「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(128ページ目) - Weblio英語例文検索

In the forming method, a dispersion solution containing metal particles whose mean particle diameter is ≤100nm is coated on the surface of a base material to form a coating film, and it is dried under the condition of maintaining the range where the mean particle diameter is ≤500nm on the coating film after drying, pattern-formed into a prescribed plane shape by etching and calcined.例文帳に追加

形成方法は、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a piezoelectric vibration piece, which is capable of suppressing variations in the thickness between recessed parts generated in initial etching within a prescribed range reliably and in a short time, without adding the step of sticking a porous thick plate on a wafer in the midway of a conventional manufacturing step or other steps.例文帳に追加

従来の製造工程の途中でウェハへの貼り付け工程等を追加せずに、さらに初回のエッチングで生じた各凹陥部の厚みのばらつきを確実に且つ短時間で、あらかじめ設定された範囲内に収めることのできる圧電振動片の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method for the optical member for EUVL is characterized in that the optical plane of an optical member for EUVL made of a quartz glass material having OH concentration of ≥100 ppm, essentially consisting of SiO_2 and comprising TiO_2 is subjected to GCIB (Gas Cluster Ion Beam) etching using a source gas comprising at least either fluorine or chlorine.例文帳に追加

ＯＨ濃度が１００ｐｐｍ以上で、ＴｉＯ_2を含有し、ＳｉＯ_2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶＬ用光学部材の光学面に、フッ素または塩素の少なくとも一方を含有するソースガスを用いたＧＣＩＢエッチングを施すことを特長とするＥＵＶＬ用光学部材の表面処理方法。 - 特許庁

To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.例文帳に追加

金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁

An HTO film 4a is formed isotropically along an internal surface of the element separating groove 3, and an HTO film 4a formed at a center portion of a bottom surface 3a of the element separating groove 3 is removed in an RIE method by anisotropic etching to leave the HTO film 4a along a side wall surface 3b of the element separating groove 3.例文帳に追加

素子分離溝３の内面に沿ってＨＴＯ膜４ａを等方的に形成し、素子分離溝３の底面３ａの中央部に成膜されたＨＴＯ膜４ａをＲＩＥ法により異方性エッチングして除去し、ＨＴＯ膜４ａを素子分離溝３の側壁面３ｂに沿って残留させる。 - 特許庁

The optical wiring layer is manufactured by the method including a process step of forming the first clad layer and the core layer on at a base, a process step of relieving the internal stress in the first clad layer and the core layer, a process step of forming the core patterns by using dry etching and a process step of forming the second clad having the core patterns.例文帳に追加

少なくとも、支持体上に第１クラッド層及びコア層を形成する工程と、第１クラッド層及びコア層の内部応力を緩和させる工程と、ドライエッチングを用いてコアパターンを形成する工程と、コアパターンを覆う第２クラッドを形成する工程と、を具備することにより光配線層を製造する。 - 特許庁

The connecting structure and method of the holey fiber is characterized in that the fusion spliced part 8 is reduced in diameter by etching.例文帳に追加

第１クラッドの周囲に空孔層が設けられ、該空孔層の周囲に第２クラッドが設けられてなる石英ガラス製のホーリーファイバの一端と、コアとその周囲のクラッドを備えた石英ガラス製の無空孔ファイバの一端とを融着接続し、次いで該融着部をエッチングにより細径化することを特徴とするホーリーファイバの接続方法。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, since an etching speed in a trench forming process is higher than that in a movable section forming process, the amount of a protective film formed on the rear surface of the movable portion 20 as a mask can be reduced in a protective film forming process.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクとして形成される保護膜の形成量を低減することができる。 - 特許庁

In a method for etching surface of wiring board, a thin wiring board 1 is transported in the direction of its flat surface in an etchant L and, at the same time, the etchant L is transported under pressure to the front and rear surfaces of the board 1 over the whole width perpendicularly to the transporting direction of the board 1.例文帳に追加

