「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(131ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a resist underlay film from the above composition for forming a resist underlay film on a substrate; forming a resist film thereon; forming a resist pattern by exposure and development; etching the underlay film through the resist pattern; and processing the semiconductor substrate through the patterned underlay film.例文帳に追加

基板にレジスト下層膜形成組成物によりレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、露光と現像によりレジストパタ−ンを形成する工程、レジストパタ−ンにより該下層膜をエッチングする工程、及びパタ−ン化された下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a nondestructive evaluation method of a compound semiconductor wafer requiring no slicing of a sample other than a product sample in which dislocation density of a high level wafer having a mean dislocation density of 100/cm2 or less can be evaluated correctly without requiring a troublesome etching operation.例文帳に追加

製品とならない試料サンプルの切り出しを必要としない非破壊形式の評価方法であって、しかも、手間のかかるエッチング加工を必要とせず、さらに、平均転位密度が１００個／ｃｍ^2 以下の高水準のウエハを対象としたときに正しく転位密度の評価を行うことのできる化合物半導体ウエハの品質評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a processing method which can finish overall neatly and accurately, without needing a difficult control such as a control for etching rate, without a problem of residual ion which harms transparency of a glass substrate, and without staining the surface by the removed material, when repairing unprocessed parts of dug grooves of a Levenson mask.例文帳に追加

本発明の目的課題は、レベンソンマスクの掘り込み溝の加工残り欠陥を修正するにあたって、エッチングレートのコントロール等厄介な加工制御が必要なく、ガラス基板の透明性を損ねる残留イオンの問題もなく、しかも除去した素材が表面を汚すこともなくきれいに精度よく仕上げることができる加工方法を提示することである。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of oxidating an aluminum foil in a boric acid solution to form a uniform-thickness oxide film, a step of partly etching the aluminum foil with the formed oxide film in a sodium chloride solution containing sulfuric acid ion, and a step of reoxidizing the etched aluminum foil to form an oxide film again.例文帳に追加

ホウ酸溶液内でアルミニウムフォイルを酸化して均一な厚さの酸化被膜を形成させる段階と、前記酸化被膜が形成されたアルミニウムフォイルを硫酸イオンが含まれた塩化ナトリウム溶液中で部分的にエッチングする段階と、及び前記エッチングされたアルミニウムフォイルを再酸化して再び酸化被膜を形成させる段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls.例文帳に追加

弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。 - 特許庁

The method of forming the reversal mark is implemented by projecting ≥1 laser beam pulses 34 through laser beam masks 36 and 38 for etching the array of the recessed spots to a surface 44 of a contact lens form insert, then forming the reversal mark on the form insert 42, by scanning the insert and the mask synchronously with respect to the laser beam pulses.例文帳に追加

反転マークを作るための方法は、コンタクトレンズ型枠インサートの表面４４に陥入スポットのアレイをエッチングするためのレーザービームマスク３６，３８を介して１つ以上のレーザービームパルス３４を投射し、その後にそのレーザービームパルスに関して同期的にインサート及びマスクを走査することにより、型枠インサート４２上に反転マークを形成する。 - 特許庁

The force of the bending direction can be measured, by incorporating the deviation in the rigidity of the grated part by utilizing a method for changing the shape by changing the tensile shape of an article, in which the deviation of the rigidity is imparted, such as a thin film or an adhesive to the one surface of the grated fiber or changing the shape by polishing or etching the clad part of the fiber.例文帳に追加

そこでグレーティング処理されているファイバの片面に対し、薄膜、接着剤、といった剛性の偏りを与える物を張り付け形状を変える、あるいはファイバのクラッド部分を研磨、エッチング処理し形状を変化させる方法を利用し、グレーティング処理部の剛性に偏りを持たせることで曲げ方向の力の計測を可能とする。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor base material, when an etching mask for forming protrusions and recesses on the surface of a semiconductor base material by photolithography processing of a resist film, a transfer mask 100 where the dimensions of a dot-shaped light-shielding portion 104, i.e. a pattern of protrusions and recesses near the region where the exposure shots overlap, are corrected previously.例文帳に追加

半導体基材を製造する方法において、半導体基材の表面に凹凸部を形成するためのエッチングマスクをレジスト膜のフォトリソグラフィ処理により形成する際、転写用マスク１００として、あらかじめ露光ショットの重なる領域付近にある凹凸パターンであるドット状遮光部１０４の寸法を補正した転写用マスクを使用する。 - 特許庁

The preparing method comprises both a process for removing the second metal film 4 including the metallic element to be measured by selective etching and a process for forming the third metal film 5 of the same composition as that of the first metal film 3 except the metallic element to be measured on the first metal film 3 exposed in the removing process and including the metallic element to be measured as an impurity.例文帳に追加

