「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(133ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.例文帳に追加

低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁

To provide a polyimide film having an excellent high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, alkali etching properties, and film-forming properties when the polyimide film is applied to a metallic wiring plate base for a flexible printing circuit applying a metallic wiring to its surface, CSP, BGA, or a TAB tape, and to provide a manufacturing method of the polyimide film, and a metallic wiring circuit plate using the film as a base.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路，ＣＳＰ，ＢＧＡまたはＴＡＢテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、アルカリエッチング性、および製膜性にも優れたポリイミドフィルム、その製造方法及びそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

To provide a thermosetting composition rich in pigment with a small amount of a resin used, suitable for etching, excellent in spectroscopic characteristics, pattern form's rectangularity and adhesion to lower and upper layers, and capable of thin-film formation, to provide a color filter and an image recording material each using the composition, and to provide a method for producing the color filter.例文帳に追加

エッチングに好適であり、分光特性、パターン形状の矩形性、並びに、下層および上層との密着性に優れ、かつ、薄膜化が可能であり、更に、樹脂の総使用量が少なく高濃度な顔料含有熱硬化性組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタ、画像記録材料およびカラーフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A laser irradiation microworking method comprises the steps of placing a metal material in the chemical solution, forming a passivity film on this metal front surface in the chemical solution, removing the passivity film by means of a laser ablation by selectively irradiating a laser beam, and removing a material by performing an etching action by the chemical solution with respect to only a part where the passivity film is removed.例文帳に追加

本発明は、金属材料を化学溶液中に置き、この金属表面に化学溶液中で不動態膜を形成し、そこにレーザー光を選択的に照射することにより、不動態膜をレーザーアブレーションにより除去し、不動態膜が除去された部分のみ化学溶液によるエッチング作用で材料除去を行う。 - 特許庁

This method of manufacturing the high-voltage transistor with the extended drain region comprises the formation of a first-conductivity type epitaxial layer 101 on a first-conductivity type substrate 10 and the etching of the epitaxial layer 101 to form a pair of spaced-apart trenches that define the first and second sidewall portions of the epitaxial layer 101.例文帳に追加

拡張ドレイン領域を有する高電圧トランジスタを作製する方法は、第一の導電型である基板１０上に第一の導電型であるエピタキシャル層１０１を形成し、そして、エピタキシャル層１０１をエッチングして、エピタキシャル層１０１の第一及び第二の側壁部を形成する一対の離間した溝部を形成することを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the device comprises simultaneously wet etching an overcoat 10 and a color filter 9, subsequently reflowing the overcoat 10 to form gentle inclination covering the side face of a contact hole and forming the shape of the contact hole that is connecting a pixel electrode and a drain electrode, as smoothly varying normally tapered so as to prevent the pixel electrode from being disconnected between levels.例文帳に追加

オーバーコート１０及びカラーフィルター９に対し、同時にウエットエッチングを行った後、オーバーコート１０をリフローさせ、コンタクトホール側面を覆って緩やかな傾斜を形成するようにし、画素電極とドレイン電極とを接続するコンタクトホールの形状を滑らかに変化した順テーパとすることで、画素電極に段切れが生じないようにする。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode sheet has a process of forming a conductive coating film by a conductive polymer solution containing π-conjugated conductive polymer, a soluble polymer, and a solvent on one face or both faces of an insulating transparent base material, and a process of forming the electrode part by dry-etching the conductive coating film.例文帳に追加

本発明の電極シートの製造方法は、絶縁性透明基材の片面または両面に、π共役系導電性高分子、可溶化高分子及び溶媒を含有する導電性高分子溶液により導電性塗膜を形成する工程と、該導電性塗膜をドライエッチングして電極部を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This method of manufacturing the slit which forms an electron beam in a desired shape is provided with a cavity-forming step in which a cavity is formed in the substrate surface, and a through-hole-forming step in which a through hole smaller than the bottom face of the cavity is formed in the bottom face of the cavity with an anisotropic wet etching from the backside of the substrate.例文帳に追加

電子ビームを所望の形状に成形するスリットを製造するスリット製造方法であって、基板の表面に溝部を形成する溝部形成段階と、基板の裏面から、溝部の底面に、溝部の底面の大きさより小さい貫通孔を、異方性ウェットエッチングにより形成する貫通孔形成段階とを備える。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor pressure sensor forms on a sacrificial layer 16 a lamination structure which includes a polysilicon diaphragm 6, a polysilicon gauge resistance 4b formed on a space 13 side to be a vacuum chamber below the diaphragm, and a group of insulator films 3, 5, 7 having an etching liquid introduction hole 15 that incorporates the diaphragm and resistance and are in contact with the sacrificial layer 16.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法は、ポリシリコンダイヤフラム６と、その下方の真空室となるべき空間１３側に形成されたポリシリコンゲージ抵抗４ｂと、これらを内包し、犠牲層１６と接するエッチング液導入孔１５を有する絶縁膜群３，５，７とを含む積層構造を、犠牲層１６上に形成する。 - 特許庁