エッチング液Ｌ中において薄板形状の配線基板１をその平面方向に沿って搬送すると共に、この配線基板１の表裏面に対し、この表裏面における搬送方向と直交する幅全体に渉り上記エッチング液Ｌを圧送する、配線基板の表面エッチング方法。 - 特許庁

According to a first aspect, a method of manufacturing the thin-film solar cell of the present invention comprises a step of using a difference in etching speed between an amorphous layer and a crystalline layer to etch part of a photoelectric conversion layer, and to create a texture during formation of a photoelectric conversion layer of a silicon thin-film solar cell.例文帳に追加

本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第１の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、非晶質層と結晶層のエッチング速度の違いを利用して光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing an electro-optical device according to this invention is to manufacture the electro-optical device by forming a resin base material 12 on a glass substrate 11 (Fig.(b)), forming a display element 13 on the formed resin base material 12 (Fig.(c)), and thereafter removing the glass substrate 11 by etching (Fig.(d)).例文帳に追加

本発明の電気光学装置の製造方法は、ガラス基板１１の上に樹脂基材１２を形成し（図１（ｂ））、形成された樹脂基材１２の上に表示要素１３を形成し（図１（ｃ））、その後ガラス基板１１をエッチングにより除去することにより（図１（ｄ））、電気光学装置を製造するものである。 - 特許庁

A substrate for electron source forming has a layer 1b containing SiO_2 as a main component on a substrate 1a, wherein the SiO_2 layer has a hardness higher than 5 GPa measured by the nano indentation method at room temperature, or an etching rate not higher than 10 nm/min in the solution containing 0.4 wt% of ammonium hydrogen fluoride at room temperature.例文帳に追加

基板１ａ上にＳｉＯ_２を主成分とする層１ｂを有し、該ＳｉＯ_２層の室温におけるナノインデンテーション法により測定される硬度が５ＧＰａ以上、あるいは、該ＳｉＯ_２層の室温における０．４ｗｔ％フッ化水素アンモニウム水溶液でのエッチングレートが１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.例文帳に追加

高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及びフォトマスクを提供する。 - 特許庁

This metallic surface treating composition contains (A) a hydrazine derivative, (B) phosphate and (C) acid capable of etching a metallic surface, and, in the surface treating method for metal, the metallic surface treating composition is applied in such a manner that dry film weight is controlled to 0.05 to 3.0 g/m2, and drying is executed.例文帳に追加

（Ａ）ヒドラジン誘導体、（Ｂ）リン酸塩及び（Ｂ）金属表面をエッチングできる酸を含有することを特徴とする金属表面処理組成物、及び該金属表面処理組成物を、乾燥皮膜重量が０．０５〜３．０ｇ／ｍ^2となるように塗布し乾燥させることを特徴とする金属の表面処理方法。 - 特許庁

To provide photosensitive resist ink which is used for forming a resist pattern by a direct resist drawing method and has sufficiently high resist pattern curing speed, etching resistance, peelability, etc., and with which the manufacturing yield and manufacturing time of a conductor pattern can be improved; and to provide methods of manufacturing resist pattern, conductor pattern, and printed wiring board.例文帳に追加

レジスト直描方式を用いたレジストパターンの形成に用いられるレジストインクにおいて、レジストパターンの硬化速度、耐エッチング性、剥離性等が十分で、導体パターンの製造歩留まりや製造所要時間が満足のいく、感光性レジストインクを提供し、レジストパターン、導体パターン、プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the semiconductor device comprises: forming the insulating film on a first conductor film; and forming a recess in an upper part of the insulating film exposed in an opening of a mask film and sticking reaction products on a lower part of a side wall part of the mask film through anisotropic etching using the mask film having the opening for exposing the insulating film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、第１の導電体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜を露出する開口部を有するマスク膜を用いた異方性エッチングにより、開口部に露出した絶縁膜の上部に凹部を形成すると共に、マスク膜の側壁部下部に反応生成物を付着させる。 - 特許庁

