「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.例文帳に追加

低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁

To provide a polyimide film having an excellent high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, alkali etching properties, and film-forming properties when the polyimide film is applied to a metallic wiring plate base for a flexible printing circuit applying a metallic wiring to its surface, CSP, BGA, or a TAB tape, and to provide a manufacturing method of the polyimide film, and a metallic wiring circuit plate using the film as a base.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路，ＣＳＰ，ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性にも優れたポリイミドフィルム、その製造方法及びそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

To provide a thermosetting composition rich in pigment with a small amount of a resin used, suitable for etching, excellent in spectroscopic characteristics, pattern form's rectangularity and adhesion to lower and upper layers, and capable of thin-film formation, to provide a color filter and an image recording material each using the composition, and to provide a method for producing the color filter.例文帳に追加

エッチングに好適であり、分光特性、パターン形状の矩形性、並びに、下層および上層との密着性に優れ、かつ、薄膜化が可能であり、更に、樹脂の総使用量が少なく高濃度な顔料含有熱硬化性組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタ、画像記録材料およびカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.例文帳に追加

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is thoroughly developed, has high sensitivity, high resolution, good adhesion to a substrate and excellent etching resistance, can be developed with a dilute aqueous alkali solution and makes stripped pieces small in stripping with an aqueous alkali solution and to provide a photosensitive resin laminate and a method for producing the same.例文帳に追加

現像残りがなく高感度、高解像度を有し、基板に対する密着性が良好で、かつ耐エッチング性に優れ、さらに希アルカリ水溶液を用いて現像可能で、アルカリ水溶液による剥離において剥離片形状が細片となる感光性樹脂組成物および感光性樹脂積層体とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The microlens array substrate 1 includes, in the surface of a quartz substrate or a glass substrate, a microlens array 8 constituted of a plurality of continuous concave microlenses 11 and an alignment mark 7 formed outside a microlens array region, wherein the microlens array 8 and the alignment mark 7 are simultaneously formed by a transfer method through dry etching.例文帳に追加

本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板またはガラス基板の表面内に、連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８と、マイクロレンズアレイ領域外に形成されたアライメントマーク７を有し、マイクロレンズアレイ８及びアライメントマーク７が、ドライエッチングによる転写法で同時に形成されて成る。 - 特許庁

In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.例文帳に追加

また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁

To protect the gate oxide film of an input cell transistor against damages caused by electric charge generated, when a multilayer metal interconnection is formed through an RIE(reactive ion etching) method in a semiconductor integrated circuit device, where output cells and input cells are connected through a multilayer metal interconnection.例文帳に追加

本発明は、出力用セルと入力用セルとの間を、多層メタル配線により接続してなる構成の半導体集積回路装置において、ＲＩＥによって多層メタル配線を形成する際に生じる電荷により、入力用セルのトランジスタのゲート酸化膜が破壊されるのを防止できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部５を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜７を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

The manufacturing method includes lens pattern forming steps of: forming a pattern of an inorganic lens material film 16 on a flattening film 15; and deforming the pattern of the inorganic lens material film 16 by sputter etching using gas having reactive gas of CxHyFz (x>0, y≥0, z>0) added to inert gas, to form many condenser lenses.例文帳に追加

平坦化膜１５上に無機のレンズ材料膜１６のパターンを形成するレンズパターン形成工程と、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより、無機のレンズ材料膜１６のパターンを変形させて多数の集光レンズを形成するレンズ形成工程とを含む。 - 特許庁

The plasma processing method comprises: electrostatically attracting an insulative substrate S (substrate S) in a vacuum chamber 11 by an electrostatic chuck 17; and etching the substrate S by generating plasma in the vacuum chamber 11 while supplying helium gas for cooling the substrate S to a refrigerant space defined by the backside of the substrate S, and a reentrant 17c of the electrostatic chuck 17.例文帳に追加

真空槽１１内の絶縁性基板Ｓ（基板Ｓ）を静電チャック１７に対して静電吸着し、且つ、基板Ｓの裏面と静電チャック１７の凹部１７ｃとによって形成される冷媒空間に該基板Ｓを冷却するヘリウムガスを供給しつつ、真空槽１１内にプラズマを生成して基板Ｓをエッチング処理する。 - 特許庁

To provide a water-quality evaluation method for readily evaluating the etching functionality of ultrapure water used as washing water for manufacturing a semiconductor or a liquid crystal, using the degree of effects with respect to a silicon substance as an index, an ultrapure water evaluation device that uses it, and an ultrapure water producing system equipped with the ultrapure water evaluation device.例文帳に追加

