「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electric solid-state device which has sufficient hillock resistance even when used as an aluminum-based wiring material, can be applied with dry etching, and never has wiring etched with a resist stripper used to peel a resist mask, and to provide an electro-optical device and a method of manufacturing the electric solid-state device.例文帳に追加

アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electron emitting electrode having a sharp projection and suitable for a purpose requiring large emission current such as an X-ray generating device by a simple manufacturing method which does not require etching in the separation process from a die, or does not require bonding of a support substrate for reinforcement to the electrode produced or the like.例文帳に追加

鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

To improve product yield and quality of a liquid-crystal display panel by, related to a method for manufacturing a liquid-crystal display panel, decreasing the number of processes, especially for exposure process, for improved productivity and lower manufacturing cost while occurrence of transistor defect related to an etching stopper part is suppressed.例文帳に追加

本発明の液晶ディスプレイパネルの製造方法は、第１に、工程数、特に露光工程数を低減することにより、生産性を向上させ、以て製造コストを下げることにあり、第２に、エッチングストッパー部に関連するトランジスタ不良の発生を抑え、液晶ディスプレイパネルの製品歩留り及び品質の向上を図ることにある。 - 特許庁

To provide an resist ink for forming a resist pattern using a direct resist drawing system for achieving smaller number of resist pattern forming steps, sufficient etching resistance of the resist pattern, and a satisfactory manufacturing yield and required manufacturing time for a conductor pattern, and provide a method for manufacturing a conductor pattern and a printed wiring board using the ink.例文帳に追加

レジストパターンの形成工程が少なく、レジストパターンの耐エッチング性が十分で、導体パターンの製造歩留まりや製造所要時間が満足のいく、レジスト直描方式を用いたレジストパターン形成用レジストインクを提供し、それを用いたレジストパターン、導体パターン、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method and apparatus, which immerses a substrate into a chemical to dissolve unwanted thin film and ejecting a cleaning solution from a nozzle above a liquid surface of the chemical, when the substrate is moved up to clean the substrate, prior to dried and deposition of particles on the surface of the substrate, thus reducing particle deposition.例文帳に追加

不要薄膜を溶解する薬液に基板を浸漬させた後、基板を上昇させる時に薬液の液面上部のノズルから洗浄液を吐出することにより、パーティクルが基板表面に乾燥固着する前に洗浄することでパーティクル付着を低減するエッチング方法及びエッチング装置。 - 特許庁

To the hydrophilization method for a metallic surface, a first stage in which a metallic surface is subjected to chemical etching treatment accompanied by film deposition and a second stage in which the film deposited on the metallic surface is chemically removed are applied to roughen the metallic surface, and after that, a hydrophilic film is deposited on the metallic surface.例文帳に追加

金属表面に皮膜形成を伴う化学エッチング処理を行う第一工程と、金属表面に形成された該皮膜を化学的に除去する第二工程とを施すことによって金属表面を粗面にし、その後該金属表面に親水性皮膜を形成させる金属表面の親水化処理方法である。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a low dielectric constant insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, a step for forming a resist pattern 6 on the low dielectric constant insulating film, a step for etching the low dielectric constant insulating film 5 with the resist pattern as a mask, and a step for peeling the resist pattern 6 by plasma treatment with ammonium ions.例文帳に追加

半導体基板１上に低誘電率絶縁膜５を形成する工程と、低誘電率絶縁膜上にレジストパターン６を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして低誘電率絶縁膜をエッチングする工程と、アンモニウムイオンによるプラズマ処理によってレジストパターン６を剥離する工程と、を備えている。 - 特許庁

The upper surface 10 side of the substrate 1 is polished at the same time when etching it by a mechanical polishing method, so that the part of the sheet metal layer 4 and the metal plating layer 5 which is formed on the upper surface 10 of the substrate 1 is polished and removed, resulting in forming through-hole electrodes 3 and 3 in the through-holes 2 and 2 of the substrate 1.例文帳に追加

その後、基板１の上面１０側を化学的機械的ポリッシング法によってエッチングと同時に研磨を行い、シートメタル層４及び金属めっき層５のうち基板１の上面１０に形成された部分を研磨除去し、スルーホール電極３，３を基板１のスルーホール２，２に形成する。 - 特許庁

The method comprises the steps of: cleaning an etching residue of the workpiece remaining on the etched pattern with a first chemical liquid; rinsing the workpiece subjected to cleaning with the first chemical liquid with a rinse liquid; and applying an application liquid designed to form an insulating film to the workpiece subjected to rinsing.例文帳に追加

