「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a halftone phase shift mask blank having a halftone phase shift film which can control the retardation and transmittance as a phase shift mask for exposure light and the transmittance at an inspection wavelength, which has excellent chemical resistance and excellent patterning property by etching, and to provide a phase shift mask and a method for transferring a pattern.例文帳に追加

露光光での位相シフトマスクとしての位相差，透過率や検査波長での透過率を制御でき、耐薬品性に優れ、さらにエッチングによるパターニング性に優れたハーフトーン型位相シフト膜を有するハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及び位相シフトマスク並びにパターン転写方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for obtaining refined phosphoric acid from an aqueous phosphoric acid solution containing a plurality of metal ions by easily removing the metal ions from the solution, and to provide a system for reusing recovered refined phosphoric acid by application to a waste aqueous mixed acid solution containing highly concentrated phoshoric acid discharged from a metal etching process.例文帳に追加

複数の金属イオンを含むリン酸水溶液から簡便に金属イオンを除去して精製リン酸を得る方法及び装置の提供、更には、金属エッチング工程で排出される高濃度のリン酸を含む混酸水溶液廃液に応用することにより、回収した精製リン酸を再利用するシステムの提供。 - 特許庁

To provide a producing method for semiconductor device, with which the deposition of polymerized films on the surface of a wafer is suppressed in the case of etching an insulating film with a resist pattern as a mask and satisfactory alloy reaction can be provided between a metal depositing film and the surface of the wafer while unnecessitating the mask formation of a side in a following lift-off process.例文帳に追加

レジストパターンをマスクとする絶縁膜のエッチングの際に基板表面への重合膜の堆積を抑制し、その後のリフトオフ工程におけるサイドのマスク形成を不要としながら金属蒸着膜と基板表面との間の良好なアロイ反応を得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing semiconductor devices has a process step of selectively removing the build-up segments (projecting parts) of the projecting shape produced on the surface of the metallic film (copper plating film 15) by electrolytic etching and a process step for chemicomechanically polishing the surface of the metallic film 15.例文帳に追加

電解エッチングによって金属膜（銅メッキ膜１５）の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部（凸状部）を選択的に除去する工程と、前記金属膜１５の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide an electronic device cleaning method and electronic device cleaning system wherein, in a process for stripping and removing residues by etching, the residues floating on performing a foreign matter removing liquid discharge step is prevented from being stuck on the inner wall surface of a treating tank to have no effect on a material to be cleaned and treated in the next batch.例文帳に追加

本発明は、エッチングにより残渣物を剥離除去する工程で異物除去液排出ステップの実行時に浮遊している残渣物の処理槽の内壁面への付着を回避し、次バッチで処理する被洗浄物に影響を及ぼさないようにできる電子装置洗浄方法および電子装置洗浄システムを得る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that manufactures a mesa-type semiconductor device in which a channel stopper is prepared at the bottom surface of its groove, which does not require a mask forming process for forming a channel stopper, and which has no need of precise etching techniques when forming the groove.例文帳に追加

溝の底面にチャネルストッパを設けたメサ型の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、チャネルストッパを形成するためのマスク形成工程を必要とせず、かつ、溝を形成する際に精密なエッチング技術を必要としない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a high-voltage transistor having an extended drain region contains the formation of a first conductive epitaxial layer on a first conductive substrate, and the formation of a pair of spaced groove sections which form the first and second sidewall sections of the epitaxial layer, by etching the epitaxial layer.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法を提供は、第一の導電型である基板上に第一の導電型であるエピタキシャル層を形成し、そして、エピタキシャル層をエッチングして、エピタキシャル層の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor crystal capable of separating the nitride semiconductor crystal from a dissimilar substrate by dissolving a buffer layer in a short time by etching selectively even when using a material having a small dissolving rate difference from that of the nitride semiconductor crystal.例文帳に追加

窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for manufacturing the three-dimensional hollow structure comprises at least a step of partially forming a porous area in a silicon substrate, a step of forming a silicon layer on the substrate forming the porous area and of partially forming the porous area in the silicon layer, and a step of forming a hollow area by removing the porous area by etching.例文帳に追加

シリコン基体中に部分的に多孔質領域を形成する工程、前記多孔質領域を形成した基体上にシリコン層を形成し、前記シリコン層中に部分的に多孔質領域を形成する工程、及び前記多孔質領域をエッチング除去して中空領域を形成する工程を少なくとも有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board which can perform a surface treatment of a resin surface without using a hazardous oxidizing agent, and can ensure an adhesion property between a plating metal and the smoothly conditioned resin surface capable of avoiding the etching accuracy failure caused by its surface roughness and variation of its conductor thickness.例文帳に追加

