「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(136ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate-cleaning step of the method includes a first cleaning step of heating a compound semiconductor substrate 1, containing impurities of a first conductivity-type to a temperature range of 250°C and lower and etching a surface of the substrate with a gas of hydrochloric acid, and a second cleaning step after the first cleaning step, of subjecting the compound semiconductor substrate etched with the hydrochloric acid gas to a radical hydrogen treatment.例文帳に追加

第１導電型不純物を含む化合物半導体基板１の温度を２５０℃以下の温度域に加熱にしてその表面を塩酸ガスでエッチングする第１クリーニング工程と、第１クリーニング工程の後、塩酸ガスでエッチングされた化合物半導体基板に対してラジカル水素処理を行う第２クリーニング工程と、を含む基板クリーニング工程を備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing a display plate for a display apparatus, after a photosensitive film comprising a photosensitive substance is formed on a substrate including an active region, the photosensitive film is exposed by dividing the active region into a plurality of shots including first and second shots adjacent to each other and developed to form a photosensitive film pattern as an etching mask to form a thin film pattern.例文帳に追加

表示装置用表示板の製造方法では、アクティブ領域を含む基板の上部に、感光性物質からなる感光膜を形成した後、アクティブ領域を互いに隣接した第１ショットと第２ショットを含む複数のショットに分割して感光膜を露光し、現像して薄膜パターンを形成するためのエッチング用マスクである感光膜パターンを形成する。 - 特許庁

This manufacturing method includes steps of forming, after the formation of the gate insulating film, an amorphous semiconductor layer on the substrate and also selectively forming a crystalline semiconductor layer to the amorphous semiconductor layer and etching the amorphous semiconductor layer by making the crystalline semiconductor layer remain using an alkali etching solution (etchant) of the amine system.例文帳に追加

同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、 前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、 アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The method includes the steps of: depositing a hydrophilic material layer on a substrate; depositing a bank material layer on the hydrophilic material layer; patterning the bank material layer to define a bank forming one or more of the droplet deposition wells; and etching the hydrophilic material layer in a self-aligned process using the patterned bank material layer as a resist.例文帳に追加

前記方法は、基板上に親水性材料層を堆積させる工程、前記親水性材料層の上にバンク材料層を堆積させる工程、前記バンク材料層をパターニングして１または２以上の前記液滴堆積ウェルを形成するバンクを規定する工程、前記パターニングされたバンク材料層をレジストとして使用して自己整合プロセス中において前記親水性材料層をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist.例文帳に追加

各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

The method for treating the surface of the metal carbide substrate used in a semiconductor manufacturing process includes a process for forming a carbon surface layer (13) on the metal carbide substrate (10) by selectively etching the surface of the metal carbide substrate (10) by using a reactive gas mixture, and a process for removing the carbon surface layer (13) formed on the metal carbide substrate (10).例文帳に追加

半導体製造プロセスに使用される金属炭化物基体の表面処理方法であって、反応性ガス混合物を用いて金属炭化物基体（１０）の表面を選択的にエッチングし、それにより金属炭化物基体（１０）上に炭素表面層（１３）を形成する工程、および金属炭化物基体（１０）上に形成された炭素表面層（１３）を除去する工程を包含する方法。 - 特許庁

A method for forming the upper electrode in a ferroelectric device includes processes of preparing a silicon substrate; depositing a lower electrode; depositing a ferroelectric material layer; depositing an aluminum upper electrode layer; coating the aluminum layer with photoresist; patterning and developing the photoresist layer; etching the aluminum layer; and completing the ferroelectric device.例文帳に追加

強誘電体デバイスにおいて上部電極を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、下部電極を堆積する工程と、強誘電体材料の層を堆積する工程と、アルミニウム上部電極層を堆積する工程と、アルミニウム層をフォトレジストで被覆する工程と、フォトレジスト層をパターニングおよび現像する工程と、アルミニウム層をエッチングする工程と、強誘電体デバイスを完成させる工程とを包含する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a solar battery having a semiconductor substrate 1 whose surface is formed like a rugged shape, an etching mask 14 is formed by applying a masking agent to a prescribed area on the surface of the semiconductor substrate 1, the mask 14 and the surface of the semiconductor substrate 1 which is not coated with the mask 14 are simultaneously etched to form rugged structure 15 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

