「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching method, by which the accuracy of a connection hole or end point control of the connecting hole can be enhanced and occurrence of defects in a semiconductor device can be suppressed, and to provide a semiconductor device in which defects are suppressed.例文帳に追加

接続孔または接続孔の終点制御の精度を高めることができ、半導体装置に欠陥が生じるのを抑制し得るエッチング方法、および欠陥が抑制された半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To remove a polished strain layer on the reverse surface of a semiconductor wafer without providing large-scale facilities like in a method by chemical etching or producing substances which should be disposed of as industrial wastes in quantity.例文帳に追加

半導体ウエーハの裏面の研削歪み層を、化学的エッチングによる方法のごとき大がかりな設備を設けることなく、また産業廃棄物として処理すべき物質を大量に生成することなく除去できるようにする。 - 特許庁

To provide a method for accurately detecting the concentration of divalent iron ions in a solution in a process of etching a metal when an iron (III) chloride is a main component, in a process of processing a waste liquid containing the divalent and trivalent iron ions, or the like.例文帳に追加

塩化第二鉄を主成分として金属をエッチングする工程または二価と三価の鉄イオンを含有する廃液処理する工程等において、溶液中の二価の鉄イオン濃度を精度よく検出する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a backside irradiation solid state image sensor, in which etching is excellently carried out even when continuously performed using a different etchant to secure superior film thickness uniformity of a device layer.例文帳に追加

裏面照射型固体撮像素子の製造方法に関し、異なるエッチャントを利用したエッチングを連続して行なう場合であっても良好にエッチングし、デバイス層の優れた膜厚均一性を確保することができるようにする。 - 特許庁

The relief coating method comprises a step of forming uneven patterns 5 on the surface of a metal plate 1 by etching and forming a coating 6 by applying a coating material to the surface of the metal plate 1 having the uneven patterns 5.例文帳に追加

レリーフ塗装方法は、金属板１の表面にエッチングにより凹凸模様５を形成する工程と、この凹凸模様５を有する金属板１の表面に塗料を塗布して塗膜６を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a device and a method for protecting the internal component of a semiconductor treatment device such as a plasma reactor or a reactive species generator from physical damage and/or chemical damage in an etching process and/or a cleaning process.例文帳に追加

エッチングプロセス及び／又はクリーニングプロセス中の物理的損傷及び／又は化学的損傷から、プラズマ反応器又は反応性種発生器等の半導体処理装置の内部コンポーネントを保護する装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.例文帳に追加

また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising an embedded wiring wherein a contact hole of desired diameter is formed with good reproducibility in an inter-layer insulating film without etching a base material conductor.例文帳に追加

本発明は層間絶縁膜中に所望の径のコンタクトホールを、下地導電体をエッチングすることなくかつ再現良く形成することのできる埋め込み配線を備えた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a small electronic part with an improved yield by forming a function element through wet-etching with a thin-film parent element substrate with no damage, and preventing adhesion between the function elements by electrostatic attraction.例文帳に追加

薄膜親素子基板をウエットエッチング加工して損傷を与えることなく機能素子を形成し、機能素子間の静電引力による接着を阻止して、歩留まりを向上した小型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element using a multi-chamber system having etching equipment for semiconductor element manufacturing, which has advantages such as higher wafer transfer speed by disposing multiple process chambers serially in multiple layers.例文帳に追加

多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the thickness of an RIE(reactive ion etching) resist film within a specific range by forming a metallic pattern having a high RIE resistance on an organic film by the lift off method, and performing RIE on the organic film by using the metallic pattern as a resist.例文帳に追加

反応イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etchting）を用いて、多層配線基板の有機膜パターンを作製する上で、金属膜をＲＩＥレジストにする場合に、基板とのアライメントをとることができる有機膜パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing etching components which do not cause rust on the surface of a metallic material from a coating application process to a drying process even when a photoresist layer is formed by applying a photoresist using casein to a ferrous metallic material.例文帳に追加

鉄系の金属材料に、カゼインを用いたフォトレジストを塗布しフォトレジスト層を形成しても、塗布工程から乾燥工程の間で金属材料の表面に錆が発生しないエッチング部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a sensor film substrate, especially for mass flow sensor or pressure sensor, having a film stretched across the fringe part of an opening made in the front face of the film substrate from the back thereof by etching.例文帳に追加

膜基板の前面（ＶＳ）に、背面（ＲＳ）からエッチングにより形成された開口（５０）の縁部に張設された膜（１００）を有する、特に質量流量センサ又は圧力センサのための、センサ膜基板を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method reinforcing etching resistance of a mask layer and improving a flexibility in working of a layer to be processed when forming an opening pattern of a dimension satisfying a request for downsizing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition which can suppress contamination of a lens barrel, which has high etching durability, which can solve problems about edge roughness or the like and which has having high sensitivity, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

本発明は、鏡塔汚染を抑制可能でかつ高エッチング耐性を有し、エッジラフネス等の問題を解決でき高感度な、感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a silicon stain film removing method for removing a stain film produced on the surface of a silicon substrate during a period until next treatment after etching a silicon wafer by mixed acid solution at a low cost without contaminating the device and the wafer itself.例文帳に追加

