「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a composition for forming an antireflection film which suppresses the flocculation and settling of a light absorbing antireflection component and ensures the desired antireflection effect and etching resistance, and a method of producing a semiconductor device using the composition.例文帳に追加

光吸収性反射防止成分の凝集および沈降を抑制し、所望の反射防止効果やエッチング耐性を得ることができる反射防止膜形成用組成物と、これを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This is the method in which a mask 23 is formed having a plurality of patterns 23a arranged on a plate board 11 by respectively conducting etching 21 on a plurality of mask membranes formed on the plate board 11 having a region consisting of the material containing the carbon.例文帳に追加

この方法は、炭素を含む材料から成る領域を有する基板１１上に形成された複数のマスク膜のエッチング２１をそれぞれ行って、基板１１上に配列された複数のパターン２３ａを有するマスク２３を形成する。 - 特許庁

To provide a norbornene copolymer for a photoresist which has transparency, high sensitivity, high resolution and etching resistance in order to be suitable for fine fabricating ultrahigh integrated semiconductor by excimer laser; a method for producing the same; and a photoresist composition containing the same.例文帳に追加

超高集積半導体のエキシマレーザ微細加工に適するように、透明性、高感度、高解像度及びエッチング耐性を有するフォトレジスト用ノルボルネン共重合体、その製造方法及び逸れを含むフォトレジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

The manufacturing method of element comprises a process for forming the aluminum alloy film on a substrate to form the wiring circuit by etching the aluminum alloy film, the aluminum alloy film is formed and, thereafter, the surface of aluminum alloy film is oxidized.例文帳に追加

基板上に、アルミニウム合金膜を形成し、当該アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備える、素子の製造方法において、アルミニウム合金膜を形成後、アルミニウム合金膜表面を酸化させるものとした。 - 特許庁

A II-VI semiconductor superlattice 1 is formed on a substrate 2 by a molecular beam epitaxy method, part of the substrate 2 is removed by etching to expose the semiconductor superlattice 1 to the substrate 2 side and an optical antireflection film 3 is formed on the exposed face.例文帳に追加

分子線エピタキシー法を用いて基板２上にII−VI族半導体超格子１を形成し、基板の一部をエッチングにより除去して半導体超格子１を基板２側に露出させ、この露出面に光反射防止膜３を形成した。 - 特許庁

To provide a method capable of depositing a plating film having high adhesiveness without performing etching with acid containing heavy metal such as chromic acid on a resin molded body having sufficient performance when used for car parts.例文帳に追加

自自動車部品等として使用し得る十分な性能を有する樹脂成形体に対して、クロム酸などの重金属を含む酸によるエッチング処理を行うことなく、高い密着性を有するめっき皮膜を形成可能な方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the field emitter allay includes a process of forming a crystalline material having hexagonal symmetric structure so as to form a dislocation, and a process of forming the nano chip at every dislocation by etching the crystalline material.例文帳に追加

本発明にかかるフィールドエミッターアレイの製造方法は基板上に六方対称結晶構造を有する結晶材料を転位が起こる様に形成する工程と、前記結晶材料をエッチし各転位でナノチップを形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method which can stably etch without adopting the above-mentioned remedy without changing the etching speed even when a basic etchant is used repeatedly when a silicon is anisotropically etched by using the basic etchant.例文帳に追加

塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and a device for plasma etching capable of controlling types or density of radical species and ion species existing in plasma, generating plasma suitable for processes, and switching plasma states by presence/absence of irradiation of light.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the processes of selectively etching a semiconductor layer structure, produced with nitride material-based; and of making the semiconductor layer structure include an aluminum-containing cladding region or an aluminum-containing light guide region.例文帳に追加

本発明の半導体発光素子の製造方法は、窒化物材料系で製造された半導体層構造体を選択的にエッチングする工程と、アルミニウム含有クラッド領域またはアルミニウム含有導光領域を含ませる工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a fine pattern, exhibiting superior adhesion between an aromatic polyamide film and a metal layer, while facilitating etching in a two-layer substrate for flexible print circuit that employs an aromatic polyamide film.例文帳に追加