表面が凹凸状に形成された半導体基板１を有する太陽電池を製造する方法であって、半導体基板１の表面の所定領域にマスク剤を塗布してエッチング用マスク１４を形成し、その後、このマスク１４とこのマスク１４に覆われていない半導体基板１の表面とを同時にエッチング処理して、半導体基板１の表面に凹凸構造１５を形成する。 - 特許庁

There is provided a process method for easily manufacturing various forms of molds which have disadvantages in applying a nano imprint process by using nano imprint and a dry etching process by patterning a molding resin of a substrate having a metal pattern patterned thereon, and forming a nano-class pattern and a complicated three-dimensional micro pattern using a nano imprint process with the manufactured molds without executing a complicated process several times.例文帳に追加

金属パターンがパターニングされている基板のモールド用レジンをナノインプリントと乾式エッチング工程とを用いて、ナノインプリント工程を適用する上で難が多かった様々な形態のモールドを容易に製作し、複雑な工程を数回行うことなく、製作されたモールドでナノインプリント工程を用いてナノ級パターンや複雑な３次元形状の微細パターンの成形を可能にする工程方法を提供する。 - 特許庁

This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加

研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a polarizing and splitting element and a polarizing and splitting element capable of improving yield in photo-lithography and dry etching which are processes for forming diffraction gratings on a double diffraction film by sticking an optical anisotropic film on an optically transparent substrate wafer so as to improve the flatness, and further, to provide a hologram laser unit and an optical pickup unit improved in reliability.例文帳に追加

本発明は、光学的透明基板ウェハに光学的異方性膜を平坦性が向上するように貼り付け、複屈折膜上に回折格子を形成する工程であるフォトリソグラフィー、ドライエッチングにおいて歩留りを向上できる、偏光分離素子の製造方法及び偏光分離素子、更に信頼性の向上したホログラムレーザユニット及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the sub master mold 20 from a master pattern mold 30 for imprint having grooves corresponding to the minute pattern includes a minute pattern dimension fluctuation process of performing dry etching using oxygen gas with respect to a resist layer 4 which is formed on a hard mask layer formed on a substrate 1 for the sub master mold and to which the minute pattern of the master pattern mold 30 is transferred.例文帳に追加

微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールド３０からサブマスターモールド２０を製造する方法において、前記サブマスターモールド用の基板１上にはハードマスク層が形成され、前記ハードマスク層上に形成され且つ元型モールドの微細パターンが転写されたレジスト層４に対して、酸素ガスを用いたドライエッチングを行う微細パターン寸法変動工程を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon carbide single crystal substrate includes a process (A) of preparing a silicon carbide single crystal substrate which has first and second principal surfaces and conductivity, the work-affecting layer being provided on at least one of the first and second principal surfaces; and a process (B) of removing at least a part of the work-affecting layer through electrolytic etching.例文帳に追加

本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第１および前記第２の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程（Ｂ）とを包含する。 - 特許庁

The liner removing method includes the steps of: forming a groove in a substrate; stacking a conformal liner in the groove; packing the groove with the bulk packed material; and selectively removing an excessive part of the conformal liner by alternately forming a protective layer on the exposed surface of the bulk packed material and etching the conformal liner.例文帳に追加

本発明の実施例によるライナ除去方法は、基板内に溝を形成する工程、前記溝内部にコンフォーマルなライナを堆積する工程、前記溝をバルク充填材料で充填する工程；及び、前記バルク充填材料の露出表面上への保護層の形成及び前記コンフォーマルなライナのエッチングを交互に実行することによって前記コンフォーマルなライナの余剰部分を選択的に除去する工程を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming an embedding layer on a base with a projecting pattern formed thereon to embed the projecting pattern; applying anisotropic etching to the embedding layer on the projecting pattern to form recessed parts on the embedding layer on the projecting pattern; and polishing a surface of an insulating layer by chemical mechanical polishing.例文帳に追加