シリコンウェハを混酸溶液でエッチングした後に、次の処理までの間にシリコン基板表面に生成されるステイン膜を、低コストで、かつ装置及びウェハ自身を汚染しないシリコンステイン膜の除去方法を提供する。 - 特許庁

The central position of the via alignment mark can be highly accurately detected by an optical method, and when etching the hole for alignment opened by the via alignment mark M1, the base insulating film is not over etched.例文帳に追加

光学的手法によってビア位置合わせマークの中心位置を高精度に検出することができ、また、ビア位置合わせマークＭ１により開口される位置合わせ用のホールのエッチング時に下地絶縁膜がオーバエッチングされることがない。 - 特許庁

The optical waveguide is manufactured by a self-cloning method, in which the ratio of the deposition to that of the etching is optimized, when the core or a part of the core formed with a dielectric multilayer type photonic crystal is sputter etched simultaneously or alternately sputter deposited.例文帳に追加

誘電体多層膜型のフォトニック結晶で構成されるコアあるいはコアの一部を、スパッタデポジションと同時あるいは交互にスパッタエッチングを行う際、デポジションとエッチングの比率を適正化する自己クローニング法により作製する。 - 特許庁

To provide a metal foil laminate capable of preventing the problem due to the penetration of an etching solution, capable of being simply manufactured and capable of also sufficiently obtaining the reduction effect of the dielectric constant of the whole of an insulating layer, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング液の浸透による問題を防止でき、しかも簡易な方法で製造できて絶縁層全体の誘電率の低減効果も十分得られる金属箔積層体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the tape carrier comprises the steps of etching the substrate copper foil 3 in a state, in which a part of the substrate copper foil 3 is plated with a noble metal film 2 or the film 1 is brought into contact with the foil 3, and making the copper wiring electrically independent.例文帳に追加

下地銅箔３の一部に貴金属膜１のめっきを施すか、又は下地銅箔３に貴金属膜１を接触させた状態で、下地銅箔をエッチング処理して銅配線を電気的に独立させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an etching structure of a fine dimension where an increase in the number of a manufacturing process and an increase in a manufacturing cost are restrained, and on the other hand, the control of manufacturing conditions is not difficult, and which allows exposure to exceed its limit.例文帳に追加

製造工程の増加及び製造コストの増大を抑制する一方で、製造条件の制御が困難ではなく且つ露光の限界を超えるような微細な寸法のエッチング構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed circuit board, capable of manufacturing a high-density printed circuit board having high reliability by using a laminate substrate equipped with a dual metal layer and making an etching process be dual.例文帳に追加

二元化された金属層を備えた積層基板を使用し、エッチング工程を二元化することにより、信頼性の高い高密度印刷回路基板を製造することができる印刷回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device, which can suppress thickness reduction of an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn as a base film, and suppress deterioration in device characteristics due to the film thickness reduction when wet-etching a metal film.例文帳に追加

金属膜をウェットエッチングする際、下地膜である、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜の膜減りを抑制でき、該膜減りによる素子特性の劣化を抑制できる電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can suitably pattern a semiconductor film by forming a mask having sufficient resistance to wet etching carried out when the semiconductor film is patterned.例文帳に追加

半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that can recover an oxygen defect portion formed on a piezoelectric layer due to plasma during etching and improve performance of the piezoelectric device.例文帳に追加

本発明は、エッチング時のプラズマによって圧電体層に生じた酸素欠損部を回復させることができて圧電デバイスの性能向上を図ることができる圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a nozzle preventing a device from corroding with an etchant by receiving the etchant having not been sucked fully from a suction opening, to provide an etchant supply device equipped with the nozzle, and to provide an etching method.例文帳に追加

吸引口から吸引しきれなかったエッチング液を受けることにより、エッチング液による装置の腐食を防止することのできるノズル、このノズルを備えたエッチング液供給装置およびエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the method of processing a substrate which can remove chlorine efficiently and certainly without adding a chamber dedicated to removing remained chlorine on the substrate to an apparatus for processing the substrate which performs substrate processing such as dry etching using chlorine-based gas.例文帳に追加

ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain, in a short time, an excellent semiconductor thin film by increasing the permeation speed of an etchant for peeling, and enhancing uniformity of etching speed, in a method of peeling a semiconductor thin film after formed on a substrate.例文帳に追加

半導体薄膜を基板上に形成した後剥離する方法において、剥離のためのエッチング液の浸透速度が高く、エッチング速度の均一性を高め、短時間で良好な半導体薄膜を得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a cleaning composition for sufficiently removing plasma etching residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and interlayer insulation structure, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for efficiently processing a magnetic film of Fe, Co, Ni or the like formed on a substrate and a nonvolatile metal containing those elements by plasma etching using gas containing C and O as constituents.例文帳に追加

Ｃ及びＯを成分とするガスを用いたプラズマエッチングにより、基板上に形成されたＦｅ・Ｃｏ・Ｎｉ等の磁性膜、及びそれらの元素を含む不揮発性金属を効率よく加工する方法及び装置の提供。 - 特許庁