In the method for performing polishing of the side peripheral surfaces of the glass disks 10 by bringing the side peripheral surfaces 12 and 14 of a glass disk layered body 1 wherein glass disks 10 and adhesive resin layers 20 are alternately layered into contact with an etching liquid, the glass disks 10 are etched after the adhesive resin layers 20 are previously etched.例文帳に追加

ガラスディスク１０と接着樹脂層２０とが交互に積層されたガラスディスク積層体１の側周面１２，１４がエッチング液に接することによってガラスディスク１０の側周面を研磨加工する方法であって、接着樹脂層２０を予めエッチングした上で、ガラスディスク１０をエッチングする。 - 特許庁

To provide a polymer which has dry etching resistance, is high in sensitivity, resolution and light transmittance, when used for resist compositions for DUV excimer laser lithography or the like, has small line edge roughness of resist patterns and can resist to thin resist films, to provide a resist composition, and to provide a method for producing a substrate on which a resist pattern is formed.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等のレジスト組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、光線透過率が高く、レジストパターンのラインエッジラフネスが小さく、レジスト膜の薄膜化に耐えることができるドライエッチング耐性を有する重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method includes a process for treating the surface of a resin pattern formed on a substrate or an etched pattern formed on the substrate by etching with a surface treatment liquid containing a silylation agent and a solvent, and a process for cleaning the resin pattern obtained after treatment by the surface treatment liquid, or the etched pattern.例文帳に追加

本発明に係る表面処理方法は、基板上に設けられた樹脂パターン、又はエッチングにより基板に形成された被エッチングパターンの表面を、シリル化剤及び溶剤を含有する表面処理液で処理する工程と、表面処理液による処理後の樹脂パターン又は被エッチングパターンを洗浄する工程と、を含む。 - 特許庁

In a manufacturing method of the ring-shaped glass substrate for magnetic recording medium, an end face is formed by etching when machining a glass material plate into the glass substrate 11 on a disk, thus obtaining the glass substrate for magnetic recording medium without any flaws on an outer-periphery end face 13 and an inner-periphery end face 14.例文帳に追加

円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、ガラス素板をディスク上のガラス基板１１に加工する際に、端面形成をエッチングにより行うことにより、外周端面１３及び内周端面１４に傷のない磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a for a focused electrically-charged particle beam working method for realizing the formation of a fine three-dimensional structure near a designed shape as well as a focused electrically-charged particle beam device for realizing it by reducing the effects of etching and a deposition phenomenon varying in accordance with several conditions at the time of carrying out the working.例文帳に追加

本発明の課題は、加工を実行する際の諸条件に応じて変化するエッチング及びデポジション現象の影響を軽減し、設計形状に近い微細３次元構造体形成を実現する集束荷電粒子ビーム加工法並びにそれを実施する集束荷電粒子ビーム装置を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.例文帳に追加

配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁

Since this method allows the mask pattern 46 of high precision to be formed on the imprint resin layer 42 by impression of the nano-stamper 43, the monolithic semiconductor lens 23 having a desired shape is formed more easily than conventional methods which use wet etching or form resist patterns by baking.例文帳に追加

この方法では、ナノスタンパ４３の押印によってインプリント樹脂層４２に精度の高いマスクパターン４６を形成できるので、従来のようにウエットエッチングを用いる場合や、ベーキングによってレジストパターンを形成する場合と比較して、所望の形状を有するモノリシック半導体レンズ２３を簡易に形成できる。 - 特許庁

The method for making synthetic fiber fabric with translucent print (dyeing) pattern comprises a printing process before etching process by sodium hydroxide or the like, wherein the printing process comprises printing of paste for dyeing on the surface of the fabric, and/or printing which contains a transparent developer.例文帳に追加

水酸化ナトリウム等によるエッチング工程の前にプリント工程を含み、そのプリント工程は織物の表面上に染色用のペーストをプリントすること、および／または透明なプリント用顕色剤を含んでプリントすることを包含する、半透明なプリント（染色）パターンをその上に有する合成繊維織物を製造する。 - 特許庁

