「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for manufacturing the capacitor comprises the steps of; providing a metallic foil; forming dielectrics on the metallic foil; forming a first electrode on a part of the dielectrics; forming a protective coating on a part of the metallic foil that includes the whole dielectrics; and etching the metallic foil to form a second electrode.例文帳に追加

金属箔を提供する工程と、該金属箔の上に誘電体を形成する工程と、該誘電体の一部分の上に第１の電極を形成する工程と、該誘電体全体を含む該金属箔の一部分の上に保護被膜を形成する工程と、該金属箔をエッチングして第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする、キャパシタを製造する方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, with which a seam part is prevented from being exposed outward by extinguishing the seam part formed in silicon by heat treatment, residue is prevented from being left after a silicon film is etched back, etching can sufficiently be performed and oxidization of the silicon film is prevented at the time of oxidizing the silicon film.例文帳に追加

シリコン内に形成されたシーム部を熱処理により消滅させることにより、シーム部が外部に露出することを防止して、シリコン膜をエッチバックした後に残渣が残ることを防止することができ、また、エッチングを良好に行うことができると共に、シリコン膜上を酸化する際にシリコン膜内も酸化されることを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the smooth laminate which comprises laminating a resistance alloy layer on at least one side of a smooth electroconductive plate, the resistor having the required resistance value can be formed to the inside of the wiring pattern formed by etching by laminating the resistance alloy layer on the smooth electroconductive plate immediately after activation treatment is applied to the electroconductive plate.例文帳に追加

平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。 - 特許庁

The manufacturing method of the CMOS image sensor comprises steps of: preparing a semiconductor substrate in which a light receiving element region and a transistor region are demarcated; forming fine dust by generating plasma discharge at the light receiving element region; forming a nano pillar at the light receiving element region by etching the fine dust as a mask, and removing the fine dust.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、受光素子領域及びトランジスタ領域が画定された半導体基板を用意するステップと、前記受光素子領域にプラズマ放電を発生させて微細ホコリを形成させるステップと、前記微細ホコリをマスクとしてエッチングして、前記受光素子領域にナノピラーを形成するステップと、前記微細ホコリを除去するステップとを含む。 - 特許庁

A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching.例文帳に追加

インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the slider is provided with a stage for forming an air bearing surface 30 to base materials for slider including a thin film magnetic head element 22 and a stage for etching at least a part of the air bearing surface 30 using a convergent ion beam 100 so that the step between a part corresponding to the thin film magnetic head 22 and the other part is decreased.例文帳に追加

本発明のスライダの製造方法は、薄膜磁気ヘッド素子２２を含むスライダ用の素材に対してエアベアリング面３０を形成する工程と、エアベアリング面３０において、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分と他の部分との間の段差が減少するように、エアベアリング面３０の少なくとも一部を集束イオンビーム１００によってエッチングする工程とを備えている。 - 特許庁

In the method for forming rugged surface whose cross-section has nonlinear symmetric shape, the rugged surface is obtained by a process of forming energy-sensitive negative type resin composition material including polymerizable monomer or oligomer of at least one kind, a process of applying active energy rays via a mask patterned with three or more gradations and a process of performing post-heating without etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物質を形成する工程、３値以上の階調パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を放射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により得られる表面凹凸の断面形状が、非線対称である表面凹凸形成方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing a photomask determines a drawing position of a transfer pattern so that, in a drawing step, at least a part of the defects existing in a thin film of the photomask blank and/or a surface of a resist film is within an area of the transfer pattern and the defects of the part disappear after etching processing on the basis of defect information of the photomask blank grasped beforehand.例文帳に追加

描画工程において、予め把握したフォトマスクブランクの欠陥情報に基づき、フォトマスクブランクの薄膜及び／又はレジスト膜表面に存在する欠陥の少なくとも一部分が、転写パターンの領域内にあって、かつエッチング加工後には該一部分の欠陥が消滅するように、転写パターンの描画位置を決定するフォトマスクの製造方法である。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminate having an inorganic oxide layer on one surface or both surfaces of a polymer film includes a film deposition process for depositing the inorganic oxide layer and a treating process for performing a plasma treatment by RIE (Reactive Ion Etching) and is characterized by simultaneously performing the film deposition process and the treating process.例文帳に追加

