「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(132ページ目) - Weblio英語例文検索

In this method for manufacturing the high-purity W sputtering target, high-purity W powder is pressed and sintered and the resultant sintered compact is machined into target shape and is then subjected to grinding consisting of at least either of rotary grinding and polishing and further to polishing consisting of at least either of etching and inverse sputtering to undergo finishing.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

In a producing method of a magnetic head by forming an element part having prescribed characteristics through a deposition process of depositing on the surface of the substrate 10 and an etching process of patterning the film formed by the deposition process, the circumference of a region, where each element part on the substrate 10 is formed, is surrounded by an electrically conductive film and worked.例文帳に追加

基板１０の表面に成膜する成膜工程と、成膜工程によって形成された膜をパターンニングするエッチング工程を経て所要の特性を有する素子部を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記基板１０上の各々の素子部が形成される領域の周囲を導体膜で包囲して加工する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.例文帳に追加

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk by which etching by washing does not give influence on the smoothness of a final glass substrate principal surface after a second polishing (mirror-surface polishing) step while an abrasive used in a first polishing (coarsely polishing) step and consisting essentially of a rare earth oxide is effectively removed by washing.例文帳に追加

第１の研磨（粗研磨）工程にて使用した、希土類酸化物を主成分とする研磨材を、洗浄によって効果的に除去しつつ、洗浄によるエッチングが、第２の研磨（鏡面研磨）工程後の最終的なガラス基板主表面の平滑性にも影響を与えない磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The disclosure is directed to a method for forming nanostructures on a substrate including silicon comprising the steps of: (a) depositing a layer of transition metal on the surface of the substrate; (b) annealing the layer of the transition metal to form a patterned transition metal layer; and (c) etching the substrate to form the nanostructures on the substrate surface.例文帳に追加

本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、（ａ）前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、（ｂ）前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、（ｃ）前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the synthetic quartz glass substrate for the polysilicon TFT formed by multistage polishing consisting of a lapping process and a polishing process, the end surface of the substrate is subjected to mirror surface finishing just prior to the final polishing process of the polishing process and after subjecting the substrate to etching.例文帳に追加

ラッピング工程とポリッシュ工程からなる多段研磨により形成されるポリシリコンＴＦＴ用合成石英ガラス基板の製造方法において、前記ポリッシュ工程は複数の研磨工程からなり、該ポリッシュ工程の最終の研磨工程の直前、かつ、前記基板にエッチングを施した後に前記基板の端面に鏡面加工を施す。 - 特許庁

A method for forming holes into a circuit wiring board provided with a conductive layer 11 and an insulating layer 12 includes a step of forming a metallic mask layer 13 having a thickness of ≤2 μm on an insulator layer 12, a step of etching the insulator layer 12 by using the mask layer 13 as a mask, and a step of removing the mask layer 13.例文帳に追加

導電体層１１と絶縁体層１２とを備える回路配線板に孔を形成する方法であって、絶縁体層１２上に、厚みが２μｍ以下のメタルマスク層１３を形成する工程と、メタルマスク層１３をマスクとして絶縁体層１２をエッチングする工程と、メタルマスク層１３を除去する工程とを含む。 - 特許庁

To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法において、Ｐ型半導体基板上にＮ型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するＰ層とＮ層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises: (1) forming a first oxide film 3 including a groove 7 on a semiconductor substrate 1; (2) depositing a second oxide film 9 by means of HDP-CVD on the resultant substrate and tapering the groove 7, so that its inner side surface becomes narrow toward the bottom; and (3) etching back the second oxide film 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、（１）半導体基板１上に、溝部７を有する第１の酸化膜３を形成し、（２）得られた基板上に、ＨＤＰ−ＣＶＤ法によって第２の酸化膜９を堆積して、前記溝部７をその内側面が底方向に狭くなるテーパー形状にし、（３）第２の酸化膜９をエッチバックすることからなる。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell element has steps of preparing a silicon substrate containing a first conductivity-type semiconductor impurity, performing reactive ion etching on a first surface of the silicon substrate, forming the antireflection film on the first surface of the silicon substrate, and printing and sintering silver paste on the antireflection film.例文帳に追加