前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第１の薬液により洗浄する工程と、前記第１の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for its manufacturing by which no bowing is formed at the cross section of a via hole formed in the organic low-permittivity film, no lack of edges of an insulating film containing silicon used as an etching mask of the organic low-permittivity is generated and an organic low-permittivity film can be accurately etched.例文帳に追加

有機低誘電率膜に形成するビアホールの断面がボーイング形状になったり、有機低誘電率膜のエッチングマスクとして用いるシリコン含有絶縁膜が肩落ちすることがなく、有機低誘電率膜を精度よくエッチングすることができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin wafer manufacturing method of simultaneously establishing grinding resistance in reverse-surface grinding of a wafer, high temperature heat resistance for heat applied during the process that followed, chemical resistance during plating or etching, smooth peeling of the processed wafer from a support substrate, and excellent removability of adhesive layer residue on a wafer surface after the peeling.例文帳に追加

ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、その後のプロセス中にかかる熱に対する高温耐熱性、めっき又はエッチング時の耐薬品性、加工後のウエハの、支持基板からのスムースな剥離、剥離後のウエハ表面の接着層残渣の優れた除去性を同時に成立させる、薄化ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the members having the antireflection function includes a step of spraying an etching solution to a surface of a substrate having a metallic layer on at least a surface thereof to form an etched layer on the surface of the substrate and a step of transferring a fine rugged structure of the etched layer formed on the substrate, to a surface of a resin material.例文帳に追加

少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 - 特許庁

The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.例文帳に追加

本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor chip package of a silicon substrate 1 is subjected to etching machining to form a recessed groove, the semiconductor chip 2 is packaged in the recessed groove in a flip-chip method, a semiconductor chip mount is sealed with a sealing resin 3, and a projection part from the upper surface is polished in the silicon substrate 1 of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

シリコン基板１の半導体チップ実装部分にエッチング加工して凹状の溝を作り、その凹状溝に半導体チップ２をフリップチップ方式により実装し、半導体チップ搭載部を封止樹脂３により封止し、半導体チップ２のシリコン基板１上面からの突出部分を研磨する。 - 特許庁

The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a (first) mask material film 13 on the film 12 to be worked, a step of making a tapered opening pattern 18 on the film 13, and a step of etching the film 12 by using the film 13 as a mask.例文帳に追加

被加工膜１２上に（第１の）マスク材料膜１３を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３にテーパ形状の開口パターン１８を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３をマスクに用いて前記被加工膜１２をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive magnetic head made correspondent to narrow tracks and a method for manufacturing the magnetic head by which the level difference in the base is eliminated when the lead head track of the magnetoresistive magnetic head is formed, and degradation in the dielectric voltage due to overetching is prevented when the magnetoresistance film is patterned by etching.例文帳に追加

電極間隔を決定するためのホトレジストパターンを形成する時点で下地パターンの段差が大きいと、安定的な狭トラック形成が不可能となる事、磁気抵抗効果膜をエッチングでパターンニングする時のオーバーエッチングによって、下部絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁耐圧が悪化する事。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a substrate holding part or the like, which results in forming a deposition film with constantly uniform film thickness and film quality to sharply reduce image defects, through removing a residue deposited on the base-substance holding part or an auxiliary part or the like with an etching treatment after forming the deposition film.例文帳に追加

堆積膜形成後におけエッチング処理によって、基体保持部品あるいは補助部品等に堆積した残留物を取り除くことにより、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、画像欠陥を激減することが可能な基体保持部品等のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a copper foil for micro wiring, which has fine surface roughness on a surface to be bonded, is uniformly roughened, has a high etching factor without lowering a bonding strength between the copper foil and a base resin material, and does not leave copper particles on the base material, to form micro wiring.例文帳に追加

銅箔の被接着面側の表面粗さが小さく、粗化が均一であり、銅箔と樹脂基材間の接着強度を低下させることなく、高いエッチングファクターを持ち、基材側に銅粒子が残ることなく、微細配線が形成可能な微細配線用銅箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material having high sensitivity and high resolution to high energy-beam exposure, small line-edge roughness because of controlled swelling at the time of development, small residual dross after development, excellent dry etching resistance, and suitably usable also for liquid immersion lithography, and provide a method for forming patterns by using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the curved surface forming method, by an etchant of a different etching rate corresponding to the composition ratio f of a specified element in a second clad layer 13, the second clad layer 13 in which the specified element has the distribution of the composition ratio f in a crystal growth direction is selectively removed, and a prescribed curved surface S is formed on the surface.例文帳に追加