A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching.例文帳に追加

Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。 - 特許庁

To provide copper foil for a plasma display panel (PDP) which excels in shielding characteristics of effectively shielding electromagnetic waves, near IR rays, stray light, external light, etc., and has characteristics, such as a uniform surface of a blackening treatment film free of occurrence of uneven stripes, good etching properties, absence of peeling off by powder drop, and sufficient blackening, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

電磁波、近赤外線、迷光、外光等を効果的に遮断するシールド特性に優れ、かつ黒化処理被膜の面が均一でスジむらの発生が少ないこと、エッチング性が良好であること、粉落ちによる剥離がないこと、黒化が十分である等の特性を持つプラズマディスプレーパネル（ＰＤＰ）用銅箔及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor device wherein a circuit board 4 is stuck on a function surface of a semiconductor element 3, bonding pads 2 of the semiconductor element and a circuit pattern 7a of the circuit board are connected through electrical conductor, a bridge is formed for connection through the electrical conductor by etching a conductor layer, crossing a window part which is formed on the circuit board 4.例文帳に追加

半導体素子３の機能面に回路基板４が貼着され、半導体素子のボンディングパッド２と回路基板の回路パターン７ａが電気導体により接続された半導体装置の製造方法において、電気導体による接続のために回路基板に設けた窓部を横切って導体層のエッチングによりブリッジを形成する。 - 特許庁

This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic.例文帳に追加

エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: (a) forming a resin layer 20 on a semiconductor substrate 10 with an integrated circuit 12 by patterning; (b) curing the resin layer 20; (c) forming a resist layer 24 in a manner to cover the resin layer 20; and (d) dry-etching the resist layer 24 and the resin layer 20 until the resin layer 20 is exposed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）集積回路１２が形成された半導体基板１０に、樹脂層２０をパターニングして設けること、（ｂ）樹脂層２０を硬化させること、（ｃ）レジスト層２４を、樹脂層２０を覆うように設けること、（ｄ）レジスト層２４及び樹脂層２０を、樹脂層２０が露出するまでドライエッチングすること、を含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor comprises the steps of forming (etching to cut-surface chemical conversion, carbonization process) a capacitor element having an anode body with an anode oxide film formed on its surface, impregnating an oxide reagent to the capacitor element by immerging the capacitor element in an oxide reagent solution, and then impregnating a monomer to the capacitor element by immerging the capacitor element in a monomer soluion.例文帳に追加

表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、該コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸）、その後、該コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、該コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸）。 - 特許庁

To produce an inexpensive base stock for a lead frame provided with mechanical strength that a lead material is not easily deformed, capable of radiating the heat generation of an element with high efficiency, excellent in electric characteristics and good in etching and punching properties needed for the pattern formation of a lead frame, to provide a method for producing it and to provide a semiconductor package using it.例文帳に追加

リード材が容易に変形しないような機械的強度を備え、素子の発熱に対して効率よく放散することができ、電気的特性に優れ、リードフレームのパターン形成に必要なエッチング性や打ち抜き性が良好であり，且つ安価であるリードフレーム用素材とその製造方法と、それを用いた半導体パッケージとを提供すること。 - 特許庁

To provide a processing method after a development processing of a base material for manufacturing wiring plate which can remove sticky foreign matters adhered to a surface of the base material after the exposure processing and the development processing of a photosensitive resin coat formed on the base material, and which can prevent occurrence of circuit forming defect such as short circuit when a circuit is formed by an etching processing.例文帳に追加

基材に形成した感光性樹脂皮膜の露光・現像処理後に基材表面に付着した粘着性の異物を除去することができ、エッチング処理による回路形成時にショートサーキット等の回路形成不良の発生を防止することができる配線板製造用の基材の現像処理後の処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁

The method has a process for making a region, which becomes the channel of a single-crystal silicon layer of a semiconductor substrate where the single-crystal silicon layer is formed in a surface thereof thinner than other regions, a process for introducing vacant lattice defects into the single-crystal silicon layer and a process for etching the surface of the single-crystal silicon layer chemically.例文帳に追加

