「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(123ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of manufacturing the semiconductor chips for manufacturing the semiconductor chips 1d by dividing a semiconductor wafer into each semiconductor device, a mask 3 formed for plasma dicing in which the semiconductor wafer is divided by plasma etching is removed by mechanical grinding using a grinding head 26.例文帳に追加

半導体ウェハを個々の半導体装置毎に分割して半導体チップ１ｄを製造する半導体チップの製造方法において、半導体ウェハの分割をプラズマエッチングによって行うプラズマダイシングのために形成されたマスク３を、研削ヘッド２６を用いた機械研削によって除去する。 - 特許庁

The method includes formation of one or a plurality of shallow trench isolations inside a semiconductor wafer through etching, sticking of an insulation oxide layer 20 inside a trench, formation of thermal oxide 25 inside a trench and sticking of the silicon nitride liner 43 inside a trench.例文帳に追加

この方法は、エッチングを施して半導体ウェハ内に１つ又は複数の浅トレンチ分離を形成することと、トレンチ内に絶縁酸化物層２０を付着させることと、トレンチ内で熱酸化物２３を成長させることと、トレンチ内に窒化ケイ素ライナ４３を付着させることからなる。 - 特許庁

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.例文帳に追加

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁

The manufacturing method comprises applying a photosensitive resist 4 on one side of a substrate 1, carrying out laser lithography to the photosensitive resist 4, developing the drawn image to form a mask pattern 5 having a desired opening pattern 5a, and etching the substrate 1 through the mask pattern 5 to a desired depth to obtain a mold 11.例文帳に追加

基板１の一方の面に感光性レジスト４を塗布し、この感光性レジス４トにレーザ描画を行い、その後、現像を施して、所望の開口パターン５ａを有するマスクパターン５を形成し、このマスクパターン５を介して基板１を所望の深さまでエッチングしてモールド１１とする。 - 特許庁

A silicon layer 103 is patterned using a preparation method similar to a conventional one utilizing a well-known lithographic technique and etching technique, after forming a p-type silicon layer 132 and a germanium layer 107 in one part of the silicon layer 103, so as to form a silicon core 131.例文帳に追加

シリコン層１０３上の一部にｐ型シリコン層１３２およびゲルマニウム層１０７を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層１０３をパターニングし、シリコンコア１３１を形成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for processing development, capable of developing a resist pattern having a rectangle shape whose tip is not rounded, and capable of processing with sufficient accuracy a film to be etched, when etching the under layer film to be etched using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

先端が丸みを帯びない矩形形状を有するレジストパターンを現像することができ、レジストパターンをマスクに用いて下層の被エッチング膜をエッチング処理により加工する際に、被エッチング膜を精度よく加工することができる現像処理方法及び現像処理装置を提供する。 - 特許庁

The device manufacturing method includes a step of disposing a mask closely onto the base material 2 having a modified part 2a subjected to modification beforehand and position-selectively forming a film 6 in a gas phase so as to cover the modified part 2a and then a step of performing chemical etching of only the modified part 2a.例文帳に追加

予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

In the manufacturing method, the tip 3a of the optical fiber 3 is moved towards a liquid face 2a of an etching liquid 2, and during the movement, a light detecting part 7 detects reflected light of an incident light emitted from the other end of the optical fiber 3 that reflected on the tip of the optical fiber.例文帳に追加

本発明の製造方法は、光ファイバ３の先端３ａを、エッチング液２の液面２ａに接近するように移動させ、その移動中において、光ファイバ３の他端から入射された光のうち光ファイバの先端において反射した反射光を光検出部７にて検出する。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a circuit board capable of forming a circuit of fine pattern by improving etching characteristic of a copper layer or copper foil, as well as a laminate of an insulating substrate and a copper layer or a copper foil for a wiring board which is suitable for fine pattern, along with a printed wiring board using the same.例文帳に追加

ファインピッチ化に適した配線板用銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体及びそれを用いたプリント配線板、さらには、銅箔または銅層のエッチング性を向上させてファインパターンの回路を形成することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a part projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.例文帳に追加

圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of suppressing the reduction of the thickness of an insulating film for a side wall upon forming a silicide block layer, and suppressing the generation of dispersion in the etching of a gate electrode or the width of the side wall.例文帳に追加

本発明の目的は、シリサイドブロック層の形成時におけるサイドウォール用絶縁膜の膜厚の減少を抑制することができ、ゲート電極のエッチングやサイドウォール幅のばらつきの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method of forming the buried wire includes steps of etching a wire groove with an opening for exposing a wire 1 on a lower layer, then peeling the residuals 5 on the wire by plasma excitation, and then cleaning the wire-exposed surface by a gaseous organic gas 6 without exposing in the atmosphere.例文帳に追加

