「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(134ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a metal recovering method and apparatus, which is related to a method and apparatus of recovering a metal or an alloy as a valuable resource from a process liquid such as an etching waste liquid containing mainly copper (Cu), and nickel (Ni), capable of recovering copper and the like of recovery object metals as a metal or an alloy as a valuable resource, and dispensing with additional preparation of a flocculant for treatment.例文帳に追加

主として銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）を含むエッチング廃液等の被処理液から、それらを有価物である金属単体あるいは合金として回収する方法と装置に関し、エッチング廃液等の被処理液から回収対象金属である銅等を有価物である金属単体あるいは合金として回収することができ、しかも処理のための凝集剤を別途準備する必要のない回収方法と装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can be manufactured without generating etching residues and without deteriorating element characteristics and without collapsing and disconnecting wirings and without adhesion and disconnection of wirings when manufacturing the semiconductor device that is a fine structure like an aerial wiring and has a structure with a gap of high-aspect-ratio, and to provide the semiconductor device manufactured by its manufacturing method.例文帳に追加

空中配線のように微細構造体で、かつ高アスペクト比の間隙を持つ構造を備えた半導体装置を製造するに際し、エッチング残磋が生じることがなく、素子特性を劣化させることがなく、配線の倒壊や断線が生じることがなく、配線がくっついたり、切れたりすることがなく製造することができる半導体装置の製造方法及びその製造方法により製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the capacitor comprises the steps of; providing a metallic foil; forming dielectrics on the metallic foil; forming a first electrode on a part of the dielectrics; forming a protective coating on a part of the metallic foil that includes the whole dielectrics; and etching the metallic foil to form a second electrode.例文帳に追加

金属箔を提供する工程と、該金属箔の上に誘電体を形成する工程と、該誘電体の一部分の上に第１の電極を形成する工程と、該誘電体全体を含む該金属箔の一部分の上に保護被膜を形成する工程と、該金属箔をエッチングして第２の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする、キャパシタを製造する方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, with which a seam part is prevented from being exposed outward by extinguishing the seam part formed in silicon by heat treatment, residue is prevented from being left after a silicon film is etched back, etching can sufficiently be performed and oxidization of the silicon film is prevented at the time of oxidizing the silicon film.例文帳に追加

シリコン内に形成されたシーム部を熱処理により消滅させることにより、シーム部が外部に露出することを防止して、シリコン膜をエッチバックした後に残渣が残ることを防止することができ、また、エッチングを良好に行うことができると共に、シリコン膜上を酸化する際にシリコン膜内も酸化されることを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of repairing a pattern comprises a step of making a portion of the pattern to be removed contain nitrogen and hydrogen, and a step of etching the portion to be removed by exposing the pattern to an atmosphere containing excited oxygen, wherein the hydrogen is introduced into the portion to be removed by ion implantation or laser doping, and the atmosphere contains plasma containing the excited oxygen.例文帳に追加

パターンのうちで除去すべき部分に窒素と水素とを含有させる工程と、パターンを励起された酸素を含む雰囲気に晒すことにより、除去すべき部分をエッチングする工程と、を備え、前記水素は、イオン注入またはレーザドーピングによって除去すべき部分に導入され、雰囲気は、励起された酸素を含有したプラズマを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a direct recovery of an aiming valuable metal from waste water including the metal ion, by an electrolysis process without generating Cl, an electric energy saving in the recovery process by electrolysis, and a method for regenerating an etching solution at the same time when recovering the valuable metal from waste water by electrolysis.例文帳に追加

本発明の課題は、塩素の発生を伴わずに電気分解プロセスによって、金属イオンを含む廃液から目的とする有価金属を直接電解回収すること、および電解回収に際して電気エネルギーの省力化を提案すること、ならびに廃液から有価金属を電解回収することで同時にエッチング液を再生する方法を提案することにある。 - 特許庁

The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.例文帳に追加

基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

As the manufacture, the made through hole is charged with resin paste, and after hardening of the charged resin paste, desmear treatment is applied to the laminate 1, and a metallic plated layer 4 by electrolytic plating method is made on this surface where desmear treatment is applied, and the needless section of the made plated layer 4 is removed by etching to form a wiring pattern.例文帳に追加

