「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(126ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a base material having a negative photoresist layer for an optical disk, which has superior contrast obtained in a developing stage, using dry process and superior mask performance also in a substrate etching stage in subsequent developing stages, and to provide a method for manufacturing a stamper for the optical disk, using the base material.例文帳に追加

ドライプロセスを用いた現像工程で優れたコントラストが得られ、その後の基板エッチング工程においても優れたマスク性能を有する、光ディスク用ネガ型レジスト層付き基材、上記基材を使用して光ディスク用スタンパを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps of: forming a recess 5 having either an inverted trapezoid shape or an inverse triangle shape viewed from an ABS face by taper-etching a side shield material; and electrolytically plating a main pole material 8 through a non-magnetic dielectric film and plating base layer 7 in the recess 5.例文帳に追加

サイドシールド材をテーパエッチングしてＡＢＳ面から見た形状が逆台形状或いは逆三角形状のいずれかの形状の凹部５を形成する工程と、凹部５に非磁性絶縁膜及びめっきベース層７を介して主磁極材料８を電解めっきする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a masking device where a crystal element or the like is not moved at the inside of a storage part, and a prescribed film thickness can be obtained on a proper position by using three layer members including a barrier layer capable of stopping etching, and to provide a method of producing the masking device.例文帳に追加

本発明は、エッチングをストップできるバリア層を有する３層部材を用いることにより、水晶素子等が収納部の内部で移動することがなく、適正な位置に所定の膜厚を得ることができるマスキング装置およびマスキング装置の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing quartz vibrator preventing out-of-plane vibration that arises at vibration leg even at the absence of angular velocity because of residues of a side surface of the vibration leg of a quartz vibrator for vibration gyro in wet etching process.例文帳に追加

ウエットエッチング加工で製作する振動ジャイロ用水晶振動子の振動脚の側面残渣は、角速度が発生していないときも振動脚に面外振動を生じる原因となるが、そのような面外振動を生じない水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the magnetoresistive effect device, a coating layer removed in a subsequent process is previously formed on the protection layer 26, and an oxidized layer formed by naturally oxidizing a part of the upper side of the coating layer and the coating layer are removed before the electrode layers 6 are formed by etching.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置の製造方法では、予め、保護層２６の上に、後の工程で除去される被覆層を形成しておき、電極層６を形成する前に、被覆層の上面側の一部が自然酸化されて形成された酸化層および被覆層をエッチングによって除去する。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together.例文帳に追加

シリコン基板１００Ａ上に転送ゲート絶縁膜１５０を介して第１ポリシリコン膜１５２Ａ、第１シリコン酸化膜１５４Ａを順次成膜した後、フォトマスク１６０を介してドライエッチング等を行い、第１シリコン酸化膜１５４Ａと第１ポリシリコン膜１５２Ａとを併せてパターニングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a polymer optical waveguide which can suppress the etching operation for a resist to small amounts even in the case of a small amount of application of the resist and prevents the polymer optical waveguide laminate in the underlayer of the resist from being etched when the polymer optical waveguide laminate having low flatness is etched.例文帳に追加

平坦性が低いポリマー光導波路積層体をエッチングする際に、レジストの塗付量を少なくしてもレジストに対するエッチング作用が少なく、レジストの下層にあるポリマー光導波路積層体がエッチングされることのないポリマー光導波路の製造法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a capacity element having a high reliability and a method of manufacturing the semiconductor device by preventing a capacity insulating film from deteriorating in electric characteristics in the process of forming a contact hole by means of dry etching for connecting an upper electrode with an electric wiring.例文帳に追加

上部電極と電極配線を接続するためのドライエッチングによるコンタクト孔形成における容量絶縁膜の電気的特性劣化を防止することにより、高い信頼性を有する容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for producing electrically conductive fine particles in which the surface of high polymer fine spheres are coated with a metallic layer by electroless plating, the high polymer fine spheres are subjected to preetching with a water soluble organic solvent before an etching stage to improve their adhesion for plating.例文帳に追加

高分子微球体の表面を、無電解メッキにより金属層で被覆してなる導電性微粒子の製造方法であって、前記高分子微球体に、エッチング工程前に水溶性有機溶媒でプリエッチングを行いメッキ密着性が向上した導電性微粒子の製造方法。 - 特許庁

The method is also used for etching by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt, a layer containing titanium as the main constituent within a layered product including the layer containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent, and a layer containing aluminum as the main constituent at the same time.例文帳に追加

チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the sheet for display surface comprises: a step of forming the adhesive layer 20 that has a mirror-like surface and contains rubber component; and a step of forming, on the surface of the adhesive layer 20, the groove 23 reaching at least from the center part to the edge by dry etching.例文帳に追加