有害な酸化剤を使用しなくとも樹脂表面の表面処理を行うことができ、表面の粗さおよび導体厚のばらつきに起因するエッチング精度不良が回避され、樹脂表面が平滑状態でめっき金属との密着性を確保することができるプリント配線板の製造方法の提供。 - 特許庁

To solve a problem of deterioration of transistor characteristics that a in a method for manufacturing a semiconductor device which carries out a self-aligning contact technique, if an offset insulation film, a side wall insulation film, an etching stopper film and the like are formed with a silicon nitride film, there occurs piercing into a substrate made of boron with hydrogen generated when a film is formed.例文帳に追加

自己整合コンタクト技術を行う半導体装置の製造方法において、オフセット絶縁膜、サイドウォール絶縁膜、エッチングストッパ層等を窒化シリコン膜で形成すると、成膜時に発生した水素によって、ホウ素の基板への突き抜けが生じ、それによって、トランジスタ特性を劣化させていた問題の解決を図る。 - 特許庁

To provide a method of producing a plate-shaped precision metal component, e.g. a metal mask such as a vapor deposition mask by which level difference caused by swelling owing to plating does not occur, deterioration in the accuracy of etching is not caused, and a base material is not eroded and thus can be repeatedly reutilized.例文帳に追加

メッキによる盛り上がりによる段差が生じることのない、エッチングの精度悪化を伴わない、母材を侵食することなく繰り返して再利用することが出来る、蒸着マスク等のメタルマスク等のプレート状の精密金属部品の製造方法を提供することが本発明の目的である。 - 特許庁

To obtain a polysiloxane which can give a radiation-sensitive resin composition having a high transparency to light of a wavelength of 193 nm or shorter and being highly sensitive, and excellent in dry etching resistance, developability, adhesion to a substrate, or the like, to provide a method for producing the same, and to obtain a radiation-sensitive resin composition containing the polysiloxane.例文帳に追加

１９３ｎｍ以下の波長において透明性が高く、高感度であり、かつドライエッチング耐性、現像性、基板への接着性等にも優れた感放射線性樹脂組成物を与えるポリシロキサン、該ポリシロキサンの製造方法、および該ポリシロキサンを含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, having through holes arranged in a matrix form connected to the respective cells and formed by photolithography and etching, by which the dimensional variances in the diameters of the through holes in the outer peripheral cell region and in the internal cell region of a mat comprising the cells can be decreased.例文帳に追加

行列をなして配置された各セルに接続するスルーホールが、フォトリソグラフィとエッチングにより形成される半導体装置の製造方法であって、各セルからなるマットの外周セル領域と内部セル領域におけるスルーホール径の寸法バラツキを低減することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.例文帳に追加

本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide an optical recording medium in which cross-write is suppressed by suppressing spread of heat and a track pitch is greatly reduced as compared with the conventional one, and to provide a method for manufacturing the medium at a low cost, with which photo-lithography used for manufacturing semiconductor equipment and etching work using a vacuum apparatus are not needed.例文帳に追加

熱の拡がりを抑制することによりクロスライトを抑制し、トラックピッチを従来品よりも大幅に縮小した光記録媒体の提供、及び、半導体装置の製造で用いられるフォトリソグラフィーや、真空装置を用いるエッチング加工などを行わないで済む、前記媒体の安価な製造方法の提供。 - 特許庁

The processing method of substrate for removing a resist layer 3 and a polymer layer 5 form a substrate W following etching comprises a first step for rendering the surface part 6 of a resist layer 3 and a polymer layer 5 existing on a substrate W to be hydrophilic, and a second step for subsequently removing the resist layer 3 and the polymer layer 6 with a processing liquid.例文帳に追加

エッチング後の基板Ｗからレジスト層３およびポリマー層５を除去する基板処理方法であって、基板Ｗ上に存在するレジスト層３およびポリマー層５の表面部分６を親水性にする第１工程と、その後処理液によりレジスト層３およびポリマー層６を除去する第２工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a mask matching method for preventing reduction in matching accuracy between patterns formed of different masks when there is displacement between a mask pattern formed in a first place and a crystal orientation of a base board when forming the patterns on the monocrystal base board by using the different masks by anisotropic wet etching.例文帳に追加