製造方法としては、形成したスルーホールに金属粒子を含有する樹脂ペーストを充填し、充填した樹脂ペーストの硬化後に、その積層体にデスミア処理を施して、このデスミア処理の施された表面に電解メッキ法による金属メッキ層（４）を形成し、形成されたメッキ層（４）の不要部分をエッチングにより除去し、配線パターンを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell provided with the silicon semiconductor substrate having the texture surface comprises the steps of forming a silicide layer 102 on the surface of a silicon semiconductor substrate 100, and forming the texture surface by anisotropic etching porcessing the surface of the silicon semiconductor substrate on which the silicide layer is formed.例文帳に追加

テクスチャ表面を有するシリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法であって、このシリコン系半導体基板１００の表面にシリサイド層１０２を形成するステップと、このシリサイド層の形成された前記シリコン系半導体基板の表面を異方性エッチング処理してテクスチャ表面を形成するステップと、を備える、太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a silicon-based regeneration test wafer or the like includes a step of performing chemical mechanical polishing to one main surface of the wafer having irregularities by the use of a polishing slurry containing floating abrasive particles and a water-soluble polymer after removing a structural layer on a surface of a used test wafer (non-product wafer) to a necessary extent by wet etching.例文帳に追加

本願の一つの発明は、シリコン系再生テスト・ウエハ等の製造方法において、使用済みテスト・ウエハ（非製品ウエハ）の表面の構造層をウエット・エッチングにより、必要な程度、除去した後、凹凸を有するウエハの一つの主面に対して、浮遊砥粒、および水溶性ポリマを含有する研磨スラリを用いた化学機械研磨を実施する工程を含むものである。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a Ge crystal growth method using a cast process, wherein the crystal orientation of the Ge crystal can be freely controlled, and a textured structure uniform in shape and orientation is easily formed within the Ge crystal so that a wafer cut from the Ge crystal may have a textured structure uniform in shape and orientation after it is subjected to a specified etching operation.例文帳に追加

キャスト法を用いたＧｅ系結晶の成長方法において、前記Ｇｅ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｇｅ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｇｅ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。 - 特許庁

To obtain a method by which contact holes 36 and 38 respectively reaching a lower diffusion layer 24, having a lower surface height and a lower wiring layer 26 having a higher surface height can be formed in the same etching step, without making the wiring layer 26 etch excessively, when the wiring layers 24 and 26 are coated with an interlayer insulating film 38 having a flat surface.例文帳に追加

表面高さが低い下部拡散層２４と表面高さが高い下部配線層２６が、表面が平坦な層間絶縁膜３８に被覆されている場合に、それぞれが下部拡散層２４と下部配線層２６に達するコンタクトホール３６と３８を、表面高さが高い下部配線層２６を過剰にエッチングせず、しかも、同一のエッチング工程で形成できる方法を開発する。 - 特許庁

For example, in a method for manufacturing a microlens array having a plurality of microlenses to be used for a liquid crystal projector, a microlens array with fidelity to a designed feature is manufactured by using a gray scale mask 30 for lithography which has a plurality of correction portions 32 to form an enhancing feature (protruding features) on the borders of the plurality of microlenses and by gray scale lithography techniques and etching techniques.例文帳に追加

例えば、液晶プロジェクタに用いられる複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイの製造方法において、複数のマイクロレンズの境界部に強調形状（突出形状）を形成するための複数の補正部３２を有するグレースケールのリソグラフィ用マスク３０を用いて、グレースケールリソグラフィ技術およびエッチング技術により、設計形状に対して忠実なマイクロレンズアレイを製造する。 - 特許庁

The electrode has a first electrode member 101 for dissolving the object to be etched by electrochemical reaction, and a second electrode member 103 for suppressing the diffusion of an etching region by the first electrode, and has an insulation member 102 formed on the first electrode member 101 or/and second electrode member 103 by a laminate or coating method.例文帳に追加

被エッチング物を電気化学的な反応にて溶解させるための第一の電極部材１０１と、第一の電極部材１０１によるエッチング領域の拡散を抑止するための第二の電極部材１０３を有し、第一の電極部材１０１又は／及び第二の電極部材１０３にラミネート又はコーティング法により形成された絶縁部材１０２を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the method for evaluating the Ni contamination in the silicon wafer, the silicon wafer is cleaved, the cleaved silicon wafer is heat-treated, selection etching is made to the cleaved surface of the silicon wafer for forming a shallow etch pit (shallow pit), and the Ni contamination in the silicon wafer is evaluated by observing the shallow etch pit formed on the cleaved surface.例文帳に追加

