the resist film 4 before the reaction products between the etching gas and the resist film 4 are deposited on the surface of the resist film 4.例文帳に追加

ここで、エッチングガスと、レジスト膜４との反応により生じる反応生成物がレジスト膜４の表面に堆積する前に、半導体ウエハ１を加熱し、レジスト膜４中に存在するガス８を膜外へ放出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be manufactured without adding a process where a defect part does not occur in an insulation protection film and the manufacturing cost is raised after an etching process for opening a bonding pad, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ボンディングパッドを開口するためのエッチング工程後、絶縁保護膜に欠損部が発生せず、製造コスト上昇となる工程の追加無しに製造できる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dry etching method removing a solid material composed of plural constituting elements by one atomic layer or by one molecular layer and capable of controlling the order of the atomic layers or the order of the molecular layers, and to provide a device therefor.例文帳に追加

複数の構成元素からなる固体材料を１原子層又は１分子層ずつ除去して、原子層オーダー又は分子層オーダーの制御が可能なドライエッチング方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, with which changes in the contact resistance value between the upper metal layer and the lower metal layer can be minimized, by preventing etching of the lower metal layer, when forming a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid jet head suitable to make nozzles densified and longer by applying anisotropic etching to a silicon wafer a surface of which is <110> plane and forming the liquid jet nozzles having rectangular cross-sections.例文帳に追加

表面が〈１１０〉面のシリコンウエハに異方性エッチングを施して断面矩形状の液吐出用ノズルを形成し、ノズルの高密度化および長尺化に好適な液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The sealing plate 30 is fabricated from a plate-like transparent glass material plate made of non-alkali glass by, for instance, wet-etching method, and its center part is machined into a recessed form so as to define a peripheral projection part 31 in its peripheral part.例文帳に追加

封止板３０は、例えばウェットエッチング法により板状の透明な無アルカリガラス製のガラス素板から加工され、周辺部に周辺突条部３１を規定すべく中央部が凹状に加工されている。 - 特許庁

To provide a pattern forming method by which a resist pattern having a halftone pattern portion is formed using a photosensitive resist composition so that excellent residual film thickness exposure margin and dry etching resistance of the halftone pattern portion are ensured.例文帳に追加

感光性レジスト組成物を用いて、ハーフトーンパターン部を有するレジストパターンを形成する方法であって、ハーフトーンパターン部の残膜厚露光マージンと耐ドライエッチング性に優れたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a reflection preventing film, which has a high etching rate, and with which problems associated with embedding characteristics, removability with a stripper, and reflected light absorption characteristics are improved, and a wiring forming method using the composition.例文帳に追加

高エッチングレートを有し、埋め込み特性、剥離液による剥離性および反射光吸収特性の問題を改善した反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical film having enhanced adhesiveness between a TAC (triacetyl cellulose) substrate and PVA or an optical thin film, one surface of the substrate subjected to a pretreatment by reactive ion etching using plasma, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

一方の面にプラズマを利用した反応性イオンエッチングによる前処理が施されたＴＡＣ基材とＰＶＡ、光学薄膜との密着性を強化する光学フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can enhance fabrication efficiency of the product, i.e. the semiconductor device, while suppressing the in-plane variations of the etching conversion difference within the plane of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板面内におけるエッチング変換差の面内ばらつきを小さく抑えるとともに、製品たる半導体装置の製造効率を高めることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of pattern formation includes a step for coating a pattern formed on an organic film of a layered product comprising a base and the organic film with the film-forming material and etching the organic film using this pattern as a mask.例文帳に追加

基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 - 特許庁

By selective oxidation, a silicon oxide film 6 as thick as 3 nm or so is formed, a silicon nitride film 7 of thickness 10 nm or so is formed through a CVD method, and the silicon nitride film 7 is etched using the silicon board 10 as an etching stopper.例文帳に追加

選択酸化により、約３ｎｍのシリコン酸化膜６を形成し、ＣＶＤにより、約１０ｎｍのシリコン窒化膜７を形成した後、シリコン基板１０をエッチングストッパとしてシリコン窒化膜７がエッチングされる。 - 特許庁

