「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(129ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide photosensitive resist ink which is used for forming a resist pattern by a direct resist drawing method and has sufficiently high resist pattern curing speed, etching resistance, peelability, etc., and with which the manufacturing yield and manufacturing time of a conductor pattern can be improved; and to provide methods of manufacturing resist pattern, conductor pattern, and printed wiring board.例文帳に追加

レジスト直描方式を用いたレジストパターンの形成に用いられるレジストインクにおいて、レジストパターンの硬化速度、耐エッチング性、剥離性等が十分で、導体パターンの製造歩留まりや製造所要時間が満足のいく、感光性レジストインクを提供し、レジストパターン、導体パターン、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: forming the insulating film on a first conductor film; and forming a recess in an upper part of the insulating film exposed in an opening of a mask film and sticking reaction products on a lower part of a side wall part of the mask film through anisotropic etching using the mask film having the opening for exposing the insulating film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。 - 特許庁

The surface treatment method includes a process for treating the surface of a resin pattern formed on a substrate or an etched pattern formed on the substrate by etching with a surface treatment liquid containing a silylation agent and a solvent, and a process for cleaning the resin pattern obtained after treatment by the surface treatment liquid, or the etched pattern.例文帳に追加

本発明に係る表面処理方法は、基板上に設けられた樹脂パターン、又はエッチングにより基板に形成された被エッチングパターンの表面を、シリル化剤及び溶剤を含有する表面処理液で処理する工程と、表面処理液による処理後の樹脂パターン又は被エッチングパターンを洗浄する工程と、を含む。 - 特許庁

In a manufacturing method of the ring-shaped glass substrate for magnetic recording medium, an end face is formed by etching when machining a glass material plate into the glass substrate 11 on a disk, thus obtaining the glass substrate for magnetic recording medium without any flaws on an outer-periphery end face 13 and an inner-periphery end face 14.例文帳に追加

円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス素板をディスク上のガラス基板１１に加工する際に、端面形成をエッチングにより行うことにより、外周端面１３及び内周端面１４に傷のない磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for performing polishing of the side peripheral surfaces of the glass disks 10 by bringing the side peripheral surfaces 12 and 14 of a glass disk layered body 1 wherein glass disks 10 and adhesive resin layers 20 are alternately layered into contact with an etching liquid, the glass disks 10 are etched after the adhesive resin layers 20 are previously etched.例文帳に追加

ガラスディスク１０と接着樹脂層２０とが交互に積層されたガラスディスク積層体１の側周面１２，１４がエッチング液に接することによってガラスディスク１０の側周面を研磨加工する方法であって、接着樹脂層２０を予めエッチングした上で、ガラスディスク１０をエッチングする。 - 特許庁

To provide a polymer which has dry etching resistance, is high in sensitivity, resolution and light transmittance, when used for resist compositions for DUV excimer laser lithography or the like, has small line edge roughness of resist patterns and can resist to thin resist films, to provide a resist composition, and to provide a method for producing a substrate on which a resist pattern is formed.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等のレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、光線透過率が高く、レジストパターンのラインエッジラフネスが小さく、レジスト膜の薄膜化に耐えることができるドライエッチング耐性を有する重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of: cleaning an etching residue of the workpiece remaining on the etched pattern with a first chemical liquid; rinsing the workpiece subjected to cleaning with the first chemical liquid with a rinse liquid; and applying an application liquid designed to form an insulating film to the workpiece subjected to rinsing.例文帳に追加

前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第１の薬液により洗浄する工程と、前記第１の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for its manufacturing by which no bowing is formed at the cross section of a via hole formed in the organic low-permittivity film, no lack of edges of an insulating film containing silicon used as an etching mask of the organic low-permittivity is generated and an organic low-permittivity film can be accurately etched.例文帳に追加