本発明の積層体の製造方法及び製造装置は、高分子フィルムの片面もしくは両面上に、無機酸化物層を有する積層体の製造方法において、少なくとも、前記無機酸化物層を成膜する成膜工程と、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）によるプラズマ処理を施す処理工程と、を有し、前記成膜工程と処理工程とが、同時に施されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a production method of a gallium nitride-based compound semiconductor capable of forming an unevenness without performing a post-processing such as a dry or wet etching of the gallium nitride-based compound semiconductor after removing a substrate from the gallium nitride-based compound semiconductor and capable of suppressing largely a damage caused by the post-processing for preventing the gallium nitride-based compound semiconductor from being directly processed.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体から基板を除去した後、窒化ガリウム系化合物半導体にドライまたはウェットエッチング等の後加工を施すこと無しに凹凸を形成可能とし、窒化ガリウム系化合物半導体に直接加工をしないために、後加工によるダメージを大幅に抑えることができる窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of the micro mirror actuator is characterized by including a step for etching a trench corresponding area on a substrate, a step for laminating the film shaped organic film on the substrate so as to maintain a hollow state of the trench corresponding area, and a step for eliminating the film shaped organic film after depositing and patterning a metal film on the film shaped organic film.例文帳に追加

マイクロミラーアクチュエータの製造方法は、基板上にトレンチ対応領域をエッチングする段階と、前記トレンチ対応領域が中空状態を保つように基板上にフィルム状有機膜をラミネーションする段階と、前記フィルム状有機膜上に金属膜を蒸着してパターニングした後、前記フィルム状有機膜を除去する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method comprises a process, where a processed layer 11 with a stepped part 12 is processed, a mask layer 19 or an etching stopper layer is formed on the stepped part 12 provided to the processed layer 11, and the process is carried out by the use of the mask layer 19 or the stopper layer.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、段差部１２を有する被加工層１１の加工を行う加工工程を含む半導体装置の製造方法において、あらかじめ段差部１２が形成された被加工層１１の段差部１２上部にマスク層１９あるいはエッチングストッパー層を形成し、前記マスク層１９あるいはストッパー層を用いて加工を行うことを特徴とする。 - 特許庁

This surface unevenness forming method includes a process for forming an energy-sensitive negative resin composite layer containing at least one or more kinds of polymarizable monomers or oligomers, a process for irradiating activated energy rays at least once or more via a mask with the pattern formed or a process for directly plotting the pattern and a process for performing afterbaking without performing an etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物層を形成する工程、パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を少なくとも一回以上照射する工程またはパターンを直接描画する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程を含む表面凹凸形成方法。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate comprises: a sandblasting step of performing surface treatment by sandblasting on a first surface of a silicon substrate in an as-sliced state, fabricated by slicing a silicon ingot; and a step of performing surface treatment on the silicon substrate using an etching solution containing either or both of hydrofluoric acid and nitric acid after the sandblasting step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の作製方法は、シリコンインゴットをスライスすることにより作製されたアズスライス状態のシリコン基板の第一の面に対して、サンドブラスト処理による表面処理を行うサンドブラスト工程と、前記サンドブラスト工程の後に、前記シリコン基板に対して、フッ酸、硝酸のいずれか１つ以上を含むエッチング溶液による表面処理を行う工程と、を含む。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a resist pattern forming step of forming a resist pattern by using the above resist composition on a surface to be processed and then applying a resist pattern thickening material to cover the surface of the resist pattern, and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching with the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に前記レジスト組成物を用いてレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

In the method for treating a copper chloride-containing waste etching solution, the pH of the solution to be treated is adjusted to the range of 5-14 in the presence of (i) phosphate ions, (ii) calcium ions, (iii) iron ions and (iv) a carboxyl-containing hydrophilic high polymer and/or its hydrolyzate and dissolved copper ions are precipitated as a slightly soluble material.例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液を処理する方法において、（ｉ）リン酸イオン、（ii）カルシウムイオン、（iii）鉄イオン及び（iv）カルボキシル基含有親水性高分子物質及び／又はその加水分解生成物の存在下で、該被処理液のｐＨを５〜１４の範囲に調整して、該溶存銅イオンを難溶性物質として沈殿させることを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液の処理方法。 - 特許庁

The method includes etching a test workpiece 13 in a flat configuration in the chamber, determining the respective angle of a longitudinal portion of the features 16 relative to an axis passing orthogonally through the workpiece, and determining the curvature of the workpiece, which is required to reduce the angles, at least over a central portion of the workpiece, substantially to 0°.例文帳に追加

