「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

In view of controlling increase in the interface level at the silicon/silicon oxide film interface due to the influence of ultraviolet ray generated during the plasma etching process, a pulse time modulation plasma method for intermittently supplying the high-frequency electric power is introduced.例文帳に追加

このプラズマエッチング中に発生する紫外線の影響によるシリコン−シリコン酸化膜界面の界面準位の増加を抑止するため、高周波電力を間欠的に供給するパルス時間変調プラズマ法が用いられる。 - 特許庁

To provide a cast ingot prepared for manufacturing Fe-Ni system alloy sheet that can suppress abnormal wear of rolling rolls in cold rolling, keeping the etching characteristics and cost at worst at the same level as those of the conventional Fe-Ni alloy sheet and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

少なくとも従来のエッチング性とコストを維持しつつ冷間圧延時の圧延ロールの異常摩耗等を抑制したＦｅ−Ｎｉ系合金薄板製造用鋳塊および該鋳塊の製造方法の提供。 - 特許庁

In the surface treatment method for a lithium based magnesium alloy material, after degreasing, etching and surface control treatment, the surface of a lithium based magnesium alloy material is treated with a fluorine and aluminum-containing treatment solution.例文帳に追加

脱脂、エッチング及び表面調整処理を行った後に、リチウム系マグネシウム合金材の表面に、フッ素及びアルミニウム含有処理液で処理することを特徴とするリチウム系マグネシウム合金材の表面処理方法である。 - 特許庁

A method for defining a pattern includes etching the pattern through a photoresist into a substrate, heating the patterned substrate to a temperature sufficient to ash the photoresist and provide a residue, and removing the residue by bringing the residue into contact with the cleaning composition.例文帳に追加

バターンの規定方法は、フォトレジストを通した基材へのパターンのエッチング、フォトレジストが灰化するのに充分な温度にパターン化された基材を熱すること、および該クリーニング組成物と残渣が接触することによる除去を含む。 - 特許庁

When the semiconductor substrate 2 is to be machined from a main-surface side, the machining by the plasma CVM method and the mechanical polishing using the grinding wheel 1 are combined, an interlayer insulating film and wiring that have different etching rates are machined uniformly.例文帳に追加

半導体基板２を主面側から加工する場合においては、プラズマＣＶＭ法による加工と砥石車１による機械的な研磨とを複合させて、エッチングレートの異なる層間絶縁膜と配線とを均一に加工する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an antenna pattern with which characteristics of the antenna pattern can be accurately measured even if an aluminum layer is residual around the antenna pattern when forming the antenna pattern by means of etching.例文帳に追加

アンテナパターンをエッチングにより形成する際に、アンテナパターンの周囲にアルミニウム層を残存させた場合であっても、アンテナパターンの特性を正確に計測することができるアンテナパターンの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for modifying the surface of the amorphous carbon film includes a step for etching the surface 21 of an amorphous carbon film 2 by using an inert gas and a step for treating the etched surface 21 of the amorphous carbon film 2 by using a silane coupling agent.例文帳に追加

不活性ガスを用いて非晶質状炭素膜２の表面２１をエッチング処理するステップと、エッチング処理された非晶質状炭素膜２の表面２１を、シランカップリング剤を用いて表面処理するステップとを含む。 - 特許庁

To provide an ion beam etching method in which ESD (electrostatic damage) can be prevented from being generated by suppressing fluctuations in substrate potential regardless of the type of shape and conductivity of the shutter in a shutter device.例文帳に追加

シャッターの形状や導電性などシャッター装置の種類に関わらず、基板電位の変動を抑制し、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏsｔａｔｉｃ Ｄａｍａｇｅ）の発生を防ぐことができるイオンビームエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor laser element having a ridge stripe 9, after the formation of the ridge stripe 9, an insulating mask 8 containing Si is oxidized using an etching solution containing hydrogen peroxide to inactivate the surface treatment.例文帳に追加

リッジストライプ９を有する半導体レーザ素子の製造方法において、リッジストライプ９を形成後、過酸化水素水を含むエッチング液を用いてＳｉを含む絶縁マスク８を酸化処理して、この表面処理を不活性化にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of selectively etching the predetermined structure by protecting a semiconductor substrate even though an arrangement density and a size of the structure formed on the semiconductor substrate are nonuniform.例文帳に追加