本発明の目的は、芳香族ポリアミドフィルムを用いた２層型フレキシプルプリント回路用基板において、該芳香族ポリアミドフィルムと金属層の密着性に優れ、かつエッチングが容易で微細パターンの形成を可能とする方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method for processing a semiconductor wafer, which can planarize the entire surface with high accuracy and can process it with high throughput, and also to provide a plasma etching apparatus which can be used for processing of such a semiconductor wafer.例文帳に追加

ウエーハ表面全体にわたって高精度に平坦化することができるとともに、高いスループットで処理することができる半導体ウエーハの加工方法、及びそのような半導体ウエーハの加工に使用できるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide an etchant performing etching of copper or a copper alloy which suppresses the decomposition of hydrogen peroxide comprised therein, is economical, and has excellent liquid stability, and to provide a method for stabilizing hydrogen peroxide contained in an etchant.例文帳に追加

銅または銅合金をエッチングするエッチング液に関して、エッチング液に含まれる過酸化水素の分解を抑制し、経済的かつ液安定性に優れたエッチング液、また、エッチング液に含まれる過酸化水素を安定化させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate having excellent physical properties such as excellent dry etching resistance in a semiconductor production process and useful as a semiconductor resist material in high pyrity and yield.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおいてドライエッチング耐性が優れている等、優れた物性があり、半導体レジスト材料として有用な化合物である２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートを高純度、高収率で製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The extrusion head includes fluidic channels having a flat surface formed by a flat first sheet, and an oblique surface formed by elongated oblique trenches that are formed by etching or other method formed on a second sheet.例文帳に追加

押し出しヘッドは、平らな第１のシートによって形成された平らな表面、及び、第２のシートにエッチング或いは別の方法により形成された細長い傾斜トレンチによって形成された傾斜した表面を有する流体チャネルを含む。 - 特許庁

To provide a method for recovering high purity cerium compound in high yield in a short time, to be concrete, recovering cerium as cerium (IV) ammonium nitrate from acid solutions containing cerium, e.g. etching waste fluids and the like.例文帳に追加

セリウムを含む溶液から高純度なセリウム化合物を、短時間に、高収率で回収する方法、具体的にはエッチング廃液等のセリウムを含有する酸性溶液からセリウムを硝酸アンモニウムセリウム（IV）として回収する方法を提供すること。 - 特許庁

A method of forming a wiring circuit using an aluminum alloy simultaneously performs resist layer developing treatment and aluminum alloy film etching treatment using a developer upon the aluminum alloy film in which resist layers are stacked.例文帳に追加

本発明は、アルミニウム系合金により配線回路を形成する方法であって、レジスト層が積層されたアルミニウム系合金膜に対して、レジスト層の現像処理とアルミニウム系合金膜のエッチング処理とを、現像液により同時に行うことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for effectively manufacturing a Fe-Ni alloy for a shadow mask, which prevents a generation of streaking on boring by etching, to provide the Fe-Ni alloy for the shadow mask the shadow mask and a color picture tube.例文帳に追加

エッチングによる穿孔時に生ずるスジむらを抑制し得るシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金素材を効率よく製造する方法、スジむらの発生を抑制したシャドウマスク用Ｆｅ−Ｎｉ合金素材、シャドウマスク、カラー受像管を提供する。 - 特許庁

This method for patterning the thin film consists in spraying an etching liquid ETL at a low flow rate from a direction approximately perpendicular to a liquid crystal panel substrate SUB1 formed by coating the conductive thin film with a resist mask of prescribed opening patterns while rotating the liquid crystal panel substrate at a high speed.例文帳に追加

導電性薄膜を所定の開口パターンのレジストマスクで被覆した液晶パネル基板ＳＵＢ１を高速回転させながら当該液晶パネル基板に対して略直角な方向からエッチング液ＥＴＬを低流量スプレーする。 - 特許庁

To provide a composition for forming a resist underlay film, from which a resist underlay film having excellent etching durability can be formed, and the composition which has excellent filling performance for a stepped substrate and generates less outgas during forming a resist underlay film, and to provide a pattern forming method.例文帳に追加