The method for forming a chemical conversion coating with low electric resistance on the surface of the magnesium alloy material containing little aluminum comprises sequentially performing two steps treatment consisting of etching treatment with the use of an organic acid and treatment with the use of a solution containing fluorides, and then performing chemical conversion treatment.例文帳に追加

アルミニウムの含有率の低いマグネシウム合金材表面に、有機酸によるエッチング処理と、フッ化物を含有する水溶液による処理との２段階処理を順に行い、その後皮膜化成処理を行うことを特徴とするマグネシウム合金材の低電気抵抗皮膜化成処理方法である。 - 特許庁

To provide a method for forming an electroless-plated layer on a pretreated glass substrate, without etching it while using a harmful fluoride before plating, which has adequate adhesiveness to the substrate, has no blister formed during plating, and has an adequate electrical properties.例文帳に追加

有害なフッ化物を用いるエッチング処理を行うことなく、ガラス基板のめっき前処理を行うことができ、めっき層を形成すると基板への密着性が良好で、めっき中にフクレが発生することなく、電気的特性の良好なめっき層を得ることができる、ガラス基板上への無電解めっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an aluminum electrode material for an electrolytic capacitor excellent in switching characteristics, which can surely increase the expanded surface rate to increase the electrostatic capacitance by forming uniform etched pits in a high density and starting the deep etching from these pits to make coupling hard within a tunnel.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide an outer packaging for a lithium ion battery having high electrolyte resistance and high hydrofluoric acid resistance even if the surface etching of aluminum foil performing by immersion in an acid bath or an alkali bath is eliminated regardless of no chromate treatment on the surface of aluminum foil, and to provide a method of manufacturing the outer packaging of the lithium ion battery.例文帳に追加

アルミニウム箔表面にクロメート処理が施されないにもかかわらず、酸浴やアルカリ浴への浸漬によるアルミニウム箔表面のエッチングを省略しても、優れた耐電解液性及び耐フッ酸性を有しているリチウムイオン電池用外装材、及び該リチウムイオン電池用外装材の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

By growing a silicon single crystal ingot containing no COP and dislocated clusters by the CZ method, cutting out a silicon wafer 40 from the silicon single crystal ingot, and subjecting the silicon wafer 40 in the as-grown state to a reactive ion etching, grown-in defects containing silicon oxide are actualized as protrusions on the etched surface.例文帳に追加

ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for forming the second conductive impurity region in the predetermined region of the first conductive semiconductor substrate, a step for forming a trench by etching the semiconductor substrate in the predetermined region, and a step for embedding the first conductive epitaxial layer in the trench.例文帳に追加

製造方法は、第１の導電型の半導体基板の所定領域に、第２の導電型の不純物領域を形成するステップと、前記所定領域の前記半導体基板をエッチングして、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第１の導電型のエピタキシャル層を埋め込むステップとを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing the lead frame includes a first step of selectively pressing only the surfaces of the metallic base plate having the resin enclosure formed thereon to form dimples therein, and a second step of forming a plurality of projections in the surfaces of the dimples by etching or plating.例文帳に追加

また本発明の方法では前記樹脂外囲器が形成される前記金属原板の表面のみを選択的にプレス加工しディンプルを形成する第１工程と、前記ディンプルの表面をエッチング加工もしくはめっき工法により複数の突起を形成する第２工程を含む事を特徴とする。 - 特許庁

The method includes steps of: providing a base and forming a photoresist layer on the base; exposing the photoresist layer through a reticle with no addition of optical correction; baking the exposed photoresist layer; and developing the baked photoresist layer to form the resist mask of multiple etching.例文帳に追加