半導体基板の上に形成された構造体の配置密度や大きさに不均一性があっても、半導体基板を保護しながら所望の構造体を選択的にエッチングすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the same comprises the steps of forming the multilayer film on the EUV mask substrate, forming the light absorption layer on the multilayer film, and forming an opening for penetrating through the absorption layer up to the multilayer film by etching.例文帳に追加

この方法はＥＵＶマスク基板上に多層膜を形成し、この多層膜上に光吸収層を形成し、そしてエッチングにより前記多層膜まで前記光吸収層を貫通する開口を形成する工程を含む。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device provided with backside electrodes for external connection using a lead frame having a circuit formed only by a simple etching work or a stamping work, and to provide a manufacturing method of backside electrodes for external connection therefor.例文帳に追加

単なるエッチング加工、或いはスタンピング加工のみで回路形成したリードフレームを用いて裏面に外部接続用裏面電極を備えた半導体装置及びその外部接続用裏面電極の形成方法を得ること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device with superior performance, protecting from crystal defect being introduced in a semiconductor film, as well as repeatedly and controllably etching the semiconductor film used for the semiconductor apparatus.例文帳に追加

半導体装置に用いられる半導体膜を再現性よく、かつ制御性よくエッチングするとともに、半導体膜中に結晶欠陥が導入されるのを防ぎ、優れた性能を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises decreasing the copper foil thickness to 30%-60% of an original thickness with a cupric chloride etchant at first, and further etching it with the alkali persulfate etchant to decrease the thickness to 5%-75% of the original thickness.例文帳に追加

先ず塩化第二銅系エッチング液を用いて元の銅箔厚みに対して３０％〜６０％の厚みにした後、過硫酸アルカリ塩エッチング液を用いて更にエッチングを行い、銅箔の厚さを元の５％〜７５％にする。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous method for efficiently producing a perfluoroalkyne compound useful as a raw material for producing gas for plasma reaction, a fluorine-containing polymer, a medicine and an agrochemical or as an etching agent useful in a semiconductor production process.例文帳に追加

プラズマ反応用ガス、含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料または半導体製造工程で使用されるエッチング剤などとして有用であるパーフルオロアルキン化合物を効率良く、工業的に有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁

This method for electroless plating includes dividing a precipitation process into several steps, and removing the catalyst of the part in which the plated layer has not been formed, between every steps by either one or both of washing or chemical etching.例文帳に追加

また、無電解メッキの処理において、メッキ析出を複数の段階に分け、各段階の中間工程でメッキ層が形成されない部分の触媒を洗浄及び化学的エッチングのいずれか一方または両方によって除去する。 - 特許庁

The method is for controlling the surface flatness of a quartz glass substrate, where the quartz glass substrate is set in a hydrogen radical etching apparatus and hydrogen radicals work on the quartz glass substrate to control the surface flatness by a subnanometer level.例文帳に追加

石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 - 特許庁

Its method includes a process to expose a portion of the base semiconductor layer removed by etching a portion of an uppermost layer of the semiconductor layers, and a subsequent process to grow a semiconductor on the exposed portion of the base layer.例文帳に追加

その方法は、半導体層の最上部層の一部分をエッチング除去して、ベース半導体層の一部分を露出させる工程と、次いでベース層の露出させた部分上に半導体を成長させる工程とを含む。 - 特許庁

To form a circuit pattern of a micro semiconductor element by a method wherein the thickness of a photoresist is made thin, and a high etching selectivity ratio is made possible between the photoresist and the lower thin film to be etched.例文帳に追加

フォトレジストの厚さを薄くし、フォトレジストとエッチングされる下部薄膜との間で高いエッチング選択比を実現することで微細な半導体素子の回路パターンを形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric capacitor of a semiconductor element where an electrode can be formed without performing a patterning of a capacitor electrode by etching, process is stabilized and a parasitic capacitance is suppressed.例文帳に追加

