「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide the method of processing a substrate which can remove chlorine efficiently and certainly without adding a chamber dedicated to removing remained chlorine on the substrate to an apparatus for processing the substrate which performs substrate processing such as dry etching using chlorine-based gas.例文帳に追加

ドライエッチングなど塩素系ガスを用いて基板処理を行う基板処理装置に、基板上の残留塩素除去専用のチャンバを追加することなく、効率的かつ確実に塩素除去できる基板処理方法を提供する。 - 特許庁

In this method of decomposing a package, a soft etchant 32 is made to easily permeate in an etching process by subjecting an optional surface of a decomposing object region A1 of an outer resin part 19 of a package device 10 to grinding work by a router to be roughened.例文帳に追加

パッケージ分解方法は、パッケージ装置１０の外側樹脂部１９の任意の分解対象領域Ａ１表面をルーターで研削加工し粗面とすることで、エッチング処理の際にソフトエッチング液３２が浸透し易くする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic element device with a high numerical aperture equivalent to an etching from a substrate surface, by which any expensive manufacturing apparatus and any additional process are not required, and any sticking is not generated, either.例文帳に追加

基板表面からのエッチングと同等の高い開口率の電子素子デバイスを製造する方法であって、高価な製造装置や追加の工程を要することなくしかもスティッキングを生じることもない方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing clogging in an outlet of a source gas by suppressing growth of an unnecessary SiC polycrystal formed in a place other than a crystal growth surface in a reaction vessel without using an etching gas.例文帳に追加

反応容器内において結晶成長面以外の場所に形成されてしまう不要なＳｉＣ多結晶の成長をエッチングガスによらずに抑制することにより、原料ガスの出口の詰まりを防止する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GaAs single crystal substrate, by which the generation of a columnar residual material in a via hole can be suppressed in a process for forming the via hole in a semiconductor substrate by dry etching; and to provide the GaAs single crystal substrate.例文帳に追加

ドライエッチングによる半導体基板へのビアホール形成プロセスにおいて、柱状の残留物をビアホール中に発生させないＧａＡｓ単結晶基板の製造方法及びＧａＡｓ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device which doesn't require post-processing like etching and is good for environment and is capable of enhancing the strength of substrates by eliminating flaws and cracks on surfaces, and a manufacturing method of the electro-optical device.例文帳に追加

エッチング処理のように後処理を必要とせず、環境にもやさしく、表面の傷やクラックを消滅させて基板の強度を向上できる電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of processing in high speed without damaging a conductive layer formed on an object to be processed when applying processes of etching or washing to the object to be treated having the conductive layer like FPC and ITO glass.例文帳に追加

ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。 - 特許庁

The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.例文帳に追加

スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁

In removing a resist after dry etching in the step of manufacturing a mask, this method has a step of irradiating light, before removing the resist and a step of removing the resist irradiated with light by a developer thereafter.例文帳に追加

マスク作製工程におけるドライエッチング後のレジスト剥離において、剥離前に光照射を行う工程及びその後現像液によって当該光照射を行ったレジストを剥離する工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method is provided with a stage of forming a light-emitting structure including a p-type electrode on an n-type substrate, a stage of etching the lower surface of the substrate and a stage of forming an n-type electrode on the etched lower surface of the substrate.例文帳に追加

ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a structure by anisotropic etching, which can reduce a rate of inferior goods of the structure by reducing such a possibility that a final shape of the structure is etched into a shape different from the target shape.例文帳に追加

構造体の最終形状が目標形状と異なる形状にエッチングされる可能性を低減して、構造体の不良品率を低減することができる異方性エッチングによる構造体の作製方法などを提供する。 - 特許庁

To provide a cutting and separation method of glass which can suppress generation of a glass cullet and cracks and glass breaking of a cutting and separation face during cutting, can cut and separate by short-time etching, and is excellent in production efficiency.例文帳に追加

切断時におけるガラスカレットの発生、並びに切断分離面のクラック及びガラス割れが抑制され、短時間のエッチングによって切断分離することが可能な生産効率の優れたガラスの切断分離方法の提供。 - 特許庁