本発明のディスプレイ表面用シートの製造方法は、表面が鏡面状でゴム成分を含有する貼着層２０を形成する工程と、貼着層２０の表面に、ドライエッチングにより、少なくとも、中央部から縁に到達する溝２３を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The method is further provided with: a step (c) of forming a nitride film 7 covering the normal and dummy laminate structure patterns 13 and 16; a step (d) of forming an oxide film 8 on the nitride film 7; and a step (e) of etching the oxide film 8 and the nitride film 7 to expose the upper part of the cap layer 6.例文帳に追加

そして、（ｃ）正規およびダミー積層構造パターン１３，１６を覆う窒化膜７を形成する工程と、窒化膜７上に酸化膜８を形成する工程と、（ｅ）酸化膜８および窒化膜７をエッチングして、キャップ層６の上部を露出させる工程とを備える。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a chemically amplifying resist having excellent sensitivity even at a low PEB (post exposure baking) temperature, highly balanced lithographic performances such as LWR (line width roughness) and DOF (depth of focus), and sufficient etching durability, and to provide a pattern forming method, a polymer and a compound of the composition.例文帳に追加

ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。 - 特許庁

The invention relates to a method to etch the substrate on the surface of which two or more masks are formed, wherein multiple etching liquids suitable for respective membranes of the masks are prepared in advance and are discharged continuously in a switching manner.例文帳に追加

上記課題を解決するためのエッチング方法は、表面に２種以上のマスクが形成された被処理部材のエッチングを行う方法であって、各マスクの膜質に対応した複数のエッチング液を予め用意し、前記複数のエッチング液を連続して切り替えて吐出することを特徴とする。 - 特許庁

Similarly in correcting a black defect, an etching source material in a liquid state is supplied from the probe of a scanning probe microscope onto only the black defect region by a similar method to Dip-Pen Nanolithography, and an ion beam or an electron beam is supplied to etch to correct the black defect.例文帳に追加

黒欠陥修正の場合も同様に、走査プローブ顕微鏡の探針から液体状のエッチング原料をＤｉｐ−Ｐｅｎ Ｎａｎｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙと同様な方法で黒欠陥領域上のみに供給し、イオンビームや電子ビームを供給してエッチングを行い黒欠陥を修正する。 - 特許庁

In the vapor deposition film, plasma treatment by a reactive ion etching (RIE) method is applied to one side of a coextrusion stretched film base material made of at least a polyester resin and a polyamide resin, and a vapor deposition film layer of an inorganic compound is formed on the plasma-treated surface.例文帳に追加

少なくともポリエステル樹脂とポリアミド樹脂からなる共押出し延伸フィルム基材の片面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によるプラズマ処理を施し、該プラズマ処理面上に無機化合物の蒸着膜層を設けたことを特徴とする蒸着フィルムである。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The composition for forming films comprises an organic solvent solution containing polyimide having a specific alicyclic tetracarboxylic acid structure, the method for forming film is characterized by forming the polyimide film by coating the composition for forming film and evaporating the solvent, and the method for processing the film is characterized by applying a wet etching method using an aprotic polar organic solvent as the etchant to remove the polyimide film of unwanted parts.例文帳に追加

特定の脂環族テトラカルボン酸構造を有するポリイミドを含有する有機溶剤溶液からなる皮膜形成用組成物、および該皮膜形成用組成物を塗布した上で溶剤を蒸発除去させる事により該ポリイミドの皮膜を形成することを特徴とする皮膜形成法、および非プロトン性極性有機溶剤をエッチャントとしてウェットエッチング法を用いて不要部分のポリイミド皮膜を除去することを特徴とする皮膜加工法。 - 特許庁

To provide a method for growing an Si-based crystal using the casting method where the crystal orientation of the Si-based crystal can be arbitrarily controlled, where a wafer obtained by cutting the Si-based crystal has a texture structure having a uniform shape orientation after specified etching and where a structure having a uniform shape orientation is simply and easily formed in the Si-based crystal.例文帳に追加

キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can keep both high adhesion to and high peelability from the substrate even in using the substrate for circuit formation having less surface irregularity, and is excellent in plating resistance, etching resistance and resolution, and to provide a photosensitive element using the composition, a method for producing a resist pattern and a method for producing a printed wiring board.例文帳に追加

表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with which a dielectric film for forming a capacity element can be prevented from being left as an etching residue in the edge part of a wiring pattern for other non-capacitance elements and the yield of the semiconductor device be improved, in the method for a semiconductor device in which transistors such as bipolar transistors, MOS transistors, etc., and capacitance elements coexist for example.例文帳に追加