エッチングによるキャパシタ電極のパターニングを行わずに電極を形成することができ、かつ工程の安定性及び寄生キャパシタンスの抑制が可能である半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist removing and rinsing method for a semiconductor substrate by which resist residue produced after dry etching is thoroughly removed and the corrosion of a metallic electrically conductive film of Al, Al alloy or the like can be satisfactorily prevented.例文帳に追加

ドライエッチング後に発生するレジスト残渣を完全に除去し、さらに、アルミニウムあるいは，アルミニウム合金等の金属導電膜の腐食を良好に防止することができる半導体基板のレジスト剥離、リンス方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the wiring structure includes an etching step to selectively etch a first cap film and a step to form a second cap film made of SiOC or SiO_2 to cover the upper surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

また、かかる配線構造の製造方法が、第１キャップ膜を選択的にエッチングするエッチング工程と、半導体基板の上面を覆うように、ＳｉＯＣまたはＳｉＯ_２からなる第２キャップ膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of measuring electrical characteristics of TEG (Test Element Group) provided to a semiconductor substrate even when the surface of a measuring pad is damaged by etching a UBM (Under Bumping Metal) layer, and also a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

測定用パッドの表面がＵＢＭ層エッチングによって損傷を受けても、半導体基板に設けられたＴＥＧの電気的特性の測定が可能な半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing method for forming an opening, which is used for imprinting on etching objective film, on a mask film or an intermediate film while allowing the size of the opening satisfy a requirement for miniaturization of a semiconductor device with respect to a substrate to be processed.例文帳に追加

処理対象の基板に対し、半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口部であって、エッチング対象膜に転写するための開口部をマスク膜又は中間膜に形成する基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The objective etching method comprises alternately introducing a reactive gas and an inert gas into a reaction chamber 1 in a pulsed way, and applying a high-frequency power to a stage 4, only when introducing the inert gas into the reaction chamber 1.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、反応性ガスと希ガスとを交互にパルスで反応室１内に導入し、希ガスを反応室１内に導入するときにのみステージ４に高周波電力を印加することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayer circuit board that can easily align a land and a via hole, and that can improve defects during mounting a semiconductor device due to etching-thinnings of minute wiring patterns, thereby manufacturing the multilayer circuit board having excellent reliability and reducing electric connection resistance.例文帳に追加

ランド部とビアホールの位置合わせが容易であり、また微細配線パターンのエッチング細りによる半導体実装時の不具合を改善でき、電気的接続抵抗値を低減できて信頼性に優れたものとする。 - 特許庁

By this method, fine particles can be two-dimensionally arrayed in a closest packed state in fine regions arrayed by self organization of di-block copolymers, and the array body exhibits excellent performance as an etching mask for forming a thin film pattern.例文帳に追加

この方法によれば、ジブロックコポリマーの自己組織化されて配列された微小領域に微粒子を二次元的に最密充填することができ、薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクとして優れた性能を示す。 - 特許庁

To provide a substrate material for magnetic head, a substrate for magnetic head, and a manufacturing method of a head slider and the substrate for magnetic head, which improves the surface smoothness of an etching surface, and reduces the level difference of an air bearing surface.例文帳に追加

エッチング面の表面平滑性の向上、およびエアベアリング面の段差の低減を図ることができる磁気ヘッド用基板材料、磁気ヘッド用基板、ヘッドスライダおよび磁気ヘッド用基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method repeats the following processes of: depositing a silicon dioxide (SiO_2) film at a prescribed thickness using a cathode CVD device as shown in Fig. 1; and removing an overhang growing from a corner of the core by chemical etching using gas with H_2 as a major component.例文帳に追加

図１に示すカソードCVD装置を用いて、二酸化珪素（SiO_2）膜を所定の厚さに形成する工程と、コアのコーナーから成長するオーバーハングをH_2を主体とするガスで化学的エッチングにより除去する工程を繰り返す。 - 特許庁

To provide a conveyance table without deforming or breaking a metal ribbon [or a TAB (tape automated bonding) tape] when the metal ribbon (or the TAB tape) is conveyed and etched during its conveying, and to provide a conveying method capable of preventing an etching liquid from being accumulated.例文帳に追加