単結晶基板上に異方性ウエットエッチングにより異なるマスクを用いてパターンを形成する場合、最初に形成されたマスクパターンと基板の結晶方位とでずれがある場合、異なるマスクで形成されたパターン間の合わせ精度が低下することを防止するマスク合わせ方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: ozone water treating a Cu film retained on the insulating film between the wires to an oxidized Cu after the chemical mechanical polishing; and removing, by etching, the oxidized Cu with inorganic acid or organic acid treating.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法においては、化学機械研磨の後、配線間絶縁膜上に残留したＣｕ膜をオゾン水処理により酸化Ｃｕとし、次に無機酸または有機酸処理によりこの酸化Ｃｕをエッチング除去することにより、配線間ショートの発生を未然に防止する。 - 特許庁

The manufacturing method of the present invention includes, for example, the steps of: forming a conductor film on a material substrate; forming the contact electrode 13 and a pre-driving electrode from the conductor film; and forming the driving electrode 15 thinner than the electrode 13 by subjecting the pre-driving electrode to etching.例文帳に追加

本発明の製造方法は、例えば、材料基板上に導体膜を形成する工程と、当該導体膜からコンタクト電極１３およびプレ駆動電極を形成する工程と、プレ駆動電極に対してエッチング処理を施して、電極１３より薄い駆動電極１５を形成する工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which, in the case where an InP-based device is formed with a sacrificial layer in between, is capable of obtaining better device characteristics than those in the case where an AlAs single layer is used as the sacrificial layer, and which avoids the risk that the device layer is etched during etching of the sacrificial layer.例文帳に追加

犠牲層を介してＩｎＰ系のデバイスを形成したときに、犠牲層としてＡｌＡｓ単層を用いたときのデバイス特性よりも良好なデバイス特性を得ることができ、かつ、犠牲層をエッチングする際に、デバイス層もエッチングされてしまう虞のない半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a photomask with steps, a photomask which is greatly improved in size precision of an auxiliary pattern by coating even a substrate, obtained by forming a shifter-dug step part on a transparent substrate by etching, with photosensitive resin so that the surface is smooth and the film thickness is uniform, or a photomask with a Levenson type phase shift.例文帳に追加

段差を持つフォトマスクや、透明基板にエッチングによってシフター掘り込みの段差部を形成した基板にも、表面平滑で、且つ膜厚を均一に感光性樹脂を塗布し、補助パターンの寸法精度を格段に向上させるようにしたフォトマスク、又はレベンソン型の位相シフトのフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises: a step of forming at least one ink injection element 18 or 36 on a surface 14 of a substrate 10; a step of forming a slot 12 in the substrate so as to enable fluid communication between an ink supply source and the ink injection element; and a step of applying isotropic etching to the substrate with the slot.例文帳に追加

基板１０の表面１４上に少なくとも１つのインク射出素子１８、３６を形成するステップと、インク供給源とインク射出素子の間で流体連通を可能にするように基板内にスロット１２を形成するステップと、スロット付き基板に等方性エッチングを施すステップとを含む製造方法。 - 特許庁

The inorganic material working method includes a step (A) in which continuous cracks are generated in a substrate formed of an inorganic material by irradiation with pulse laser beams so that a part of the irradiation range for each pulse overlaps each other, and a degenerated area is formed in peripheral parts of the cracks, and a step (B) of etching the degenerated area.例文帳に追加

（Ａ）パルスレーザー光をパルス毎の照射範囲の一部が重なりあうように照射することで無機材料基板に連続する亀裂を生じさせるとともに該亀裂の周辺部に変質領域を形成させる工程、及び（Ｂ）該変質領域をエッチング処理する工程を含む無機材料の加工方法である。 - 特許庁

To provide a photosensitive resist solution which can etch fine and high-density conductor circuits by forming an etching resist layer free of tack on a coating film by using a dipping process, and to provide a method for manufacturing a printed circuit board having the fine and high-density conductor circuits by using the resist solution.例文帳に追加

ディップ法を用いて塗膜にタックのないエッチングレジスト層を形成し、微細で高密度の導体回路をエッチング加工できる感光性レジスト液を提供し、該レジスト液を用い微細で高密度の導体回路を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

The manufacturing method comprises steps for: forming an electrode 15 on a glass board being the electrode board 10; drilling a prescribed position of the glass board; forming a protective film such as a dry film and a resist on a surface where the electrode 15 is formed; and wet-etching a part that is subjected to at least the drilling.例文帳に追加