優れたエッチング耐性を有するレジスト下層膜を形成でき、段差のある基板に対する埋め込み性能に優れ、レジスト下層膜形成時のアウトガスの少ないレジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a coating liquid for forming an intermediate layer of a multilayer resist, the coating liquid having high dry etching durability, causing no mixing or dissolution with other layers, and capable of preventing a stationary wave effect by UV absorption, and to provide a method for forming a pattern using the coating liquid.例文帳に追加

ドライエッチング耐性が高く、他層とのミキシングや溶解を起こさず、また紫外光吸収により定在波効果を防ぐことのできる多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of forming a capacitor in which the generation of a leakage current is suppressed by reducing the adhesion of reactive products to the sidewall of a pattern in the processing of an FeRAM device capacitor, capable of suppressing the generation of foreign substance and suitable for device mass production.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭデバイスキャパシタ部の加工において、パターン側壁への反応生成物付着を低減して漏れ電流が生じないキャパシタ部を形成し、かつ異物の発生が少なくデバイス量産性に適したエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a master carrier for magnetic transfer, its manufacturing method, and a magnetic recording medium in which it is possible to prevent erosion of a transfer pattern by an etchant in a wet etching process of shaping a master into substantially a doughnut shape in a master fabricating process.例文帳に追加

マスター作製工程でマスターを略ドーナッツ形状に加工するウエットエッチング工程でのエッチング液の転写パターンへの侵食を防ぐことができる磁気転写用マスター担体及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition, excellent in light transmissivity, excellent in dry-etching tolerance, high in reaction efficiency by an acid catalyst, and excellent in adhesiveness to a substrate, and a pattern forming method giving an excellent pattern shape.例文帳に追加

光透過性に優れ、ドライエッチング耐性に優れ、酸触媒による反応効率が高く、かつアルカリ溶解性、基板との密着性に優れる感光性組成物と、表面粗さの小さい、優れたパターン形状が得られるパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, with which patterning accuracy, a sputtering film deposition distribution and/or an etching distribution can be improved, a wafer suction defect in a vacuum chuck or electrostatic chuck can be prevented, and a yield can be improved.例文帳に追加

パターニング精度、スパッタ成膜分布及び／又はエッチング分布を向上させ、さらに、真空チャック又は静電チャックにおけるウエハの吸着不良を防止でき、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method in which light is radiated on a part of a titanium (Ti) metal formed on a layer to be etched to form a titanium oxide(TiOx) film, and then a pattern is formed on the layer to be etched using the difference of the etching rates.例文帳に追加

エッチング対象層上に形成されるチタン（Ti）金属の一部に光を照射してチタン酸化物（TiOx）膜を形成した後、そのエッチング速度の差を利用してエッチング対象層にパターンを形成するパターン形成方法を提供しようとする。 - 特許庁

The manufacturing method of such a high quality wafer Al_xGa_yIn_zN may include a wrapping step, a mechanical polishing step, and a step for lowering the internal stress of a wafer by thermal annealing or chemical etching for enhancing the surface quality furthermore.例文帳に追加

このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。 - 特許庁

To provide a mold which is used for obtaining a molding having a protective wall provided around a molding surface with a transferred mold pattern and where the mold pattern is formed by using photolithography and an etching technology, and its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、金型パターンが転写された成型面の周囲に保護壁を有した成型物を得るための金型であって、金型パターンがフォトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて形成された金型、及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing high resolution shadow mask and a lead frame which does not use chrome compounds involving the burden on the environment, and use a high resolution water-soluble photosensitive resin which is excellent in etching resistance and adhesiveness to a metal substrate.例文帳に追加

環境負荷を伴う有害なクロム系化合物を使用しない耐エッチング性、金属基板への接着性が優れた、高解像度の水溶性感光性樹脂を使用した高解像度のシャドウマスクおよびリードフレームの製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of processing a semiconductor substrate so that it may be possible to fulfill acceptability about dopant quantity and dopant position, a method of processing the semiconductor substrate so that an extremely thin oxide film with excellent characteristics and excellent uniformity can be manufactured, and a method of processing the semiconductor substrate so that etching of a reactant of silicon and silicon oxide can be controlled carefully.例文帳に追加