金属リボン（又はＴＡＢテープ）を搬送する際、搬送中にエッチングする場合に、金属リボン（又はＴＡＢテープ）の変形や破損を生じさせない搬送テーブル及びエッチング液溜まりを防ぐ搬送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device that prevents the whisker- like protrusions of an upper layer film due to side etching of a lower layer film when the surface electrode wiring of a semiconductor device is to be formed, and to provide a method for manufacturing the reliable semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の表面電極配線を形成する際、下層膜がサイドエッチされることによる上層膜のヒゲ状張り出しのない、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide colloidal silica for use in mirror surface polishing for a semiconductor wafer, which can obtain good surface roughness while suppressing excessive etching occurred on the surface of the semiconductor wafer and maintaining a high polishing speed, and to provide a method for producing the colloidal silica.例文帳に追加

半導体ウエハ表面に生じる過剰エッチングを抑制し、かつ高い研磨速度を維持しつつ、良好な面粗さが得られる半導体ウエハの鏡面研磨用コロイダルシリカおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including metal gate MISFETs suitable to an nMOS and a pMOS differing in work functions without causing a gate insulating film to deteriorate by exposure to an atmosphere, etching liquid of a metal electrode, etc.例文帳に追加

ゲート絶縁膜が大気やメタル電極のエッチング液等に曝されて劣化することなく、仕事関数の異なるｎＭＯＳ、ｐＭＯＳに適したメタルゲートＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist pattern surface modifying method which can increase the polymerization and the carbon-carbon bonding density and improve the etching resistance on the outermost surface of the resist layer without degrading the resist peeling on the adhering surface on the plate, and also to provide an imprinting method, a magnetic recording medium, and its manufacturing method.例文帳に追加

基板との接合面におけるレジストの剥離性を損うことなく、レジスト層の少なくとも最表面部分の重合率、炭素−炭素結合密度が増加し、エッチング耐性を高めることができるレジストパターンの表面改質方法及びインプリント方法並びに磁気記録媒体及び該磁気記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for cleaning deposition film forming device, by which a high-quality deposited film of, particularly, high quality electrophotographic sensitive material can be obtained stably, by efficiently removing by-products in a reaction vessel, a dry etching method, and to provide a method of manufacturing article including a step of executing either of the methods.例文帳に追加

反応容器内の副生成物を効率的に除去することができ、高品質の堆積膜、特に高品質の電子写真感光体を安定して得ることが可能な堆積膜形成装置のクリーニング処理方法、ドライエッチング方法、およびこれらの方法のいずれか一方を行う工程を含む物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, a method of manufacturing a BEOL interconnection structure includes (i) a method of forming a high-density TDL in an opening of the ULK dielectric bored by etching, and (ii) a method of arranging the ULK dielectric in a process chamber on a cold chuck, putting a seal agent into the process chamber and further performing an activating step.例文帳に追加

また、後工程相互接続構造の作製方法が開示され、この方法は、（ｉ）超低Ｋ誘電体のエッチングされた開口に高密度薄膜誘電体層を生成する方法、および（ｉｉ）超低Ｋ誘電体を低温チャック上でプロセス・チャンバ中に配置し、封止剤をプロセス・チャンバに加え、さらに活性化ステップを行なう方法を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.例文帳に追加

半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁

The composite material 6 for the transfer method is produced by a method for bonding a strip material wherein the carrier material 1 and the barrier material 2 are laminated and the wiring forming material 2 under pressure to form a composite strip or a method subjecting the bonding surfaces of the barrier material 2 and the wiring forming material 3 to ion etching to laminate and bond both materials by rolling.例文帳に追加

また、本発明の転写法用複合材の製造方法としては、キャリア材とバリア材を積層した帯材と、配線形成材とを圧着して複合帯とする転写法用複合材の製造方法や、バリア材と配線形成材の接合面がイオンエッチングされた後、圧延により積層接合する転写法用複合材の製造方法である。 - 特許庁