表面に単結晶シリコン層が形成された半導体基板の前記単結晶シリコン層のチャネルとなる領域の膜厚を他の領域よりも薄くする工程と、前記単結晶シリコン層に空格子欠陥を導入する工程と、前記単結晶シリコン層の表面を化学的にエッチングする工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Also, a first core waveguide 43 with a metallic film 50 placed on is covered by a first clad layer film 44, since the metallic film 50 on the first core waveguide 43 is removed by etching after the first clad layer film 44 is removed and flattened by a CMP method to form a first clad layer 51, the first core waveguide 43 is never damaged.例文帳に追加

また、第１コア導波路４３の上に金属膜５０を付けたまま第１クラッド層用膜４４で覆い、ＣＭＰ法により第１クラッド層用膜４４を除去、平坦化して第１クラッド層５１を形成した後で第１コア導波路４３上の金属膜５０をエッチングにより除去するので、第１コア導波路４３にダメージを与えることがない。 - 特許庁

In a method of manufacturing the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium, the ring-shaped glass substrate for the magnetic recording medium is obtained by selectively using a virtually flat portion other than a polished edge portion 2 out of a glass substrate 1 after the surface is mirror polished, and by form-processing the glass substrate 1 by chemical etching.例文帳に追加

円環状の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法において、表面を鏡面研磨した後のガラス基材１のうち、研磨端部２以外の実質的に平坦な部分を選択的に用いて、ガラス基材１を化学エッチングにより形状加工して、円環状の磁気記録媒体用ガラス基板を得ることを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problems relating to a yield and reliability caused by the cracks of a glass substrate or the like due to the exposure of the entire cutting area during dicing, in a method of manufacturing a semiconductor device, which has a process of bonding the glass substrate on the first surface of a semiconductor substrate, and etching the semiconductor substrate from the second surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の第１の面上にガラス基板を接着して、当該半導体基板の第２の面から当該半導体基板をエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、ダイシング時の切断領域全体を露出することによるガラス基板等のクラック等に基づく歩留上、信頼性上の問題の解決を図る。 - 特許庁

For forming a light transmission path with SiO2, a mask such as resist pattern is formed on the substrate 1, a well in semicircular form is formed by etching the substrate 1 using the mask, SiO2 exhibiting flowability is grown in the shape of the cross section of a round using the mask through a liquid phase CVD method, and SiO2 is solidified.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 で光伝送路を形成するには、基板上にレジストパターンなどのマスクを形成し、このマスクを用いて基板をエッチングすることにより半円形の溝を形成し、このマスクを用いて液相ＣＶＤ法により溝の部分に流動性を有するＳｉＯ_2 を円形の断面形状に成長させた後、このＳｉＯ_2 を固化させる。 - 特許庁

A method of manufacturing the ferroelectric capacitor according to this invention comprises the steps of: forming a platinum film, an electrode material, on the whole surface of a silicon substrate; forming facing electrodes which are a pair of capacitor electrodes obtained by collectively etching the platinum film; and embedding the ferroelectric film, a dielectric film of the capacitor, into a portion pinched between a pair of the facing electrodes.例文帳に追加

本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、シリコン基板上の全面に電極材料となる白金膜を形成し、白金膜を一括エッチングして一対のキャパシタ電極となる対向電極を形成し、キャパシタの誘電体膜である強誘電体膜を一対の対向電極の間の挟まれる部分に埋め込むようにしたものである。 - 特許庁

Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the method includes a step of irradiating the resist pattern with light in the photosensitive wavelength region of the photosensitive agent through a photomask, a step of etching the material worked by using the resist pattern as a mask, and a step of removing the resist pattern formed on the material.例文帳に追加

また、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパターンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁

The microlens array substrate 1 includes, in the surface of a quartz substrate or a glass substrate, a microlens array 8 constituted of a plurality of continuous concave microlenses 11 and an alignment mark 7 formed outside a microlens array region, wherein the microlens array 8 and the alignment mark 7 are simultaneously formed by a transfer method through dry etching.例文帳に追加

本発明に係るマイクロレンズアレイ基板１は、石英基板またはガラス基板の表面内に、連続した複数の凹レンズ状のマイクロレンズ１１からなるマイクロレンズアレイ８と、マイクロレンズアレイ領域外に形成されたアライメントマーク７を有し、マイクロレンズアレイ８及びアライメントマーク７が、ドライエッチングによる転写法で同時に形成されて成る。 - 特許庁