本発明の太陽電池素子の製造方法は、第1の導電型半導体不純物を含有するシリコン基板を準備する工程と、シリコン基板の第1の面に反応性イオンエッチングを行う工程と、シリコン基板の第1の面に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜に銀ペーストを印刷し焼成する工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing a probe card includes steps of bonding a thermoplastic resin substrate to one surface of the probe head; forming a plurality of terminals on the other surface of the probe head; bonding a metal substrate to the thermoplastic resin substrate; and selectively etching the metal substrate to form probe chips.例文帳に追加

プローブヘッドの一面に熱可塑性樹脂基板を接合する工程と、上記プローブヘッドの他面に複数の端子を形成する工程と、上記熱可塑性樹脂基板に金属基板を接合する工程と、上記金属基板を選択的にエッチングしてプローブチップを形成する工程と、を含むことを特徴とするプローブカードの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.例文帳に追加

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁

This pretreatment method for the magnesium alloy member comprises contacting the magnesium alloy member with a metal powder, heating the metal powder and the magnesium alloy member contacted with the metal powder, and etching the surface of the magnesium alloy member by the solid state diffusion of magnesium in the magnesium member contacted with the metal powder into the metal powder.例文帳に追加

マグネシウム合金部材の前処理方法は、マグネシウム合金部材を金属粉末と接触させ、金属粉末とこの金属粉末に接触したマグネシウム合金部材とを加熱し、金属粉末と接触したマグネシウム部材のマグネシウムを金属粉末へ固体拡散することによって、マグネシウム合金部材の表面をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.例文帳に追加

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is thoroughly developed, has high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate and excellent etching resistance, can be developed with a dilute aqueous alkali solution and makes stripped pieces small in stripping with an aqueous alkali solution and to provide a photosensitive resin laminate and a method for producing the same.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To protect the gate oxide film of an input cell transistor against damages caused by electric charge generated, when a multilayer metal interconnection is formed through an RIE(reactive ion etching) method in a semiconductor integrated circuit device, where output cells and input cells are connected through a multilayer metal interconnection.例文帳に追加

本発明は、出力用セルと入力用セルとの間を、多層メタル配線により接続してなる構成の半導体集積回路装置において、ＲＩＥによって多層メタル配線を形成する際に生じる電荷により、入力用セルのトランジスタのゲート酸化膜が破壊されるのを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method includes lens pattern forming steps of: forming a pattern of an inorganic lens material film 16 on a flattening film 15; and deforming the pattern of the inorganic lens material film 16 by sputter etching using gas having reactive gas of CxHyFz (x>0, y≥0, z>0) added to inert gas, to form many condenser lenses.例文帳に追加

平坦化膜１５上に無機のレンズ材料膜１６のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、無機のレンズ材料膜１６のパターンを変形させて多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含む。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁

To provide a water-quality evaluation method for readily evaluating the etching functionality of ultrapure water used as washing water for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal, using the degree of effects with respect to a silicon substance as an index, an ultrapure water evaluation device that uses it, and an ultrapure water producing system equipped with the ultrapure water evaluation device.例文帳に追加

半導体や液晶製造用の洗浄水として使用される超純水のエッチング性について、シリコン物質に対する影響度を指標として簡易かつ高感度に評価する水質評価方法と、当該水質評価方法を用いる超純水評価装置及びこの超純水評価装置を備えた超純水製造システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and an apparatus thereof, which can suppress dispersion of treatment on the center side section and the peripheral side of a wafer, even without reaction making the weakened or the pressure and a gas flow rate in a chamber being restricted strictly by suppressing the occurrence of plasma at performing of plasma treatment, such as plasma etching and plasma CVD.例文帳に追加

プラズマエッチングやプラズマＣＶＤなどのプラズマ処理を行う場合、プラズマの発生を抑制して反応を弱くしたり、チャンバ内の圧力やガス流量などを厳しく制約しなくても、ウェハの中心部側と周辺部側とにおける処理のバラツキを抑制することができるプラズマ処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

This method is characterized by using an ion etching device annexed to a device and a metallic material disposed next to the insulating specimen when a surface of the specimen is thinly filmed with a metallic component not contained in the insulating material within an XPS measurement chamber to prevent electrostatic charge on the surface of the sample, when analyzing the insulating sample by XPS.例文帳に追加

ＸＰＳにより絶縁性試料を分析するに際し、ＸＰＳ測定室内部で該絶縁性試料表面に該絶縁物に含まれていない金属成分を薄く成膜して、該絶縁性試料表面の帯電防止をはかる際に、装置付属のイオンエッチング装置と該絶縁試料に隣接配置した金属材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for treating an iron chloride based waste fluid capable of effectively recovering indium as a metal or its alloy from an iron chloride based waste fluid using a nitric acid-containing iron chloride based waste fluid not noticed heretofore as a treatment target in treatment of the iron chloride based waste fluid obtained by the etching or acid washing of a liquid crystal substrate or the like.例文帳に追加