たとえば、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳトランジスタ等の種々のトランジスタと容量素子が混在する半導体装置の製造方法において、容量素子を形成するための誘電膜が他の非容量素子の配線パターンのエッジ部にエッチング残渣として残ることを確実に防止でき、半導体装置の歩留りを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated structure excellent in the adhesion between a low permittivity first insulating film which can be satisfactorily used for a semiconductor device and a second insulating film which can be satisfactorily used for a Cu diffusion prevention and a stopper at the time of etching, to provide a laminated structure manufactured by the method for manufacturing, and to provide a semiconductor device using the laminated structure.例文帳に追加

半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第１の絶縁膜とＣｕの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第２の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the transparent conductive film includes: a step in which on one side or both sides of a transparent film base material, a first layer undercoat layer is formed by an organic material; a step in which on the undercoat layer, the transparent conductor layer is formed by a sputtering method; and a step in which the transparent conductor layer is patternized by etching.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、透明なフィルム基材から第一層目のアンダーコート層を有機物により形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、および前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁

To stably form a conductive thin film of an element part with good yield by using an ink jet droplet supplying device without depending on a vacuum film formation method or photolithography etching method, for the manufacture of an electron source base plate having a surface conduction type electron emitting element with a large area, and to manufacture an image forming apparatus using the electron source base plate at low cost.例文帳に追加

特に大面積の表面伝導型電子放出素子を有する電子源基板の製造において、素子部の導電性薄膜をインクジェット液滴付与装置を用い、真空成膜法とフォトリソグラフィ・エッチング法によらずに、安定的に歩留まり良く形成することができるようにし、またそれによって電子源基板を有する画像形成装置を低価格で製造できるようにする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the surface acoustic wave device, first electrode layers 2a on the electrode pad are formed on the piezoelectric substrate 1 through etching operation; after the layers 2a have been formed, electrodes 5a for a surface acoustic wave element are formed by the lift-off method; and an electrode film which comprises second electrode layers 7a and wiring electrodes 7a on the electrode pad are formed.例文帳に追加

圧電基板１上に電極パッドの第１の電極層２ａをエッチングにより形成し、第１の電極層２ａを形成した後に、弾性表面波素子用電極５ａをリフトオフ法により形成し、しかる後電極パッドの第２の電極層７ａ及び配線電極７ｂを有する電極膜を形成する、弾性表面波装置の製造方法。 - 特許庁

ELECTRODE CAN PLATING METHOD OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN PLATING METHOD OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN PLATING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN ETCHING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN SURFACE REFORMING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, ANODE CAN CLEANING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL, AND ANODE CAN DRYING DEVICE OF FLAT FORM ALKALINE CELL例文帳に追加

扁平形アルカリ電池の電極缶メッキ方法、扁平形アルカリ電池の負極缶メッキ方法、扁平形アルカリ電池の負極缶メッキ収装置、扁平形アルカリ電池の負極缶エッチング装置、扁平形アルカリ電池の負極缶表面改質装置、扁平形アルカリ電池の負極缶洗浄装置及び扁平形アルカリ電池の負極缶乾燥装置 - 特許庁

To provide a new polycarbosilane insolubilizable by high energy ray irradiation or heating in an inert gas atmosphere or in a reduced pressure atmosphere, having excellent etching resistance and solvent resistance and giving a film having excellent mechanical strength and low relative dielectric constant, a method for producing the polycarbosilane, a film-forming composition, a film and a method for forming the film.例文帳に追加

高エネルギー線照射、あるいは不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下での加熱による不溶化が可能であり、エッチング耐性および溶剤耐性に優れており、かつ、機械的強度に優れた低比誘電率膜を製造することができる新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法を提供する。 - 特許庁

According to the method of manufacturing semiconductor device, the method of manufacturing semiconductor device using the Ru film as the electrode is characterised by including the steps of coating a resist on the Ru film, forming a pattern of the relevant resist, etching the Ru film based on the pattern, and removing the resist using simple substance of oxygen gas.例文帳に追加

本発明に半導体装置の製造方法によれば、電極としてＲｕ膜を用いた半導体装置の製造方法において、前記Ｒｕ膜上にレジストを塗布する工程と、当該レジストをパターン形成する工程と、該パターンに基づいて前記Ｒｕ膜をエッチングする工程と、酸素単体ガスを用いてレジストを除去する工程とを包含することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pretreating method for plating aluminum or an aluminum alloy is the pretreatment for performing chromium-plating, nickel-base plating or iron-base plating on the surface of the material to be plated, composed of aluminum or an aluminum alloy, and after performing the electrolytic etching in aqueous solution-containing hydroxide of alkali metal and organic acid having complexing property or its alkali metal salt, the etching dipped into the alkali solution is performed.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる被めっき材の表面にクロムめっき、ニッケル系めっき、または鉄系めっきを行うための前処理であって、アルカリ金属の水酸化物と錯化性を有する有機酸またはそのアルカリ金属塩とを含有する水溶液中で電解エッチングを行った後に、アルカリ溶液中で浸漬エッチングを行うことを特徴とするアルミニウムまたはアルミニウム合金のめっき前処理方法、その前処理工程を含むめっき方法およびそのめっき方法で得られためっき品。 - 特許庁