曲面形成方法は、第２クラッド層１３中の特定の元素の組成比ｆに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比ｆの分布を有する第２クラッド層１３を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Ｓを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.例文帳に追加

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁

More concretely, the manufacturing method of the micro electromachinery type device to simultaneously carry out the removal of the mask and the sacrifice layer by selectively forming the sacrifice layer 10 on the insulating substrate, forming a semiconductor layer 104 by covering the sacrifice layer, forming the mask 105 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer by using the mask is provided.例文帳に追加

具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

There is provided the manufacturing method of the magnetic recording medium in which the convex magnetic patterns are formed on a substrate, a film of non-magnetic body is formed on a concave portion between the magnetic patterns or thereon, and etch back is performed using an etching gas including an oxygen while a surface of non-magnetic body is modified.例文帳に追加

基板上に凸状をなす磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部および前記磁性パターン上に非磁性体を成膜し、酸素を含有するエッチングガスを用いて、前記非磁性体の表面を改質しながらエッチバックを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a hardmask composition for a resist underlayer film that has high etching selectivity, sufficient resistance to multiple etchings, and an antireflective property to minimize the reflectivity between the resist and a lower layer, and a method of patterning a backside material layer on a substrate using the hardmask composition.例文帳に追加

エッチング選択性が高く、 多重エッチングに対する耐性が十分であり、レジストと下部層間の反射性を最小化する反射防止能を有するレジスト下層膜用ハードマスク組成物を提供すること、および該ハードマスク組成物を用いて、基板上の裏面材料層をパターン化させる方法を提供すること。 - 特許庁

The method is characterised in that, when the shape of a film is predicted by performing a numerical simulation on the object where a film is formed or etching is performed by the deposition of moving particles, a phenomenon in which the particles are reflected by a part of the film is mathematically handled as reflection and deposition which occur at the same time.例文帳に追加

運動する粒子の付着によって成膜あるいは食刻が行われる対象について数値シミュレーションを実行して膜形状を予測する際に、上記粒子が膜部位によって反射される現象を計算上では反射と付着とが同時に起こるものとして取り扱うことを特徴としている。 - 特許庁

In the pattern forming method for forming the desired resist pattern by making photosensitive a resist 2 formed on a substrate 1 to be processed, the film thickness and transmissivity of the resist 2 are determined, so as to balance an etching selection ratio with the substrate 1 to be processed and to make the sidewall of the formed pattern vertical to the substrate 1 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１の上に形成されたレジスト２を感光させることにより所望のレジストパターンを形成するパターン形成方法において、被処理基板１とのエッチング選択比がとれ、かつ、形成されたパターンの側壁が被処理基板１に対して垂直となるようにレジスト２の膜厚及び透過率を決定する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor wafer includes a step of carrying out a grinding process for grinding and flattening the both faces of the wafer instead of a process for flattening a beveled wafer, that is, a lapping process, and carrying out a dry etching process (for example, sandblast) for putting uniform scratches on the back face of the wafer after the grinding process.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁

In the surface treatment method for aluminum or an aluminum alloy, in an aqueous solution of an alkali metal salt having a concentration of ≥0.01 mol/L, energizing is performed using an aluminum or aluminum material as an anode in such a manner that voltage is controlled to ≥10 V and electric quantity is controlled to 1.5 to 9.0 A×hr/dm^2, and etching is performed.例文帳に追加

本発明に係るアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法は、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上のアルカリ金属塩の水溶液中で、アルミニウム又はアルミニウム合金材を陽極として電圧１０Ｖ以上で電気量１．５〜９．０Ａ・ｈｒ／ｄｍ^２ を通電し、エッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a copper foil for a printed wiring board, which is free of locally eroded recesses on a glossy face side thereof during soft etching processing and is not discolored even by high-temperature treatment at 300°C for 30 minutes and has an excellent solubility in acid solution, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

圧延銅箔の光沢面側において、ソフトエッチング処理の際、局部的に侵食された凹みが生じることがなく、また３００℃、３０分の高温処理でも変色を起こさず更に酸溶液に対する溶解性が良好なプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon wafer working method, capable of covering the surface of a silicon wafer with a protective film at thin etching of the back surface of the silicon wafer in the thickness direction, after forming elements such as a resonator and an infrared sensor on the silicon wafer and easily removing the protective film, without damaging the elements or the like.例文帳に追加

