「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for producing an organic porous film having ≤2.2 relative dielectric constant, with which processes of etching processing, cleaning liquid treatment, etc., are facilitated in an insulating film processing process of semiconductor device of advanced micronization and to obtain a composition for forming the organic porous film.例文帳に追加

より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a low temperature wet etching method for a highly insulated thin layer which is advantageous for manufacturing a highly insulated gate insulating layer of a CMOS, an insulating film of a highly insulated capacitor of a DRAM, and the like and solves a problem of forming ruggedness over silicon in an active area or over USG in an isolate block.例文帳に追加

CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electric circuit board where a metal foil-clad laminate is not used as a substrate and a process dispenses with an etching process and a resist process, thereby capable of shortening processes such as a conventional circuit board and saving resources and energy and further capable of simultaneously manufacturing a plated through hole.例文帳に追加

金属箔張積層板を基板として用いず、エッチング工程やレジストの除去工程を必要とせず、その結果、従来の配線基板などの工程の短縮化及び省資源省エネルギー化を図ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the side wall 2a of an oxide film 2 is prevented from being tapered inversely in a wet etching process for removing a natural oxide film in the case of forming contacts between a semiconductor substrate and a metal wiring.例文帳に追加

半導体基板と金属配線とのコンタクトを形成するとき、自然酸化膜を除去するためのウェットエッチング工程にて、酸化膜２の側壁２ａが逆テーパー形状となるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for cleaning a semiconductor wafer has steps of cleaning with a cleaning solution of an organic alkaline group, having a slight etching function, and cleaning with a high-purity organic solvent, for example isopropyl alcohol, in order to remove Ca and Mg on the surface of the wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 - 特許庁

The method of manufacturing electrode fibers of silicon or silicon containing materials for an anode of a lithium ion battery, includes steps of: etching a silicon substrate or a silicon containing substrate to form pillars; and removing the pillars from the substrate.例文帳に追加

リチウムイオン電池のアノード用の、シリコン又はシリコン含有物質の電極繊維を製造する方法であって、該方法は、ピラーを作製するためにシリコン基板又はシリコン含有基板をエッチングする工程、及び、該基板から該ピラーを分離する工程を含む方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a substrate for a photovoltaic cell includes a first step of forming a zinc oxide thin film layer doped with a dopant on a transparent substrate, and a second step of controlling a surface structure of the zinc oxide thin film layer by etching using hydrogen plasma.例文帳に追加

本発明は、光電池用基板の製造方法に関し、透明基板にドーパントがドーピングされた酸化亜鉛薄膜層を形成する第１ステップ、及び、水素プラズマによるエッチングを通じて前記酸化亜鉛薄膜層の表面構造を制御する第２ステップを含む。 - 特許庁

Consequently, a phenomenon can be sharply suppressed that ruggedness may be generated on the line edge of the gate electrode due to etching using a silicon oxide film hard mask layer having ruggedness caused by wavy ruggedness generated on the surface of the polysilicon layer in a conventional method.例文帳に追加

これにより、従来の方法である、ポリシリコン層表面に生じたうねり状の凹凸に伴った凹凸を有するシリコン酸化膜ハードマスク層を用いてのエッチングによる、ゲート電極のラインエッジでの凹凸発生の現象を、大幅に抑えることが可能となる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a III-nitride semiconductor structure and including the strategic modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte so that highly-selective photo-induced etching is performed.例文帳に追加

選択性が高い光誘導性のエッチングを達成するために、電解質に対する半導体構造の局部的電気化学的ポテンシャルを戦略的に改変することを含む、ＩＩＩ−窒化物半導体構造を製造するための方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photoresist stripping liquid that can effectively remove a residue of a photoresist film and an etching residue on a substrate having a metal layer containing tantalum as at least a conductive metal film formed thereon, and to provide a substrate treatment method using the photoresist stripping liquid.例文帳に追加