In this method of decomposing a package, a soft etchant 32 is made to easily permeate in an etching process by subjecting an optional surface of a decomposing object region A1 of an outer resin part 19 of a package device 10 to grinding work by a router to be roughened.例文帳に追加

パッケージ分解方法は、パッケージ装置１０の外側樹脂部１９の任意の分解対象領域Ａ１表面をルーターで研削加工し粗面とすることで、エッチング処理の際にソフトエッチング液３２が浸透し易くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic element device with a high numerical aperture equivalent to an etching from a substrate surface, by which any expensive manufacturing apparatus and any additional process are not required, and any sticking is not generated, either.例文帳に追加

基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing clogging in an outlet of a source gas by suppressing growth of an unnecessary SiC polycrystal formed in a place other than a crystal growth surface in a reaction vessel without using an etching gas.例文帳に追加

反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a superior optical component-mounting substrate which has a plurality of grooves of different depth that can not be formed in the same etching process and is free of shift in relative position among the respective grooves, and its manufacturing method, and an optical module.例文帳に追加

同一のエッチングプロセスでは形成不可能な複数の異なった深さの溝を有し、且つ各溝の相対位置ずれが生じない、優れた光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュールを提供すること。 - 特許庁

The microprobe guides 70, 71 having the plurality of grooves 72 are acquired by forming each elongate deep groove having the groove depth and the groove width corresponding to the height and the width of a shaft part of the microprobes 50, 51 by using an anisotropic dry etching method to a silicon plate.例文帳に追加

複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０,７１は、シリコンプレートに異方性ドライエッチング法を用い、マイクロプローブ５０，５１の軸部の高さと幅に対応した溝深さと溝幅で細長く深い溝を形成して得られる。 - 特許庁

A method for forming wiring on a substrate comprises a process of preparing a copper substrate, a process of forming a copper-nickel layer on a portion of the copper substrate by plating, a process of bonding the copper substrate to a soft polyamide substrate, and a process of etching the copper substrate.例文帳に追加

基板に配線を形成する方法は、銅基板を用意すること、銅基板上の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板にエッチングをすることを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method where dry etching is performed using gas containing fluorine, and the formation of a damaged layer on the side wall of a wiring groove and the formation of a void in a Low-k film can be inhibited.例文帳に追加

フッ素含有ガスを用いてドライエッチングを行うとともに、配線溝側壁部でのダメージ層の形成およびＬｏｗ−ｋ膜中でのボイドの形成を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device, in which a storage electrode can be manufactured without being destroyed per se when the crown-type storage electrode is formed by wet etching in a capacitor having the crown-type storage electrode.例文帳に追加

王冠型の蓄積電極を有するキャパシタにおいて、ウエットエッチングを用いて王冠型蓄積電極を形成する際に、蓄積電極自身が倒壊することなく製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the etching selection ratio by forming an antireflection film using only a hydrocarbon gas, to form an antireflection film which can be easily removed and can be formed into a thin film at a low cost, and to provide a method for its application.例文帳に追加

炭化水素系ガスのみを使用して反射防止膜を形成することによって食刻選択比を改善し、除去しやすく、安価に薄膜を形成しうる反射防止膜の形成及び適用方法を提供する。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method, capable of stable etching having reproducibility, to reduce waveguide losses and to improve manufacturing yield and reliability, in a semiconductor laser device having an end surface window structure.例文帳に追加

端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide an etching treatment method that can make easy adjustment of the degree of unevenness formed on the surface of a resin member and extend a lifetime of desmear liquid even when an immersion duration time of the resin member to be immersed into the desmear liquid is fixed.例文帳に追加

デスミア液に浸漬する樹脂部材の浸漬時間が一定時間であっても、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を容易に調整でき、且つデスミア液の液寿命を延長できるエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The convenient method for making a hole on a semiconductor substrate comprises a step for generating a crystal defect in a part of region on the semiconductor substrate, and a step for selectively etching the region where a crystal defect is caused.例文帳に追加

半導体基板上の一部の領域に結晶欠陥を発生させる工程と、前記結晶欠陥が発生した領域を選択的にエッチングする工程を用い、半導体基板上に簡便に穴部を形成する構成とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transmission type phase shift photomask which efficiently manufactures the high-quality photomask which is free of roughness in an etching surface, is improved in the overlap accuracy of a resist pattern and a light shielding layer pattern and has excellent resolution property.例文帳に追加

エッチング面に荒れがなく、レジストパターンと遮光層パターンの重ね合わせ精度が向上した、解像性に優れた高品質なフォトマスクを効率よく製造する透過型位相シフトフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate need for etching of high melting point metal and to prevent deterioration in short-channel characteristics caused by diffusion of source and drain when a high melting point metal gate electrode is formed in a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、高融点金属ゲート電極を形成するに際し、高融点金属のエッチングを不要とし、また、ソース及びドレインが拡散して短チャネル特性を劣化させることがないようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can ensure a photolithography and etching margin during contact hole formation and can carry out good wiring without exposing a wiring layer inside a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成時の写真製版およびエッチングのマージンを確保することができ、配線層がコンタクトホール内において露出することがなく、良好な配線を行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