This is a method of regenerating a semiconductor wafer which comprises steps of removing a surface coating layer from the semiconductor wafer by chemical etching, removing a small amount of one surface of the semiconductor wafer by machining, removing an alteration layer generated during the machining by chemical etching and mirror-polishing the other surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ基板を再生する方法であって、前記半導体ウエハ基板の表面被膜層を化学エッチングにより除去する工程；前記ウエハ基板の一方の面を機械的加工により小量除去する工程；前記機械的加工によって生じた変質層を化学エッチングにより除去する工程；及びウエハ基板の他方の面を鏡面研磨する工程とを含むウエハ基板の再生方法である。 - 特許庁

This manufacturing method of the optical waveguide for forming the optical waveguide in an oxide compound substrate includes first process of forming the optical waveguide in the oxide compound substrate by dry etching process, and a second process of re-coupling the oxygen damaged by the dry etching process by applying heat treatment to the oxide compound substrate having the optical waveguide in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

酸化物化合物基板に光導波路を形成する光導波路の製造方法において、ドライエッチングプロセスにより、前記酸化物化合物基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記光導波路が形成された前記酸化物化合物基板を、酸素雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記ドライエッチングプロセスで欠損した酸素を再結合させる第２の工程とを備えた。 - 特許庁

The present method comprises providing a substrate in which a resistance heater for heating ink is formed, forming a shallow first trench communicating with an ink chamber to be formed later on a first surface of the substrate in which the resistance heater is formed through a wet or dry etching step, and forming a deep second trench communicating with the first trench and penetrating the substrate on a second surface through a dry etching step.例文帳に追加

本方法は，インク加熱用の抵抗発熱体を形成した基板を準備し，湿式または乾式エッチング工程を介して抵抗発熱体が形成された基板の第１面に後で形成されるインクチャンバと連通する浅めの第１のトレンチを形成し，乾式エッチング工程を介して基板の第２面に第１のトレンチと連通し基板を貫通する深めの第２のトレンチを形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor element includes the steps of forming a first insulation film on a semiconductor substrate; forming a plurality of stepped portions by an etching portion of the first insulation film, forming a conductive layer on the first insulation film, in such a manner as to cover the stepped portions; and etching a portion of the conductive layer that covers the step portions.例文帳に追加

本発明に係る半導体素子の製造方法は、半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の一部をエッチングして複数段の段部を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に前記段部を覆うように導電層を形成する工程と、前記導電層の前記段部を覆う部分をエッチングする工程と、を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

To accurately detect an end point of plasma etching in a process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film, in a method of manufacturing a mask for extreme ultraviolet exposure including the process of forming a pattern on an extreme ultraviolet absorption film by performing plasma etching using a gas containing carbon (C) to the extreme ultraviolet absorption film using a substrate having the extreme ultraviolet absorption film formed of a material containing Ta and N.例文帳に追加

ＴａとＮを含有する材料からなる極端紫外線吸収膜を有する基板を用い、前記極端紫外線吸収膜に対して炭素（Ｃ）を含むガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、前記極端紫外線吸収膜にパターンを形成する工程を有する極端紫外線露光用マスクの製造方法において、前記工程でのプラズマエッチングの終点を高精度に検出する。 - 特許庁

The etching method is designed to process an Au film (processed layer) 5 formed on a crystal substrate (substrate) 2 into a predetermined shape, wherein the Au film 5 is etched into a plurality of SAW patterns 3 as the predetermined shape, and during the etching, the crystal substrate 2 is arranged with the side of the Au film 5 down in a state wherein the crystal substrate 2 is dipped in an etchant 21.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor element includes a step of successively laminating a polysilicon film and an oxide film on a silicon carbide wafer; a step of forming a trench on the silicon carbide wafer by reactive ion etching using these films as a partially open masking material to have the polysilicon film retreated to expose an upper end corner of the trench; and a step of rounding the upper end corner by etching.例文帳に追加

炭化珪素ウェハー上にポリシリコン膜と酸化膜を順次積層する工程と、これらの膜を一部が開口したマスク材として反応性イオンエッチングにより炭化珪素ウェハーにトレンチを形成し、ポリシリコン膜を後退させて前記トレンチの上端コーナーを露出させる工程と、エッチングにより前記上端コーナーを丸める工程と、を有する炭化珪素半導体素子の製造方法とする。 - 特許庁