「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(127ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a silicon wafer working method, capable of covering the surface of a silicon wafer with a protective film at thin etching of the back surface of the silicon wafer in the thickness direction, after forming elements such as a resonator and an infrared sensor on the silicon wafer and easily removing the protective film, without damaging the elements or the like.例文帳に追加

シリコンウエハ上に共振器や赤外線センサなどの素子を形成した後に、シリコンウエハの裏面を厚み方向に薄くエッチングするとき、シリコンウエハの表面を保護膜で覆い、かつ、素子などにダメージを与えることなく容易に保護膜を除去することができるシリコンウエハ加工方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a first resin part 20 in the center on the surface of the semiconductor substrate 10 where the electrode 14 is formed, a step for forming a second resin part 25 to overlap the surrounding member 16, a step for etching the electrode 14, and a step for forming wiring 30.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の電極１４が形成された面の中央部に第１の樹脂部２０を形成すること、囲繞部材１６とオーバーラップするように第２の樹脂部２５を形成すること、その後、電極１４をエッチングすること、及び、配線３０を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method of carrying a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing apparatus, which can restrain (reduce) sticking of foreign matters to the semiconductor substrate from the atmosphere of a treatment chamber, which performs a treatment such as film formation or etching to the semiconductor substrate during carriage of the semiconductor substrate into the semiconductor manufacturing apparatus; and to provide a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

半導体製造装置内での半導体基板の搬送中に、半導体基板に対して成膜、エッチングなどの処理を行う処理チャンバーの雰囲気から半導体基板に付着する異物を抑制（低減）できる半導体製造装置内での半導体基板搬送方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a polymeric compound appropriate for a base resin of a positive resist material having a high resolution exceeding a conventional positive resist material, an excellent pattern shape after exposure, and further exhibiting excellent etching resistance, particularly of a chemically amplified positive resist material, a positive resist material and a pattern forming method using the same.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、これを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film selected from among a group composed of an YAlO_x film, GdAlO_x film and DyAlO_x film on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 8-9 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＹＡｌＯ_ｘ膜、ＧｄＡｌＯ_ｘ膜およびＤｙＡｌＯ_ｘ膜よりなる群から選ばれるいずれか１の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ８〜９の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a charged particle beam mask capable of manufacturing a charged particle beam mask in a good yield, by conducting an inspection of a foreign matter on the surface at the Si substrate side before an average surface roughness at the Si substrate side of a charged particle beam mask manufacturing substrate is defined and a prescribed position on the Si substrate is subjected to etching.例文帳に追加

荷電粒子線マスク製造用基板のＳｉ基板側の平均表面粗さを規定し、Ｓｉ基板の所定の箇所をエッチングする前に、Ｓｉ基板側表面の異物検査を行うことにより、荷電粒子線マスクを収率良く製造する荷電粒子線マスクの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a for a focused electrically-charged particle beam working method for realizing the formation of a fine three-dimensional structure near a designed shape as well as a focused electrically-charged particle beam device for realizing it by reducing the effects of etching and a deposition phenomenon varying in accordance with several conditions at the time of carrying out the working.例文帳に追加

本発明の課題は、加工を実行する際の諸条件に応じて変化するエッチング及びデポジション現象の影響を軽減し、設計形状に近い微細３次元構造体形成を実現する集束荷電粒子ビーム加工法並びにそれを実施する集束荷電粒子ビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.例文帳に追加

配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a color filter substrate for a reflection type liquid crystal display device which can maintain stable quality of a metal film as a reflection material through multiple imposition fabrication of single-wafer type by avoiding the exposure of the metal film to chemical liquid such as separation liquid in a process for separating an etching protective film, and provide a color filter substrate.例文帳に追加

反射材である金属膜のエッチング保護膜剥離工程における剥離液等の薬液による暴露を回避して、枚葉方式の多面付け生産での金属膜の安定した品質を維持できる反射型液晶表示装置用カラーフィルタ基板の製造方法とカラーフィルタ基板を提供する。 - 特許庁

The thin-film-forming method includes a plasma (etching) treatment step S3 of exposing an organic layer formed on an object to be film-formed thereon to a plasma atmosphere in a vacuum, and an SiO_2-film-forming step S4 of forming a layer of an SiO_2 film on the organic layer of the object to be film-formed thereon in the vacuum.例文帳に追加

本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ_2膜層を形成するＳiＯ_2膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.例文帳に追加