シリコンウエハ上に共振器や赤外線センサなどの素子を形成した後に、シリコンウエハの裏面を厚み方向に薄くエッチングするとき、シリコンウエハの表面を保護膜で覆い、かつ、素子などにダメージを与えることなく容易に保護膜を除去することができるシリコンウエハ加工方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first resin part 20 in the center on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed, a step for forming a second resin part 25 to overlap the surrounding member 16, a step for etching the electrode 14, and a step for forming wiring 30.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の電極１４が形成された面の中央部に第１の樹脂部２０を形成すること、囲繞部材１６とオーバーラップするように第２の樹脂部２５を形成すること、その後、電極１４をエッチングすること、及び、配線３０を形成することを含む。 - 特許庁

The method for dry-etching includes a step of introducing a treatment component including a halogen containing gas such as Cl_2, HBr, BCl_2 or the like, and a fluorocarbon gas having a chemical formula C_xH_yF_z, wherein x and z are 1 or more and y is 0 or more.例文帳に追加

そのエッチングの処理は、Ｃｌ_２、ＨＢｒ又はＢＣｌ_２等のハロゲン含有ガス、及び化学式Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚを有するフルオロカーボンガスであって、ｘ及びｚは１に等しいか又は１より大きく、ｙは０に等しいか又は０より大きい、フルオロカーボンガスを有する処理成分を導入する段階を有する。 - 特許庁

To provide a high molecular compound having excellent reactivity, inflexibility and adhesion to a substrate and less liable to swell in development and a resist material using the high molecular compound as a base resin and having much higher resolution and etching resistance than conventional resist materials and to provide a pattern forming method using the resist material.例文帳に追加

反応性、剛直性及び基板密着性に優れ、かつ現像時の膨潤の小さい高分子化合物、該高分子化合物をベース樹脂とし、従来品を大きく上回る解像性及びエッチング耐性を有するレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film selected from among a group composed of an YAlO_x film, GdAlO_x film and DyAlO_x film on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 8-9 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＹＡｌＯ_ｘ膜、ＧｄＡｌＯ_ｘ膜およびＤｙＡｌＯ_ｘ膜よりなる群から選ばれるいずれか１の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ８〜９の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method of carrying a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, which can restrain (reduce) sticking of foreign matters to the semiconductor substrate from the atmosphere of a treatment chamber, which performs a treatment such as film formation or etching to the semiconductor substrate during carriage of the semiconductor substrate into the semiconductor manufacturing apparatus; and to provide a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置内での半導体基板の搬送中に、半導体基板に対して成膜、エッチングなどの処理を行う処理チャンバーの雰囲気から半導体基板に付着する異物を抑制（低減）できる半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymeric compound appropriate for a base resin of a positive resist material having a high resolution exceeding a conventional positive resist material, an excellent pattern shape after exposure, and further exhibiting excellent etching resistance, particularly of a chemically amplified positive resist material, a positive resist material and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which, in the case where an InP-based device is formed with a sacrificial layer in between, is capable of obtaining better device characteristics than those in the case where an AlAs single layer is used as the sacrificial layer, and which avoids the risk that the device layer is etched during etching of the sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層を介してＩｎＰ系のデバイスを形成したときに、犠牲層としてＡｌＡｓ単層を用いたときのデバイス特性よりも良好なデバイス特性を得ることができ、かつ、犠牲層をエッチングする際に、デバイス層もエッチングされてしまう虞のない半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a color filter substrate for a reflection type liquid crystal display device which can maintain stable quality of a metal film as a reflection material through multiple imposition fabrication of single-wafer type by avoiding the exposure of the metal film to chemical liquid such as separation liquid in a process for separating an etching protective film, and provide a color filter substrate.例文帳に追加

反射材である金属膜のエッチング保護膜剥離工程における剥離液等の薬液による暴露を回避して、枚葉方式の多面付け生産での金属膜の安定した品質を維持できる反射型液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法とカラーフィルタ基板を提供する。 - 特許庁

The thin-film-forming method includes a plasma (etching) treatment step S3 of exposing an organic layer formed on an object to be film-formed thereon to a plasma atmosphere in a vacuum, and an SiO_2-film-forming step S4 of forming a layer of an SiO_2 film on the organic layer of the object to be film-formed thereon in the vacuum.例文帳に追加

本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ_2膜層を形成するＳiＯ_2膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.例文帳に追加

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