凸状パターンが形成された下地の上に埋め込み層を形成して前記凸状パターンを埋め込む工程と、前記凸状パターンの上の前記埋め込み層に異方性エッチングを施して、前記凸状パターンの上の前記埋め込み層に凹部を形成する工程と、前記絶縁膜の表面を化学機械研磨により研磨する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

In a method of manufacturing the field emission type electron source equipped with the cold cathode which discharges electrons by being applied with an electric field, by exposing the carbon material 10 to be a material of the cold cathode to a combustion flame 11 of a mixture of hydrogen and oxygen, an etching treatment to form a nanometer structure of carbon on a surface of the carbon material 10 is performed, and the cold cathode is formed of the obtained carbon material 10.例文帳に追加

電界が印加されることにより電子を放出する冷陰極を備えた電界放出型電子源の製造方法であって、冷陰極の素材となる炭素材１０を水素酸素混合ガスの燃焼炎１１に暴露することで、該炭素材１０の表面に炭素のナノメートル構造を形成するエッチング処理を行い、得られた炭素材１０で冷陰極を形成する。 - 特許庁

The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁

The method includes a resin layer forming process in which an uncured ultraviolet curable resin layer 2 is formed on a substrate 1, a curing process in which beads 3 are immersed in the uncured layer 2 to a prescribed depth to cure the uncured layer 2, and a separation process in which the beads 3 are separated from the cured layer 2 by dissolution or by applying etching and ultrasonic vibration.例文帳に追加

基材１上に未硬化の紫外線硬化樹脂層２を設ける樹脂層形成工程と、複数のビーズ３を未硬化の紫外線硬化樹脂層２に所定の深さまで浸漬してこの未硬化の紫外線硬化樹脂層２を硬化させる硬化工程と、硬化させた紫外線硬化樹脂層２からビーズ３を溶解またはエッチングと超音波振動の付与とにより脱離する脱離工程とを有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises processes for forming a resist pattern on a base layer; smoothing, at least the wall surfaces of the resist pattern by applying a resist pattern smoothing material to the surface of the resist pattern and by controlling at least either one of coating thickness and heating temperature, including heating and development; and patterning the base layer by etching, using the smoothed resist pattern.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンの表面にレジストパターン平滑化材料を塗布した後、加熱し、現像することを含み、塗布の厚み及び加熱の温度の少なくともいずれかを調整することにより、レジストパターンにおける少なくとも壁面を平滑化させる工程と、平滑化されたレジストパターンを用いてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁

This label producing method includes both a step for adding a membrane made of a material for functional surfaces onto a substrate made of a material for structure parts and a step for patterning the membrane made of the material for functional surfaces and the substrate made of the material for structure parts by electron-beam lithography or etching using a mask made of a plurality of resin particles adhered onto the membrane made of the material for functional surfaces.例文帳に追加

標識製造方法は、機能性表面用材料の薄膜を構造部用材料の基板上に付加するステップと、電子ビームリソグラフィー、又は、機能性表面用材料の薄膜上に付着した複数の樹脂粒子から成るマスクを使用するエッチングによって、前記機能性表面用材料の薄膜及び構造部用材料の基板をパターニングするステップとを含むものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a circuit board, wherein, when the circuit board is manufactured by forming a conductor circuit of conductor parts remaining the etching and removing a conductor on a board, the residual of the conductor between the conductor parts constituting the conductor circuit is prevented and an electrical insulating property between the conductor parts can be ensured even when the conductor circuit in a fine pattern is formed.例文帳に追加

基板上の導体をエッチング除去することにより残存する導体部によって導体回路を形成することにより回路基板を作製するにあたり、ファインパターンの導体回路を形成する場合であっても導体回路を構成する導体部間における導体の残存を防止して導体部間の電気的絶縁性を確保することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with corrosion of its copper layer suppressed, even when a semiconductor wafer with its semiconductor substrate having a copper layer covered by an insulating film is subjected to dry etching in a fluorocarbon gas for partially removing the insulating film for the exposure of the copper layer surface, and the semiconductor wafer is then exposed to the atmosphere before a surface treatment.例文帳に追加