ドーパント量およびドーパント位置に関する許容性を満たすことが可能なように半導体基板を処理する方法、非常に薄い酸化膜を優れた特性および優れた均一性で製造することができるように半導体基板を処理する方法、シリコンおよび酸化シリコンの反応物のエッチングを慎重に制御できるように半導体基板を処理する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an opal finishing ink set and a manufacturing method of an opal-finished fabric using it allowing stable and continuous processing by an inkjet method and producing an opal-finished fabric, wherein acid-resistant fiber such as silk and synthetic fiber and cellulose fiber such as cotton and rayon are used together while etching and dyeing are carried out by the inkjet method, with good design.例文帳に追加

インクジェット方式による安定した連続加工が可能であり、かつ、インクジェット方式により抜蝕と染色がなされ、意匠性に優れた、絹や合成繊維等の耐酸性繊維と綿やレーヨン等のセルロース系繊維との混用布帛のオパール加工布帛を得ることが出来る、オパール加工用インクセットおよびそれを用いたオパール加工布帛の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The method locally controls the electrical potential of a semiconductor structure or a device, and thereby locally controls lateral and/or vertical photoelectrochemical (PEC) etching rates by the appropriate placement of electrically resistive layers or layers that impede electron flows in the semiconductor structure, and/or by disposing a cathode in contact with a specific layer of the semiconductor structure during PEC etching.例文帳に追加

上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes steps of: forming a plug conductive film on an entire surface of the substrate; etching the plug conductive film so as to form a landing plug; etching the substrate between landing plugs so as to form a trench; forming a gate insulating film on a surface of the trench; and forming the buried gate for burying part of the trench on the gate insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、基板の全面にプラグ導電膜を形成するステップと、前記プラグ導電膜をエッチングしてランディングプラグを形成するステップと、前記ランディングプラグ間の基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチの表面上にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上に前記トレンチの一部を埋め込む埋め込みゲートを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the microlens substrate includes steps of: forming a rear mask 81 having polygonal opening holes 81b, on a lens substrate 24; anisotropically etching the lens substrate 24 through a fixed mask 82 and the rear mask 81 to form recesses 24a each having an inclined surface inclining from the polygonal mouth to the terminal, in the lens substrate 24; and isotropically etching the recesses 24a to form the microlenses on the lens substrate 24.例文帳に追加

レンズ基板２４上に多角形の開口孔８１ｂを有する後退マスク８１を形成する工程と、固定マスク８２と後退マスク８１とを介してレンズ基板２４に異方性エッチングを施し、レンズ基板２４に多角形の口元から終端に向かって傾斜する傾斜面を有する凹部２４ａを形成する工程と、凹部２４ａに等方性エッチングを施してレンズ基板２４にマイクロレンズを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.例文帳に追加

別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method of recovering copper ions as copper oxide is provided by adding an alkali into the mixed water in the presence of an oxidizing agent to exist or by adding the oxidizing agent to the mixed water and forming copper hydroxide by addition of the alkali from the liquid mixture composed of the waste water of etching and the thick waste liquids of etching containing high contents of copper chloride.例文帳に追加

エッチング排水と塩化銅含有濃厚エッチング廃液の混合液から銅を酸化銅として回収するに際し、該被処理水中に酸化剤を存在させた状態で、排水中にアルカリを添加すること、もしくは、アルカリを添加して水酸化銅を生成させた状態で酸化剤を添加することにより、エッチング排水中に含まれる銅イオンを酸化銅として不溶化させることを特徴とする銅イオンを回収する方法。 - 特許庁

This method comprises processes for: alternately laminating multiple semiconductor layers with different etching rates; patternizing the laminated semiconductor layers through the dedicated masks; selecting and etching at least one kind of semiconductor layer to form an air gap and forming a mesa structure made up of residual semiconductor layers; and evaporating the materials with good thermal conductivity to pad the air gap.例文帳に追加

半導体基板上にエッチング比の異なる２種以上の半導体層を交互に積層する工程と、所定のマスクを用いて、積層された半導体層をパターニングする工程と、少なくとも１種以上の半導体層を選択エッチングしてエアギャップを形成することにより、残留した半導体層からなるメサ構造が形成されるようにする工程と、エアギャップが埋め込まれるように、伝熱特性の良好な物質を蒸着する工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes a process in which the metal film is etched by a first reactive etching with the resist pattern as a mask to form a metal film pattern, a process where a transparent substrate is etched by a second reactive etching with the resist pattern and the metal film pattern as masks to form a pattern on the transparent substrate, and a process for removing the metal film pattern.例文帳に追加