有機低誘電率膜に形成するビアホールの断面がボーイング形状になったり、有機低誘電率膜のエッチングマスクとして用いるシリコン含有絶縁膜が肩落ちすることがなく、有機低誘電率膜を精度よくエッチングすることができる半導体装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a thin wafer manufacturing method of simultaneously establishing grinding resistance in reverse-surface grinding of a wafer, high temperature heat resistance for heat applied during the process that followed, chemical resistance during plating or etching, smooth peeling of the processed wafer from a support substrate, and excellent removability of adhesive layer residue on a wafer surface after the peeling.例文帳に追加

ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、その後のプロセス中にかかる熱に対する高温耐熱性、めっき又はエッチング時の耐薬品性、加工後のウエハの、支持基板からのスムースな剥離、剥離後のウエハ表面の接着層残渣の優れた除去性を同時に成立させる、薄化ウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition which gives a resist pattern having high sensitivity and high resolution as ≤0.15 μm and having a square cross section in the production of a semiconductor device and to provide a positive photoresist composition showing small dimensional shift when a pattern is transferred to a lower layer in an oxygen plasma etching process of a two-layer resist method.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において高感度且つ0.15μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するレジストパターンを与えるポジ型フォトレジスト組成物、２層レジスト法において酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the members having the antireflection function includes a step of spraying an etching solution to a surface of a substrate having a metallic layer on at least a surface thereof to form an etched layer on the surface of the substrate and a step of transferring a fine rugged structure of the etched layer formed on the substrate, to a surface of a resin material.例文帳に追加

少なくとも表面が金属層をなす基板の表面にエッチング液を吹き付けて該基板の表面にエッチング層を形成する工程と、該基板上に形成された該エッチング層の微細凹凸構造を樹脂材料の表面に転写する工程とを含む反射防止機能を有する部材の製造方法である。 - 特許庁

The device and manufacturing method of the device, wherein a first conductive layer contacting a semiconductor area is formed, an insulating layer is formed on the first conductive layer in a coating process, a mask pattern is formed by radiating a laser beam to a part of the insulating layer, etching is performed with the mask pattern as a mask to form a divided first conductive layer.例文帳に追加

本発明は、半導体領域に接する第１の導電層を形成し、第１の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第１の導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor chip package of a silicon substrate 1 is subjected to etching machining to form a recessed groove, the semiconductor chip 2 is packaged in the recessed groove in a flip-chip method, a semiconductor chip mount is sealed with a sealing resin 3, and a projection part from the upper surface is polished in the silicon substrate 1 of the semiconductor chip 2.例文帳に追加

シリコン基板１の半導体チップ実装部分にエッチング加工して凹状の溝を作り、その凹状溝に半導体チップ２をフリップチップ方式により実装し、半導体チップ搭載部を封止樹脂３により封止し、半導体チップ２のシリコン基板１上面からの突出部分を研磨する。 - 特許庁

The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a (first) mask material film 13 on the film 12 to be worked, a step of making a tapered opening pattern 18 on the film 13, and a step of etching the film 12 by using the film 13 as a mask.例文帳に追加

被加工膜１２上に（第１の）マスク材料膜１３を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３にテーパ形状の開口パターン１８を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３をマスクに用いて前記被加工膜１２をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive magnetic head made correspondent to narrow tracks and a method for manufacturing the magnetic head by which the level difference in the base is eliminated when the lead head track of the magnetoresistive magnetic head is formed, and degradation in the dielectric voltage due to overetching is prevented when the magnetoresistance film is patterned by etching.例文帳に追加

電極間隔を決定するためのホトレジストパターンを形成する時点で下地パターンの段差が大きいと、安定的な狭トラック形成が不可能となる事、磁気抵抗効果膜をエッチングでパターンニングする時のオーバーエッチングによって、下部絶縁膜の膜厚が薄くなり、絶縁耐圧が悪化する事。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a substrate holding part or the like, which results in forming a deposition film with constantly uniform film thickness and film quality to sharply reduce image defects, through removing a residue deposited on the base-substance holding part or an auxiliary part or the like with an etching treatment after forming the deposition film.例文帳に追加