被測定金属元素を含む第２の金属膜４を選択エッチングにより除去する工程と、除去工程により露出した、被測定金属元素を不純物として含む第１の金属膜３上に、被測定金属元素を除いて第１の金属膜３と同一組成の第３の金属膜５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.例文帳に追加

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the device comprises simultaneously wet etching an overcoat 10 and a color filter 9, subsequently reflowing the overcoat 10 to form gentle inclination covering the side face of a contact hole and forming the shape of the contact hole that is connecting a pixel electrode and a drain electrode, as smoothly varying normally tapered so as to prevent the pixel electrode from being disconnected between levels.例文帳に追加

オーバーコート１０及びカラーフィルター９に対し、同時にウエットエッチングを行った後、オーバーコート１０をリフローさせ、コンタクトホール側面を覆って緩やかな傾斜を形成するようにし、画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホールの形状を滑らかに変化した順テーパとすることで、画素電極に段切れが生じないようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode sheet has a process of forming a conductive coating film by a conductive polymer solution containing π-conjugated conductive polymer, a soluble polymer, and a solvent on one face or both faces of an insulating transparent base material, and a process of forming the electrode part by dry-etching the conductive coating film.例文帳に追加

本発明の電極シートの製造方法は、絶縁性透明基材の片面または両面に、π共役系導電性高分子、可溶化高分子及び溶媒を含有する導電性高分子溶液により導電性塗膜を形成する工程と、該導電性塗膜をドライエッチングして電極部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device wherein a circuit board 4 is stuck on a function surface of a semiconductor element 3, bonding pads 2 of the semiconductor element and a circuit pattern 7a of the circuit board are connected through electrical conductor, a bridge is formed for connection through the electrical conductor by etching a conductor layer, crossing a window part which is formed on the circuit board 4.例文帳に追加

半導体素子３の機能面に回路基板４が貼着され、半導体素子のボンディングパッド２と回路基板の回路パターン７ａが電気導体により接続された半導体装置の製造方法において、電気導体による接続のために回路基板に設けた窓部を横切って導体層のエッチングによりブリッジを形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises: (1) forming a first oxide film 3 including a groove 7 on a semiconductor substrate 1; (2) depositing a second oxide film 9 by means of HDP-CVD on the resultant substrate and tapering the groove 7, so that its inner side surface becomes narrow toward the bottom; and (3) etching back the second oxide film 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、（１）半導体基板１上に、溝部７を有する第１の酸化膜３を形成し、（２）得られた基板上に、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によって第２の酸化膜９を堆積して、前記溝部７をその内側面が底方向に狭くなるテーパー形状にし、（３）第２の酸化膜９をエッチバックすることからなる。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

A method for forming holes into a circuit wiring board provided with a conductive layer 11 and an insulating layer 12 includes a step of forming a metallic mask layer 13 having a thickness of ≤2 μm on an insulator layer 12, a step of etching the insulator layer 12 by using the mask layer 13 as a mask, and a step of removing the mask layer 13.例文帳に追加

導電体層１１と絶縁体層１２とを備える回路配線板に孔を形成する方法であって、絶縁体層１２上に、厚みが２μｍ以下のメタルマスク層１３を形成する工程と、メタルマスク層１３をマスクとして絶縁体層１２をエッチングする工程と、メタルマスク層１３を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法において、Ｐ型半導体基板上にＮ型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するＰ層とＮ層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

To provide copper foil for a plasma display panel (PDP) which excels in shielding characteristics of effectively shielding electromagnetic waves, near IR rays, stray light, external light, etc., and has characteristics, such as a uniform surface of a blackening treatment film free of occurrence of uneven stripes, good etching properties, absence of peeling off by powder drop, and sufficient blackening, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

電磁波、近赤外線、迷光、外光等を効果的に遮断するシールド特性に優れ、かつ黒化処理被膜の面が均一でスジむらの発生が少ないこと、エッチング性が良好であること、粉落ちによる剥離がないこと、黒化が十分である等の特性を持つプラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）用銅箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic.例文帳に追加

エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of forming (etching to cut-surface chemical conversion, carbonization process) a capacitor element having an anode body with an anode oxide film formed on its surface, impregnating an oxide reagent to the capacitor element by immerging the capacitor element in an oxide reagent solution, and then impregnating a monomer to the capacitor element by immerging the capacitor element in a monomer soluion.例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁

This pretreating method for a catalyzing treatment is characterized by dipping the resin base material in a glass etching solution containing a fluorine compound, and then in an oxidizing agent solution containing permanganate or chromic acid, before catalyzing the resin base material containing glass fibers or silica-based fillers with a catalyst solution containing palladium compound.例文帳に追加