少なくとも導電性金属膜としてタンタルを含む金属層が形成された基板上のフォトレジスト膜の残留物及びエッチング残渣物を効果的に除去することが可能なフォトレジスト用剥離液、及びこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises adding metallic iron in the existence of Ni ion resulting in the deposition of cobalt ion which is contained as an impurity in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution or is generated in the ferrous chloride and/or ferric chloride aqueous solution through an etching treatment or the like.例文帳に追加

塩化鉄水溶液に不純物として含まれるコバルトイオン、又はエッチング処理などによって塩化鉄水溶液中に生成されたコバルトイオンを、ニッケルイオンの存在下に金属鉄を加え、塩化鉄水溶液中に含まれるコバルトイオンを析出させる。 - 特許庁

In the method, patterning is directly applied to the organic thin film formed on a substrate, based on a mask having micro apertures with a scale of micron to nanometer by a dry etching process or vacuum ultraviolet radiation.例文帳に追加

ミクロンからナノメータースケールの微細開口を有するマスクをもとに、基板上に形成された有機物薄膜をドライエッチングプロセスまたは真空紫外光照射により直接パターニングを行なうことを特徴とする有機薄膜の製造方法とそれによる有機薄膜。 - 特許庁

In the method of producing a member for an electronic component by which the surface of a machined copper or copper alloy material is tinned, the surface of the copper or copper alloy material is subjected to etching treatment before the tinning.例文帳に追加

機械加工された銅または銅合金材料表面にスズめっきを施す電子部品用部材の製造方法であって、前記スズめっきの前に銅または銅合金材料表面をエッチング処理することを特徴とする電子部品用部材の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor is provided for etching a non silicon-containing organic film 35, of a combined film composed of a silicon-containing organic film 34 and the non silicon-containing organic film 35, by using mixing gas plasma of nitrogen and hydrogen.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン含有有機膜（３４）とシリコン非含有有機膜（３５）から構成される複合膜に対して、窒素と水素との混合系ガスプラズマを用いてシリコン非含有有機膜（３５）をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

Its manufacturing method includes forming the mesa-like piezoelectric substrate on the plate-like piezoelectric substrate using photo-lithography and etching techniques; putting the piezoelectric substrate into a cylindrical container together with abrasive material; and rotating the container at a predetermined rotating speed to manufacture the mesa-bevel type piezoelectric substrate.例文帳に追加

その製造方法は、平板状の圧電基板上にフォトリソ技術とエッチング手法とを用いてメサ形圧電基板を形成し、該圧電基板を研磨剤と共に円筒容器に入れ、所定の回転速度で回転してメサ−ベベル型圧電基板を製造する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a tapered through hole formed without wet etching the through hole having a taper shape in which a sidewall face has a suitable slope and good coverage of a wiring material and without using a polysilicon.例文帳に追加

側壁面が適正な傾斜をもつテーパ形状を有し、配線材料のカバレッジが良好なスルーホールを、ウェットエッチングを行うことなく、また、ポリシリコンを使用することなく形成するテーパ状スルーホールを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for economically mass-producing activated calcium hydrogen phosphate dihydrate by etching and activating the particle surface of calcium hydrogen phosphate dehydrate without polluting environment or degrading the performance.例文帳に追加

リン酸水素カルシウム二水和物からその粒子表面をエッチング処理して活性化した活性化リン酸水素カルシウム二水和物を、環境を汚染することなく、またその性能を落とすことなく、経済的に量産することができる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus which can treat both sides of a material to be etched by efficiently applying a bias to both faces thereof regardless of a material of a substrate, when plasma-treating both faces of the material to be etched such as a magnetic recording medium, and to provide a method therefor.例文帳に追加

磁気記録媒体のような被エッチング材料の表裏両面へのプラズマ処理を行う際、基板の材質に関わらず被エッチング材料両表面に効率よくバイアスを印加し、両面処理ができるプラズマエッチング装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

The fine processing method of a glassy carbon base material has a step for providing the glassy carbon base material and performing a heat treatment for 1-10 hours at a temperature not lower than 2,000°C and not higher than 2,500°C in an atmosphere of a halogen gas, and a step for performing a dry etching process after said step.例文帳に追加

