「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(131ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming process of applying the above resist pattern thickening material to cover the surface of a resist pattern after the resist pattern is formed on the objective surface to be worked; and a patterning process of patterning the surface to be worked by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工表面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

The method for production of a high-purity W sputtering target includes: pressing and sintering high-purity W powders; machining the resultant sintered compact into a target shape; applying grinding of at least either of rotary grinding or polishing; and further polishing by at least either of etching or reverse sputtering to finish off.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

The method is used to manufacture a wiring board, wherein a pattern wiring is formed on a board, and it includes an aerosol film formation step of forming a conductive layer by collision of aerosol and a patterning step of patterning the conductive layer by etching and form the pattern wiring including the conductive layer.例文帳に追加

基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、前記導電層をエッチングによりパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which the problem of etching residue happening at formation of the element is solved and the defects such as coverage failure and short circuit are reduced, and reliability can be greatly improved in the light-emitting element having a structure of improved numerical aperture and improved extraction efficiency of light, and its manufacturing method.例文帳に追加

開口率を向上させ、光の取り出し効率を改善させる構成を有する発光素子において、当該素子を形成する際に起こるエッチング残渣の問題を解決しカバレッジ不良やショートなどによる不具合を低減させ、信頼性を大幅に改善することが可能である発光素子及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a short line occurring when a SiN film cannot be made to open completely by via etching having improved sticking force, by using a Ta/TaN film instead of the SiN film as a capping film, and to provide a method for fabricating a copper interconnect which can eliminate increasing elements of a dielectric constant.例文帳に追加

本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのことで、 SiN膜代わりにTa/TaN膜をキャッピング膜で使うことで、付着力が向上してビア蝕刻でSiN膜をまったくオープンさせることができなくて発生する短線を防止する事だけではなく、誘電定数の増加要素を無くすことができる銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a metallic pattern that can form a minute metallic pattern without performing an etching process, and a metallic pattern having a high adhesion property to a substrate, little uneveness at its interface with the substrate, enough conductivity, and high insulation in a region where the metallic pattern does not exist.例文帳に追加

エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method for etching a dual damascene structure employing at least one layer of Lowk film and at least one layer of hard mask, at lest one dummy layer which is not left finally in the structure is formed on the hard mask in order to prevent shoulder dropping.例文帳に追加

少なくとも１層以上のＬｏｗＫ膜と少なくとも１層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって，肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に，最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも１層以上形成することを特徴とする，デュアルダマシン構造のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.例文帳に追加

本発明のポリシリコン膜１０８を含む多層導電膜の形成方法は、Ｃ、Ｓ、そしてＦ成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜１０８の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜１０８より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a resist underlay film from the above composition for forming a resist underlay film on a substrate; forming a resist film thereon; forming a resist pattern by exposure and development; etching the underlay film through the resist pattern; and processing the semiconductor substrate through the patterned underlay film.例文帳に追加

基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、露光と現像によりレジストパタ−ンを形成する工程、レジストパタ−ンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパタ−ン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method of forming the reversal mark is implemented by projecting ≥1 laser beam pulses 34 through laser beam masks 36 and 38 for etching the array of the recessed spots to a surface 44 of a contact lens form insert, then forming the reversal mark on the form insert 42, by scanning the insert and the mask synchronously with respect to the laser beam pulses.例文帳に追加

反転マークを作るための方法は、コンタクトレンズ型枠インサートの表面４４に陥入スポットのアレイをエッチングするためのレーザービームマスク３６，３８を介して１つ以上のレーザービームパルス３４を投射し、その後にそのレーザービームパルスに関して同期的にインサート及びマスクを走査することにより、型枠インサート４２上に反転マークを形成する。 - 特許庁

To provide a processing method which can finish overall neatly and accurately, without needing a difficult control such as a control for etching rate, without a problem of residual ion which harms transparency of a glass substrate, and without staining the surface by the removed material, when repairing unprocessed parts of dug grooves of a Levenson mask.例文帳に追加

本発明の目的課題は、レベンソンマスクの掘り込み溝の加工残り欠陥を修正するにあたって、エッチングレートのコントロール等厄介な加工制御が必要なく、ガラス基板の透明性を損ねる残留イオンの問題もなく、しかも除去した素材が表面を汚すこともなくきれいに精度よく仕上げることができる加工方法を提示することである。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of oxidating an aluminum foil in a boric acid solution to form a uniform-thickness oxide film, a step of partly etching the aluminum foil with the formed oxide film in a sodium chloride solution containing sulfuric acid ion, and a step of reoxidizing the etched aluminum foil to form an oxide film again.例文帳に追加