ガラス繊維やシリカ系フィラーを含有する樹脂基材をパラジウム化合物を含む触媒液で触媒化するのに先立ち、当該樹脂基材をフッ素化合物を含有するガラスエッチング処理液に浸漬し、ついで過マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処理方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a probe card includes steps of bonding a thermoplastic resin substrate to one surface of the probe head; forming a plurality of terminals on the other surface of the probe head; bonding a metal substrate to the thermoplastic resin substrate; and selectively etching the metal substrate to form probe chips.例文帳に追加

プローブヘッドの一面に熱可塑性樹脂基板を接合する工程と、上記プローブヘッドの他面に複数の端子を形成する工程と、上記熱可塑性樹脂基板に金属基板を接合する工程と、上記金属基板を選択的にエッチングしてプローブチップを形成する工程と、を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell element has steps of preparing a silicon substrate containing a first conductivity-type semiconductor impurity, performing reactive ion etching on a first surface of the silicon substrate, forming the antireflection film on the first surface of the silicon substrate, and printing and sintering silver paste on the antireflection film.例文帳に追加

本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.例文帳に追加

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a metallic pattern that can form a minute metallic pattern without performing an etching process, and a metallic pattern having a high adhesion property to a substrate, little uneveness at its interface with the substrate, enough conductivity, and high insulation in a region where the metallic pattern does not exist.例文帳に追加

エッチング工程を行なうことなく微細な金属パターンの形成が可能であり、且つ基板との密着性が高く、基板との界面における凹凸が小さく、充分な導電性を有すると共に、金属パターンの存在しない領域における絶縁性が高い金属パターンを形成しうる金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In the method for etching a dual damascene structure employing at least one layer of Lowk film and at least one layer of hard mask, at lest one dummy layer which is not left finally in the structure is formed on the hard mask in order to prevent shoulder dropping.例文帳に追加

少なくとも１層以上のＬｏｗＫ膜と少なくとも１層以上のハードマスクを用いるデュアルダマシン構造のエッチング方法であって，肩落ちを防止するために前記ハードマスクの上に，最終的には構造中に残らないダミー膜を少なくとも１層以上形成することを特徴とする，デュアルダマシン構造のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting element in which the problem of etching residue happening at formation of the element is solved and the defects such as coverage failure and short circuit are reduced, and reliability can be greatly improved in the light-emitting element having a structure of improved numerical aperture and improved extraction efficiency of light, and its manufacturing method.例文帳に追加

開口率を向上させ、光の取り出し効率を改善させる構成を有する発光素子において、当該素子を形成する際に起こるエッチング残渣の問題を解決しカバレッジ不良やショートなどによる不具合を低減させ、信頼性を大幅に改善することが可能である発光素子及びその作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a short line occurring when a SiN film cannot be made to open completely by via etching having improved sticking force, by using a Ta/TaN film instead of the SiN film as a capping film, and to provide a method for fabricating a copper interconnect which can eliminate increasing elements of a dielectric constant.例文帳に追加

本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためのことで、 SiN膜代わりにTa/TaN膜をキャッピング膜で使うことで、付着力が向上してビア蝕刻でSiN膜をまったくオープンさせることができなくて発生する短線を防止する事だけではなく、誘電定数の増加要素を無くすことができる銅配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the composition and a pattern formation method which simultaneously satisfy sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance in lithography adopting, as an exposure light source, especially an electron beam, x-rays or EUV light.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、ラインエッジラフネス、及びドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A method of forming a multilayer conductive film comprising this polysilicon film 108 comprises a process, wherein the surface of the film 108 is etched back using etching gas containing C and S components and an F component to remove a recessed region generated in the film 108, and a process, wherein a conductive film having a resistance lower relatively than that of the film 108 is formed on the film 108.例文帳に追加

本発明のポリシリコン膜１０８を含む多層導電膜の形成方法は、Ｃ、Ｓ、そしてＦ成分を含むエッチングガスを使用してポリシリコン膜１０８の表面をエッチバックして除去する工程と、ポリシリコン膜上にポリシリコン膜１０８より抵抗が相対的に小さい導電膜形成する工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal defect detection method capable of highlighting defect through etching treatment of the inspection surface of a metal sample, while when detection of the defect is carried out by imaging the inspection surface with an imaging device, brightness of non-defect parts on the imagery of inspection surface is made to be homogenized and brightened, leading clear defection of defect part.例文帳に追加

金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法を提供する。 - 特許庁

The method for making the mold with the protective layer includes making a mold base plate having at least one substantially flat surface, accumulating a mold protective material layer on at least one substantially flat surface, and etching a plurality of cavities on at least one substantially flat surface through the mold protective layer.例文帳に追加