シリコンウエーハのＮｉ汚染を評価する方法であって、前記シリコンウエーハを劈開し、該劈開したシリコンウエーハに熱処理を行った後、シリコンウエーハの劈開面に選択エッチングを行って浅いエッチピット（シャローピット）を形成し、該劈開面に形成された浅いエッチピットを観察することによってシリコンウエーハのＮｉ汚染を評価することを特徴とするシリコンウエーハのＮｉ汚染の評価方法。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device has a process forming a photo-resist film on a film to be etched 11, a process forming rectilinear resist patterns 50 placed on the film to be etched 11 by exposing and developing the photo-resist film and a process forming a rectilinear pattern 11a by etching the film to be etched 11 while using the resist patterns 50 as masks.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、被エッチング膜１１上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォトレジスト膜を露光及び現像することにより、被エッチング膜１１上に位置する直線状のレジストパターン５０を形成する工程と、レジストパターン５０をマスクとして被エッチング膜１１をエッチングすることにより、直線パターン１１ａを形成する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method and a surface treating agent, with which a smear occurring in a via and the like can effectively be removed without performing treatment using permanganate and the like which is a large load to an environment and an operator and which is expensive and without etching an inner layer metal, and adhesion and connection reliability of an inner layer metal circuit and a plated metal are improved.例文帳に追加

環境や作業員への負荷が大きく高コストである過マンガン酸塩等を用いた処理を行うことなく、また内層金属をエッチングすることなく、ビア等に発生したスミアを効果的に除去し、内層金属回路とめっき金属との密着性、接続信頼性を向上させるための表面処理方法及び表面処理剤を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for biochip provided with a probe having a specific chemical reaction with a biological substance to be inspected includes a step for selectively etching a portion of the second layer arranged on a first layer make the first layer expose and a step for immersing the first layer in a sodium solution and introduces a plurality of hydroxy groups in the surface of the first layer.例文帳に追加

被検対象の生体物質と特異的な化学反応をするプローブを設けたバイオチップ用基板であって、第１の層上に配置された第２の層の一部を選択的にエッチングし、第１の層を表出させるステップと、第１の層をナトリウム溶液に浸し、第１の層表面に複数の水酸基を導入するステップとを含むバイオチップ用基板の製造方法。 - 特許庁

The method for analysis includes: performing removal or inactivation processing on various products (by-products) produced on a decomposition (or etching) surface as a first process and making the surface hydrophobic rapidly with an HF gas thereafter at need; and thereby scanning the hydrophobic silicon wafer surface with drops of water with extremely high reproducibility and efficiency to collect and analyze decomposed matter on the surface.例文帳に追加

本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 - 特許庁

To provide a reflection type mask blank and a reflection type mask for EUV exposure, and a method of manufacturing the same enabling defect inspection without removing a hard mask layer in a process inspection after the etching of an absorbing material layer and also enabling easier defect repair without any complicated process even if a black defect is found in the process inspection.例文帳に追加

本発明は、吸収体層のエッチング後の工程検査で、ハードマスク層を除去することなく欠陥検査することを可能にし、さらに、この工程検査で黒欠陥が見つかった場合でも、複雑な工程を要することなく、容易に欠陥修正が可能なＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクス、反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide an electrode material for an aluminum electrolytic capacitor composed of at least on kind of a sintered body out of aluminum and an aluminum alloy, and eliminated in the need for etching, and its manufacturing method of the aluminum electrolytic capacitor which is secured in large capacitance even if particle sizes of the powder of aluminum and an aluminum alloy are small, and the thickness of the sintered body is large.例文帳に追加

アルミニウム及びアルミニウム合金の少なくとも１種の焼結体からなるエッチング処理が不要なアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法であって、アルミニウム及びアルミニウム合金の粉末の粒径が小さく、焼結体の厚みが大きい場合でも高い静電容量が確保されたアルミニウム電解コンデンサ用電極材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