In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.例文帳に追加

第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁

In this dry etching method, the primary rear surface of a silicon wafer W is covered with a thermal buffer film 20, and the primary front surface of the silicon wafer W is etched while the thermal buffer film 20 is cooled by blowing a cooling gas or the like.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法においては、シリコンウェーハＷの主裏面側を熱緩衝膜２０で覆い、その熱緩衝膜２０に冷却ガスを吹き付けるなどして冷却しつつシリコンウェーハＷの主表面をエッチングする。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, a silicon nitride film 112 in which a region corresponding to an element isolation region is opened is used as a mask, and a part of a silicon oxide film 111 and a semiconductor silicon substrate 110 is removed by sequential etching to form a trench 114.例文帳に追加

素子分離領域に対応する領域が開口されたシリコン窒化膜１１２をマスクとしてシリコン酸化膜１１１および半導体シリコン基板１１０の一部を順次エッチングにより除去してトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method of making a stamper which is ≥70° in the angle of inclination on the projecting flanks of a resist serving to be a mask in etching a substrate and is formed by direct mastering to regulate the angle of inclination on the projecting flanks of the stamper to ≥60° and an apparatus for the same.例文帳に追加

基板エッチング時のマスクとなるレジスト突起側面の傾斜角が７０゜以上あり、スタンパーの突起側面の傾斜角を６０゜以上とするダイレクトマスタリングによるスタンパー作製方法とその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a superior optical component-mounting substrate which has a plurality of grooves of different depth that can not be formed in the same etching process and is free of shift in relative position among the respective grooves, and its manufacturing method, and an optical module.例文帳に追加

同一のエッチングプロセスでは形成不可能な複数の異なった深さの溝を有し、且つ各溝の相対位置ずれが生じない、優れた光部品実装用基板及びその製造方法並びに光モジュールを提供すること。 - 特許庁

The microprobe guides 70, 71 having the plurality of grooves 72 are acquired by forming each elongate deep groove having the groove depth and the groove width corresponding to the height and the width of a shaft part of the microprobes 50, 51 by using an anisotropic dry etching method to a silicon plate.例文帳に追加

複数の溝７２を有するマイクロプローブガイド７０,７１は、シリコンプレートに異方性ドライエッチング法を用い、マイクロプローブ５０，５１の軸部の高さと幅に対応した溝深さと溝幅で細長く深い溝を形成して得られる。 - 特許庁

A method for forming wiring on a substrate comprises a process of preparing a copper substrate, a process of forming a copper-nickel layer on a portion of the copper substrate by plating, a process of bonding the copper substrate to a soft polyamide substrate, and a process of etching the copper substrate.例文帳に追加

基板に配線を形成する方法は、銅基板を用意すること、銅基板上の一部分に胴−ニッケル層をメッキすること、銅基板を軟ポリアミド基板に結合すること、および銅基板にエッチングをすることを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method where dry etching is performed using gas containing fluorine, and the formation of a damaged layer on the side wall of a wiring groove and the formation of a void in a Low-k film can be inhibited.例文帳に追加

フッ素含有ガスを用いてドライエッチングを行うとともに、配線溝側壁部でのダメージ層の形成およびＬｏｗ−ｋ膜中でのボイドの形成を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device, in which a storage electrode can be manufactured without being destroyed per se when the crown-type storage electrode is formed by wet etching in a capacitor having the crown-type storage electrode.例文帳に追加

王冠型の蓄積電極を有するキャパシタにおいて、ウエットエッチングを用いて王冠型蓄積電極を形成する際に、蓄積電極自身が倒壊することなく製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the etching selection ratio by forming an antireflection film using only a hydrocarbon gas, to form an antireflection film which can be easily removed and can be formed into a thin film at a low cost, and to provide a method for its application.例文帳に追加

炭化水素系ガスのみを使用して反射防止膜を形成することによって食刻選択比を改善し、除去しやすく、安価に薄膜を形成しうる反射防止膜の形成及び適用方法を提供する。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method, capable of stable etching having reproducibility, to reduce waveguide losses and to improve manufacturing yield and reliability, in a semiconductor laser device having an end surface window structure.例文帳に追加

端面窓構造の半導体レーザ素子において、再現性のある安定なエッチングを可能にする不純物拡散方法を提供するとともに、導波損失を低減させ、製造歩留まりおよび信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide an etching treatment method that can make easy adjustment of the degree of unevenness formed on the surface of a resin member and extend a lifetime of desmear liquid even when an immersion duration time of the resin member to be immersed into the desmear liquid is fixed.例文帳に追加

