「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(132ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a processing method after a development processing of a base material for manufacturing wiring plate which can remove sticky foreign matters adhered to a surface of the base material after the exposure processing and the development processing of a photosensitive resin coat formed on the base material, and which can prevent occurrence of circuit forming defect such as short circuit when a circuit is formed by an etching processing.例文帳に追加

基材に形成した感光性樹脂皮膜の露光・現像処理後に基材表面に付着した粘着性の異物を除去することができ、エッチング処理による回路形成時にショートサーキット等の回路形成不良の発生を防止することができる配線板製造用の基材の現像処理後の処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

This pretreatment method for the magnesium alloy member comprises contacting the magnesium alloy member with a metal powder, heating the metal powder and the magnesium alloy member contacted with the metal powder, and etching the surface of the magnesium alloy member by the solid state diffusion of magnesium in the magnesium member contacted with the metal powder into the metal powder.例文帳に追加

マグネシウム合金部材の前処理方法は、マグネシウム合金部材を金属粉末と接触させ、金属粉末とこの金属粉末に接触したマグネシウム合金部材とを加熱し、金属粉末と接触したマグネシウム部材のマグネシウムを金属粉末へ固体拡散することによって、マグネシウム合金部材の表面をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

The method has a process for making a region, which becomes the channel of a single-crystal silicon layer of a semiconductor substrate where the single-crystal silicon layer is formed in a surface thereof thinner than other regions, a process for introducing vacant lattice defects into the single-crystal silicon layer and a process for etching the surface of the single-crystal silicon layer chemically.例文帳に追加

表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Also, a first core waveguide 43 with a metallic film 50 placed on is covered by a first clad layer film 44, since the metallic film 50 on the first core waveguide 43 is removed by etching after the first clad layer film 44 is removed and flattened by a CMP method to form a first clad layer 51, the first core waveguide 43 is never damaged.例文帳に追加

また、第１コア導波路４３の上に金属膜５０を付けたまま第１クラッド層用膜４４で覆い、ＣＭＰ法により第１クラッド層用膜４４を除去、平坦化して第１クラッド層５１を形成した後で第１コア導波路４３上の金属膜５０をエッチングにより除去するので、第１コア導波路４３にダメージを与えることがない。 - 特許庁

In a method of manufacturing the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium, the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium is obtained by selectively using a virtually flat portion other than a polished edge portion 2 out of a glass substrate 1 after the surface is mirror polished, and by form-processing the glass substrate 1 by chemical etching.例文帳に追加

円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、表面を鏡面研磨した後のガラス基材１のうち、研磨端部２以外の実質的に平坦な部分を選択的に用いて、ガラス基材１を化学エッチングにより形状加工して、円環状の磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problems relating to a yield and reliability caused by the cracks of a glass substrate or the like due to the exposure of the entire cutting area during dicing, in a method of manufacturing a semiconductor device, which has a process of bonding the glass substrate on the first surface of a semiconductor substrate, and etching the semiconductor substrate from the second surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の第１の面上にガラス基板を接着して、当該半導体基板の第２の面から当該半導体基板をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシング時の切断領域全体を露出することによるガラス基板等のクラック等に基づく歩留上、信頼性上の問題の解決を図る。 - 特許庁

For forming a light transmission path with SiO2, a mask such as resist pattern is formed on the substrate 1, a well in semicircular form is formed by etching the substrate 1 using the mask, SiO2 exhibiting flowability is grown in the shape of the cross section of a round using the mask through a liquid phase CVD method, and SiO2 is solidified.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 で光伝送路を形成するには、基板上にレジストパターンなどのマスクを形成し、このマスクを用いて基板をエッチングすることにより半円形の溝を形成し、このマスクを用いて液相ＣＶＤ法により溝の部分に流動性を有するＳｉＯ_2 を円形の断面形状に成長させた後、このＳｉＯ_2 を固化させる。 - 特許庁

A method of manufacturing the ferroelectric capacitor according to this invention comprises the steps of: forming a platinum film, an electrode material, on the whole surface of a silicon substrate; forming facing electrodes which are a pair of capacitor electrodes obtained by collectively etching the platinum film; and embedding the ferroelectric film, a dielectric film of the capacitor, into a portion pinched between a pair of the facing electrodes.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、シリコン基板上の全面に電極材料となる白金膜を形成し、白金膜を一括エッチングして一対のキャパシタ電極となる対向電極を形成し、キャパシタの誘電体膜である強誘電体膜を一対の対向電極の間の挟まれる部分に埋め込むようにしたものである。 - 特許庁

Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Through the use of an SOI wafer prepared by pasting the silicon wafers to each other, the structure which is durable, hardly destroyed by physical forces, and capable of offsetting the stress of a silicon thermal oxidation film without using a silicon nitride film formed by a CVD method, etc., is executed by partially removing the upper and lower silicon wafers by etching.例文帳に追加

本発明ではシリコンウェハーを張り合わせて作製されたＳＯＩウェハーを利用して、丈夫で物理力で破壊されにくく、かつ、ＣＶＤ法などで形成されるシリコンチッ化膜を用いないでシリコン熱酸化膜の応力を相殺する事ができる構造を、上下のシリコンウェハーを部分的にエッチングで除去することにより実施した。 - 特許庁