For the plasma etching by a microwave, a semiconductor processing apparatus includes the quartz-made transmission window 105 of the porous structure, a microwave introduction window 108 to which a heating medium flow path is added, and a heating medium circulation device so as to greatly reduce the production of foreign matter of fine particle size sticking on nearby a surface of the substrate 102 to be processed by optimizing a plasma processing method for the substrate 102 to be processed.例文帳に追加

被処理基板１０２に対するプラズマ処理方法を最適化し被処理基板１０２の表面近傍部に付着する微小粒径異物の発生を大幅に低減するために、マイクロ波によるプラズマ処理に際し、多孔構造の石英製透過窓１０５、熱媒体流路を付設したマイクロ波導入窓１０８、および熱媒体循環装置により構成する。 - 特許庁

This production method includes processes of: plate-making first and second photosensitive layers 52a, 52b laminated on both sides of a laminated body 50 having a base material film 32, first and second electroconductive layers 40, 45 laminated on both sides of the base material film, and a light shielding layer laminated on the electroconductive layer; and thereafter etching the light shielding layer and the electroconductive layer to pattern them.例文帳に追加

製造方法は、基材フィルム３２と、基材フィルムの両側に積層された第１および第２の導電層４０，４５と、導電層上に積層された遮光層と、を有する積層体５０の両側に積層された第１および第２の感光層５２ａ，５２ｂを製版する工程と、その後、遮光層および導電層をエッチングしてパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

The epitaxial growth method includes a cleaning treatment step of etching and removing a silicon deposit that adheres to the inside of an epitaxial growth furnace 2 by a hydrogen chloride containing gas, and a polysilicon depositing step of forming a polysilicon film having a grain size of 0.7 μm -0.3 μm on the surface of a susceptor by supplying a silicon source gas to the inside of the epitaxial growth furnace, following the cleaning process.例文帳に追加

エピタキシャル成長炉２内に付着したシリコン堆積物を塩化水素含有ガスによりエッチング除去するクリーニング処理工程と、クリーニング処理工程に引き続き、エピタキシャル成長炉内にシリコンソースガスを供給してサセプタ表面にグレーンサイズが０．７μｍ〜０．３μｍのポリシリコン膜を形成するポリシリコン成膜工程とを有することを特徴とするエピタキシャル成長方法である。 - 特許庁

A water-repellent film with repellency which has an opening is formed on a surface of a processed layer of the substrate, a watery solution is arranged in the opening to form a mask part, and the processed layer is processed by etching using the mask part as a mask so as to perform the texture process on the substrate efficiently in the easy method without requiring large-scale facilities or placing a load on an environment.例文帳に追加

多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すために、基板の被加工層の表面に、開口を有する撥水性の撥水性膜を形成し、前記開口に水溶液を配置してマスク部を形成し、前記マスク部をマスクとして用いたエッチングにより前記被加工層を加工する。 - 特許庁

In an electrolytic-plating-start-metal-layer formation process 102', a metal layer having an opening is formed on a semiconductor layer; in a metal-support-electrolytic-plating process 103', a metal support is formed on the metal layer having the opening; and, in an element division process 107', a part of the metal support exposed to the opening of the metal layer is removed by an electrolytic etching method.例文帳に追加

電解めっき開始金属層形成工程１０２’において、開口を有する金属層を半導体層上に形成し、金属支持体電解めっき工程１０３’において、開口を有する金属層上に金属支持体を形成し、素子分割工程１０７’において、金属支持体の金属層の開口に露出する部分を電解エッチング法によって除去した。 - 特許庁

To provide a method for detecting a metal defect and a defect detection device, which allow clear detection of a defect portion by improving the uniformity, and increasing the brightness, of a non-defect portion of an imaged image of an inspecting surface when etching the inspecting surface of a metal sample to cause the defect to appear and imaging an image of the inspecting surface using an imaging device to detect the defect.例文帳に追加

金属試料の検査面をエッチング処理して欠陥を現出させ、撮像装置によって検査面を撮像することにより欠陥を検出するに際し、検査面撮像画像における非欠陥部の明度を均一かつ明るくすることにより、欠陥部を明瞭に検出することのできる金属の欠陥検出方法及び欠陥検出装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the smooth laminate which comprises laminating a resistance alloy layer on at least one side of a smooth electroconductive plate, the resistor having the required resistance value can be formed to the inside of the wiring pattern formed by etching by laminating the resistance alloy layer on the smooth electroconductive plate immediately after activation treatment is applied to the electroconductive plate.例文帳に追加