半導体や液晶製造用の洗浄水として使用される超純水のエッチング性について、シリコン物質に対する影響度を指標として簡易かつ高感度に評価する水質評価方法と、当該水質評価方法を用いる超純水評価装置及びこの超純水評価装置を備えた超純水製造システムを提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment method and an apparatus thereof, which can suppress dispersion of treatment on the center side section and the peripheral side of a wafer, even without reaction making the weakened or the pressure and a gas flow rate in a chamber being restricted strictly by suppressing the occurrence of plasma at performing of plasma treatment, such as plasma etching and plasma CVD.例文帳に追加

プラズマエッチングやプラズマＣＶＤなどのプラズマ処理を行う場合、プラズマの発生を抑制して反応を弱くしたり、チャンバ内の圧力やガス流量などを厳しく制約しなくても、ウェハの中心部側と周辺部側とにおける処理のバラツキを抑制することができるプラズマ処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

This method is characterized by using an ion etching device annexed to a device and a metallic material disposed next to the insulating specimen when a surface of the specimen is thinly filmed with a metallic component not contained in the insulating material within an XPS measurement chamber to prevent electrostatic charge on the surface of the sample, when analyzing the insulating sample by XPS.例文帳に追加

ＸＰＳにより絶縁性試料を分析するに際し、ＸＰＳ測定室内部で該絶縁性試料表面に該絶縁物に含まれていない金属成分を薄く成膜して、該絶縁性試料表面の帯電防止をはかる際に、装置付属のイオンエッチング装置と該絶縁試料に隣接配置した金属材料を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for treating an iron chloride based waste fluid capable of effectively recovering indium as a metal or its alloy from an iron chloride based waste fluid using a nitric acid-containing iron chloride based waste fluid not noticed heretofore as a treatment target in treatment of the iron chloride based waste fluid obtained by the etching or acid washing of a liquid crystal substrate or the like.例文帳に追加

液晶基板等をエッチング又は酸洗した塩化鉄系廃液の処理を行うに際し、これまで着目されていなかった硝酸を含有する塩化鉄系廃液を処理対象とし、当該塩化鉄系廃液からインジウムを金属単体又は合金として効果的に回収することが可能な塩化鉄系廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁

Several ten-several hundred variable wavelength laser media are shaped into a stripe shape with a width of 10-50 μm and a thickness of several μm to be parallelly arranged on a substrate 1 with a length of 10-20 mm and, irradiated with ultraviolet laser beam from two directions to form stripe patterns due to interference and cyclical unevennesses (diffraction lattices) are formed by an optical etching method.例文帳に追加

長さ１０〜２０ｍｍの基板１上に可変波長レーザー媒質を幅１０〜５０μｍ、厚さ数μｍのストライプ状に整形して数１０〜数１００本平行にならべ、それぞれに紫外レーザー光を２方向から照射して干渉による縞模様を作り、光エッチング法で周期的な凹凸（回折格子）を作る。 - 特許庁

This method for regenerating the etchant includes adding a deposition agent such as ammonium chloride, to a fatigued liquid which is discharged when etching a metal (ST2) including at least copper, with an etchant including at least ferric chloride and further hydrochloric acid, ammonium chloride, and the like, of predetermined concentration, and further concentrating and cooling it, to deposit a copper component dissolving in the fatigued liquid (ST3).例文帳に追加

少なくとも塩化第二鉄を含み、さらに所定濃度の塩酸や塩化アンモニウムなどを含むエッチング液を用いて、少なくとも銅を含む金属をエッチング処理した（ＳＴ２）ときに出される疲労液に、塩化アンモニウムなどの析出剤を添加し、さらに濃縮や冷却などを行って、疲労液中に溶解している銅成分を析出させる（ＳＴ３）。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed wiring board by an electrophotographic process which not only has easy resist stripping characteristics by including the inner wall of a through hole and/or a non-through hole even if the wiring board is manufactured by the electrophotographic process, but also can realize a high resolution in an etching step as compared with a conventional photoresist material.例文帳に追加

電子写真法によるプリント配線板の製造を行うに際しても、貫通孔または／及び非貫通孔の内壁を含めた容易なレジスト剥離特性を有するだけでなく、従来のフォトレジスト材料よりもエッチング工程における高解像力をも実現することが可能な、電子写真法によるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyimide film which, when applied for a metal wiring board substrate for a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape the surface of which is provided with a metal wiring, shows high elastic modulus, a low coefficient of thermal expansion, excellent alkali etching property and film formability; to provide its manufacturing method; and to provide a metal wiring circuit board comprising it as a substrate.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路、ＣＳＰ、ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性に優れたポリイミドフィルム、その製造方法およびそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