ホウ酸溶液内でアルミニウムフォイルを酸化して均一な厚さの酸化被膜を形成させる段階と、前記酸化被膜が形成されたアルミニウムフォイルを硫酸イオンが含まれた塩化ナトリウム溶液中で部分的にエッチングする段階と、及び前記エッチングされたアルミニウムフォイルを再酸化して再び酸化被膜を形成させる段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a nondestructive evaluation method of a compound semiconductor wafer requiring no slicing of a sample other than a product sample in which dislocation density of a high level wafer having a mean dislocation density of 100/cm2 or less can be evaluated correctly without requiring a troublesome etching operation.例文帳に追加

製品とならない試料サンプルの切り出しを必要としない非破壊形式の評価方法であって、しかも、手間のかかるエッチング加工を必要とせず、さらに、平均転位密度が１００個／ｃｍ^2 以下の高水準のウエハを対象としたときに正しく転位密度の評価を行うことのできる化合物半導体ウエハの品質評価方法を提供する。 - 特許庁

The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls.例文帳に追加

弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。 - 特許庁

The force of the bending direction can be measured, by incorporating the deviation in the rigidity of the grated part by utilizing a method for changing the shape by changing the tensile shape of an article, in which the deviation of the rigidity is imparted, such as a thin film or an adhesive to the one surface of the grated fiber or changing the shape by polishing or etching the clad part of the fiber.例文帳に追加

そこでグレーティング処理されているファイバの片面に対し、薄膜、接着剤、といった剛性の偏りを与える物を張り付け形状を変える、あるいはファイバのクラッド部分を研磨、エッチング処理し形状を変化させる方法を利用し、グレーティング処理部の剛性に偏りを持たせることで曲げ方向の力の計測を可能とする。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁

The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity.例文帳に追加

被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The production method of the circuit board contains the steps of forming a metal layer on one face or both faces of the substrate via an adhesive sheet containing fluoroplastic, forming a circuit pattern by etching the metal layer, and forming the circuit pattern to then re-adhere the circuit pattern by a thermocompression bonding process.例文帳に追加

本発明に係る回路基板の製造方法は、フッ素樹脂を含む接着シートを介して基材の片面または両面に金属層を形成する工程、金属層をエッチングすることにより回路パターンを形成する工程、および回路パターンを形成した後、熱圧着処理により回路パターンを再接着する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a first step of forming a metal thin film for wiring lines on a glass substrate 11a, a second step of forming a resist pattern on the metal thin film by using a photomask 20 where a pattern for the wiring lines is formed, and a third step of forming the wiring lines by selectively removing the metal thin film by wet etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成する第３ステップとを備える。 - 特許庁

The method for making the mold with the protective layer includes making a mold base plate having at least one substantially flat surface, accumulating a mold protective material layer on at least one substantially flat surface, and etching a plurality of cavities on at least one substantially flat surface through the mold protective layer.例文帳に追加

保護層を有する金型を形成する方法が、少なくとも１つの実質的に平坦な面を有する金型基板を形成することと、少なくとも１つの実質的に平坦な面の上に金型保護材料の層を堆積させることと、金型保護層を通って、少なくとも１つの実質的に平坦な面内に複数のキャビティをエッチングすることとを含む。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

The laser beam machining method includes: a laser beam applying step of forming a modified area 50 with the physical properties being modified by forming a superimposed focal spot to the laser beam L, superimposing the focal point on a workpiece 5 through which the laser beam L is transmitted and applying the laser beam L thereto; and an etching step of removing the modified area 50.例文帳に追加

レーザー光Ｌに対して多重焦点を形成し、レーザー光Ｌを透過する被加工物５に多重焦点を重ね合わせレーザー光Ｌを照射して、物性が改質された改質領域５０を形成するレーザー光照射工程と、改質領域５０を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とするレーザー加工方法。 - 特許庁

To provide a metal defect detection method capable of highlighting defect through etching treatment of the inspection surface of a metal sample, while when detection of the defect is carried out by imaging the inspection surface with an imaging device, brightness of non-defect parts on the imagery of inspection surface is made to be homogenized and brightened, leading clear defection of defect part.例文帳に追加