デスミア液に浸漬する樹脂部材の浸漬時間が一定時間であっても、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を容易に調整でき、且つデスミア液の液寿命を延長できるエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The convenient method for making a hole on a semiconductor substrate comprises a step for generating a crystal defect in a part of region on the semiconductor substrate, and a step for selectively etching the region where a crystal defect is caused.例文帳に追加

半導体基板上の一部の領域に結晶欠陥を発生させる工程と、前記結晶欠陥が発生した領域を選択的にエッチングする工程を用い、半導体基板上に簡便に穴部を形成する構成とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a transmission type phase shift photomask which efficiently manufactures the high-quality photomask which is free of roughness in an etching surface, is improved in the overlap accuracy of a resist pattern and a light shielding layer pattern and has excellent resolution property.例文帳に追加

エッチング面に荒れがなく、レジストパターンと遮光層パターンの重ね合わせ精度が向上した、解像性に優れた高品質なフォトマスクを効率よく製造する透過型位相シフトフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate need for etching of high melting point metal and to prevent deterioration in short-channel characteristics caused by diffusion of source and drain when a high melting point metal gate electrode is formed in a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、高融点金属ゲート電極を形成するに際し、高融点金属のエッチングを不要とし、また、ソース及びドレインが拡散して短チャネル特性を劣化させることがないようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can ensure a photolithography and etching margin during contact hole formation and can carry out good wiring without exposing a wiring layer inside a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホール形成時の写真製版およびエッチングのマージンを確保することができ、配線層がコンタクトホール内において露出することがなく、良好な配線を行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a planar CMOS transistor divides the step of forming the gate layer into a first step of patterning a resist layer with a first portion of the gate layer pattern and then etching the polysilicon with the pattern of the gates.例文帳に追加

プレーナＣＭＯＳトランジスタを形成する方法は、ゲート層を形成する工程を、ゲート層パターンの第一の部分でレジスト層をパターン形成し、次にゲートのパターンで多結晶シリコンをエッチングする第一の工程に分割する。 - 特許庁

An interlayer insulation film including lower layer wirings of the predetermined shapes is formed on a semiconductor substrate, and a first groove aperture and a first hole aperture are simultaneously formed by a half-etching method in the first photolithography process.例文帳に追加

所定の形状の下層配線を有する層間絶縁膜を、半導体基板上に形成し、一回目のフォトリソグラフィ工程で、第一の溝状開口部と第一の孔状開口部とをハーフエッチングにより同時に形成する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method wherein a side wall spacer shoulder part formed around a gate during a manufacturing process of a semiconductor device having an LDD structure is so removed as the upper part of gate is exposed with high dimension control precision.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する半導体装置の製造工程中にゲート周囲に形成する側壁スペーサ肩部を、高い寸法制御精度でゲート上部が露出するように除去するプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In this way, the linear bodies 6 and the microopenings 5 partitioned by the linear bodies 6 can be produced with exceedingly high dimensional precision and further with high positional precision compared with those by a production method according to etching working and laser machining.例文帳に追加

これにて、線状体６および該線状体６で区画される微小開口５を、エッチング加工やレーザー加工による作製する形態に比べて、格段に寸法精度良く、しかも位置精度良く作製することが可能となる。 - 特許庁

To provide a method and device for specular chamfering of a semiconductor wafer after being subjected to alkali etching, capable of shortening the polishing time for the whole chamfered surface area and producing a specular surface having a high surface accuracy.例文帳に追加

アルカリエッチング後の半導体ウエーハの鏡面面取りにおいて、面取り部全面の研磨時間を短縮し、面精度の高い鏡面に加工することができるウエーハの鏡面面取り方法並びに鏡面面取り装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a nonvolatile memory device that suppresses an increase in the number of steps while performing process using a plurality of hard masks corresponding to kinds of films when films of many kinds of materials are processed by etching.例文帳に追加

多数の種類の材質の膜をエッチングによって加工する際に、膜の種類に応じた複数のハードマスクで加工を行いながら、工程数の増加を抑えることができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition substrate which allows the reduction of a film thickness while dispensing with an etching step to reduce the cost, and deposits a thin film layer having an uneven structure on a depositing substrate surface, and also to provide a method for manufacturing the same, and a deposition device.例文帳に追加