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.例文帳に追加

上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

Since this method allows the mask pattern 46 of high precision to be formed on the imprint resin layer 42 by impression of the nano-stamper 43, the monolithic semiconductor lens 23 having a desired shape is formed more easily than conventional methods which use wet etching or form resist patterns by baking.例文帳に追加

この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。 - 特許庁

The method for making synthetic fiber fabric with translucent print (dyeing) pattern comprises a printing process before etching process by sodium hydroxide or the like, wherein the printing process comprises printing of paste for dyeing on the surface of the fabric, and/or printing which contains a transparent developer.例文帳に追加

水酸化ナトリウム等によるエッチング工程の前にプリント工程を含み、そのプリント工程は織物の表面上に染色用のペーストをプリントすること、および／または透明なプリント用顕色剤を含んでプリントすることを包含する、半透明なプリント（染色）パターンをその上に有する合成繊維織物を製造する。 - 特許庁

To provide a new pretreatment method for plating where a plating film having high adhesion to a resin molded body composed of a polystyrene-based resin or a polystyrene-based alloy resin can be formed, and further, a permanganate water solution used as an etching treatment solution can be continuously used stably over a long period.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂又はポリスチレン系アロイ樹脂からなる樹脂成形体に対して高い密着力を有するめっき皮膜を形成することができ、しかもエッチング処理液として用いる過マンガン酸塩水溶液を長期間安定して連続使用することが可能な新規なめっき用前処理方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises chemically etching a metallic sheet covered with a photoresist, providing controlled patterns of cavities on one side of the metallic sheet and perforations on another side of the metallic sheet, and depositing electrochemically active segments on a perforated face of the metallic sheet.例文帳に追加

この製造方法は、フォトレジストを被膜した金属シートを化学エッチングすることと、この金属シートの一方の側に窪みをこの金属シートのもう一方の側に穿孔を制御した通りのパターンで設けることと、この金属シートの穿孔を設けた面に電気化学的な反応を起こすセグメントを積層することから成る。 - 特許庁

The method for removing residues such as photoresist and/or etching residue, etc., from an article by the composition comprising a specified organic solvent containing at least 50 wt.% of a glycol ether and at least 0.5 wt.% of a quaternary ammonium compound comprises bringing the composition into contact with a substrate.例文帳に追加

少なくとも５０ｗｔ％のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも０．５％の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び／又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。 - 特許庁

A manufacturing method for the piezoelectric MEMS includes laminating a plurality of piezoelectric films and a plurality of conductive films on a substrate to interpose each piezoelectric film between conductive films and etching the piezoelectric films and conductive films in order from their surface layer to form a pattern spreading toward a lower layer.例文帳に追加

本発明による圧電型ＭＥＭＳの製造方法は、それぞれの圧電膜が導電膜の間に挟まれるように複数の圧電膜と複数の導電膜とを基板上に積層し、積層された複数の導電膜と複数の圧電膜とを下層に向かって広がるパターンに表層から順にエッチングする、ことを含む。 - 特許庁

The microlens array substrate 1 is characterized in that a microlens array 8 comprising a plurality of concave microlenses 11 which are successive in a surface of a quartz substrate 2 or of a glass substrate is directly formed and the microlens array 8 is a microlens array 8 formed by a transfer method by dry etching.例文帳に追加

本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板２またはガラス基板の表面内に連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８が直接形成され、マイクロレンズアレイ８がドライエッチングによる転写法で形成されたマイクロレンズアレイ８であることを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming a chemical conversion coating with low electric resistance on the surface of the magnesium alloy material containing little aluminum comprises sequentially performing two steps treatment consisting of etching treatment with the use of an organic acid and treatment with the use of a solution containing fluorides, and then performing chemical conversion treatment.例文帳に追加

アルミニウムの含有率の低いマグネシウム合金材表面に、有機酸によるエッチング処理と、フッ化物を含有する水溶液による処理との２段階処理を順に行い、その後皮膜化成処理を行うことを特徴とするマグネシウム合金材の低電気抵抗皮膜化成処理方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming an electroless-plated layer on a pretreated glass substrate, without etching it while using a harmful fluoride before plating, which has adequate adhesiveness to the substrate, has no blister formed during plating, and has an adequate electrical properties.例文帳に追加

有害なフッ化物を用いるエッチング処理を行うことなく、ガラス基板のめっき前処理を行うことができ、めっき層を形成すると基板への密着性が良好で、めっき中にフクレが発生することなく、電気的特性の良好なめっき層を得ることができる、ガラス基板上への無電解めっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor excellent in switching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide an outer packaging for a lithium ion battery having high electrolyte resistance and high hydrofluoric acid resistance even if the surface etching of aluminum foil performing by immersion in an acid bath or an alkali bath is eliminated regardless of no chromate treatment on the surface of aluminum foil, and to provide a method of manufacturing the outer packaging of the lithium ion battery.例文帳に追加

