「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

The defect inspection method for a resist pattern includes (a) a step of forming the resist pattern on a semiconductor substrate, (b) a step of etching the semiconductor substrate with the resist pattern used as a mask, and (c) a step of inspecting the etched semiconductor substrate for a defect as a substitute of the resist pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの欠陥検査方法は、（ａ）半導体基板上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記レジストパターンをマスクとして用いて半導体基板をエッチングする工程と、（ｃ）レジストパターンの代替えとして前記エッチング後の半導体基板の欠陥検査を行う工程を備える。 - 特許庁

To provide a method for quantifying a free hydrochloric acid in a ferric chloride solution which directly, accurately and conveniently quantifies the free hydrochloric acid in the ferric chloride solution without quantifying iron by converting the iron within the ferric chloride solution used as an etching solution into a fluoride compound.例文帳に追加

エッチング溶液として使用される塩化第二鉄溶液中の鉄をフッ素化合物にすることによって鉄を定量すること無く、塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸を直接精度良くかつ簡便に定量することが出来る塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸の定量方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

In manufacturing a mold for molding the small-sized precision molded article by using a thermosetting resin material, a method for processing the mold by etching is provided, and an ejector pin is installed on the periphery of the outside of a cavity, and when the molded article is separated from the mold, a resin part is ejected by the ejector pin.例文帳に追加

熱硬化性樹脂材料を用いて小型精密成形品を成形するための金型製作において、エッチングにより金型を加工する方法、および突き出しピンをキャビティの外側周囲に設置し、成形品を金型から分離するときに樹脂部を突き出しピンにより突き出すことを特徴とする成形金型。 - 特許庁

In this method of forming the film having the composition containing Si, C, and N and used as the etching stopper layer, the film having the composition containing Si, C, and N is formed on a substrate disposed in a reaction chamber having a heated heating body by causing the vapor of an amino silicon component to exist in the reaction chamber.例文帳に追加

例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。 - 特許庁

To provide a method and a device capable of trimming without causing waviness on a fracture surface when trimming for separating an unnecessary part provided between product parts from a discrete metal sheet in a state of etching processed, providing trimming line parts thereon, and having the multiple product parts laid out providing unnecessary parts between the product parts.例文帳に追加

エッチング加工され、トリミング線部を設け、製品部が複数個、製品部間に不要部を設けて面付けされている状態の、枚葉の金属シートから、製品部間に設けられた不要部を分離するトリミングの際に、その破断面に波打ちを発生させずにトリミングが行なえる方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent device capable of improving a light emitting characteristic in all organic EL elements different in structures of organic functional layers by plasma irradiation to pixel electrodes, and surely preventing an etching residue and the like from being deposited again on an element substrate in the plasma irradiation.例文帳に追加

画素電極に対するプラズマ照射によって、有機機能層の構成が相違するいずれの有機ＥＬ素子においても発光特性を向上でき、さらに、プラズマ照射時、エッチング残滓などが素子基板上に再び堆積することを確実に防止することのできる有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a polymer which has excellent transparency, excellent dry etching resistance and excellent solubility in organic solvents, to provide a chemical amplification type resist composition suitable for far infrared light excimer laser lithography, electron beam lithography and the like, and to provide a method for forming a pattern with the chemical amplification type resist composition.例文帳に追加

優れた透明性と高いドライエッチング耐性とを有し、有機溶媒に対する溶解性にも優れた重合体、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適な化学増幅型レジスト組成物、および、この化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for restoring the shape of the pattern of the substrate having an imperfect pattern comprises; (a) a step of detecting the imperfect pattern by inspecting the substrate; and (b) a step of restoring the shape of the pattern by etching or depositing the detected imperfect pattern with radiation.例文帳に追加

不完全なパターンを有する基材のパターンの形状を修復する方法であって、（ａ）基材を検査して不完全なパターンを検出するステップと、（ｂ）前記検出された不完全なパターンを放射線によりエッチング又は堆積してパターンの形状を修復するステップ、を含むことを特徴とする、形状修復方法を用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which uses an organic insulation film as an interlayer insulation film and has opening portions therein for forming wirings by etching with oxygen containing gas plasma, and to provide its fabrication method, in which the degradation of the electrical characteristics of an interlayer insulation film and the failure of wiring structures do not occur.例文帳に追加

層間絶縁膜に有機絶縁膜を使用し、酸素を含有するガスのプラズマによってエッチングして配線形成用の開口部を形成する半導体装置において、層間絶縁膜の電気特性の劣化や、配線構造の不良を招くことがない、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a film having piezoelectric characteristics as well as various piezoelectric elements of high reliability and quality, by achieving safe fine working with no damage on a base material for easy fine working where etching is controlled in depthwise direction of a film while a film itself can be taken out.例文帳に追加