本ガラス状カーボン基材の微細加工方法は、ガラス状カーボン基材を用意し、ハロゲンガス雰囲気、２０００℃以上２５００℃以下の温度で１〜１０時間の熱処理を行う工程と、この工程後にドライエッチング加工を行う工程を有する。 - 特許庁

A method for manufacturing the floor material 1 comprises the step of forming masks on planes to form the convex regions (protrusions 30) in the surface of the metal plate, and the step of immersing the metal plate with the masks in an etching liquid so as to form recesses (grooves 20) in the surface of the metal plate.例文帳に追加

床材１の製造方法は、金属板の表面のうち凸領域（凸部３０）となる面にマスクを形成する工程と、マスクを形成した金属板をエッチング液に漬けて金属板の表面に凹部（溝２０）を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a print mask manufacturing method capable of suppressing significant disruption in a print pattern due to low removal performance of a print material from a through hole while avoiding the disruption in the shape of a through hole due to irradiation of laser for half-etching processes.例文帳に追加

ハーフエッチング加工用のレーザーを照射してしまうことによる貫通孔の形状の乱れを回避しつつ、貫通孔からの印刷材抜け性の悪さによる印刷パターンの著しい乱れを抑えることが可能な印刷マスク製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device having the DRAM region provided with a stacked capacitor and the logic region on a semiconductor substrate, etching is performed when a cell plate pattern is formed in such a manner that an upper capacitor electrode layer 124 is left at least partly in the logic region.例文帳に追加

半導体基板上にスタックキャパシタを有するＤＲＡＭ領域と、ロジック領域とを有する半導体装置の製造方法において、セルプレートパターン形成時に、ロジック領域にも少なくとも部分的に上部キャパシタ電極層１２４を残してエッチングする。 - 特許庁

(2) Furthermore, in the manufacturing method, the cleaning of the rear-surface side of its silicon semiconductor substrate is performed by silicon chemical etching, and the content of copper locally in the portion whose boundaries are separated by 3 nm from the rear-surface side of its silicon semiconductor substrate is set to be not larger than 1×10^9/cm^2.例文帳に追加

（２）シリコン半導体基板の裏面側に対してシリコン化学エッチングによる洗浄を行い、シリコン半導体基板の裏面側から３ｎｍまでの部分に局在化した状態で含まれる銅の含有量を１×１０^9／ｃｍ^2以下とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the printed circuit board in which metal layers are laminated via insulating layers and a via-hole is provided to connect the metal layers, the metal layers in the front surface side of the via-hole are reduced in thickness by the chemical etching process after resin is supplied into the via-hole.例文帳に追加

絶縁層を介して金属層を積層し、金属層間を接続するビアホールを設けるプリント配線板の製造方法にあって、前記ビアホール内に樹脂を注入後、化学エッチングで前記ビアホールの表面側の前記金属層を薄くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method wherein sufficient resist residual film is ensured on a shoulder part of a large area resist pattern when an interlayer dielectric is etched and dimension shift after etching is restrained, and a semiconductor device manufacturing system.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜のエッチング時の大面積レジストパターン肩部においても十分なレジスト残膜を確保してエッチング後の寸法シフトを抑制する半導体装置製造方法および半導体装置製造システムを提供することを課題とする。 - 特許庁

A 1-bit self-aligned SONOS cell that improves homogeneity failure between odd and even number SONOS inter-cells stemmed from the differences of oxyniride film lengths caused by misalignment that occurs at the time of the word line etching of the self-aligned 1-bit SONOS cell, and its forming method are provided.例文帳に追加

１ビットＳＯＮＯＳセルのワードラインエッチング時に発生しうるミスアラインによる窒化膜長さの差のために発生する奇数／偶数ＳＯＮＯＳセル間の均一性不良が改善できる自己整列型１ビットＳＯＮＯＳセル及びその形成方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory which can reduce a risk of pattern collapse after etching in a nonvolatile memory in which a resistance change type memory cell in which a diode member and a resistance change material are laminated is arranged in a matrix shape.例文帳に追加