下層の配線１を露出させるための開口を伴う配線溝孔エッチング後に、プラズマ励起により配線上の残渣５を剥離処理したのち、大気中に晒すことなく、気体状態の有機系ガス６により配線の露出部表面の清浄化処理を行う。 - 特許庁

Further, the method comprises steps of generating plasma in the chamber by a plasma generating means by introducing gas for etching into the chamber, and increasing plasma density in the chamber by the high plasma density means to etch the Al thin film by the use of the density-increased plasma.例文帳に追加

更に、チャンバーにエッチング用ガスを導入しながら、プラズマ発生手段によってチャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ高密度化手段によって、チャンバー内のプラズマの密度を向上させることで、この密度が向上されたプラズマを用いてＡｌ薄膜をエッチングするようにした。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of etching the conductive film by the plasma of a gas including a halogen or a halogen compound, and removing the residual halogen on a substrate by the plasma of the gas without hydrogen terminating the dangling bond existing on the conductive film.例文帳に追加

本発明は、ハロゲン、またはハロゲン化合物を含有するガスのプラズマにより導電膜のエッチングを行う工程と、前記導電膜に存在するダングリングボンドを水素終端することのないガスのプラズマにより基板上の残留ハロゲンを除去する工程とを有する。 - 特許庁

In addition, the manufacturing method has a step, in which the second nitride semiconductor layer 18 is etched so that the etching is automatically stopped, in a state where the second nitride semiconductor layer 18 remains, by making the second nitride semiconductor layer 18 react with an alkali etchant, while irradiating the second nitride semiconductor layer 18 with a light.例文帳に追加

続いて、第２の窒化物半導体層１８に光を照射しつつアルカリ性のエッチャントと反応させることにより、第２の窒化物半導体層１８が残存した状態で自動的にエッチングが停止するように第２の窒化物半導体層１８をエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing a diode device (30) such as PIN diodes comprises a step for forming an upper and lower regions (38, 40) having opposite conductivities, and a step for anisotropically etching into the upside to form a pit (32) having side walls (56, 58 and 60) extending and converging toward the downside.例文帳に追加

PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large number of reproducible, hyperbolic drum type elements by using an ion beam etching process, and a hyperboloidal drum type structure that is adjustable in size of an active layer and that is usable for manufacturing optical devices and an electronic devices of nano-scale.例文帳に追加

イオンビームエッチング法を利用して再演性のある双曲面ドラム型素子を大量に製造する方法、及び活性層の大きさの調節が可能であって、ナノ規模の光素子及び電子素子の製造に活用することができる、双曲面ドラム型構造を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of an electronic device capable of properly etching a sacrificial layer to release a movable part even if a gap becomes smaller in an electronic device with the movable part having a gap from a function structure body constituting a function element, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

機能素子を構成する機能構造体が下方に間隙を有する可動部を備えてなる電子装置において、上記間隙が小さくなっても可動部をリリースするための犠牲層エッチングを適度に行うことができる電子装置の構造及び製法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device manufacturing method which can improve sensitivity of a solid state imaging device while restraining generation of a dark current, and manufacture easily a solid state imaging device in which wiring is not damaged by etching treatment.例文帳に追加

本発明の目的は、暗電流の発生を抑制しつつ固体撮像装置の感度を向上させることができると共に、エッチング処理により配線がダメージを受けていない固体撮像装置を容易に製造可能とできる固体撮像装置製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a substrate processing method with less damage such as a pattern peel-off when performing a processing of removing a residual substance such as a sacrifice film after etching a film to be etched, by solubilizing this residual substance in a prescribed liquid and subsequently removing the residual substance by this prescribed liquid.例文帳に追加

被エッチン膜をエッチング後、犠牲膜等の残存物質を除去する処理を、その残存物質を所定の液に可溶化し、次いで、その所定の液により残存物質を除去することで行う際に、パターンはがれ等のダメージが少ない基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film, either an LaAlO_x film or PrAlO_x film, on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 9-10 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＬａＡｌＯ_ｘ膜およびＰｒＡｌＯ_ｘ膜のいずれか一方の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ９〜１０の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a semiconductor device with a good yield by preventing damage and contamination of a wafer and an etching device caused due to grinding dusts generated in a mechanical grinding process, in a semiconductor wafer ground up to extremely-small thickness, in particular, an extremely-thin wafer with an annular projecting part formed thereon.例文帳に追加