アルミニウム箔表面にクロメート処理が施されないにもかかわらず、酸浴やアルカリ浴への浸漬によるアルミニウム箔表面のエッチングを省略しても、優れた耐電解液性及び耐フッ酸性を有しているリチウムイオン電池用外装材、及び該リチウムイオン電池用外装材の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent device capable of improving a light emitting characteristic in all organic EL elements different in structures of organic functional layers by plasma irradiation to pixel electrodes, and surely preventing an etching residue and the like from being deposited again on an element substrate in the plasma irradiation.例文帳に追加

画素電極に対するプラズマ照射によって、有機機能層の構成が相違するいずれの有機ＥＬ素子においても発光特性を向上でき、さらに、プラズマ照射時、エッチング残滓などが素子基板上に再び堆積することを確実に防止することのできる有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for easily removing a residual generated in dry-etching on SiN (silicon nitride) which is an insulting film layer in a process for manufacturing a semiconductor substrate and efficiently cleaning the semiconductor substrate without the corrosion of a-Si, polysilicon and a wiring material, which are used for a glass substrate and a thin film circuit.例文帳に追加

半導体基板を製造する工程で、絶縁膜層であるＳｉＮ（窒化シリコン）等のドライエッチング時に発生する残渣物を容易に除去でき、さらにガラス基板や薄膜回路に使用されるａ−Ｓｉ、ポリシリコンや配線材料を全く腐食することなく極めて効率良く半導体基板を洗浄する方法を提供する。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

The defect inspection method for a resist pattern includes (a) a step of forming the resist pattern on a semiconductor substrate, (b) a step of etching the semiconductor substrate with the resist pattern used as a mask, and (c) a step of inspecting the etched semiconductor substrate for a defect as a substitute of the resist pattern.例文帳に追加

本発明のレジストパターンの欠陥検査方法は、（ａ）半導体基板上にレジストパターンを形成する工程と、（ｂ）前記レジストパターンをマスクとして用いて半導体基板をエッチングする工程と、（ｃ）レジストパターンの代替えとして前記エッチング後の半導体基板の欠陥検査を行う工程を備える。 - 特許庁

To provide a polymer which has excellent transparency, excellent dry etching resistance and excellent solubility in organic solvents, to provide a chemical amplification type resist composition suitable for far infrared light excimer laser lithography, electron beam lithography and the like, and to provide a method for forming a pattern with the chemical amplification type resist composition.例文帳に追加

優れた透明性と高いドライエッチング耐性とを有し、有機溶媒に対する溶解性にも優れた重合体、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適な化学増幅型レジスト組成物、および、この化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

In manufacturing a mold for molding the small-sized precision molded article by using a thermosetting resin material, a method for processing the mold by etching is provided, and an ejector pin is installed on the periphery of the outside of a cavity, and when the molded article is separated from the mold, a resin part is ejected by the ejector pin.例文帳に追加

熱硬化性樹脂材料を用いて小型精密成形品を成形するための金型製作において、エッチングにより金型を加工する方法、および突き出しピンをキャビティの外側周囲に設置し、成形品を金型から分離するときに樹脂部を突き出しピンにより突き出すことを特徴とする成形金型。 - 特許庁

In this method of forming the film having the composition containing Si, C, and N and used as the etching stopper layer, the film having the composition containing Si, C, and N is formed on a substrate disposed in a reaction chamber having a heated heating body by causing the vapor of an amino silicon component to exist in the reaction chamber.例文帳に追加

例えば、エッチングストッパ層として用いられるＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける方法であって、加熱された加熱体を有する反応室内にアミノシリコン化合物の蒸気を存在させることにより、反応室内に配置された基体上にＳｉとＣとＮとを含む組成の膜を設ける膜形成方法。 - 特許庁

To provide a method and a device capable of trimming without causing waviness on a fracture surface when trimming for separating an unnecessary part provided between product parts from a discrete metal sheet in a state of etching processed, providing trimming line parts thereon, and having the multiple product parts laid out providing unnecessary parts between the product parts.例文帳に追加