下地へのダメージの無い安全な微細加工を実現し、エッチングを膜の深さ方向で制御した微細加工を容易にし、膜単体でも取り出す事を可能にする事により、高信頼性、高品質の様々な圧電素子を達成し得る圧電特性を有する膜の製造方法及び圧電素子を提供すること。 - 特許庁

The method includes a step of adding multilayer boron nitride nanotubes in a mixture solvent comprising water and an organic solvent and subjecting the mixture to ultrasonic treatment to obtain a dispersion liquid, and a step of heating the dispersion liquid in a pressurized chamber so as to control the dimension of the outer walls of boron nitride nanotubes by etching by heating the dispersion liquid.例文帳に追加

多層からなる窒化ホウ素ナノチューブを水及び有機溶媒からなる混合溶媒中に添加し、超音波処理して分散液とする工程と、分散液を圧力容器中で加熱する工程と、を備え、窒化ホウ素ナノチューブの外壁寸法を、分散液の加熱によるエッチングで制御する。 - 特許庁

A method for manufacturing a piezoelectric film element 1 comprises the steps of: forming a lower electrode 3 on a substrate 2; forming a piezoelectric film layer 4 of alkali niobium oxide-based perovskite structure represented by formula (K_1-xNa_x)NbO_3 on the lower electrode 3; and wet-etching the piezoelectric film layer 4.例文帳に追加

圧電膜素子１の製造方法は、基板２上に下部電極３を形成する工程と、下部電極３上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電膜層４を形成する工程と、圧電膜層４にウェットエッチングを行う工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of etching part of the semiconductor layer from between the source electrode 9 and the drain electrode 12, a step of performing He plasma treatment on the partially etched semiconductor layer from between the electrodes 9 and 12, and a step of performing H_2 plasma treatment on the semiconductor layer after the He plasma treatment.例文帳に追加

そして、ソース電極９とドレイン電極１２との間から半導体層の一部をエッチングする工程と、ソース電極９とドレイン電極１２との間から一部をエッチングされた半導体層にＨｅプラズマ処理を施す工程と、Ｈｅプラズマ処理後に、半導体層にＨ_２プラズマ処理を施す工程とを備える。 - 特許庁

To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.例文帳に追加

半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The production process of an electromagnetic wave shielding material comprises a step for forming a substrate with a metal thin film using a metal thin film 4 and a resin substrate material 3 by a melting extrusion laminating method, and a step for patterning the metal thin film into mesh by etching and forming a meshed metal thin film.例文帳に追加

金属薄膜４及び樹脂基材原料３を用い、溶融押し出しラミネート法により金属薄膜付基材を形成する工程、該金属薄膜をエッチング法によりメッシュ状にパターニングし、メッシュ状金属薄膜を形成する工程、を有することを特徴とする電磁波遮蔽材およびその製造方法とする。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a mask 7 is formed so that a portion 1h to be cut is exposed on a main surface S1 of the semiconductor device 1, and the portion 1h is cut by etching on the basis of the mask 7, thereby dividing the semiconductor device 1 into separate semiconductor chips.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法では、半導体基板１の主面Ｓ１に切断すべき部分１ｈを露出する様にしてマスク７を形成し、そのマスク７に基づき前記切断すべき部分１ｈをエッチングにより切断することにより、半導体基板１を個々の半導体チップに分割する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a plurality of minute recessed portions on the surface of a first substrate 3a by a mechanical means; and etching the surface of the first substrate 3a to reduce the thickness of the first substrate 3a and isotropically erode the minute recessed portions to form microlenses L.例文帳に追加

第１基板３ａの表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第１基板３ａの表面をエッチングして、前記第１基板３ａを薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズＬを形成する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

This is an etching method for selectively removing a stacked film made on a semiconductor wafer, and herein a semiconductor wafer 1 is turned upside down horizontally, and is held with a cup 2 for wafer protection being a wafer holder, and the wafer holder is spin-rotated, while being supplied with etchant 3 from the rear side of the semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウェハ上に形成した堆積膜を選択的に除去するエッチング方法であって、その裏面を上にし水平にして半導体ウェハ１をウェハ保持体であるウェハ保護用カップ２に保持し上記ウェハ保持体をスピン回転させ上記半導体ウェハ１の裏面側よりエッチング液３を供給する。 - 特許庁

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically.例文帳に追加

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。 - 特許庁

Etching of an electrode forming material layer M is carried out by having a resist R1 patterned into a shape provided with a part or all of a connection electrode forming part R1C with a width, which is equal to or greater than the set beforehand width of the connection electrode E3 which is necessary for connection of a display electrode E1 and a drawing electrode E2 in the manufacturing method.例文帳に追加