ダイオード材と抵抗変化材料とが積層した抵抗変化型メモリセルがマトリックス状に配置された不揮発性記憶装置において、エッチング後のパターン倒壊の虞を低減させることの可能な不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This polishing method uses a backing material composed of a raw material having ASKER-C hardness of 75 to 95 degrees and the compression rate of not more than 10% as the backing material, and abrasive liquid including a chelating agent for copper, an etching agent for copper, an oxidizing agent for copper and water as the abrasive liquid.例文帳に追加

バッキング材に、アスカーＣ硬度が７５〜９５度で圧縮率が１０％以下の素材からなるバッキング材を用い、研磨液に、銅のキレート剤と、銅に対するエッチング剤と、銅の酸化剤と、水とを含む研磨液を用いることを特徴とする。 - 特許庁

According to this manufacturing method for a semiconductor light element, the proturberance to be removed from a surface of a cap layer 5 by etching in a surface treatment step is limited to a proturberance A1 or C2 that is higher than a thickness of a resist layer 22 formed on the surface of the cap layer 5.例文帳に追加

この半導体光素子の製造方法では、表面処理工程において、エッチングによってキャップ層５の表面から除去される突起物は、キャップ層５の表面に形成されたレジスト層２２の厚さよりも高い突起物Ａ１，Ｃ２に限定される。 - 特許庁

To provide a composition for resist lower-layer film formation that forms a resist lower-layer film which is suitably buried in a via or trench, easily formed based upon a desired pattern, and superior in etching resistance, and a method of forming a dual-damascene structure using the same.例文帳に追加

ビアもしくはトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いたデュアルダマシン構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the dry etching method, gallium-nitride compound layers 22-24, sapphire substrates 21 or alumina substrates are etched by plasma 26 generated from a reaction gas containing chlorine gas and gas of a compound (such as chloroform, dichloromethane, etc.), represented by a chemical formula C_xH_yCl_z, in which each of x, y, and z is a positive integer.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁

The space 11 is formed by a method wherein, after forming the movable piece 10 for a switch, a film for forming a space consisting of a zinc oxide arranged in a region for forming the space 11 is removed by etching using an etchant consisting of a weak acid aqueous solution.例文帳に追加

この空間１１は、スイッチ用可動片１０形成した後に、空間１１形成領域に設けられた酸化亜鉛からなる空間形成用膜を弱酸水溶液からなるエッチング液を用いてエッチングして除去することにより形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact, resonator structure in which increase of contact resistance and disconnection by concave and convex parts of a contact hole formed to a resonator using etching are prevented, and yield is improved, and also to provide an EL device having the resonator structure.例文帳に追加

共振器にエッチングを用いて形成されたコンタクトホールの凹凸部による、コンタクト抵抗の増加及び断線を防止し、歩留まりを向上したコンタクトの形成方法、共振器構造及びこの共振器構造を備えたＥＬ装置を提供する。 - 特許庁

In this case, the imprint mold is manufactured by a method wherein a resist is formed on the substrate and a plurality of recessed and projected patterns with different depths are formed on the resist to effect dry etching treatment from the surface of the resist with a plurality of recessed and projected patterns formed thereon toward the substrate.例文帳に追加

また、基板上にレジストを形成し、レジストに深さを異ならせた複数の凹凸パターンを形成し、複数の凹凸パターンを形成した前記レジストの表面から基板に向かってドライエッチング処理を行うことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 特許庁

To provide a material for forming a reverse pattern that has good embedding property, has high etching selection ratio to organic material, and forms a fine reverse pattern in a sufficient shape, and to provide a pattern forming method using the material for forming the reverse pattern.例文帳に追加

埋め込み性が良好で、有機材料に対して高いエッチング選択比を有し、微細な反転パターンを良好な形状で形成できる反転パターン形成用材料、および該反転パターン形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The metal pattern formation method comprises a process (a) of forming a graft polymer directly bonding with the surface of a base material on the base material, a process (b) of forming a metal film by adhering a conductive material to the graft polymer, and a process (c) of etching the metal film.例文帳に追加