堆積膜形成後におけエッチング処理によって、基体保持部品あるいは補助部品等に堆積した残留物を取り除くことにより、膜厚および膜質が均一な堆積膜を定常的に形成し、画像欠陥を激減することが可能な基体保持部品等のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The method for separating the metallic plate to a required shape comprises a first step for forming a plastically deformed portion having a locally thin portion along a separating portion by the plastic working, and a second step for chemically dissolve and remove the plastically deformed portion by the etching work.例文帳に追加

金属板材を所望の形状に分離加工する方法において、塑性加工により、分離部に沿って局部的に板厚の薄い塑性変形部を形成する第一工程、及び、エッチング加工により、前記塑性変形部を化学的に溶解除去する第二工程からなる金属板材の分離加工方法。 - 特許庁

Before the deposition of the III-V compound semiconductor film 17 with the MBE method, forming the homoepitaxial film 15 on a polished surface 13a of the semiconductor single crystal wafer 13 reduces a dependency of an optical characteristic of the III-V compound semiconductor film 17 on the presence of a chemical etching process on the main surface of the wafer.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-output solar battery that can reliably fix a spherical cell even if it is not a full sphere, prevents an etching agent from leaking, solves the problem of continuity between inner and outer electrodes in high-density packaging, and improves reliability and working efficiency, and to provide the solar battery.例文帳に追加

球体セルが真球でない場合でも固定が確実にでき、エッチング剤が漏れず、高密度実装においての内側電極と外側電極との導通の問題を解決し、信頼性の向上をはかり、作業性が良く、高出力の太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a copper foil for micro wiring, which has fine surface roughness on a surface to be bonded, is uniformly roughened, has a high etching factor without lowering a bonding strength between the copper foil and a base resin material, and does not leave copper particles on the base material, to form micro wiring.例文帳に追加

銅箔の被接着面側の表面粗さが小さく、粗化が均一であり、銅箔と樹脂基材間の接着強度を低下させることなく、高いエッチングファクターを持ち、基材側に銅粒子が残ることなく、微細配線が形成可能な微細配線用銅箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist material having high sensitivity and high resolution to high energy-beam exposure, small line-edge roughness because of controlled swelling at the time of development, small residual dross after development, excellent dry etching resistance, and suitably usable also for liquid immersion lithography, and provide a method for forming patterns by using the resist material.例文帳に追加

レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the curved surface forming method, by an etchant of a different etching rate corresponding to the composition ratio f of a specified element in a second clad layer 13, the second clad layer 13 in which the specified element has the distribution of the composition ratio f in a crystal growth direction is selectively removed, and a prescribed curved surface S is formed on the surface.例文帳に追加

曲面形成方法は、第２クラッド層１３中の特定の元素の組成比ｆに応じてエッチングレートの異なるエッチャントにより、特定の元素が結晶成長方向に組成比ｆの分布を有する第２クラッド層１３を選択的に除去して、その表面に所定の曲面Ｓを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming a junction hole of a semiconductor device which can form a junction hole with minuteness and high aspect ratio with a mixture gas including at least a fluorocarbon gas for an etching gas to etch an interlayer dielectric film covering an electrically conducting layer, controlling generation of side spread in the junction hole.例文帳に追加

少なくとも導電層を被覆する層間絶縁膜をエッチングするエッチングガスにフルオロカーボンガスを含む混合ガスを用いて、接続孔内部で横方向広がり部の発生を抑制しながら、微細で且つ孔アスペクト比の接続孔を形成できる半導体装置の接続孔形成方法を提供する。 - 特許庁

More concretely, the manufacturing method of the micro electromachinery type device to simultaneously carry out the removal of the mask and the sacrifice layer by selectively forming the sacrifice layer 10 on the insulating substrate, forming a semiconductor layer 104 by covering the sacrifice layer, forming the mask 105 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer by using the mask is provided.例文帳に追加

具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

There is provided the manufacturing method of the magnetic recording medium in which the convex magnetic patterns are formed on a substrate, a film of non-magnetic body is formed on a concave portion between the magnetic patterns or thereon, and etch back is performed using an etching gas including an oxygen while a surface of non-magnetic body is modified.例文帳に追加