極薄にまで研削された半導体ウエハ、特に環状凸部が形成された極薄ウエハにおいて、機械的研削工程で発生した研削屑によるウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を防止し、半導体装置を歩留まりよく製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a metallic pattern forming method capable of forming fine metallic patterns, without performing etching process and forming the metallic patterns having superior adhesiveness between a base material and a metal film and having a high thermal resistance, even when there is little irregularities of the base material interface.例文帳に追加

エッチング工程を行うことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ、基材界面の凹凸が少ない場合でも基材と金属膜との密着性に優れた耐熱性の高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method by which etching with excellent working accuracy as a whole can be applied by solving a failure where a peripheral part is etched more rapidly than a center part when the whole large surface or a groove structure with a certain pitch is etched.例文帳に追加

本発明の課題は、大きな面積全体、あるいは適当なピッチでの溝構造をエッチングするにあたり、周辺部が中心部より早くエッチングされてしまう不具合を解決して、全体として加工精度のよいエッチング加工を施せる方法を提示することにある。 - 特許庁

To provide a remover for multistage processing which safely and efficiently removes an etching residue in a short time that is formed in the forming process of a semiconductor multi-layer wiring structure and a display panel such as a liquid crystal panel, and to provide a stripping method using the remover.例文帳に追加

半導体多層配線構造や液晶パネルなどの表示パネルの配線構造形成工程において形成されるエッチング残渣物を安全に、かつ短時間に効率的に除去することのできる多段階処理用剥離液およびこれを用いた剥離方法を提供する。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a memory cell of a floating gate structure which can form a silicon nitride film without involving reduction in yield while suppressing fluctuations in transistor threshold voltage as an etching stop layer for the processing of a bottom borderless contact on a control gate electrode.例文帳に追加

浮遊ゲート構造のメモリセルを備えてなる半導体装置において、制御ゲート電極上にボトムボーダレスコンタクト加工用のエッチングストップ層として、トランジスタの閾値電圧変動を抑制しつつ、歩留りの低下を伴わずに窒化珪素膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing a high purity caustic soda aqueous solution for wafer etching, a caustic soda aqueous solution is contacted with an active carbon activated by immersion treatment in nitric acid, and its iron content is reduced to not higher than 200 ppb, and its nickel content to not higher than 20 ppb.例文帳に追加

苛性ソーダ水溶液を硝酸に浸漬処理して賦活した活性炭と接触させて、その含有鉄分を２００ｐｐｂ以下に、ニッケル分を２０ｐｐｂ以下になるまで除去することを特徴とするウエーハエッチング用高純度苛性ソーダ水溶液の製造方法。 - 特許庁

The manufacturing method comprises (A) a step of forming a patterned organic film on a substrate, (B) a step of forming the conductive layer on a surface of the patterned organic film by electroless plating and (C) a step of removing a part of the conductive layer by contacting the same with an etching gel composition.例文帳に追加

上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁

To provide a pattern forming material excellent in follow-up feature for unevenness of a base material surface and capable of forming a high definition pattern excellent in tenting property and uniformity of etching, a pattern forming apparatus equipped with the pattern forming material, and a pattern forming method using the pattern forming material.例文帳に追加

基体表面の凹凸追従性に優れ、かつ、テント性及びエッチングの均一性に優れた高精細なパターンを形成可能なパターン形成材料、並びに該パターン形成材料を備えたパターン形成装置及び前記パターン形成材料を用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for developing a photogravure in which development is performed by etching cell parts on which a photosensitizing agent film is provided, with an alkali developer containing sodium silicate as a principal component, the temperature of the photosensitizing agent film is adjusted to <35°C.例文帳に追加

珪酸ナトリウムを主成分とするアルカリ現像液により感光剤被膜が設けられたセル部を腐食することにより現像するグラビア版の現像方法において、感光剤被膜の温度を３５℃未満とすることを特徴とするグラビア版の現像方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vent gas detoxifying method which can safely and efficiently detoxify a vent gas containing a reactive halogen or a halogen compound gas left in the piping of a cylinder cabinet for supplying gas to an etching apparatus used in the production of semiconductors and liquid crystals, a CVD apparatus, or the like.例文帳に追加

半導体・液晶製造に用いられるエッチング装置やＣＶＤ装置などにガスを供給するシリンダーキャビネットの配管内に残留する反応性の高いハロゲン又はハロゲン化合物ガスを含有するベントガスを、安全に且つ高効率で無害化できるベントガスの除害方法を提供すること。 - 特許庁