金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming patterns on both faces of a transparent substrate, by which even when photoresist films disposed on transparent metal films on both faces of the transparent substrate are simultaneously subjected to different pattern exposure, transparent metal film patterns with good dimensional accuracy can be efficiently and easily formed on both faces of the transparent substrate after etching and peeling treatment.例文帳に追加

透明基材の両面の透明金属膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明金属膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition containing, as a base material, a molecular material capable of reducing LER and LWR in EUV lithography capable of forming an ultrafine pattern, and giving a resist film which ensures low outgassing in EUV exposure and has high etching resistance, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＬＥＲ及びＬＷＲの低減が可能な分子性材料を基盤材料として含有するレジスト組成物であって、ＥＵＶ露光時でのアウトガスが低く、またエッチング耐性の高いレジスト膜を与えるレジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.例文帳に追加

本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.例文帳に追加

電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁

The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.例文帳に追加

本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁

In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.例文帳に追加

分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

To provide a plated article which has a polycarbonate resin as a base material and in which a metal plating film having excellent adhesiveness is formed on the base material and can be produced by a simple electroless plating method without spoiling impact resistance of the polycarbonate resin base material and without performing complicated etching treatment or the like.例文帳に追加

本発明は、ポリカーボネイト樹脂を基材とし、その基材上に密着性に優れる金属めっき膜が形成されためっき物であって、ポリカーボネイト樹脂基材の耐衝撃性を損なわず、しかも煩雑なエッチング処理等行うことなく、簡易な無電解めっき法により製造することができるめっき物の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a double-sided photomask having a diffraction optical element pattern formed on a transparent substrate, which is capable of obtaining desired optical characteristics by accurately recognizing the etched state of the transparent substrate to form the diffraction optical element pattern with precise etching depth and pattern dimensions, and to provide the double-sided photomask.例文帳に追加

透明基板に回折光学素子パターンが形成されている両面フォトマスクの作製方法において、透明基板のエッチング状態を正確に把握して、回折光学素子パターンのエッチング深さおよびパターン寸法を高精度に形成し、所望の光学特性を得ることが可能な両面フォトマスクの作製方法および両面フォトマスクを提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the surface emitting laser element includes: laminating a transparent dielectric layer 111a with an optical thickness of λ/4 on an upper surface of a laminated body; forming, on an upper layer thereof, a first resist pattern 120a defining an outer shape of a mesa structure and a resist pattern 120b protecting a region corresponding to a low reflection rate part included in an emitting region; and etching the dielectric layer 111a.例文帳に追加

積層体の上面に、光学的厚さがλ／４の誘電体層１１１ａを積層し、その上面に、メサ構造体の外形を規定するレジストパターン１２０ａ及び出射領域における反射率が低い部分に対応する領域を保護するレジストパターン１２０ｂを形成・硬化させた後、誘電体層１１１ａをエッチングする。 - 特許庁

This pretreating method for a catalyzing treatment is characterized by dipping the resin base material in a glass etching solution containing a fluorine compound, and then in an oxidizing agent solution containing permanganate or chromic acid, before catalyzing the resin base material containing glass fibers or silica-based fillers with a catalyst solution containing palladium compound.例文帳に追加

ガラス繊維やシリカ系フィラーを含有する樹脂基材をパラジウム化合物を含む触媒液で触媒化するのに先立ち、当該樹脂基材をフッ素化合物を含有するガラスエッチング処理液に浸漬し、ついで過マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処理方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photosensitive resin composition which can maintain high adhesion and peeling characteristics, even if using a less rugged circuit board and is superior in plating and etching resistance and resolution, and a photosensitive element and a resist pattern which uses this resin composite, and to provide a printed circuit board.例文帳に追加

表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method for a semiconductor element in which a fine metal pattern is prevented from being formed by forming a spacer film on a side wall of a photoresist pattern, and bringing spacers into contact with each other by narrowing the interval between photoresist patterns at a breaking part of metal wiring while forming a fine metal pattern using the spacers as etching masks.例文帳に追加

フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.例文帳に追加

セラミック基板１上にグレーズ層２を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜３を形成して、エッチング処理後にレジスト膜３を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル５から粒子径が２５０μｍ以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜３を除去する。 - 特許庁

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.例文帳に追加

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