該方法は、チャンバ内に平らに配置されている試験加工品１３をエッチングすること、加工品に直角に通る軸に対して特徴部分１６の長手方向の部分のそれぞれの角度を決定すること、及び少なくとも加工品の中央部分に渡って角度を略０°に低減するのに必要とされる加工品の曲率を決定することとを含んでいる。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

In this method for treating the etching waste liquid containing copper chloride as a liquid to be treated for recovering copper as a precipitate, the liquid to be treated is mixed with an alkaline liquid having ≥9 pH to form a mixed liquid having pH 6 to 11, and an oxidizing agent is added to precipitate the dissolved copper ions as copper to be recovered.例文帳に追加

塩化銅含有エッチング廃液を被処理液として処理する方法において、該被処理液とｐＨ９以上のアルカリ液とを混合して、６〜１１のｐＨを有する混合液を形成するとともに、酸化剤を添加し、該溶存銅イオンを銅として沈殿させ、それを回収することを特徴とする塩化銅含有エッチング廃液から銅を沈殿物として回収する方法。 - 特許庁

The wet etching method includes: a process in which a groove extended along the protection target of a processed structure is formed to the processed structure; a process in which an etchant-resistant protection film covering the protection target and the groove and partially entering the groove is formed on the processed structure; and a process for making an etchant act on the processed structure.例文帳に追加

本発明のウエットエッチング方法は、被加工構造体の保護対象箇所に沿って延びる溝部を被加工構造体に形成する工程と、保護対象箇所および溝部を覆い且つ当該溝部に一部が入り込むエッチング液耐性保護膜を被加工構造体上に形成する工程と、被加工構造体に対してエッチング液を作用させる工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the polymer optical waveguide substrate comprising the processes of forming a polymer optical waveguide laminated body on a silicon substrate, removing the unnecessary part by performing the reactive ion etching via a resist pattern containing positive type silicon, and exfoliating the resist containing the silicon, is characterized in that an exfoliation liquid containing amino alcohol is used as an exfoliation liquid of the resist containing silicon.例文帳に追加

シリコン基板上に、ポリマー光導波路積層体を形成し、ポジ型シリコン含有レジストパターンを介して反応性イオンエッチングを行って不要部を除去し、次いでシリコン含有レジストを剥離する工程を含むポリマー光導波路基板の製造方法において、シリコン含有レジストの剥離液としてアミノアルコール含有剥離液を使用することを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a metal etched component which has achieved a high etching factor, can reproduce a metallic pattern so as to acquire a designed precision, and an etched cross-section having a high aspect ratio and high definition, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

金属層に開孔部を有する金属エッチング製品において、本発明の金属エッチング部品及びその製造方法では、従来の方法では不可能であった飛躍的な高エッチングファクターを達成し、かつ精度についても設計通りの金属パターンを再現できることを特徴とする高アスペクト比かつ高精細なエッチング断面形状の金属エッチング部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This probe pin manufacturing method for manufacturing the probe pin for supplying a signal to an electronic device is provided with a mask layer formation process for forming a mask layer having a predetermined pattern on a substrate, a groove part formation process for forming a groove part on the substrate by etching the substrate, and an accumulation process for accumulating a metal material in the groove part by using the mask layer as a mask.例文帳に追加

電子デバイスに信号を供給するためのプローブピンを製造するプローブピン製造方法であって、基板に所定のパターンを有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層をマスクとして、基板をエッチングし、前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、マスク層をマスクとして、溝部に金属材料を堆積する堆積工程とを備える。 - 特許庁

In this method, a positive electrode is formed, an insulation film is formed on the positive electrode, a plasma process is performed after forming an opening so as to expose a part of the positive electrode by etching the insulation film, a film containing an organic compound is formed on the insulation film and the exposed positive electrode, and a negative electrode is formed on the film containing the organic compound.例文帳に追加

本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をエッチングして前記陽極の一部が露出されるように開口部を形成した後にプラズマ処理をし、前記絶縁膜及び前記露出された陽極上に有機化合物を含む膜を形成し、前記有機化合物を含む膜上に陰極を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing diffraction lenses comprises a step for forming a stack having at least two phase shift layers which are separated from each other by an etching stop layer on the first face of each of transparent substrates 34, 144 capable of transmitting light of selected wavelengths between infrared rays and ultraviolet rays and a step for forming a pattern on the stack in order to form a layer of a diffracting optical element 50.例文帳に追加