電極基板１０となるガラス基板上に電極１５を形成する工程と、ガラス基板の所定の位置を掘削加工する工程と、電極１５が形成された面にドライフィルム、レジスト等の保護膜を形成する工程と、少なくとも掘削加工された部分に対してウェットエッチングを行う工程とを有する。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has a process of forming an insulating film 2 on a semiconductor wafer 1; a process of forming a conductive film 4 on the insulating film 2; and a process of forming an electrode or wiring 4a and performing isotropic etching on the conductive film 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１上に絶縁膜２を形成する工程と、前記絶縁膜２上に導電膜４を形成する工程と、前記導電膜４を等方性エッチングして電極もしくは配線４ａを形成する工程とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁

To prevent insulation failures due to an antireflection film, and allow the antireflection film to remain until the time of spacer formation, and prevent damages on an MOS transistor and a capacitative element in an etching process, at spacer formation in a semiconductor device having the capacitative element and the MOS transistor, and a method for manufacturing this device.例文帳に追加

容量素子とＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置及びその製造方法において、反射防止膜による絶縁不良を防止するとともに、スペーサ形成時まで反射防止膜を残し、スペーサ形成時のエッチング工程においてＭＯＳトランジスタ及び容量素子にダメージを与えることを回避する。 - 特許庁

In a method for analyzing the surface layer of the silicon wafer, the analyzing surface of the silicon wafer is made close to and face the liquid surface of the silicon solution made of a mixed liquid of fluorine and nitric acid under normal temperatures so as to etch the surface layer section of the silicon wafer, and the etching liquid is collected for analysis.例文帳に追加

シリコンウェーハの分析面を、フッ酸と硝酸の混合液からなるシリコン溶解液の液面に、常温下で近接させて対面させることによってシリコンウェーハの表層部をエッチングし、そのエッチング液を回収して分析することを特徴とするシリコンウェーハの表層分析方法である。 - 特許庁

Further, the semiconductor package has a semiconductor element mounted on the interposer, and the method of manufacturing the interposer includes a step of forming the conductor pattern on a metal foil of the prepreg formed by bonding the metal foil to the one surface by etching and a step of forming the coating layer so as to cover at least the part of the conductor pattern.例文帳に追加

また、半導体パッケージは、上記インターポーザに半導体素子を搭載しており、インターポーザの製造方法は、片面に金属箔を接合してなるプリプレグの金属箔にエッチングにより導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの少なくとも一部を覆うように被覆層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a process of manufacturing a thickened resist pattern by forming a resist pattern on a base layer and then coating the resist pattern surface with the thickening material to thicken the resist pattern and a process of patterning the base layer by etching the base layer by using the thickened resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method is characterized that a wiring pattern is formed by forming a resist coating film where a circuit is expected to be formed after a 1st thin metal coating film is formed on a surface of an insulating substrate, removing the resist coating film after etching, and then forming the 2nd metal coating film by carrying out electrolytic plating.例文帳に追加

絶縁基板の表面に薄い第一金属皮膜を形成した後、回路の形成を予定する部分にレジスト皮膜を形成し、次いで、エッチング除去を行った後、レジスト皮膜を除去し、次いで、電解メッキを行うことにより第二金属皮膜を形成して、配線パターンを形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a device including a ferroelectric layer or a piezoelectric layer having an arbitrary planar shape in which damage caused by etching is eliminated so that the ferroelectric layer or the piezoelectric layer can exhibit essential characteristics, and to provide a device such as a dielectric element or a piezoelectric element thus manufactured.例文帳に追加

任意の平面形状を有する強誘電体層や圧電体層を有するデバイスについて、特にその強誘電体層や圧電体層が本来の特性を発揮するよう、エッチングによるダメージをなくすようにした製造方法と、これによって得られる、強誘電体素子や圧電体素子等のデバイスを提供する。 - 特許庁

Furthermore, in the etching method, reactive gases corresponding to the respective membranes of the masks may be prepared in advance and discharged continuously in a switching manner as well as reactive gas-soluble liquid may be provided in the atmosphere of the reactive gases.例文帳に追加

また、上記課題を解決するためのエッチング方法としては、各マスクの膜質に対応した反応性ガスを予め用意し、前記反応性ガスを連続して切り替えて吐出すると共に、当該反応性ガス雰囲気中に前記反応性ガスを溶解可能な液体を供給することを特徴とするものであっても良い。 - 特許庁

In the method for manufacturing the substrate for the inkjet head which includes forming the ink supply port on a silicon substrate, a stage for forming the ink supply port includes a stage for forming a non-through-hole by laser abrasion machining as a first stage and a stage for forming the through-hole by anisotropic etching as a second stage.例文帳に追加