第１の反応性エッチングにより前記金属膜を前記レジストパターンをマスクとしてエッチングし金属膜パターンを形成する工程と、第２の反応性エッチングにより前記透過性基板を前記レジストパターンと前記金属膜パターンとをマスクとしてエッチングし前記透過性基板上にパターンを形成する工程と、前記金属膜パターンを除去する工程と、を具備することを特徴とする位相変調素子の製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-treated aluminum material comprises: an etching step of etching an aluminum material using an alkaline solution to make smut stick on the surface of the aluminum material; skipping a neutralization step for removing the smut; and an anodic oxidation step of forming the anodic oxide coating on the surface of the aluminum material by electrolyzing the aluminum material in an slightly acidic to alkaline solution for electrolysis.例文帳に追加

アルカリ性溶液によりアルミニウム材料をエッチング処理することにより前記アルミニウム材料の表面にスマットを付着させるエッチング工程と、前記スマットを除去する中和工程を行なわずに前記アルミニウム材料を、弱酸性からアルカリ性の電解液中で電解することにより、前記アルミニウム材料の表面に陽極酸化皮膜を形成する陽極酸化工程とを備える表面処理アルミニウム材料の製造方法とする。 - 特許庁

The plasma etching method for plasma-etching a substrate 7 to be treated on a lower electrode 3 opposed to an upper electrode 6 in a treating chamber 5 is such that, a mixed gas contg.例文帳に追加

処理室５内に上部電極６と対向して配置された下部電極３上に被処理基板７を載置してプラズマエッチングを行うプラズマエッチング方法において、処理室５内に酸素とフッ素ガスを含む混合ガスを供給し、電極間距離Ｌ［ｍ］と処理室５内の混合ガスの放電圧力Ｐ［Ｐａ］の積ＰＬが、良好なエッチングレートを与える範囲である２．５［Ｐａ・ｍ］〜１５［Ｐａ・ｍ］の範囲の値となる条件下で、この上下電極間でプラズマ放電を行わせるようにした。 - 特許庁

A 1-bit self-aligned SONOS cell that improves homogeneity failure between odd and even number SONOS inter-cells stemmed from the differences of oxyniride film lengths caused by misalignment that occurs at the time of the word line etching of the self-aligned 1-bit SONOS cell, and its forming method are provided.例文帳に追加

１ビットＳＯＮＯＳセルのワードラインエッチング時に発生しうるミスアラインによる窒化膜長さの差のために発生する奇数／偶数ＳＯＮＯＳセル間の均一性不良が改善できる自己整列型１ビットＳＯＮＯＳセル及びその形成方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory which can reduce a risk of pattern collapse after etching in a nonvolatile memory in which a resistance change type memory cell in which a diode member and a resistance change material are laminated is arranged in a matrix shape.例文帳に追加

ダイオード材と抵抗変化材料とが積層した抵抗変化型メモリセルがマトリックス状に配置された不揮発性記憶装置において、エッチング後のパターン倒壊の虞を低減させることの可能な不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This polishing method uses a backing material composed of a raw material having ASKER-C hardness of 75 to 95 degrees and the compression rate of not more than 10% as the backing material, and abrasive liquid including a chelating agent for copper, an etching agent for copper, an oxidizing agent for copper and water as the abrasive liquid.例文帳に追加

バッキング材に、アスカーＣ硬度が７５〜９５度で圧縮率が１０％以下の素材からなるバッキング材を用い、研磨液に、銅のキレート剤と、銅に対するエッチング剤と、銅の酸化剤と、水とを含む研磨液を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method wherein sufficient resist residual film is ensured on a shoulder part of a large area resist pattern when an interlayer dielectric is etched and dimension shift after etching is restrained, and a semiconductor device manufacturing system.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜のエッチング時の大面積レジストパターン肩部においても十分なレジスト残膜を確保してエッチング後の寸法シフトを抑制する半導体装置製造方法および半導体装置製造システムを提供することを課題とする。 - 特許庁