平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing diffraction lenses comprises a step for forming a stack having at least two phase shift layers which are separated from each other by an etching stop layer on the first face of each of transparent substrates 34, 144 capable of transmitting light of selected wavelengths between infrared rays and ultraviolet rays and a step for forming a pattern on the stack in order to form a layer of a diffracting optical element 50.例文帳に追加

赤外線から紫外線の間で選択された波長の光を透過する透明な基板３４、１４４の第１の面上に、エッチング停止層で分離された少なくとも２つの位相シフト層を有するスタックを形成するステップと、回折光学素子５０の層を形成するために、前記スタックにパターン形成するステップとを含んでなる、回折レンズの製造方法を提供する。 - 特許庁

This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, a polysilicon film is made on a thermal oxide film formed on a silicon substrate 31, and a gate electrode 35 and a gate oxide film 32a are formed through etching, and after removal of a photoresist film, a peripheral oxide film 38 united with the gate oxide film 32a and the thermal oxide film is made through thermal oxidation method around the gate electrode 35.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板３１上に形成した熱酸化膜３２上にポリシリコン膜３３を形成し、エッチングを行ってゲート電極３５及びゲート酸化膜３２ａを形成し、フォトレジスト膜３４を除去してから、ゲート電極３５の周囲に、ゲート酸化膜３２ａ及び熱酸化膜３２と一体化した周囲酸化膜３８を熱酸化法で形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of subjecting an inter-layer insulating layer 61 to dry etching using a mask having a plurality of first openings and a plurality of second openings arranged more closely than the first openings, and forming first holes reaching a ground layer 10 below the first openings and second holes 41 reaching the ground layer 10 below the second openings.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数の第１の開口と第１の開口よりも密に並んだ複数の第２の開口とを有するマスクを用いて層間絶縁層６１をドライエッチングし、第１の開口の下で下地層１０に達する第１のホールと、第２の開口の下で下地層１０に達する第２のホール４１とを同時に形成する工程を備えている。 - 特許庁

The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 - 特許庁

This manufacturing method of optical recording medium comprises a process in which a first dielectric layer, a light absorption layer and a second dielectric layer are laminated successively on a supporting substrate, a process in which a laser beam is emitted and information is recorded, and a process in which an unrecorded part of the second dielectric layer is eliminated by solution etching and it is processed in a convex type.例文帳に追加

光記録媒体の製造方法において、支持基板上に第１の誘電体層、光吸収層、第２の誘電体層を順次積層する工程、レーザー光を照射し情報を記録する工程、溶液エッチングにより第２の誘電体層の未記録部分を除去し凸状に加工する工程を少なくとも含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor having 3C-SiC single crystal thin film with a surface of reduced irregularity and curvature as well as excellent crystalline and high quality surface orientation (111), and a SiC semiconductor capable of forming 3C-SiC single crystal thin film with surface orientation (111) on an Si single crystal substrate surely and easily by reducing lattice mismatching and preventing etching.例文帳に追加

表面の凹凸および反りが低減され、結晶性に優れた高品質な面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を備えた半導体、および、Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合を緩和し、かつ、エッチングを防止して、確実かつ容易に、面方位（１１１）の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶薄膜を形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method of etching a silicon oxide film includes a decomposition step of feeding a blended gas containing a hydrogen-fluoride gas HF and an ammonia gas NH_3 over a surface of the silicon oxide film, making chemical reaction carried out on the silicon oxide film and the blended gas, and decomposing the silicon oxide film to produce a reaction product; and a heating step of then heating and removing the reaction product.例文帳に追加

シリコン酸化膜をエッチングする方法において，シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガスＨＦ及びアンモニアガスＮＨ_３を含む混合ガスを供給し，シリコン酸化膜と混合ガスとを化学反応させ，シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程を行い，その後，反応生成物を加熱して除去する加熱工程を行う。 - 特許庁

Since the surface treated copper foil produced by this production method has a black, uniform appearance hardly having spots and residues, and has excellent etching properties and chemical resistance, the fraction defective of a composite material for electromagnetic wave shielding produced by utilizing the same is made remarkably low, and the appearance of a PDP (Plasma Display Panel) display screen produced by using the composite material is made excellent.例文帳に追加