基板上に凸状をなす磁性パターンを形成し、前記磁性パターン間の凹部および前記磁性パターン上に非磁性体を成膜し、酸素を含有するエッチングガスを用いて、前記非磁性体の表面を改質しながらエッチバックを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The method is characterised in that, when the shape of a film is predicted by performing a numerical simulation on the object where a film is formed or etching is performed by the deposition of moving particles, a phenomenon in which the particles are reflected by a part of the film is mathematically handled as reflection and deposition which occur at the same time.例文帳に追加

運動する粒子の付着によって成膜あるいは食刻が行われる対象について数値シミュレーションを実行して膜形状を予測する際に、上記粒子が膜部位によって反射される現象を計算上では反射と付着とが同時に起こるものとして取り扱うことを特徴としている。 - 特許庁

In the pattern forming method for forming the desired resist pattern by making photosensitive a resist 2 formed on a substrate 1 to be processed, the film thickness and transmissivity of the resist 2 are determined, so as to balance an etching selection ratio with the substrate 1 to be processed and to make the sidewall of the formed pattern vertical to the substrate 1 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１の上に形成されたレジスト２を感光させることにより所望のレジストパターンを形成するパターン形成方法において、被処理基板１とのエッチング選択比がとれ、かつ、形成されたパターンの側壁が被処理基板１に対して垂直となるようにレジスト２の膜厚及び透過率を決定する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor wafer includes a step of carrying out a grinding process for grinding and flattening the both faces of the wafer instead of a process for flattening a beveled wafer, that is, a lapping process, and carrying out a dry etching process (for example, sandblast) for putting uniform scratches on the back face of the wafer after the grinding process.例文帳に追加

半導体ウェーハの製造方法のうち、面取りしたウェーハを平坦化する工程すなわちラッピング工程に代えて、ウェーハの両面を研削して平坦化する研削工程を行い、さらにこの研削工程後にウェーハの裏面に不均一な傷を入れて梨地にする梨地加工工程（例えば、サンドブラスト）を行う。 - 特許庁

A p-type source/drain layer 37 is allowed to remain only at a p-type TFT region 12p by the reactive thermal CVD method via an etching stopper layer 35a, in a shape of the gate electrode 32 of a p-type TFT region 12n and a p-type TFT region 12p, and further the active layer 34 is patterned into an island shape.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ領域１２ｎと、ｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのゲート電極３２の形状のエッチングストッパ層３５ａを介して、反応性熱ＣＶＤ法によって成膜したｐ型ソース・ドレイン層３７をｐ型ＴＦＴ領域１２ｐのみに残し、さらに活性層３４を島状にパターニングする。 - 特許庁

In the surface treatment method for aluminum or an aluminum alloy, in an aqueous solution of an alkali metal salt having a concentration of ≥0.01 mol/L, energizing is performed using an aluminum or aluminum material as an anode in such a manner that voltage is controlled to ≥10 V and electric quantity is controlled to 1.5 to 9.0 A×hr/dm^2, and etching is performed.例文帳に追加

本発明に係るアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法は、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上のアルカリ金属塩の水溶液中で、アルミニウム又はアルミニウム合金材を陽極として電圧１０Ｖ以上で電気量１．５〜９．０Ａ・ｈｒ／ｄｍ^２ を通電し、エッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device includes the following steps: forming an insulating layer in the upper layer of a semiconductor layer; forming a conductive layer including at least any one of Ta and TaN; and etching the conductive layer using a gas containing SiCl_4 and NF_3.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体層の上方に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上方にタンタルおよび窒化タンタルの少なくともいずれかを含む導電層を形成する工程と、ＳｉＣｌ_４とＮＦ_３とを含むガスを用いて前記導電層をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a dry etching method with which no undercut occurs and a working shape difference hardly occurs between an isolate pattern and a congestion pattern, in the step of selectively removing a chemical compound semiconductor layer containing neither Al nor In and laminated on a chemical compound semiconductor layer containing either Al or In.例文帳に追加