レジストＲ１が、接続電極成形部分Ｒ１Ｃの一部または全部が表示電極Ｅ１と引出電極Ｅ２の接続に必要な予め設定された接続電極Ｅ３の幅以上の大きさの幅を有する形状にパターニングされて、電極形成材料層Ｍのエッチングが行われる。 - 特許庁

A method for manufacturing the circuit substrate includes the steps of forming many recesses in an Si substrate, forming a thermal oxide film so as to cover the surface of the recesses, further filling the recesses with conductors, then flattening the recesses, further forming a multilayer wiring structure on the Si substrate, then grinding and etching a rear surface of the Si substrate, thereby exposing the conductors.例文帳に追加

Ｓｉ基板中に多数の凹部を形成し、前記凹部表面を覆うように熱酸化膜を形成し、さらに前記凹部を導体で充填した後平坦化し、さらに前記Ｓｉ基板上に多層配線構造を形成した後、前記Ｓｉ基板の裏面を研削およびエッチングし、前記導体を露出させる。 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask blank having a halftone phase shift film which can control the retardation and transmittance as a phase shift mask for exposure light and the transmittance at an inspection wavelength, which has excellent chemical resistance and excellent patterning property by etching, and to provide a phase shift mask and a method for transferring a pattern.例文帳に追加

露光光での位相シフトマスクとしての位相差，透過率や検査波長での透過率を制御でき、耐薬品性に優れ、さらにエッチングによるパターニング性に優れたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes manufacturing a laminated body in which a lower semiconductor DBR, a resonator structure including an active layer, an upper semiconductor DBR including a selectively oxidized layer etc., are laminated on a substrate; and etching the laminated body from an upper surface to form a mesa structure having at least the selectively oxidized layer exposed at a side surface.例文帳に追加

基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane resin composition for forming a reversed pattern and being properly embedded in a gap of a mask pattern which is excels in resistance to dry etching and in preservation stability, without being mixed with a mask pattern formed on a substrate to be processed, and to provide a method for forming the inverted pattern which uses the composition.例文帳に追加

被加工基板上に形成されたマスクパターンとミキシングすることがなく、かつこのマスクパターンの間隙に良好に埋め込むことができ、ドライエッチング耐性及び保存安定性に優れる反転パターン形成用のポリシロキサン樹脂組成物及びこれを用いた反転パターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a corrosion prevention structure of a connection part of piping such as a flange for connecting a pipe to a pipe or a flange for connecting a valve to pipe in the piping disposed in the atmosphere, steam, water, or alkaline or acid fluid, particularly, in a corrosive environment such as an etching fluid, and also provide a method of preventing the corrosion.例文帳に追加

大気、水蒸気、水或いはアルカリ又は酸性液、特に、エッチング液などの腐食環境中に置かれている配管において、パイプとパイプを接続するフランジ又はパイプにバルブを接続するためのフランジ等の配管の接続部分の腐食防止構造体及び腐食防止方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device, and a method for manufacturing the same, not generating an etching residue when forming an ITO (Indium-Tin-Oxide) film on an insulating film of an application system, which can remove a display failure on a liquid crystal display surface by reducing a contact resistance between the ITO film and an under layer metal film.例文帳に追加

塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reverse block-type insulated gate bipolar transistor capable of securing highly-reliable reverse voltage resistance, and suppressing a leakage current in reverse biasing when manufacturing a reverse block-type IGBT having a separation layer formed along a tapered surface of a V-shaped groove formed by anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングで形成したＶ字形の溝のテーパー面に沿って形成される分離層を有する逆阻止型ＩＧＢＴを製造する際に、高信頼性の逆耐圧を確保し逆バイアス時のリーク電流を抑えることが可能な逆阻止型絶縁ゲートバイポーラトランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field effect transistor capable of suppressing damage of an active layer in a patterning process by etching, and the field effect transistor which diminishes the damage, in the field effect transistor which activates an oxide semiconductor mainly composed of magnesium (Mg) and (In) indium as the active layer.例文帳に追加

ＭｇとＩｎを主成分とする酸化物半導体を活性層とする電界効果型トランジスタにおいて、エッチングによりパターニングする工程における活性層のダメージを抑制することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法、及び該ダメージが軽減された電界効果型トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a device which, when the device having two or more steps in the thickness direction of a substrate is manufactured, suppresses grinding of a corner being a boundary between a recessed part which is formed precedently and a step formation part adjoining it during etching of a bottom part of the recessed part and the step formation part.例文帳に追加

基板の厚さ方向において２段以上の段差を有するデバイスを製造するに際し、先行して形成された凹部とこれに隣接する段差形成部との境界となる角部が、凹部の底部及び段差形成部のエッチングに際して削られることを抑制することの可能なデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method in which a copper-containing acid waste liquid such as a copper chloride-containing etching waste liquid and the renewal waste liquid of an electrolytic copper foil plating bath which have been disposed of as industrial waste is disposed of without requiring complicated equipment, and copper oxide having a low chlorine content is recovered from the copper-containing acid waste liquid.例文帳に追加