エッチング加工され、トリミング線部を設け、製品部が複数個、製品部間に不要部を設けて面付けされている状態の、枚葉の金属シートから、製品部間に設けられた不要部を分離するトリミングの際に、その破断面に波打ちを発生させずにトリミングが行なえる方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for quantifying a free hydrochloric acid in a ferric chloride solution which directly, accurately and conveniently quantifies the free hydrochloric acid in the ferric chloride solution without quantifying iron by converting the iron within the ferric chloride solution used as an etching solution into a fluoride compound.例文帳に追加

エッチング溶液として使用される塩化第二鉄溶液中の鉄をフッ素化合物にすることによって鉄を定量すること無く、塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸を直接精度良くかつ簡便に定量することが出来る塩化第二鉄溶液中の遊離塩酸の定量方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for forming the second conductive impurity region in the predetermined region of the first conductive semiconductor substrate, a step for forming a trench by etching the semiconductor substrate in the predetermined region, and a step for embedding the first conductive epitaxial layer in the trench.例文帳に追加

製造方法は、第１の導電型の半導体基板の所定領域に、第２の導電型の不純物領域を形成するステップと、前記所定領域の前記半導体基板をエッチングして、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第１の導電型のエピタキシャル層を埋め込むステップとを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing the lead frame includes a first step of selectively pressing only the surfaces of the metallic base plate having the resin enclosure formed thereon to form dimples therein, and a second step of forming a plurality of projections in the surfaces of the dimples by etching or plating.例文帳に追加

また本発明の方法では前記樹脂外囲器が形成される前記金属原板の表面のみを選択的にプレス加工しディンプルを形成する第１工程と、前記ディンプルの表面をエッチング加工もしくはめっき工法により複数の突起を形成する第２工程を含む事を特徴とする。 - 特許庁

The method includes steps of: providing a base and forming a photoresist layer on the base; exposing the photoresist layer through a reticle with no addition of optical correction; baking the exposed photoresist layer; and developing the baked photoresist layer to form the resist mask of multiple etching.例文帳に追加

ベースを提供し、該ベース上にフォトレジスト層を形成するステップと、如何なる光学的修正をも行わないレチクルを通して該フォトレジスト層を露光するステップと、露光した該フォトレジスト層をベークするステップと、該ベークしたフォトレジスト層に現像を行い、多重エッチングのレジストマスクを形成するステップとを含んでなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a corrosion prevention structure of a connection part of piping such as a flange for connecting a pipe to a pipe or a flange for connecting a valve to pipe in the piping disposed in the atmosphere, steam, water, or alkaline or acid fluid, particularly, in a corrosive environment such as an etching fluid, and also provide a method of preventing the corrosion.例文帳に追加

大気、水蒸気、水或いはアルカリ又は酸性液、特に、エッチング液などの腐食環境中に置かれている配管において、パイプとパイプを接続するフランジ又はパイプにバルブを接続するためのフランジ等の配管の接続部分の腐食防止構造体及び腐食防止方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device, and a method for manufacturing the same, not generating an etching residue when forming an ITO (Indium-Tin-Oxide) film on an insulating film of an application system, which can remove a display failure on a liquid crystal display surface by reducing a contact resistance between the ITO film and an under layer metal film.例文帳に追加

塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition.例文帳に追加

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

The method includes manufacturing a laminated body in which a lower semiconductor DBR, a resonator structure including an active layer, an upper semiconductor DBR including a selectively oxidized layer etc., are laminated on a substrate; and etching the laminated body from an upper surface to form a mesa structure having at least the selectively oxidized layer exposed at a side surface.例文帳に追加

基板上に下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層された積層体を作成し、該積層体を上面からエッチングし、少なくとも被選択酸化層が側面に露出しているメサを形成する。 - 特許庁

To provide a polysiloxane resin composition for forming a reversed pattern and being properly embedded in a gap of a mask pattern which is excels in resistance to dry etching and in preservation stability, without being mixed with a mask pattern formed on a substrate to be processed, and to provide a method for forming the inverted pattern which uses the composition.例文帳に追加

被加工基板上に形成されたマスクパターンとミキシングすることがなく、かつこのマスクパターンの間隙に良好に埋め込むことができ、ドライエッチング耐性及び保存安定性に優れる反転パターン形成用のポリシロキサン樹脂組成物及びこれを用いた反転パターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A method for fabricating a high-voltage transistor with an extended drain region comprises: forming an epitaxial layer on a substrate, both the epitaxial layer and the substrate being of a first conductivity type; then etching the epitaxial layer to form a pair of spaced-apart trenches that define first and second sidewall portions of the epitaxial layer.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