絶縁膜で覆われた銅層を半導体基板上に有する半導体ウエハをフルオロカーボン系ガスを用いたドライエッチングに供して絶縁膜を部分的に除去して銅層表面を露出させ、得られた半導体ウエハを大気へ暴露してから半導体ウエハを表面処理に供する場合であっても、銅層に対するコロージョンの発生を抑制し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing at least nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid, an etching process in an aqueous alkali solution and an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing nitric acid, to an aluminum plate in that order.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および、硝酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

For the purpose of reducing the short-circuit defects between wirings and enhancing the yield in the manufacturing stage, the semiconductor layer is patterned utilizing the dry etching construction method, then etched by using dilute HF before a thin film is deposited in the next stage to remove the polymer generated at the time of patterning of the semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、ショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上を達成するために、半導体層のパタンニングをドライエッチ工法を利用して行い、エッチングした後、次の薄膜堆積前に希ＨＦにてエッチングすることによって、半導体層のパタンニング時に発生するポリマを除去し、配線間のショート不良を低減し製造工程における歩留まりの向上につなげる。 - 特許庁

The method has a process for forming a resist pattern on a film formed on a semiconductor substrate, performing the dry etching using the resist pattern as a mask to form the micro pattern, a process for supplying a resist removing liquid to the micro pattern formation plane of the semiconductor substrate to remove the resist pattern by single wafer processing, and a process for performing rinsing on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板に設けられた膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いてドライエッチングを行い、前記膜の微細パターンを形成する工程と、前記半導体基板の微細パターン形成面にレジスト除去液を供給し、枚葉式処理により前記レジストパターンを除去する工程と、前記半導体基板をリンス処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a process for forming a silicon film on an insulating film, a process for forming a rough-surface polysilicon film having a rough surface, and a process for forming larger unevenness of the surface than that of the rough-surface polysilicon film by etching the rough-surface polysilicon film in a recess region of the rough-surface polysilicon film and the silicon film selectively.例文帳に追加

絶縁膜上にシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜上に、表面が粗面化された粗面ポリシリコン膜を形成する工程と、エッチングに対してデポジションが相対的に強いエッチング条件を用いることにより、粗面ポリシリコン膜の凹部領域の前記粗面ポリシリコン膜及び前記シリコン膜を選択的にエッチングし、前記粗面ポリシリコン膜の表面凹凸よりも大きい表面凹凸を形成する工程とを有する。 - 特許庁

By physically and electrically separating the conductor layer 5 by the segmented partition wall 4 and forming the electric circuit which is made of electric wiring and electrode pads such as signal wiring and ground wiring, a lift-off method and etching are not required after forming the optical waveguide 6 in order to form the electric circuit and the electric circuit is formed without damaging the optical waveguide 6.例文帳に追加

導体層５が分断隔壁４によって物理的にかつ電気的に分断されることによって信号配線やグランド配線等の電気配線や電極パッドからなる電気回路が形成されるので、電気回路の形成のために光導波路６を形成した後にリフトオフ法やエッチングを用いる必要がなく、従って、光導波路６にダメージを与えることなく電気回路を形成することができる。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁

To well trim a gate electrode, to prevent a resist from falling or deforming after the resist trimming, further to solve the problem caused by a fact that conventional trimming takes place by plasma etching, and further to prevent a STI part from being excessively damaged when forming a sidewall in trimming the gate electrode in a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極のトリミングを良好に実施できるように、また、レジストトリミングを行ってもレジスト倒れやレジスト変形が発生しないように、更に、従来のトリミングがプラズマエッチングで実施されていることに起因する問題を解消し、更にまた、ゲート電極のトリミングに関連してサイドウォールの形成時にＳＴＩ部が過剰に損傷されないようにしようとする。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns.例文帳に追加

本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。 - 特許庁

This method of thin layer analysis comprises: a process for performing oblique etching or oblique grinding for the analysis specimen having a thin-layer laminated structure to expose the measurement layer; a process for exciting characteristic X rays from the exposed measurement layer by electron beam irradiation; a process for detecting only the characteristic X rays from the measurement layer; and a process for determining the element composition from the detected X rays.例文帳に追加

本発明は、薄層の積層構造を有する分析試料に斜めエッチングまたは斜め研磨を行なって、測定層を露出させる工程；電子線照射によって、露出させた測定層から特性Ｘ線を励起させる工程；測定層からの特性Ｘ線のみを検出する工程；および検出した特性Ｘ線から元素組成を決定する工程からなる薄層の分析方法を提供する。 - 特許庁