This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｍｍｏｎｉｕｍ−Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁

Alternatively, the method includes a step of irradiating the resist pattern with light in the photosensitive wavelength region of the photosensitive agent through a photomask, a step of etching the material worked by using the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern formed on the material.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the slit which forms an electron beam in a desired shape is provided with a cavity-forming step in which a cavity is formed in the substrate surface, and a through-hole-forming step in which a through hole smaller than the bottom face of the cavity is formed in the bottom face of the cavity with an anisotropic wet etching from the backside of the substrate.例文帳に追加

電子ビームを所望の形状に成形するスリットを製造するスリット製造方法であって、基板の表面に溝部を形成する溝部形成段階と、基板の裏面から、溝部の底面に、溝部の底面の大きさより小さい貫通孔を、異方性ウェットエッチングにより形成する貫通孔形成段階とを備える。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor pressure sensor forms on a sacrificial layer 16 a lamination structure which includes a polysilicon diaphragm 6, a polysilicon gauge resistance 4b formed on a space 13 side to be a vacuum chamber below the diaphragm, and a group of insulator films 3, 5, 7 having an etching liquid introduction hole 15 that incorporates the diaphragm and resistance and are in contact with the sacrificial layer 16.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the probe, a recess exposed by a sacrifice layer is formed with a resist on the sacrifice layer on the pedestal, after a probe material is accumulated in the recess to form the probe, the resist is removed, the sacrifice layer is removed by performing etching treatment and leaving part thereof, and the probe held on the pedestal by the remaining part includes being peeled from the pedestal.例文帳に追加

基台上の犠牲層の上に該犠牲層が露出する凹所をレジストで形成し、該凹所にプローブ材料を堆積してプローブを形成した後、レジストを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層をその一部を残して除去し、その残部で基台上に保持されたプローブを基台上から剥離することを含むプローブの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming process of applying the above resist pattern thickening material to cover the surface of a resist pattern after the resist pattern is formed on the objective surface to be worked; and a patterning process of patterning the surface to be worked by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工表面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the active matrix board used for the electro-optic device such as a liquid crystal panel or the like comprises the steps of making the noncrystalline semiconductor film 100 of about 65 to 80 nm formed on the board 30 polycrystalline by laser annealing, and then removing its surface layer by etching by using the semiconductor film made of a bulk layer of 60 nm or less.例文帳に追加

液晶パネルなどの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板の製造方法において、基板３０上に形成した６５ｎｍから８０ｎｍ程度の非晶質の半導体膜１００をレーザーアニールによって多結晶化した後、エッチングによりその表面層を取り除き、６０ｎｍ以下のバルク層からなる半導体膜を使用する。 - 特許庁

The method is used to manufacture a wiring board, wherein a pattern wiring is formed on a board, and it includes an aerosol film formation step of forming a conductive layer by collision of aerosol and a patterning step of patterning the conductive layer by etching and form the pattern wiring including the conductive layer.例文帳に追加

基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、前記導電層をエッチングによりパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 特許庁

The method for production of a high-purity W sputtering target includes: pressing and sintering high-purity W powders; machining the resultant sintered compact into a target shape; applying grinding of at least either of rotary grinding or polishing; and further polishing by at least either of etching or reverse sputtering to finish off.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photosensitive resin composition which can maintain high adhesion and peeling characteristics, even if using a less rugged circuit board and is superior in plating and etching resistance and resolution, and a photosensitive element and a resist pattern which uses this resin composite, and to provide a printed circuit board.例文帳に追加

表面の凹凸が少ない回路形成用基板を用いる場合であっても、該基板に対する密着性と剥離特性との双方を高水準で維持することができ、耐めっき性、耐エッチング性及び解像性に優れた感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法を提供すること。 - 特許庁

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method for a semiconductor element in which a fine metal pattern is prevented from being formed by forming a spacer film on a side wall of a photoresist pattern, and bringing spacers into contact with each other by narrowing the interval between photoresist patterns at a breaking part of metal wiring while forming a fine metal pattern using the spacers as etching masks.例文帳に追加

フォトレジストパターンの側壁にスペーサ膜を形成し、スペーサをエッチングマスクとして用いて微細金属パターンを形成すると同時に、金属配線の断線部分は前記フォトレジストパターン間の間隔を狭めて前記スペーサが接し合うようにし、微細金属パターンが形成されることを防止する半導体素子の金属配線方法の提供。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) of forming a first insulating film 11 on a substrate 12, a step (c) of selectively removing the first insulating film 11 by wet etching, and a step (d) of forming a second insulating film 17 on a region of the substrate 12 having the insulating film 11 removed therefrom.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１２の上に第１の絶縁膜１１を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１１をウェットエッチエッチングにより選択的に除去する工程（ｃ）と、基板１２における第１の絶縁膜１１が除去された領域の上に第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｄ）とを備えている。 - 特許庁