This preparation method of the sample for atom probe analysis has a step for preparing a ridged and grooved structure by performing etching machining of FIB onto both of a base needle 2 and an implantation sample piece 1, a step for bonding mutual members, and a step for sticking by deposition processing of FIB so that the ridged and grooved structure has an engaged form.例文帳に追加

本発明のアトムプローブ分析用試料の作製方法は、ベース針２と移植試料片１の双方にＦＩＢのエッチング加工によって凹凸構造を作製するステップと、互いの部材を接合させるステップと、前記凹凸構造が噛合い形態となるようにＦＩＢのデポジション加工によって接着するステップとを踏むものとした。 - 特許庁

The method of patterning the conductive tin oxide film using a solution containing a tin compound and a dopant compound soluble in an organic solvent, dissolved in the organic solvent comprises drying a dry film within the range of retaining solubility in a developer, exposing it to a light containing a ultraviolet region to make it insoluble in part and etching a non- exposed portion with the developer.例文帳に追加

有機溶媒に可溶なスズ化合物とドーパント化合物を該有機溶媒に溶解した溶液を用い、該乾燥膜が現像液に対する溶解性を保持する範囲内で乾燥して、紫外領域を含む光により露光することで部分的に不溶にし、現像液で未露光部をエッチングすることを特徴とする導電性酸化スズ膜のパターニング方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective mask, which can simply form a light shielding region and can achieve highly accurate pattern transfer, without increasing a manufacturing process such as resist coating, drawing, developing and etching, and without needing to prepare a special mask blank; an ion beam device for the reflective mask; and the reflective mask.例文帳に追加

本発明は、レジスト塗布、描画、現像、エッチング等の製造工程を増やすことなく、特殊なマスクブランクを準備する必要もなく、簡便に遮光領域を形成することが可能であり、高精度なパターン転写を実現することが可能な反射型マスクの製造方法、反射型マスク用イオンビーム装置、および反射型マスクを提供することを主目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

This method comprises a non-magnetic material filling process (S104) in which a concave part of the irregular pattern is filled by applying a non-magnetic material on the recording layer formed with the prescribed irregular pattern on a substrate, and a flattening process (S106) in which surplus non-magnetic material on the recording layer is removed by ion beam etching and the surface is flattened.例文帳に追加

基板上に所定の凹凸パターンで形成された記録層上に非磁性材を成膜することにより凹凸パターンの凹部を充填する非磁性材充填工程（Ｓ１０４）と、記録層上の余剰の非磁性材をイオンビームエッチングにより除去して表面を平坦化する平坦化工程（Ｓ１０６）と、を含む構成とした。 - 特許庁

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition.例文帳に追加

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This production method of the graphene conductive film includes: a first step of providing a metallic substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a second step of growing a graphene structure on the first surface of the metallic substrate; and a third step of patterning the metallic substrate by etching to form an electrode.例文帳に追加

本発明のグラフェン導電膜の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、エッチングによって、前記金属基材をパターニングして電極を形成させる第三ステップと、を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing a glazed substrate in which a glazed layer 2 is formed on a ceramic base 1 and in addition, a resist film 3 with a specified pattern is formed thereon and after an etching treatment, the resist film 3 is removed, by spraying sodium bicarbonate particles with a particle diameter of at most 250 μm with at least a pressurized liquid from a nozzle 5.例文帳に追加

セラミック基板１上にグレーズ層２を形成し、さらにその上に所定パターンのレジスト膜３を形成して、エッチング処理後にレジスト膜３を除去するグレーズ基板の製造方法において、ノズル５から粒子径が２５０μｍ以下の炭酸水素ナトリウム粒子を少なくとも加圧液体と共に吹付けてレジスト膜３を除去する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device is characterized in that the contact hole is filled with a conductive material without causing a defect inside when the contact hole is filled with the conductive material in a succeeding stage by removing by anisotropic etching the barrier layer formed in the opening area of the contact hole filled with the conductive material forming the connection line.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、接続線を形成する導電材料を埋め込むコンタクトホールの開口領域に形成されたバリア層を異方性エッチングにより除去することにより、後の工程で導電材料を埋め込むに際して、欠陥を内在させることなくコンタクトホールに導電材料を充填することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element to simplify processes and to improve productivity by selectively exposing amorphous indium tin oxide to light to convert into polycrystalline or crystalline indium tin oxide and selectively etching residual amorphous indium tin oxide to form a pixel electrode.例文帳に追加