ベースを提供し、該ベース上にフォトレジスト層を形成するステップと、如何なる光学的修正をも行わないレチクルを通して該フォトレジスト層を露光するステップと、露光した該フォトレジスト層をベークするステップと、該ベークしたフォトレジスト層に現像を行い、多重エッチングのレジストマスクを形成するステップとを含んでなる。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor crystal capable of separating the nitride semiconductor crystal from a dissimilar substrate by dissolving a buffer layer in a short time by etching selectively even when using a material having a small dissolving rate difference from that of the nitride semiconductor crystal.例文帳に追加

窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.例文帳に追加

この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for protecting a collector layer exposed in a groove formed in the periphery of a element area at the time of forming an element separating area, and a method for accurately controlling etching for forming an element separating area for separating semiconductor elements in the element area formed on a compound semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離領域を形成する際に素子領域周辺に設けられる溝に露出するコレクタ層を保護する構造の半導体装置及び化合物半導体基板上に形成される素子領域中の半導体素子を分離する素子分離領域を形成するためのエッチングを正確に制御する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist film from the resist composition on a surface to be processed, and exposing and developing the resist to form a resist pattern, and a patterning step of patterning the object surface by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for performing an etching processing by using a resist film when a pattern of an organic film is formed or when a pattern of a thin film, which is formed on the organic resin film, is formed and removing the resist film without swelling the organic resin film in a manufacture of a semiconductor element substrate having the organic resin film.例文帳に追加

有機樹脂膜を有する半導体素子基板の作製において、有機樹脂膜のパターン形成時、または、これらの有機樹脂膜上に形成される薄膜のパターン形成時にレジスト膜を用いたエッチング処理を行った後、有機樹脂膜を膨潤させることなくレジスト膜を除去する方法について提供する。 - 特許庁

The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁

To provide a deposition film forming method by which, in substrate treatment such as formation of a functional deposition film, the clogging of exhaust piping when exhaust gas including unreacted gas, by-products or the like is exhausted is remarkably reduced, also substance deposited on the piping is effectively removed upon etching, and the original treatment can be efficiently performed.例文帳に追加

機能性堆積膜の形成といった基体処理において、未反応ガスや副生成物等を含んだ排気ガスを排気する際の排気配管の閉塞が大幅に低減され、かつ、エッチングの際に効果的に除去され、効率良く本来の処理を行うことができる堆積膜形成方法を提供する。 - 特許庁

A gas-barrier resin molded article is obtained by plasma-etching the surface of a resin molded article to attain the root-mean square roughness (Rms) into 3 nm or lower and forming a diamond like carbon film of 5-20 nm thickness by a plasma CVD method on a surface of a resin molded article.例文帳に追加

本発明のガスバリア性樹脂成形体は、樹脂成形体の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を３ｎｍ以下にする工程、次にプラズマＣＶＤ法により樹脂成形体の表面に膜厚が５〜２０ｎｍのダイヤモンドライクカーボン膜を形成することにより得られる。 - 特許庁

Concerning the producing method for a thin film wiring board formed with thin film layers on the baseboard having a VIA for electrically conducting the layers, the void defect existent on the VIA is filled with a conductive member having corrosion resistance in respect to an etching solution and afterwards, the thin film layers are formed on the base.例文帳に追加

層間を電気的に導通させるＶＩＡを有するベース基板に薄膜層を形成した薄膜配線基板の製造方法において、前記ＶＩＡ上に存在するボイド欠陥を、エッチング溶液に対する耐腐食性を有する導電材により埋めた後、前記ベース基板上に薄膜層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the solid-state imaging element comprises, at least a step of forming the hole 13 in a part directly above the sensor 2 of the transparent film 9, the step of forming the organic polymer 10 by embedding the polymer in the hole 13, and the step of planarizing surface by etching back the polymer 10.例文帳に追加

そして、透明膜９の受光センサ部２の直上の部分に孔部１３を形成する工程と、この孔部１３を埋めて有機ポリマー１０を形成する工程と、この有機ポリマー１０に対してエッチバックを行って表面を平坦化する工程とを少なくとも有して上記固体撮像素子を製造する。 - 特許庁