To provide a method or producing aluminum foil for an electrolytic capacitor where, when aluminum foil for an electrolytic capacitor is largely subjected to annealing treatment at a time, an oxide film is suitably formed, and satisfactory etching properties are obtained, so as to be able to produce an electrolytic capacitor of high quality.例文帳に追加

電解コンデンサ用アルミニウム箔を一度に大量に焼鈍処理する際に、酸化皮膜を適切に形成して良好なエッチング性を得て高品質の電解コンデンサの製造を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for easily obtaining a rare earth oxide coating film to be used for the corrosion-resistant film of an inner wall of a plasma etching chamber, the coating film of an inner surface of a glass bulb of a fluorescent lamp, or the like as a dense and smooth coating film.例文帳に追加

プラズマエッチング処理室内壁の耐食性皮膜や蛍光ランプのガラスバルブ内面の皮膜などに用いられる希土類酸化物皮膜を、簡便に、緻密平滑な皮膜として得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor laser which is easy to detect the final point of etching, in the case of working a width of an active layer of the emission end to a submicron size, and which can prevent mismeasurement, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

出射端部の活性層幅をサブミクロンサイズまで加工する際に、エッチングの終点検出が容易で、誤測定を防止できる、半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching a wafer by which a thin film pattern having prescribed dimensional precision can be deposited on a wafer even in the case the amount to be etched can not directly be measured by using a microscope or the like.例文帳に追加

顕微鏡等を用いてエッチング量を直接計測できない場合であっても、所定の寸法精度を有する薄膜パターンをウエハ上に形成することが可能なウエハのエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of electro-optical device capable of erasing micro-damages and cracks existing on a substrate edge and a cut face by etching without damaging wiring, and to provide an electro-optical device and an electronic equipment.例文帳に追加

配線を損傷することなく、基板縁および切断面に存在する微小な傷やクラックをエッチングにより消去可能な電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide a flow sensor manufacturing method capable of preventing the inside surfaces of through holes from being roughened by etching when the through holes are formed and reducing variations in the cross-sectional areas of the through holes and variations in output characteristics of a sensor.例文帳に追加

貫通孔の形成においてエッチングによる貫通孔内側面の荒れを防止して、貫通孔の断面積のばらつき、ひいてはセンサの出力特性のばらつきを抑えたフローセンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

Surface roughness of the optical component polished by using the finishing method but is not etched yet is less than 0.5 nm, the surface roughness after polishing and etching is less than 0.6 nm, and step height of the surface roughness is less than 6 nm.例文帳に追加

本方法を用いて得られた光学素子の、研磨されたがエッチングされない表面の粗さが０．５ｎｍ未満、研磨およびエッチング後の表面の粗さが０．６ｎｍ未満、およびステップ高が６ｎｍ未満である。 - 特許庁

To solve the problem of the characteristics of a thin-film transistor becoming ununiform, because the amount of regression due to the side-etch varies when a Mo-W alloy film which is to become the gate of the thin-film transistor is processed with wet-etching method which ensures superior productivity.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲートとなるＭｏ−Ｗ合金膜を、生産性に優れるウェットエッチ法により加工すると、サイドエッチによる後退量が変動するため、薄膜トランジスタの特性が不均一になる。 - 特許庁

The cleaning sequence of the etching residue removing method conducts a first water cleaning process 11, a first drying process 12, a peeling solution process 13, a rinse process 14, a second water cleaning process 15, and a second drying process 16.例文帳に追加

エッチング残渣除去方法の洗浄シーケンスでは、第１の水洗処理１１、第１の乾燥処理１２、剥離液処理１３、リンス処理１４、第２の水洗処理１５、及び、第２の乾燥処理１６を行う。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus and plasma treatment method for giving a uniform processing characteristics on a substrate plane, by offsetting the effect of the reaction products on the treatment characteristics in the plasma treatment of etching treatment, or the like.例文帳に追加

エッチング処理等のプラズマ処理における反応生成物の処理特性への影響を相殺して、基板面内において均一な処理特性の得られるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