（ａ）基材上に、該基材表面に直接結合したグラフトポリマーを形成する工程と、（ｂ）該グラフトポリマーに導電性材料を付着させて金属膜を製膜する工程と、 （ｃ）該金属膜をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical switch which eliminates the need to form a movable micromirror and a beam supporting it at the same time and can evade cases wherein the movable micromirror connects directly with a substrate owing to insufficient etching and the beam is lost by overetching.例文帳に追加

可動マイクロミラーとそれを支持する梁とを同時形成する必要がなく、エッチング残りによって可動マイクロミラーが基板と直接繋がったり、オーバーエッチングにより梁が消失するといった事態が回避されうる光スイッチの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a first etching step of a method for forming metallic pattern, about 1/6 of the top portion of a lower electrode forming film 17A is etched with a mixed gas of chloride supplied at a flow rate of 0.09 slm and Ar supplied at a flow rate of 0.01 slm by using a resist pattern 18 as a mask.例文帳に追加

第１のエッチング工程において、流量０．０９ｓｌｍの塩素と流量０．０１ｓｌｍのＡｒとの混合ガスを用いて、レジストパターン１８をマスクとして下部電極形成膜１７Ａの上部の６分の１程度に対してエッチングを行なう。 - 特許庁

A method for etching a conductive film 12 connected electrically to the electrode on the gate oxide film 6 formed on a substrate 2, thereby a mask 15 consisting of conductive materials is formed on the conductive film 12 and the conductive film 12 is etched using the mask 15.例文帳に追加

基板２上に形成されたゲート酸化膜６上の電極に電気的に接続された導体膜１２をエッチングする方法であって、導体膜１２上に導電性材料からなるマスク１５を形成し、該マスク１５を用いて導体膜１２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a SAW chip, that has high adjustment accuracy and high reliability by suing a mixed gas of an inert gas and an oxygen gas for etching the SAW chip, and to provide a frequency adjustment device for the SAW chip and a frequency adjustment method for the SAW chip.例文帳に追加

ＳＡＷチップのエッチングに不活性ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることによって、調整精度及び信頼性の高いＳＡＷチップ、ＳＡＷチップの周波数調整装置及びＳＡＷチップの周波数調整方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a multi-chamber system which includes etching facilities for manufacturing the semiconductor device with a plurality of process chambers arranged in series in a multi-layered configuration so as to be effectual for improving a wafer transfer rate and so on.例文帳に追加

本発明は、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置してウェハの移送速度を向上させる等の効果を奏する半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

The method for etching the surface of a seed crystal is characterized by including a process for introducing catalytic agents 6 and 76 into a crystal growth vessel 12 after housing a seed crystal 2 in a reaction chamber 11 and a process for raising the temperature in the reaction chamber 11.例文帳に追加

本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This invention provides a manufacturing method for a package of a crystal vibrator that is characterized by that anisotropic etching is applied to a silicon substrate to form a recessed part to the surface of the substrate, a crystal chip is mounted on a circuit substrate with a circuit pattern formed thereto, and the recessed part of the substrate is covered and sealed.例文帳に追加

シリコン基板に対して、異方性エッチングを行い表面に基板凹部を形成し、さらに回路パターンを形成した回路基板に水晶片を実装し、その基板凹部に蓋をして封止することを特徴とする水晶振動子のパッケージを形成する。 - 特許庁

A conductor layer 13 is formed on the insulating layer 15 through a metallizing method such as plating, sputtering or the like, and a wiring pattern 14 electrically connected to the connection terminal 4 of the electronic part 3 at openings 12 provided to the insulating layer 15 is formed by etching.例文帳に追加

絶縁層１５上にメッキおよびスパッタリング等のメタライズ法により導電体層１３を形成してエッチングすることによって、絶縁層１５の開口部１２において電子部品３の接続端子４と電気的に接続された配線パターン１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor with which aggregation of a filler in a coating liquid onto etching pits formed on the surface of an aluminum pipe stock, so that an electrophotographic photoreceptor free from faulty printing can be obtained, and to provide an electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

アルミニウム素管表面に形成されるエッチングピット上への塗布液中のフィラーの凝集を防止して、印字障害の発生のない電子写真感光体を得ることができる電子写真感光体の製造方法および電子写真感光体を提供する。 - 特許庁