赤外線から紫外線の間で選択された波長の光を透過する透明な基板３４、１４４の第１の面上に、エッチング停止層で分離された少なくとも２つの位相シフト層を有するスタックを形成するステップと、回折光学素子５０の層を形成するために、前記スタックにパターン形成するステップとを含んでなる、回折レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁

This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching.例文帳に追加

表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

Since the surface treated copper foil produced by this production method has a black, uniform appearance hardly having spots and residues, and has excellent etching properties and chemical resistance, the fraction defective of a composite material for electromagnetic wave shielding produced by utilizing the same is made remarkably low, and the appearance of a PDP (Plasma Display Panel) display screen produced by using the composite material is made excellent.例文帳に追加

本発明の製造方法によって製造された表面処理銅箔は、斑及び残渣が殆ど無い黒色の均一な外観を有し、エッチング性と耐薬品性が優れているため、これを利用して製造された電磁波遮蔽用複合材料の不良率が顕著に低くなり、上記複合材料を使用して製造されたPDP表示画面の外観が優れる。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a substrate for manufacturing carbon nanotube which is capable of protecting a catalyst metal from damage caused by plasma, etc., suppressing the aggregation of the catalyst metal and growing the carbon nanotube using the fine catalyst metal exposed by etching with the plasma as a nucleus and a method manufacturing the carbon nanotube using the substrate.例文帳に追加

プラズマなどのダメージから触媒金属を保護し、触媒金属の凝集を抑制するとともに、プラズマを用いたエッチングで触媒金属を微細な状態で露出させ、その露出された微細な触媒金属を核としてカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブ製造用基板と、このような基板を用いたカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.例文帳に追加

配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

This invention relates to a method of separating two material systems, which comprises steps of providing a bulk sapphire; forming a nitride system on the bulk sapphire; forming at least two hollow passages between the bulk sapphire and the nitride system; etching at least one inner surface of the hollow passages; and separating the bulk sapphire and the nitride system.例文帳に追加

本発明の一実施例による二種類の材料系の分離方法は、サファイアバルクを提供するステップと、サファイアバルク上に窒化物系を形成するステップと、サファイアバルクと窒化物系との間に少なくとも二つの中空通路を形成するステップと、中空通路のうち少なくとも内表面をエッチングするステップと、サファイアバルクと窒化物系を分離するステップと、を含む。 - 特許庁

The method for preventing bending of an SOI layer comprises a step for forming an SOI substrate including a lower silicon layer 110, a buried silicon oxide layer 111, an SOI layer 123, and a nitrogen containing layer 131 between the buried silicon oxide layer and the SOI layer, and a step for forming an isolation trench by etching the SOI layer.例文帳に追加

下部シリコン層１１０、埋め込み酸化シリコン層１１１、およびＳＯＩ層１２３を含み、かつ前記埋め込み酸化シリコン層と前記ＳＯＩ層との間に窒素含有層１３１を含むＳＯＩ基板を形成する段階と、前記ＳＯＩ層をエッチングして素子分離用トレンチを形成する段階とを含むことを特徴とするＳＯＩ層ベンディング防止方法である。 - 特許庁

The method for evaluating an octahedral void of a silicon wafer detected as a light scattering body using a light scattering type surface inspection apparatus sequentially and repeatedly performs steps of a) detecting the light scattering body on the silicon wafer, b) forming an oxide film on the silicon wafer, and c) removing the oxide film on the silicon wafer by an acid etching treatment.例文帳に追加

光散乱式表面検査装置を用いて、光散乱体として検出するシリコンウエハの八面体ボイドの評価方法において、ａ）前記シリコンウエハ表面の光散乱体を検出する工程、ｂ）前記シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する工程、ｃ）前記シリコンウエハ表面の酸化膜を、酸系エッチング処理により除去する工程の各工程を順次繰り返し行う。 - 特許庁

Further, in the method of producing the aluminum composite material, a surface finish stage where the surface of the aluminum alloy base material 2 after machining is eroded with a prescribed etching liquid 16 is performed, so that the amount of the aluminum alloy base material 2 to be eroded can relatively easily be controlled, and the surface structure 15 in which the lubricative granules 6 are projected to the surface can properly be formed.例文帳に追加

また、このアルミニウム複合材を、機械加工後のアルミニウム合金基材２の表面を、所定のエッチング液１６によって浸食する表面仕上げ工程を行う製造方法としたことにより、比較的容易にアルミニウム合金基材２の浸食量を調整でき、前記の潤滑性粉粒６が表面に突出する表面構造１５を適正に形成できる。 - 特許庁