液晶基板等をエッチング又は酸洗した塩化鉄系廃液の処理を行うに際し、これまで着目されていなかった硝酸を含有する塩化鉄系廃液を処理対象とし、当該塩化鉄系廃液からインジウムを金属単体又は合金として効果的に回収することが可能な塩化鉄系廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁

Several ten-several hundred variable wavelength laser media are shaped into a stripe shape with a width of 10-50 μm and a thickness of several μm to be parallelly arranged on a substrate 1 with a length of 10-20 mm and, irradiated with ultraviolet laser beam from two directions to form stripe patterns due to interference and cyclical unevennesses (diffraction lattices) are formed by an optical etching method.例文帳に追加

長さ１０〜２０ｍｍの基板１上に可変波長レーザー媒質を幅１０〜５０μｍ、厚さ数μｍのストライプ状に整形して数１０〜数１００本平行にならべ、それぞれに紫外レーザー光を２方向から照射して干渉による縞模様を作り、光エッチング法で周期的な凹凸（回折格子）を作る。 - 特許庁

This method for regenerating the etchant includes adding a deposition agent such as ammonium chloride, to a fatigued liquid which is discharged when etching a metal (ST2) including at least copper, with an etchant including at least ferric chloride and further hydrochloric acid, ammonium chloride, and the like, of predetermined concentration, and further concentrating and cooling it, to deposit a copper component dissolving in the fatigued liquid (ST3).例文帳に追加

少なくとも塩化第二鉄を含み、さらに所定濃度の塩酸や塩化アンモニウムなどを含むエッチング液を用いて、少なくとも銅を含む金属をエッチング処理した（ＳＴ２）ときに出される疲労液に、塩化アンモニウムなどの析出剤を添加し、さらに濃縮や冷却などを行って、疲労液中に溶解している銅成分を析出させる（ＳＴ３）。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board by an electrophotographic process which not only has easy resist stripping characteristics by including the inner wall of a through hole and/or a non-through hole even if the wiring board is manufactured by the electrophotographic process, but also can realize a high resolution in an etching step as compared with a conventional photoresist material.例文帳に追加

電子写真法によるプリント配線板の製造を行うに際しても、貫通孔または／及び非貫通孔の内壁を含めた容易なレジスト剥離特性を有するだけでなく、従来のフォトレジスト材料よりもエッチング工程における高解像力をも実現することが可能な、電子写真法によるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyimide film which, when applied for a metal wiring board substrate for a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape the surface of which is provided with a metal wiring, shows high elastic modulus, a low coefficient of thermal expansion, excellent alkali etching property and film formability; to provide its manufacturing method; and to provide a metal wiring circuit board comprising it as a substrate.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路、ＣＳＰ、ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性に優れたポリイミドフィルム、その製造方法およびそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

This preparation method of the sample for atom probe analysis has a step for preparing a ridged and grooved structure by performing etching machining of FIB onto both of a base needle 2 and an implantation sample piece 1, a step for bonding mutual members, and a step for sticking by deposition processing of FIB so that the ridged and grooved structure has an engaged form.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針２と移植試料片１の双方にＦＩＢのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにＦＩＢのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 - 特許庁

The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.例文帳に追加

有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

This method comprises a non-magnetic material filling process (S104) in which a concave part of the irregular pattern is filled by applying a non-magnetic material on the recording layer formed with the prescribed irregular pattern on a substrate, and a flattening process (S106) in which surplus non-magnetic material on the recording layer is removed by ion beam etching and the surface is flattened.例文帳に追加

基板上に所定の凹凸パターンで形成された記録層上に非磁性材を成膜することにより凹凸パターンの凹部を充填する非磁性材充填工程（Ｓ１０４）と、記録層上の余剰の非磁性材をイオンビームエッチングにより除去して表面を平坦化する平坦化工程（Ｓ１０６）と、を含む構成とした。 - 特許庁

A method of manufacturing a crystal oscillator for carrying out the frequency adjustment in units of crystal wafers includes the steps of: measuring the thickness on a predetermined concentric circle of the crystal wafer; etching the thick portion thereof by a processing liquid for selectively dissolving the crystal based on the thickness measurement result; and adjusting the frequency by reducing the thickness of the thick portion.例文帳に追加