産業廃棄物として処分されていた塩化銅含有エッチング廃液や電解銅箔メッキ浴の更新廃液などの銅含有酸性廃液を複雑な設備を要することなく処理し、銅含有酸性廃液から塩素含有率が低い酸化銅を回収する方法を提供する。 - 特許庁

A method for fabricating a high-voltage transistor with an extended drain region comprises: forming an epitaxial layer on a substrate, both the epitaxial layer and the substrate being of a first conductivity type; then etching the epitaxial layer to form a pair of spaced-apart trenches that define first and second sidewall portions of the epitaxial layer.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition for forming a pattern having excellent roughness characteristics and dry etching resistance when an ArF excimer laser, an electron beam, an X-ray, an EUV and the like are used as an exposure light source, and also to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ等を露光光源とする場合に、ラフネス特性及びドライエッチング耐性に優れたパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new pretreatment method for plating where a plating film having high adhesion to a resin molded body composed of a polystyrene-based resin or a polystyrene-based alloy resin can be formed, and further, a permanganate water solution used as an etching treatment solution can be continuously used stably over a long period.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂からなる樹脂成形体に対して高い密着力を有するめっき皮膜を形成することができ、しかもエッチング処理液として用いる過マンガン酸塩水溶液を長期間安定して連続使用することが可能な新規なめっき用前処理方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises chemically etching a metallic sheet covered with a photoresist, providing controlled patterns of cavities on one side of the metallic sheet and perforations on another side of the metallic sheet, and depositing electrochemically active segments on a perforated face of the metallic sheet.例文帳に追加

この製造方法は、フォトレジストを被膜した金属シートを化学エッチングすることと、この金属シートの一方の側に窪みをこの金属シートのもう一方の側に穿孔を制御した通りのパターンで設けることと、この金属シートの穿孔を設けた面に電気化学的な反応を起こすセグメントを積層することから成る。 - 特許庁

The method for removing residues such as photoresist and/or etching residue, etc., from an article by the composition comprising a specified organic solvent containing at least 50 wt.% of a glycol ether and at least 0.5 wt.% of a quaternary ammonium compound comprises bringing the composition into contact with a substrate.例文帳に追加

少なくとも５０ｗｔ％のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも０．５％の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び／又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。 - 特許庁

A manufacturing method for the piezoelectric MEMS includes laminating a plurality of piezoelectric films and a plurality of conductive films on a substrate to interpose each piezoelectric film between conductive films and etching the piezoelectric films and conductive films in order from their surface layer to form a pattern spreading toward a lower layer.例文帳に追加

本発明による圧電型ＭＥＭＳの製造方法は、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とを基板上に積層し、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とを下層に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、ことを含む。 - 特許庁

The microlens array substrate 1 is characterized in that a microlens array 8 comprising a plurality of concave microlenses 11 which are successive in a surface of a quartz substrate 2 or of a glass substrate is directly formed and the microlens array 8 is a microlens array 8 formed by a transfer method by dry etching.例文帳に追加

本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板２またはガラス基板の表面内に連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８が直接形成され、マイクロレンズアレイ８がドライエッチングによる転写法で形成されたマイクロレンズアレイ８であることを特徴とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.例文帳に追加

シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of semiconductor package provided with a plurality of independent terminal electrodes, terminal electrodes are formed by etching on a supporting tape (1) and the supporting tape (1) is peeled after the terminal electrodes are fixed under the condition that an external substrate connecting surface side of the terminal electrodes is embedded by 50 to 60 μm to a supporting tape (2).例文帳に追加

複数の互いに独立した端子電極を備える半導体パッケージの製造方法において、支持テープ（１）上に端子電極をエッチングによって形成し、支持テープ（２）に端子電極の外部基板接続面側を５０〜６０μｍ埋め込んだ状態で端子電極を固定した後に支持テープ（１）を剥離する。 - 特許庁

Vertical groove shields 11a and lateral groove shields 11b are formed by irradiating a photosensitive glass 1 with ultraviolet rays with a mask by an ultraviolet-ray mask exposure method, processing the glass, etching it with an acid, making grooves shaped like a lattice in the direction of the incidence of X rays and filling and encapsulating the powder of heavy metal like tungsten into the grooves.例文帳に追加

感光性ガラス１に紫外線マスク露光法によりマスクを用いて紫外光を照射し、現像処理し、酸でエッチングして、格子状の溝をＸ線入射方向に形成し、その溝にタングステン等の重金属粉を充填封入し、縦溝遮蔽１１ａと横溝遮蔽１１ｂを形成する。 - 特許庁