This method includes a pretreatment step of etching the magnesium alloy material with chromic acid after degreasing, and then pickling or activating it, and an electroless nickel plating step, which is immediately performed after the pretreatment by using of a weakly alkaline electroless bath, to form a single layer of the plated film.例文帳に追加

マグネシウム合金素材に対し、脱脂後クロム酸エッチングし、ついで酸浸漬又は活性化処理をおこなう前処理工程と、該前処理後、直ちに弱アルカリ性無電解浴を用いておこなう無電解ニッケルめっき処理工程を包含し、めっき皮膜を単層形成する。 - 特許庁

The thin film etching method includes steps of forming a thin film on a substrate, aligning a mask having a predefined pattern above the thin film, and selectively removing the thin film by irradiating the mask with a femtosecond laser on the front surface thereof to produce the defined pattern.例文帳に追加

基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 - 特許庁

(1) The method for disposal of the optical recording medium utilizes a dry etching means on the occasion of recovering the polycarbonate resin by removing a metal layer and an ultraviolet-curing resin layer from the optical recording medium having these layers on a polycarbonate resin base.例文帳に追加

（１）ポリカーボネート樹脂基板上に金属層及び紫外線硬化樹脂層を有する光記録媒体から、金属層及び紫外線硬化樹脂層を除去して、ポリカーボネート樹脂を回収するに際し、乾式エッチング手段を利用することを特徴とする光記録媒体の処理方法。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor element capable of processing shapes with different etching depths in a same plane easily while suppressing unevenness of a surface without generating induction of defects (group-V atom vacant lattices) nor deterioration in surface morphology caused by desorption of constituent atoms of a semiconductor.例文帳に追加

半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting element formed on a gallium oxide substrate which is not affected by etching even with hydrogen gas used in a compound semiconductor growing process of the gallium oxide substrate, and which is superior in substrate planarity and transparency of the substrate; and to provide a manufacturing method of the element.例文帳に追加

ガリウム酸化物基板の化合物半導体成長工程において使用する水素ガスによってもエッチング等の影響を受けず、基板平面性がよく、基板の透明性に優れたガリウム酸化物基板上に形成された発光素子、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can make etching without giving a local damage to a base film, when patterning is made by using multilayer resist as a mask on a semiconductor substrate having a surface step and machining for a gate electrode, a fine wiring and so on are made.例文帳に追加

表面段差を有する半導体基板上において、多層レジストをマスクとしてパターニングを行い、ゲート電極や微細配線等を加工する際に、下地膜に局所的な損傷を与えずに、エッチングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.例文帳に追加

直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device wherein a semiconductor device is formed on the surface of a semiconductor substrate in which a protective coating film for wet etching carried out in a CVD furnace is formed on the whole surface, the protective coating film is formed by turning up the rear face of the semiconductor substrate and accommodating it in the CVD furnace.例文帳に追加

ＣＶＤ炉によって全面にウエットエッチングに対する保護膜を形成した半導体基板の表面に半導体素子を形成した半導体装置の製造方法において、保護膜は、半導体基板の裏面を上方に向けてＣＶＤ炉に収容して形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed circuit board, which is effective in thinning of line and high precision of a circuit pattern in a build-up printed wiring board capable of high density wiring and high density mounting, by preventing thickening of etching margin of the circuit pattern caused by copper plating used in interlayer connection.例文帳に追加

高密度配線および高密度実装が可能なビルドアッププリント配線板において、層間接続のための銅めっきにより配線パターンのエッチング代が厚くなるのを阻止し、細線化と配線パターンの高精度化にも有効なプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The dry etching method and system comprises (1) stages divided integrally into some regions by a partition 25, (2) a mechanism 27 for setting up and maintaining the stage temperature respectively for the divided stage, and (3) a mechanism 28 for setting up and maintaining the quantity of gas flow and pressure for heat conduction and pressure respectively for the divided stages.例文帳に追加

１）仕切り２５によって、いくつかの領域に一体的に分割されたステージ、２）分割されたステージ毎にステージ温度を設定し、維持する機構２７、３）分割されたステージ毎に熱伝導用ガス流量及び圧力を設定し、維持する機構２８を具備すること。 - 特許庁

To provide a process for producing an epitaxial wafer for nitride semiconductor light-emitting diode, in which a moderately roughened surface exhibiting high light take-out efficiency is provided, without bringing about increase in fabrication method and fabrication cost, as in the methods where wet etching or a resist pattern have been used for a long time.例文帳に追加

長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