水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。 - 特許庁

In the method for manufacturing a semiconductor device by spin-etching a rear surface 10b of a semiconductor wafer 10 having semiconductor elements 60 formed on an active surface 10a, an angle θ is set to be an acute angle between at least part of the side surface 10c of the semiconductor wafer 10 and the rear surface 10b of the wafer 10.例文帳に追加

本発明は、半導体素子６０が能動面１０ａに形成された半導体ウエハ１０の裏面１０ｂをスピンエッチングによりエッチングする半導体装置の製造方法であって、半導体ウエハ１０の側面１０ｃの少なくとも一部と、半導体ウエハ１０の裏面１０ｂとのなす角度θを鋭角に形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the high-purity tungsten sputtering target, after pressure-sintering high-purity tungsten powder, the obtained sintered compact is processed into a target shape, and then at least one kind of polishing out of rotary polishing and polishing is performed, and finish processing is carried out by performing at least one of polishing out of etching and reverse sputtering.例文帳に追加

また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes: a resist pattern forming step of forming a resist pattern on the surface to be processed and then applying the thickening material for a resist pattern to cover the surface of the resist pattern to thereby thicken the resist pattern; and a patterning step of patterning the surface to be processed by etching by using the thickened resist pattern as a mask.例文帳に追加

被加工面上にレジストパターンを形成後、レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することによりレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工面をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the optical waveguide substrate including an optical element and an optical waveguide 5 optically connected to the optical element, a composite substrate having a substrate 4 which can be etched and an etching stop member 2 provided on one face of the substrate is prepared, and a mask having a desired pattern is formed on the substrate which can be etched.例文帳に追加

光学素子と、該光学素子に光学的に接続された光導波路３と、を備える光導波路基板を作製する方法において、エッチング可能な基板４と、該基板の一方の面に設けられたエッチングストップ部材２と、を有する複合基板を準備し、上記エッチング可能な基板上に、所望のパターンを有するマスクを形成する。 - 特許庁

The method for bonding by an epoxy adhesive film includes a heating process wherein the film is sandwiched between the two bondable surfaces of object bodies and then subjected to heating or heating and pressing and a subsequent removing process wherein the part of the film not requiring bonding and/or the part of the film melted and forced out of the bonded surfaces are subjected to etching.例文帳に追加

エポキシ接着フィルムを被着体の二つの接着面間に挟み、加熱または加熱および加圧する加熱工程と、前記加熱工程の後に、エポキシ接着フィルムのうち接着が不要な部分および溶融して接着面からはみ出した部分の少なくとも一方をエッチングする除去工程とを含むエポキシ接着フィルムによる接着方法。 - 特許庁

To provide a device manufacturing method with high reliability that provides a configuration of controlling unique plasma directivity against variations in the symmetry of a processing cross-sectional shape within a plane of a wafer to be processed in plasma dry etching, thereby capable of uniformly adjusting the symmetry of the processing cross-sectional shape within a plane of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマドライエッチングにおいて、加工するウェハの面内での加工断面形状の対称性バラツキに対し、固有のプラズマ指向性を制御する構成を有しており、これにより加工断面形状の対称性を被処理物面内均一に調整でき、信頼性の高いデバイス製造方法を提供する事を目的とするものである。 - 特許庁

The fine-processing method for the glassy carbon comprises the processes of: coating the glassy carbon substrate with an ultraviolet ray-sensitive resin used in the development of a photograph; forming the resin into a desired micropattern by the exposure and development of the resin; dry-etching the resin, to transfer the micropattern onto the glassy carbon substrate.例文帳に追加

本ガラス状カーボンの微細加工方法は、ガラス状カーボン基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布する工程と、紫外線感光性樹脂の露光、現像を行い、紫外線感光性樹脂を所望の微細パターンに成形する工程と、紫外線感光性樹脂にドライエッチングを施し、微細パターンをガラス状カーボン基板へ転写する工程を有する。 - 特許庁

The method includes, after patterning the substrate to form at least one structure extending from the substrate in a direction substantially perpendicular to the plane of a major surface of the substrate, forming locally modified regions 6 at locations in the substrate which are not covered by the at least one structure, thus locally increasing etching resistance of these regions 6.例文帳に追加

基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。 - 特許庁