ＡｌもしくはＩｎを含む化合物半導体層の上に積層されたＡｌもしくはＩｎを含まない化合物半導体層を選択的に除去する工程において、アンダーカットが生じず、且つ、孤立パターン部と密集パターン部における加工形状差の生じにくい、ドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for protecting a collector layer exposed in a groove formed in the periphery of a element area at the time of forming an element separating area, and a method for accurately controlling etching for forming an element separating area for separating semiconductor elements in the element area formed on a compound semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離領域を形成する際に素子領域周辺に設けられる溝に露出するコレクタ層を保護する構造の半導体装置及び化合物半導体基板上に形成される素子領域中の半導体素子を分離する素子分離領域を形成するためのエッチングを正確に制御する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film.例文帳に追加

有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。 - 特許庁

The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.例文帳に追加

この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁

To provide a deposition film forming method by which, in substrate treatment such as formation of a functional deposition film, the clogging of exhaust piping when exhaust gas including unreacted gas, by-products or the like is exhausted is remarkably reduced, also substance deposited on the piping is effectively removed upon etching, and the original treatment can be efficiently performed.例文帳に追加

機能性堆積膜の形成といった基体処理において、未反応ガスや副生成物等を含んだ排気ガスを排気する際の排気配管の閉塞が大幅に低減され、かつ、エッチングの際に効果的に除去され、効率良く本来の処理を行うことができる堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A gas-barrier resin molded article is obtained by plasma-etching the surface of a resin molded article to attain the root-mean square roughness (Rms) into 3 nm or lower and forming a diamond like carbon film of 5-20 nm thickness by a plasma CVD method on a surface of a resin molded article.例文帳に追加

本発明のガスバリア性樹脂成形体は、樹脂成形体の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を３ｎｍ以下にする工程、次にプラズマＣＶＤ法により樹脂成形体の表面に膜厚が５〜２０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜を形成することにより得られる。 - 特許庁

Concerning the producing method for a thin film wiring board formed with thin film layers on the baseboard having a VIA for electrically conducting the layers, the void defect existent on the VIA is filled with a conductive member having corrosion resistance in respect to an etching solution and afterwards, the thin film layers are formed on the base.例文帳に追加

層間を電気的に導通させるＶＩＡを有するベース基板に薄膜層を形成した薄膜配線基板の製造方法において、前記ＶＩＡ上に存在するボイド欠陥を、エッチング溶液に対する耐腐食性を有する導電材により埋めた後、前記ベース基板上に薄膜層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the solid-state imaging element comprises, at least a step of forming the hole 13 in a part directly above the sensor 2 of the transparent film 9, the step of forming the organic polymer 10 by embedding the polymer in the hole 13, and the step of planarizing surface by etching back the polymer 10.例文帳に追加

そして、透明膜９の受光センサ部２の直上の部分に孔部１３を形成する工程と、この孔部１３を埋めて有機ポリマー１０を形成する工程と、この有機ポリマー１０に対してエッチバックを行って表面を平坦化する工程とを少なくとも有して上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁

To provide a new printed circuit board manufacturing method assuring the through-hole forming process of an insulation film of the relevant printed circuit board with higher accuracy and effectiveness for entire area of the printed circuit board without generation of problems such as generation of damage on circuit patterns and elimination of conductive circuits due to the over-etching.例文帳に追加

プリント配線板の全面積にわたって精度良く、かつ効率的に、しかもオーバーエッチングによる回路パターンへのダメージ発生や導体回路の消失といった問題を生じることなしに、当該プリント配線板の絶縁層を貫通加工することが可能な、新規なプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an equipment and a method for plasma processing being employed in a plasma CVD system where a high quality large area thin film can be deposited at a high rate with limited film quality and film thickness distribution or in a plasma etching system where a large area can be etched at a high rate with limited machining rate distribution.例文帳に追加

膜品質や膜厚分布が小さく、高速かつ大面積で高品質な薄膜の成膜が可能となるプラズマＣＶＤ装置あるいは、加工レート分布が小さく高速かつ大面積でエッチングが可能となるプラズマエッチング装置等に用いられる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