シリコン基板にインク供給口を形成することを含むインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、インク供給口の形成工程が、第１の工程としてレーザーアブレーション加工による未貫通穴の形成工程と、第２の工程として異方性エッチングによる貫通口の形成工程とを含む。 - 特許庁

The method of forming the post structure comprises the steps of: forming unit patters 20 on a substrate 10 using a first material; growing a second wet-etchable material on the substrate that is formed with the unit patterns; and wet-etching the substrate where the second material is grown.例文帳に追加

基板１０に第１物質を用いて単位パターン２０を形成する段階と;前記単位パターンが形成された基板上に湿式エッチング可能な第２物質を成長させる段階と;前記第２物質が成長された基板を湿式エッチングする段階と；を含んで柱構造の形成方法を構成する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method capable of preventing the depletion of a wiring layer by removing a mask, while maintaining even thickness of an underlying film by preventing the generation of reaction active species of fluorine caused by a by-product due to etching when removing the mask, and reducing subsequent underlying film overetching time.例文帳に追加

マスクを除去する時にエッチングによる副生成物に起因するフッ素の反応活性種の生成を防止して下地膜の膜厚を均一に保ちながらマスクを除去して、その後の下地膜のオーバーエッチングの時間を少なくして配線層の減少を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.例文帳に追加

シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of semiconductor package provided with a plurality of independent terminal electrodes, terminal electrodes are formed by etching on a supporting tape (1) and the supporting tape (1) is peeled after the terminal electrodes are fixed under the condition that an external substrate connecting surface side of the terminal electrodes is embedded by 50 to 60 μm to a supporting tape (2).例文帳に追加

複数の互いに独立した端子電極を備える半導体パッケージの製造方法において、支持テープ（１）上に端子電極をエッチングによって形成し、支持テープ（２）に端子電極の外部基板接続面側を５０〜６０μｍ埋め込んだ状態で端子電極を固定した後に支持テープ（１）を剥離する。 - 特許庁

The connecting structure and method of the holey fiber is characterized in that the fusion spliced part 8 is reduced in diameter by etching.例文帳に追加

第１クラッドの周囲に空孔層が設けられ、該空孔層の周囲に第２クラッドが設けられてなる石英ガラス製のホーリーファイバの一端と、コアとその周囲のクラッドを備えた石英ガラス製の無空孔ファイバの一端とを融着接続し、次いで該融着部をエッチングにより細径化することを特徴とするホーリーファイバの接続方法。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, since an etching speed in a trench forming process is higher than that in a movable section forming process, the amount of a protective film formed on the rear surface of the movable portion 20 as a mask can be reduced in a protective film forming process.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクとして形成される保護膜の形成量を低減することができる。 - 特許庁

In a method for etching surface of wiring board, a thin wiring board 1 is transported in the direction of its flat surface in an etchant L and, at the same time, the etchant L is transported under pressure to the front and rear surfaces of the board 1 over the whole width perpendicularly to the transporting direction of the board 1.例文帳に追加

エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送すると共に、この配線基板１の表裏面に対し、この表裏面における搬送方向と直交する幅全体に渉り上記エッチング液Ｌを圧送する、配線基板の表面エッチング方法。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

An HTO film 4a is formed isotropically along an internal surface of the element separating groove 3, and an HTO film 4a formed at a center portion of a bottom surface 3a of the element separating groove 3 is removed in an RIE method by anisotropic etching to leave the HTO film 4a along a side wall surface 3b of the element separating groove 3.例文帳に追加

素子分離溝３の内面に沿ってＨＴＯ膜４ａを等方的に形成し、素子分離溝３の底面３ａの中央部に成膜されたＨＴＯ膜４ａをＲＩＥ法により異方性エッチングして除去し、ＨＴＯ膜４ａを素子分離溝３の側壁面３ｂに沿って残留させる。 - 特許庁

The optical wiring layer is manufactured by the method including a process step of forming the first clad layer and the core layer on at a base, a process step of relieving the internal stress in the first clad layer and the core layer, a process step of forming the core patterns by using dry etching and a process step of forming the second clad having the core patterns.例文帳に追加

少なくとも、支持体上に第１クラッド層及びコア層を形成する工程と、第１クラッド層及びコア層の内部応力を緩和させる工程と、ドライエッチングを用いてコアパターンを形成する工程と、コアパターンを覆う第２クラッドを形成する工程と、を具備することにより光配線層を製造する。 - 特許庁