A method for forming a pattern includes a step of forming a film which comprises a pattern forming material containing a copolymer having a polystyrene derivative and a polymethacrylate derivative containing silsesquioxane, a step of forming a microphase separation structure in the film, and a step of etching the substrate with a phase of a polymer chain containing the silsesquioxane as a mask and transferring a pattern of the microphase separation structure on the substrate.例文帳に追加

ポリスチレン誘導体とシルセスキオキサンを含むポリメタクリレート誘導体とを有するコポリマーを含有するパターン形成材料からなる膜を形成する工程と、前記膜中にミクロ相分離構造を形成する工程と、前記シルセスキオキサンを含むポリマー鎖の相をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板にミクロ相分離構造のパターンを転写する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁

A method includes forming an imprint on a medium to be imprinted, having a pattern feature and a decreased thickness area, making a template contact the medium to be imprinted on a substrate, separating the template from an imprinted medium, and after the template has been separated from the imprinted medium, providing a layer of an etching resistance material in a pattern feature.例文帳に追加

インプリント方法が開示され、一実施例において、パターン・フィーチャと低減された厚みのエリアとを備えるンプリント可能な媒体にインプリントを形成するために、基板上のインプリント可能な媒体にテンプレートを接触させることと、テンプレートをインプリントされた媒体から分離することと、テンプレートをインプリントされた媒体から分離した後に、パターン・フィーチャにエッチ抵抗材料の層を備えることとを含む。 - 特許庁

A method of manufacturing an SiC semiconductor device comprises a step of preparing a silicon carbide semiconductor including a first surface at least a part of which includes implanted impurity, a step of forming a second surface by performing dry etching on the first surface of the silicon carbide semiconductor using gas including hydrogen gas, and a step of forming an oxide film included in an SiC semiconductor device on the second surface.例文帳に追加

ＳｉＣ半導体装置を製造する方法は、少なくとも一部に不純物が注入された第１の表面を含む炭化珪素半導体を準備する工程と、炭化珪素半導体の第１の表面を、水素ガスを含むガスを用いてドライエッチングすることにより、第２の表面を形成する工程と、第２の表面上に、ＳｉＣ半導体装置を構成する酸化膜を形成する工程とを備える。 - 特許庁

The transparent gas barrier film 11 has a substrate film 111 of a polyamide resin, an easy adhering layer 112 surface treated by reactive ion-etching and an inorganic oxide layer 113 formed by a vapor phase deposition method thereon, wherein the easy adhering layer 112 is formed on one primary surface of the substrate film 111 and contains nitrogen atoms, an adipic acid and bisphenol glycidyl ether.例文帳に追加

本発明の透明ガスバリア性フィルム１１は、ポリアミド樹脂からなる基材フィルム１１１と、前記基材フィルム１１１の一方の主面上に形成され、窒素原子とアジピン酸とビスフェノールグリシジルエーテルとを含み、リアクティブイオンエッチングによる表面処理が施された易接着層１１２と、前記易接着層１１２上に気相堆積法によって形成された無機酸化物層１１３とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

An evaluation method of a polycrystalline silicon wafer comprises: revealing crystal defects on a surface a polycrystalline silicon wafer to be evaluated by selectively etching the surface; obtaining a macro image of the surface of the polycrystalline silicon wafer whose crystal defects are revealed as a scattering image; and quantitatively evaluating a crystal defect distribution in the polycrystalline silicon wafer based on a luminance distribution of the obtained macro image.例文帳に追加

評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 - 特許庁

To provide an evaluation method of a silicon substrate where surface defect observation due to etching after device film peeling is facilitated, by creating a clear surface for observing crystal defects on a semiconductor substrate and surface defects due to a device process, and it can be made clear that defects on the surface are caused by crystal itself or stress and contamination due to the process.例文帳に追加