膜厚の低下を図りつつ、エッチング工程を不要として低コスト化を図り、凹凸構造を有する薄膜層が被成膜基板表面に成膜された成膜基板、その製造方法、および成膜装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminate for forming a wiring substrate in which electric resistance is made low, patterning performance and moisture/heat resistance are made superior, to provide a method to form the wiring substrate by etching the laminate and to provide the wiring substrate.例文帳に追加

低抵抗でパターニング性能に優れ、かつ耐湿性・耐熱性の高い配線付き基体形成用の積層体、該積層体をエッチングして配線付き基体を形成する方法および得られた配線付き基板の提供。 - 特許庁

To provide a thin-film conductor pattern which can be made without etching an ITO film, and its manufacturing method, and provide a wiring structure object equipped with the thin-film conductor pattern and a planar heater.例文帳に追加

ＩＴＯ膜に対してエッチングを行うことなく作製できる薄膜状導体パターンおよびその製造方法を提供すること、その薄膜状導体パターンを備えた配線構造物および面状ヒーターを提供することにある。 - 特許庁

The forming method of a circuit pattern includes (1) a step to apply the aforementioned composition on a substrate, (2) a step to expose the photosensitive composition to light and then to develop, and (3) a step to perform wet etching of the substrate by using the pattern as a resist.例文帳に追加

回路パターン形成方法は、（１）基板上に上記感光性組成物を塗布する工程、（２）上記感光性組成物にパターン露光した後現像する工程、（３）該パターンをレジストとして基板をウエットエッチングする工程を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing the thin film transistor, a back channel portion is formed in the thin film transistor by conducting etching using a resist mask, the resist mask is removed by removal or the like, and a superficial part of the back channel portion is further etched.例文帳に追加

薄膜トランジスタの作製方法において、レジストマスクを用いてエッチングを行うことで薄膜トランジスタにバックチャネル部を形成し、このレジストマスクを剥離等により除去し、バックチャネル部の表層部に更なるエッチングを行う。 - 特許庁

To provide an apparatus and method capable of applying a film deposition treatment and an etching treatment to a member to be treated properly in a single chamber, thereby sufficiently applying a predetermined treatment to the member to be treated.例文帳に追加

１つのチャンバ内で被処理部材への成膜処理とエッチング処理とを適宜行って被処理部材に対して所定の処理を良好に行うことができる被処理部材の処理装置及び被処理部材の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for reversing a printed wiring board which prevents a cover film covering a non-etching part of the printed wiring board from being damaged and resulting in product defectives of the printed wiring boards.例文帳に追加

プリント配線板の非エッチング部を被覆するカバーフィルムに傷が付いてプリント配線板に製品不良が生じるのを防止することができるプリント配線板の反転装置及びプリント配線板の反転方法を提供する。 - 特許庁

The application of the AD method to the formation of the pressure chamber 52 improves the machining precision of the pressure chamber 52 and permits dimensional precision difficult to attain by other processing methods such as etching and realizes a variety of shapes of pressure chambers.例文帳に追加

圧力室５２の形成にＡＤ法を適用すると、圧力室５２の加工精度を上げることができると共にエッチングなど他の加工方法では困難な寸法精度が可能になり、様々な圧力室形状を実現できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.例文帳に追加

ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

Otherwise, the producing method forms a recess part on the side of the multi-layer pattern by producing the side etching beforehand, and then forms the protection part in the recess part by applying the positive photoresist on the substrate and the multi-layer pattern to be exposed and developed.例文帳に追加

あるいは、あらかじめサイドエッチングを発生させて多層膜パターンの側面に凹部を形成したのち、基板および多層膜パターン上にポジレジストを塗布して露光、現像することにより、前記凹部内に保護部を形成する。 - 特許庁

This method comprises the steps of growing a ferroelectric film on an electrode film, and thereafter effecting wet etching using a dilute acid solution containing 60 wt.% or less of an acid to remove a surface layer portion of the ferroelectric film.例文帳に追加

電極膜上に強誘電体膜を成長させた後に、６０重量％以下の希酸水溶液でウェットエッチングして強誘電体膜の表層部を除去することを特徴とする強誘電体膜の製造方法。 - 特許庁