The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.例文帳に追加

圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

A preliminary processing method for a sample used on atom probe apparatus includes the steps of: cutting the desired observing part of the sample into a block using an FIB equipment; transferring the sample block onto a sample substrate and fixing the sample block in place; and processing the sample block fixed onto the sample substrate into a needle-point shape by FIB etching.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ装置用試料の予備加工は、ＦＩＢ装置を用いて試料所望観察部位をブロック状に切り出すステップと、該ブロック状の切り出し試料を試料基板上に移送して固定するステップと、該試料基板上に固定されたブロック状の試料をＦＩＢエッチング加工によって針先形状に加工するステップとからなる。 - 特許庁

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

(1) The method for forming a conductor interconnection circuit on a semiconductor wafer comprises a step for laying a metal foil for forming interconnection on the side for forming the electrodes of the semiconductor wafer having circuit elements formed on the surface, a step for forming an interconnection pattern on the metal foil, a step for etching the metal foil, and a step for removing resist and forming an interconnection.例文帳に追加

（１）表面に回路素子の形成された半導体ウェハ上の電極形成面側に配線形成用金属箔を積層する工程、該金属箔上に配線パターンを形成する工程、金属箔のエッチングを行う工程、および、レジストを除去して配線を形成する工程を含む、半導体ウェハ上の導体配線回路形成方法。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing the high-purity W sputtering target, high-purity W powder is pressed and sintered and the resultant sintered compact is machined into target shape and is then subjected to grinding consisting of at least either of rotary grinding and polishing and further to polishing consisting of at least either of etching and inverse sputtering to undergo finishing.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.例文帳に追加

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.例文帳に追加

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk by which etching by washing does not give influence on the smoothness of a final glass substrate principal surface after a second polishing (mirror-surface polishing) step while an abrasive used in a first polishing (coarsely polishing) step and consisting essentially of a rare earth oxide is effectively removed by washing.例文帳に追加

第１の研磨（粗研磨）工程にて使用した、希土類酸化物を主成分とする研磨材を、洗浄によって効果的に除去しつつ、洗浄によるエッチングが、第２の研磨（鏡面研磨）工程後の最終的なガラス基板主表面の平滑性にも影響を与えない磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The disclosure is directed to a method for forming nanostructures on a substrate including silicon comprising the steps of: (a) depositing a layer of transition metal on the surface of the substrate; (b) annealing the layer of the transition metal to form a patterned transition metal layer; and (c) etching the substrate to form the nanostructures on the substrate surface.例文帳に追加

本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 - 特許庁

A method of manufacturing a crystal oscillator for carrying out the frequency adjustment in units of crystal wafers includes the steps of: measuring the thickness on a predetermined concentric circle of the crystal wafer; etching the thick portion thereof by a processing liquid for selectively dissolving the crystal based on the thickness measurement result; and adjusting the frequency by reducing the thickness of the thick portion.例文帳に追加

水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device by spin-etching a rear surface 10b of a semiconductor wafer 10 having semiconductor elements 60 formed on an active surface 10a, an angle θ is set to be an acute angle between at least part of the side surface 10c of the semiconductor wafer 10 and the rear surface 10b of the wafer 10.例文帳に追加

本発明は、半導体素子６０が能動面１０ａに形成された半導体ウエハ１０の裏面１０ｂをスピンエッチングによりエッチングする半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の側面１０ｃの少なくとも一部と、半導体ウエハ１０の裏面１０ｂとのなす角度θを鋭角に形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical waveguide substrate including an optical element and an optical waveguide 5 optically connected to the optical element, a composite substrate having a substrate 4 which can be etched and an etching stop member 2 provided on one face of the substrate is prepared, and a mask having a desired pattern is formed on the substrate which can be etched.例文帳に追加

光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁

The method for bonding by an epoxy adhesive film includes a heating process wherein the film is sandwiched between the two bondable surfaces of object bodies and then subjected to heating or heating and pressing and a subsequent removing process wherein the part of the film not requiring bonding and/or the part of the film melted and forced out of the bonded surfaces are subjected to etching.例文帳に追加

エポキシ接着フィルムを被着体の二つの接着面間に挟み、加熱または加熱および加圧する加熱工程と、前記加熱工程の後に、エポキシ接着フィルムのうち接着が不要な部分および溶融して接着面からはみ出した部分の少なくとも一方をエッチングする除去工程とを含むエポキシ接着フィルムによる接着方法。 - 特許庁

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

The fine-processing method for the glassy carbon comprises the processes of: coating the glassy carbon substrate with an ultraviolet ray-sensitive resin used in the development of a photograph; forming the resin into a desired micropattern by the exposure and development of the resin; dry-etching the resin, to transfer the micropattern onto the glassy carbon substrate.例文帳に追加

本ガラス状カーボンの微細加工方法は、ガラス状カーボン基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布する工程と、紫外線感光性樹脂の露光、現像を行い、紫外線感光性樹脂を所望の微細パターンに成形する工程と、紫外線感光性樹脂にドライエッチングを施し、微細パターンをガラス状カーボン基板へ転写する工程を有する。 - 特許庁

The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.例文帳に追加

基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