The method for restoring the shape of the pattern of the substrate having an imperfect pattern comprises; (a) a step of detecting the imperfect pattern by inspecting the substrate; and (b) a step of restoring the shape of the pattern by etching or depositing the detected imperfect pattern with radiation.例文帳に追加

不完全なパターンを有する基材のパターンの形状を修復する方法であって、（ａ）基材を検査して不完全なパターンを検出するステップと、（ｂ）前記検出された不完全なパターンを放射線によりエッチング又は堆積してパターンの形状を修復するステップ、を含むことを特徴とする、形状修復方法を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which uses an organic insulation film as an interlayer insulation film and has opening portions therein for forming wirings by etching with oxygen containing gas plasma, and to provide its fabrication method, in which the degradation of the electrical characteristics of an interlayer insulation film and the failure of wiring structures do not occur.例文帳に追加

層間絶縁膜に有機絶縁膜を使用し、酸素を含有するガスのプラズマによってエッチングして配線形成用の開口部を形成する半導体装置において、層間絶縁膜の電気特性の劣化や、配線構造の不良を招くことがない、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film having piezoelectric characteristics as well as various piezoelectric elements of high reliability and quality, by achieving safe fine working with no damage on a base material for easy fine working where etching is controlled in depthwise direction of a film while a film itself can be taken out.例文帳に追加

下地へのダメージの無い安全な微細加工を実現し、エッチングを膜の深さ方向で制御した微細加工を容易にし、膜単体でも取り出す事を可能にする事により、高信頼性、高品質の様々な圧電素子を達成し得る圧電特性を有する膜の製造方法及び圧電素子を提供すること。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a plurality of minute recessed portions on the surface of a first substrate 3a by a mechanical means; and etching the surface of the first substrate 3a to reduce the thickness of the first substrate 3a and isotropically erode the minute recessed portions to form microlenses L.例文帳に追加

第１基板３ａの表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第１基板３ａの表面をエッチングして、前記第１基板３ａを薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズＬを形成する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This is an etching method for selectively removing a stacked film made on a semiconductor wafer, and herein a semiconductor wafer 1 is turned upside down horizontally, and is held with a cup 2 for wafer protection being a wafer holder, and the wafer holder is spin-rotated, while being supplied with etchant 3 from the rear side of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ１をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ２に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ１の裏面側よりエッチング液３を供給する。 - 特許庁

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a hardmask composition for a resist underlayer film that has high etching selectivity, sufficient resistance to multiple etchings, and an antireflective property to minimize the reflectivity between the resist and a lower layer, and a method of patterning a backside material layer on a substrate using the hardmask composition.例文帳に追加

エッチング選択性が高く、 多重エッチングに対する耐性が十分であり、レジストと下部層間の反射性を最小化する反射防止能を有するレジスト下層膜用ハードマスク組成物を提供すること、および該ハードマスク組成物を用いて、基板上の裏面材料層をパターン化させる方法を提供すること。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜４及び樹脂基材原料３を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a mask 7 is formed so that a portion 1h to be cut is exposed on a main surface S1 of the semiconductor device 1, and the portion 1h is cut by etching on the basis of the mask 7, thereby dividing the semiconductor device 1 into separate semiconductor chips.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法では、半導体基板１の主面Ｓ１に切断すべき部分１ｈを露出する様にしてマスク７を形成し、そのマスク７に基づき前記切断すべき部分１ｈをエッチングにより切断することにより、半導体基板１を個々の半導体チップに分割する。 - 特許庁

The method includes a step of adding multilayer boron nitride nanotubes in a mixture solvent comprising water and an organic solvent and subjecting the mixture to ultrasonic treatment to obtain a dispersion liquid, and a step of heating the dispersion liquid in a pressurized chamber so as to control the dimension of the outer walls of boron nitride nanotubes by etching by heating the dispersion liquid.例文帳に追加

多層からなる窒化ホウ素ナノチューブを水及び有機溶媒からなる混合溶媒中に添加し、超音波処理して分散液とする工程と、分散液を圧力容器中で加熱する工程と、を備え、窒化ホウ素ナノチューブの外壁寸法を、分散液の加熱によるエッチングで制御する。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric film element 1 comprises the steps of: forming a lower electrode 3 on a substrate 2; forming a piezoelectric film layer 4 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by formula (K_1-xNa_x)NbO_3 on the lower electrode 3; and wet-etching the piezoelectric film layer 4.例文帳に追加

圧電膜素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜層４を形成する工程と、圧電膜層４にウェットエッチングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