半導体基板上の結晶欠陥やデバイスプロセス起因の表面欠陥を観察するための綺麗な表面を作成することによってデバイス膜剥離後のエッチングによる表面欠陥観察がし易くなり、表面にある欠陥が結晶起因の欠陥か、又はプロセス起因のストレスや汚染による欠陥なのかを明らかにすることができるようにしたシリコン基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aluminum-ceramic joined substrate obtained by joining a member composed of an aluminum alloy containing silicon and boron to a ceramic substrate, in which the crystal grains of the aluminum alloy are refined, so as to increase grain boundaries and to suppress the precipitation of aluminum-boron compounds, thus etching can be satisfactorily performed, and also plating properties can be improved, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

珪素とホウ素を含有するアルミニウム合金からなる部材がセラミックス基板に接合したアルミニウム−セラミックス接合基板において、アルミニウム合金の結晶粒を微細化して粒界を増加させるとともに、アルミニウム−ホウ素化合物の析出を抑制し、良好にエッチングを行うことができ且つめっき性を向上させることができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a liquid ejecting head includes: a surface removing step of removing the surface contamination of the pressure generating element by magnetron dry etching; and a wiring step of laying wiring on the pressure generating element, wherein a magnetron application current in the surface removing step is configured based on a surface removal amount of the pressure generating element and a variation in hysteresis characteristic in association with the surface removal.例文帳に追加

液体噴射ヘッドの製造方法は、圧力発生素子の表面汚染をマグネトロンドライエッチングにより除去する表面除去処理工程と、圧力発生素子上に配線を形成する配線工程と、を有し、表面除去処理工程におけるマグネトロン印加電流を、圧力発生素子の表面除去量と表面除去に伴うヒステリシス特性の変化量に基づいて設定する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, a low defect region having a defect density of 10^6 cm^-2 or less and a trench region with a recess formed in the surface of a nitride semiconductor substrate and the etching angle θ between the side face of the recess and its bottom side extension line ranges as 75° ≤ θ≤ 140° in a sectional view of the recess.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、７５度≦θ≦１４０度であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a metal fine particle-containing resin particle, a metal fine particle-containing resin layer and a method for forming the metal fine particle-containing resin layer by which an efficient electroless plating is made possible and a more uniform metal conductive pattern layer is formed by forming a layer which allows an easy control of the etching thickness on the surface of an underlying pattern layer forming a pattern.例文帳に追加

パターンを形成する下地パターン層の表面にエッチングする厚さを容易にコントロールすることができる層を形成することにより、効率的な無電解めっき処理が可能となり、より均一な金属導体パターン層を形成することができる金属微粒子含有樹脂粒子、金属微粒子含有樹脂層および金属微粒子含有樹脂層の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes a step of filling a wiring groove or a contact hole, by stacking a wiring metal in the wiring groove or the contact hole formed on the insulation film on a semiconductor substrate, a step for exposing the insulating film by polishing the wiring metal, a step of cleaning the semiconductor substrate, and a step for recess etching the surface of the wiring metal embedded in the wiring groove or the contact hole.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝又はコンタクト孔に配線金属を堆積して前記配線溝又はコンタクト孔に充填する工程と、前記配線金属を研磨して前記絶縁膜を露出する工程と、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記配線溝又はコンタクト孔に埋め込まれた前記配線金属表面をリセスエッチングする工程を有している。 - 特許庁

The plating-method two-layer copper polyimide laminated film which keeps a metal vapor deposition layer overlying one side or both sides of a polyimide film with a conductive metal layer which is composed of copper overlaying the metal vapor deposition layer to unify them is characterized in that a surface modification depth index after eliminating the conductive metal layer by etching is 25 or smaller and a surface modification strength index is 1.1 or more.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical fiber probe includes steps of: providing an optical fiber having a coaxial core part and a protective layer; exposing the core part by stripping the protective layer of the optical fiber end; forming a probing end part by etching after immersing the exposed core part in an acid solution; and the stage of forming a metallic layer on the surface of the probing end.例文帳に追加

本発明に係る光ファイバー探針の製造方法は、同軸の芯部及び保護層を有する光ファイバーを提供する段階と、前記光ファイバーの一端の前記保護層を除去して、前記芯部を露出させる段階と、前記露出の芯部を酸性溶液に浸漬させてエッチングして、探測端部を形成する段階と、前記探測端部の表面に金属層を形成する段階と、を含む。 - 特許庁