保護層を有する金型を形成する方法が、少なくとも１つの実質的に平坦な面を有する金型基板を形成することと、少なくとも１つの実質的に平坦な面の上に金型保護材料の層を堆積させることと、金型保護層を通って、少なくとも１つの実質的に平坦な面内に複数のキャビティをエッチングすることとを含む。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

The laser beam machining method includes: a laser beam applying step of forming a modified area 50 with the physical properties being modified by forming a superimposed focal spot to the laser beam L, superimposing the focal point on a workpiece 5 through which the laser beam L is transmitted and applying the laser beam L thereto; and an etching step of removing the modified area 50.例文帳に追加

レーザー光Ｌに対して多重焦点を形成し、レーザー光Ｌを透過する被加工物５に多重焦点を重ね合わせレーザー光Ｌを照射して、物性が改質された改質領域５０を形成するレーザー光照射工程と、改質領域５０を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とするレーザー加工方法。 - 特許庁

To provide a plated article which has a polycarbonate resin as a base material and in which a metal plating film having excellent adhesiveness is formed on the base material and can be produced by a simple electroless plating method without spoiling impact resistance of the polycarbonate resin base material and without performing complicated etching treatment or the like.例文帳に追加

本発明は、ポリカーボネイト樹脂を基材とし、その基材上に密着性に優れる金属めっき膜が形成されためっき物であって、ポリカーボネイト樹脂基材の耐衝撃性を損なわず、しかも煩雑なエッチング処理等行うことなく、簡易な無電解めっき法により製造することができるめっき物の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for forming patterns on both faces of a transparent substrate, by which even when photoresist films disposed on transparent metal films on both faces of the transparent substrate are simultaneously subjected to different pattern exposure, transparent metal film patterns with good dimensional accuracy can be efficiently and easily formed on both faces of the transparent substrate after etching and peeling treatment.例文帳に追加

透明基材の両面の透明金属膜上に設けたフォトレジスト膜に同時に、両面に異なるパターン露光を行っても、エッチング及び剥離処理後の透明基材の両面に位置精度の良好な透明金属膜パターンを効率よく、簡便に形成することのできる透明基材両面へのパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition containing, as a base material, a molecular material capable of reducing LER and LWR in EUV lithography capable of forming an ultrafine pattern, and giving a resist film which ensures low outgassing in EUV exposure and has high etching resistance, and a resist pattern forming method using the same.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、ＬＥＲ及びＬＷＲの低減が可能な分子性材料を基盤材料として含有するレジスト組成物であって、ＥＵＶ露光時でのアウトガスが低く、またエッチング耐性の高いレジスト膜を与えるレジスト組成物、およびこれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the multilayer substrate 400 includes: a process for of forming a junction layer 105 between substrates by bonding first and second crystal substrates 100, 200; and a process for of forming a thin part 205 by etching the first and/or second crystal substrates 100, 200 toward the junction layer 105.例文帳に追加

本発明の積層基板４００の製造方法は、第１及び第２の水晶基板１００，２００を接合し基板間に接合層１０５を形成する工程と、前記第１又は／及び第２の水晶基板１００，２００を前記接合層１０５に向かってエッチングして薄肉部２０５を形成する工程と、からなることを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the electrooptical device includes the steps of: forming the conductive layer (9) of the light-reflective conductive material; forming a protective film (19) on the conductive layer; forming resist (60) on the protective film and performing patterning of the resist; and etching the protective film and conductive layer using the patterned resist as a mask.例文帳に追加

電気光学装置の製造方法は、光反射性を有する導電性材料から導電層（９）を形成する工程と、導電層上に保護膜（１９）を形成する工程と、保護膜上にレジスト（６０）を形成し、当該レジストをパターニングする工程と、パターニングされたレジストをマスクとして、保護膜及び導電層に対してエッチングを施す工程とを備える。 - 特許庁

The method includes a pre-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the irradiation with the ultraviolet rays after the application of the photoresist and before the irradiation with the ultraviolet rays, and a post-baking process of heating the sapphire substrate at a temperature higher than that during the pre-baking process after the irradiation with the ultraviolet rays and before the dry etching.例文帳に追加

本発明の方法は、フォトレジストを塗布した後、紫外線光を照射する前に前記紫外線光の照射時よりも高い温度で前記サファイア基板を加熱するプリベーク工程と、紫外線光を照射した後、ドライエッチングする前に前記サファイア基板をプリベーク工程よりも高い温度で加熱するポストベーク工程を有する。 - 特許庁

In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.例文帳に追加

分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