In addition, by providing a method of manufacturing a flat panel display through the steps of patterning a gate electrode, a source/drain electrode and a pixel electrode by using the etching liquid composition, the step can be further simplified, thus making it possible to reduce a production cost and improve productivity.例文帳に追加

また、前記エッチング液組成物を利用して、互いに異なる導電物質からなるゲート電極、ソース／ドレイン電極及び画素電極をパターニングする工程を行ってフラットパネルディスプレイを製造する方法を提供することによって、工程をさらに単純化させることができ、生産費用の低減と生産性の向上を期待することができる。 - 特許庁

Through the use of an SOI wafer prepared by pasting the silicon wafers to each other, the structure which is durable, hardly destroyed by physical forces, and capable of offsetting the stress of a silicon thermal oxidation film without using a silicon nitride film formed by a CVD method, etc., is executed by partially removing the upper and lower silicon wafers by etching.例文帳に追加

本発明ではシリコンウェハーを張り合わせて作製されたＳＯＩウェハーを利用して、丈夫で物理力で破壊されにくく、かつ、ＣＶＤ法などで形成されるシリコンチッ化膜を用いないでシリコン熱酸化膜の応力を相殺する事ができる構造を、上下のシリコンウェハーを部分的にエッチングで除去することにより実施した。 - 特許庁

This method comprises a step for executing a selective etching process using TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxide) to form a plurality of trenches with slow inclination of the side surface, and a step for forming a gate pattern at the top of the substrate so that at least the inclination part of the trench acts as a part of a channel.例文帳に追加

本発明は、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ−Ｍｅｔｈｙｌ−Ａｍｍｏｎｉｕｍ−Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いた選択的エッチング工程を実施し、側面の傾斜が緩慢な複数のトレンチを形成するステップと、少なくとも前記トレンチの傾斜部分がチャネルの一部になるように前記基板上部にゲートパターンを形成するステップとを含む。 - 特許庁

In a method of manufacturing the probe, a recess exposed by a sacrifice layer is formed with a resist on the sacrifice layer on the pedestal, after a probe material is accumulated in the recess to form the probe, the resist is removed, the sacrifice layer is removed by performing etching treatment and leaving part thereof, and the probe held on the pedestal by the remaining part includes being peeled from the pedestal.例文帳に追加

基台上の犠牲層の上に該犠牲層が露出する凹所をレジストで形成し、該凹所にプローブ材料を堆積してプローブを形成した後、レジストを除去し、さらにエッチング処理により、犠牲層をその一部を残して除去し、その残部で基台上に保持されたプローブを基台上から剥離することを含むプローブの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element to simplify processes and to improve productivity by selectively exposing amorphous indium tin oxide to light to convert into polycrystalline or crystalline indium tin oxide and selectively etching residual amorphous indium tin oxide to form a pixel electrode.例文帳に追加

前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的に光で露光して、多結晶質または結晶質インジウム−スズ酸化物に変換させ、残りの前記非晶質インジウム−スズ酸化物を選択的にエッチングして画素電極を形成することにより、工程を単純化させて生産性を向上させ得る液晶表示素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer board that has capabilities of forming a low-resistance embedding electrode without use of the etching process and bringing the low-resistance embedding electrode into contact with an ITO transparent electrode to reduce the wiring resistance of the ITO transparent electrode, while increasing the light passing through the multilayer board, and to provide a manufacturing method for such a multilayer board.例文帳に追加

エッチング工程を使用せずに、低抵抗の埋め込み電極を形成し、低抵抗の埋め込み電極をＩＴＯ透明電極に接触させて、ＩＴＯ透明電極の配線抵抗を低減させるとともに、多層基板を通過する光を増大する機能を有する多層基板及び多層基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises steps of forming a film 40 on a semiconductor substrate 10, forming a mask having a predetermined pattern on the film 40, etching the film 40 or the semiconductor substrate 10 using the mask, and conducting a treatment with a chemical containing at least one of primary to quarternary amines and fluorine.例文帳に追加

半導体基板１０上に膜４０を形成するステップと、膜４０上に、所定のパターンを有するマスクを形成するステップと、マスクを用いて、膜４０又は半導体基板１０にエッチングを行うステップと、第１級乃至第４級アミンのうちの少なくとも１つと、フッ素とを含む薬液によって処理を行うステップとを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

In the processing method, a photosensitive resin composition comprising a polybenzoxazole precursor and a photosensitive diazoquinone compound is applied, prebaked, exposed and developed to form a pattern, curing is carried out at a temperature higher than the prebaking temperature and lower than the final curing temperature, and after etching, the photosensitive resin composition is finally cured.例文帳に追加

ポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾキノン化合物からなる感光性樹脂組成物を塗布、プリベーク、露光、現像し、パターンを作成した後、プリベーク温度より高い温度、ただし、最終硬化温度より低い温度にて硬化を行い、その後、エッチングし、感光性樹脂組成物を最終硬化する感光性樹脂組成物の加工方法である。 - 特許庁

The diffraction element with high light utilization efficiency can be achieved by utilizing a crystal transparent substrate 20 with retardation; forming a birefringent film 24 of a polymer liquid crystal on the transparent substrate; forming periodic lattices 27 in the polymer liquid crystal film by photolithographic method and dry etching; and filling the uneven parts of the formed lattices with an isotropic material 28.例文帳に追加

位相差を有する水晶の透明基板２０を使用し、その上に高分子液晶の複屈折性膜２４を形成し、フォトリソグラフィ法とドライエッチング法により高分子液晶膜に周期的な格子２７を形成し、形成された格子の凹凸部を等方性材料２８で充填することで高い光利用効率を有する回折素子を実現した。 - 特許庁

The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.例文帳に追加

ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁

To provide a detergent composition for a fluorocarbon film which excels in the removal performance of a minute contamination particle adhering to the fluorocarbon film formed on a substrate and detachability after dry etching without corroding a metal and changing the physical property of the fluorocarbon film, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device using the detergent composition.例文帳に追加

本発明の目的は、基板上に成膜されたフルオロカーボン膜に付着した微小汚染物粒子の除去性能およびドライエッチング後の剥離性に優れ、金属を腐食せず、かつ該フルオロカーボン膜の物性を変化させることのない洗浄剤組成物、および、該洗浄剤組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes the steps of: laminating a first adhesive tape 20 on a circuit surface 13 side of a semiconductor wafer with a circuit formed on the surface; grinding the backside of the semiconductor wafer; laminating a second adhesive tape 30 on the first adhesive tape 20; and subjecting the backside of the semiconductor wafer to chemical etching.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面１３側に、第１の粘着テープ２０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、第１の粘着テープ２０上に第２の粘着テープ３０を積層する工程と、該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

The pattern forming method includes: a step of selectively forming an under active layer containing a polymerization initiator on a surface of a layer to be etched on a substrate; a step of forming a polymer layer on the under active layer by living radical polymerization of an organic monomer; and a step of selectively etching the layer to be etched through the polymer layer as a mask.例文帳に追加

基材の被エッチング層表面に重合開始剤を含む下地活性層を選択的に形成する工程と、有機モノマーをリビングラジカル重合させて前記下地活性層に重合体層を形成する工程と、前記重合体層をマスクとして前記被エッチング層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

This manufacturing method for the electrooptical device includes a forming process for forming a pattern including wires, TFTs, etc., on the TFT array substrate, a process for flattening the top surface of a laminated body on the substrate including the pattern, and a process for forming the projections by processing the flattened top surface by photolithography and etching.例文帳に追加

このような電気光学装置の製造方法は、ＴＦＴアレイ基板上に、配線やＴＦＴ等を含むパターンを形成する形成工程と、このパターンを含む基板上の積層体の上面を平坦化する工程と、この平坦化された上面に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより、凸部を形成する工程とを含む。 - 特許庁

This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.例文帳に追加

ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method for the substrate without a core layer comprises (a) a step to form an insulating layer on the whole surface of a metallic sheet, (b) a step to form a via-hole on the insulating layer for interlayer electrical connection between the metallic sheet and other layer surface, and (c) a step to form many projected functional pads by etching the metallic sheet.例文帳に追加

（ａ）金属シートの一面に絶縁層を形成する段階と、（ｂ）上記絶縁層に上記金属シートと他面の層間電気的接続のためのビアホールを形成する段階と、及び（ｃ）上記金属シートをエッチングすることで突出された多数の機能パッドを形成する段階とを含むコア層のない基板製造方法が提供される。 - 特許庁

The above method comprises a first step to form a diffusion layer on a crystalline silicon substrate whose conductivity type is opposite to that of the diffusion layer, a second step to remove a part of the diffusion layer by etching using sodium silicate (Na_2SiO_3), and a third step to form a first electrode electrically connected to the diffusion layer and a second electrode electrically connected to the substrate.例文帳に追加

結晶系シリコン基板に逆導電型層となる拡散層を形成するステップと、この拡散層の一部を珪酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳｉＯ_３）でエッチング除去するステップと、この拡散層と電気的に接続する第１の電極及び前記基板と電気的に接続する第２の電極を形成するステップとを備える。 - 特許庁