本発明の製造方法によって製造された表面処理銅箔は、斑及び残渣が殆ど無い黒色の均一な外観を有し、エッチング性と耐薬品性が優れているため、これを利用して製造された電磁波遮蔽用複合材料の不良率が顕著に低くなり、上記複合材料を使用して製造されたPDP表示画面の外観が優れる。 - 特許庁

The method has the process of forming a pattern with a slant part prepared therein to a photoresist 52 in the periphery of a silicon exposed part for forming the nozzle 31 by carrying out exposure and development to the photoresist 52 formed on a silicon substrate 51, and the process of forming the hole to be the nozzle 31 of a taper shape by carrying out anisotropic dry etching using the photoresist 52 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板５１に形成したフォトレジスト５２に対して露光及び現像を行って、ノズル３１を形成するためのシリコン露出部分周辺におけるフォトレジスト５２に対して、傾斜部分を設けたパターンを形成する工程と、フォトレジスト５２をマスクとして異方性ドライエッチングを行って、テーパ形状のノズル３１となる穴を形成する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of the CMOS image sensor comprises steps of: preparing a semiconductor substrate in which a light receiving element region and a transistor region are demarcated; forming fine dust by generating plasma discharge at the light receiving element region; forming a nano pillar at the light receiving element region by etching the fine dust as a mask, and removing the fine dust.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、受光素子領域及びトランジスタ領域が画定された半導体基板を用意するステップと、前記受光素子領域にプラズマ放電を発生させて微細ホコリを形成させるステップと、前記微細ホコリをマスクとしてエッチングして、前記受光素子領域にナノピラーを形成するステップと、前記微細ホコリを除去するステップとを含む。 - 特許庁

A forming method of the inkjet print head includes steps of: attaching a plurality of piezoelectric elements 20 to diaphragms 36; supplying a dielectric filling layer on the diaphragms and the plurality of piezoelectric elements to seal the piezoelectric elements; curing the dielectric filling layer to form an aperture layer 50; and removing the aperture layer from an upper surface of the plurality of piezoelectric elements by plasma etching.例文帳に追加

インクジェット印字ヘッドの形成方法は、ダイアフラム３６に複数の圧電素子２０を付着させるステップと、ダイアフラムと複数の圧電素子との上に誘電性充填層を供給し、圧電素子を封止するステップと、誘電性充填層を硬化させ、隙間層５０を形成するステップと、次に、複数の圧電素子の上面から隙間層をプラズマエッチングによって除去するステップとを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing the slider is provided with a stage for forming an air bearing surface 30 to base materials for slider including a thin film magnetic head element 22 and a stage for etching at least a part of the air bearing surface 30 using a convergent ion beam 100 so that the step between a part corresponding to the thin film magnetic head 22 and the other part is decreased.例文帳に追加

本発明のスライダの製造方法は、薄膜磁気ヘッド素子２２を含むスライダ用の素材に対してエアベアリング面３０を形成する工程と、エアベアリング面３０において、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分と他の部分との間の段差が減少するように、エアベアリング面３０の少なくとも一部を集束イオンビーム１００によってエッチングする工程とを備えている。 - 特許庁

In the method for forming rugged surface whose cross-section has nonlinear symmetric shape, the rugged surface is obtained by a process of forming energy-sensitive negative type resin composition material including polymerizable monomer or oligomer of at least one kind, a process of applying active energy rays via a mask patterned with three or more gradations and a process of performing post-heating without etching operation.例文帳に追加

少なくとも一種類以上の重合可能なモノマー又はオリゴマーを含有する感エネルギー性ネガ型樹脂組成物質を形成する工程、３値以上の階調パターン形成されたマスクを介して活性エネルギー線を放射する工程、エッチング操作を行うことなく後加熱する工程により得られる表面凹凸の断面形状が、非線対称である表面凹凸形成方法。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes a step of applying the resist pattern thinning material to cover the surface of a resist pattern formed on a base layer to form a mixing layer with the resist pattern thinning material on the surface of the resist pattern and developing to form a thinned resist pattern, and a step of patterning the base layer by etching using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