前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的に光で露光して、多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化物に変換させ、残りの前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチングして画素電極を形成することにより、工程を単純化させて生産性を向上させ得る液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises steps of forming a film 40 on a semiconductor substrate 10, forming a mask having a predetermined pattern on the film 40, etching the film 40 or the semiconductor substrate 10 using the mask, and conducting a treatment with a chemical containing at least one of primary to quarternary amines and fluorine.例文帳に追加

半導体基板１０上に膜４０を形成するステップと、膜４０上に、所定のパターンを有するマスクを形成するステップと、マスクを用いて、膜４０又は半導体基板１０にエッチングを行うステップと、第１級乃至第４級アミンのうちの少なくとも１つと、フッ素とを含む薬液によって処理を行うステップとを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer board that has capabilities of forming a low-resistance embedding electrode without use of the etching process and bringing the low-resistance embedding electrode into contact with an ITO transparent electrode to reduce the wiring resistance of the ITO transparent electrode, while increasing the light passing through the multilayer board, and to provide a manufacturing method for such a multilayer board.例文帳に追加

エッチング工程を使用せずに、低抵抗の埋め込み電極を形成し、低抵抗の埋め込み電極をＩＴＯ透明電極に接触させて、ＩＴＯ透明電極の配線抵抗を低減させるとともに、多層基板を通過する光を増大する機能を有する多層基板及び多層基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the processing method, a photosensitive resin composition comprising a polybenzoxazole precursor and a photosensitive diazoquinone compound is applied, prebaked, exposed and developed to form a pattern, curing is carried out at a temperature higher than the prebaking temperature and lower than the final curing temperature, and after etching, the photosensitive resin composition is finally cured.例文帳に追加

ポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾキノン化合物からなる感光性樹脂組成物を塗布、プリベーク、露光、現像し、パターンを作成した後、プリベーク温度より高い温度、ただし、最終硬化温度より低い温度にて硬化を行い、その後、エッチングし、感光性樹脂組成物を最終硬化する感光性樹脂組成物の加工方法である。 - 特許庁

The diffraction element with high light utilization efficiency can be achieved by utilizing a crystal transparent substrate 20 with retardation; forming a birefringent film 24 of a polymer liquid crystal on the transparent substrate; forming periodic lattices 27 in the polymer liquid crystal film by photolithographic method and dry etching; and filling the uneven parts of the formed lattices with an isotropic material 28.例文帳に追加

位相差を有する水晶の透明基板２０を使用し、その上に高分子液晶の複屈折性膜２４を形成し、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により高分子液晶膜に周期的な格子２７を形成し、形成された格子の凹凸部を等方性材料２８で充填することで高い光利用効率を有する回折素子を実現した。 - 特許庁

The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.例文帳に追加

ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁

To provide a detergent composition for a fluorocarbon film which excels in the removal performance of a minute contamination particle adhering to the fluorocarbon film formed on a substrate and detachability after dry etching without corroding a metal and changing the physical property of the fluorocarbon film, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device using the detergent composition.例文帳に追加

本発明の目的は、基板上に成膜されたフルオロカーボン膜に付着した微小汚染物粒子の除去性能およびドライエッチング後の剥離性に優れ、金属を腐食せず、かつ該フルオロカーボン膜の物性を変化させることのない洗浄剤組成物、および、該洗浄剤組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of: laminating a first adhesive tape 20 on a circuit surface 13 side of a semiconductor wafer with a circuit formed on the surface; grinding the backside of the semiconductor wafer; laminating a second adhesive tape 30 on the first adhesive tape 20; and subjecting the backside of the semiconductor wafer to chemical etching.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面１３側に、第１の粘着テープ２０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、第１の粘着テープ２０上に第２の粘着テープ３０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.例文帳に追加

基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.例文帳に追加

このような電気光学装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.例文帳に追加

ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate without a core layer comprises (a) a step to form an insulating layer on the whole surface of a metallic sheet, (b) a step to form a via-hole on the insulating layer for interlayer electrical connection between the metallic sheet and other layer surface, and (c) a step to form many projected functional pads by etching the metallic sheet.例文帳に追加

（ａ）金属シートの一面に絶縁層を形成する段階と、（ｂ）上記絶縁層に上記金属シートと他面の層間電気的接続のためのビアホールを形成する段階と、及び（ｃ）上記金属シートをエッチングすることで突出された多数の機能パッドを形成する段階とを含むコア層のない基板製造方法が提供される。 - 特許庁

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