「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(130ページ目) - Weblio英語例文検索

To the hydrophilization method for a metallic surface, a first stage in which a metallic surface is subjected to chemical etching treatment accompanied by film deposition and a second stage in which the film deposited on the metallic surface is chemically removed are applied to roughen the metallic surface, and after that, a hydrophilic film is deposited on the metallic surface.例文帳に追加

金属表面に皮膜形成を伴う化学エッチング処理を行う第一工程と、金属表面に形成された該皮膜を化学的に除去する第二工程とを施すことによって金属表面を粗面にし、その後該金属表面に親水性皮膜を形成させる金属表面の親水化処理方法である。 - 特許庁

This method comprises a step for forming a low dielectric constant insulating film 5 on a semiconductor substrate 1, a step for forming a resist pattern 6 on the low dielectric constant insulating film, a step for etching the low dielectric constant insulating film 5 with the resist pattern as a mask, and a step for peeling the resist pattern 6 by plasma treatment with ammonium ions.例文帳に追加

半導体基板１上に低誘電率絶縁膜５を形成する工程と、低誘電率絶縁膜上にレジストパターン６を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして低誘電率絶縁膜をエッチングする工程と、アンモニウムイオンによるプラズマ処理によってレジストパターン６を剥離する工程と、を備えている。 - 特許庁

The upper surface 10 side of the substrate 1 is polished at the same time when etching it by a mechanical polishing method, so that the part of the sheet metal layer 4 and the metal plating layer 5 which is formed on the upper surface 10 of the substrate 1 is polished and removed, resulting in forming through-hole electrodes 3 and 3 in the through-holes 2 and 2 of the substrate 1.例文帳に追加

その後、基板１の上面１０側を化学的機械的ポリッシング法によってエッチングと同時に研磨を行い、シートメタル層４及び金属めっき層５のうち基板１の上面１０に形成された部分を研磨除去し、スルーホール電極３，３を基板１のスルーホール２，２に形成する。 - 特許庁

Vertical groove shields 11a and lateral groove shields 11b are formed by irradiating a photosensitive glass 1 with ultraviolet rays with a mask by an ultraviolet-ray mask exposure method, processing the glass, etching it with an acid, making grooves shaped like a lattice in the direction of the incidence of X rays and filling and encapsulating the powder of heavy metal like tungsten into the grooves.例文帳に追加

感光性ガラス１に紫外線マスク露光法によりマスクを用いて紫外光を照射し、現像処理し、酸でエッチングして、格子状の溝をＸ線入射方向に形成し、その溝にタングステン等の重金属粉を充填封入し、縦溝遮蔽１１ａと横溝遮蔽１１ｂを形成する。 - 特許庁

In order to express the adhesion of the plated layer, since the fiber treated with the coating agent in advance is used, in the gold coated fiber or the structure thereof, the surface of the fiber and the gold coated layer adhere to each other through a coated layer and the strength retention of the fiber is high, because the method does not include the etching step.例文帳に追加

めっき層の密着性を発現させるために、あらかじめ被覆剤で処理した繊維を用いるため、金めっきされた繊維またはその構造体は、繊維の表面と金めっき層が繊維の被覆層を介して密着しており、エッチング工程を持たないため繊維の強度保持率が高い。 - 特許庁

To provide a recycling method of continuously and effectively peeling nickel from the scrap of copper or a copper alloy plated with nickel without using an expensive peeling liquid having the short life or also without etching the copper or copper alloy after the peeling operation, and using the scrap of the copper or copper alloy from which a plated nickel film has been peeled, as a raw material for producing copper or a copper alloy.例文帳に追加

高価で寿命の短い剥離液を使用せず、剥離後のエッチングもすることなく、連続して効率良く、ニッケルめっきが施された銅又は銅合金屑からニッケルを剥離し、ニッケルめっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for improving operating characteristics and process yield by preventing generation of an etching residue or a damage of a semiconductor substrate and preventing an oxidation of a tungsten layer by a high temperature step such as an ion implantion for forming an LDD region and a source/drain regions.例文帳に追加

食刻残留物が発生するか又は半導体基板が損傷されることを防止し、LDD領域及びソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入工程等の高温工程により前記タングステン層が酸化する現象を防止し、素子の動作特性及び工程収率を向上させる技術を提供する。 - 特許庁

In the pore machining method of the diamond, an oxide film 2 is formed on the diamond base material 1, and a part of the diamond base material is exposed by forming the pore 5 by irradiating a focused ion beam 3 on the oxide film 2, and the etching by plasma is performed on the exposed diamond base material 1.例文帳に追加

ダイヤモンド基材１に酸化物被膜２を形成し、該酸化物被膜２に集束イオンビーム３の照射を行って孔５を形成して該ダイヤモンド基材１の一部を露出させ、露出させた該ダイヤモンド基材１にプラズマによるエッチングを行うことを特徴とする、ダイヤモンドの細孔加工方法である。 - 特許庁

The method includes a step of etching part of the semiconductor layer from between the source electrode 9 and the drain electrode 12, a step of performing He plasma treatment on the partially etched semiconductor layer from between the electrodes 9 and 12, and a step of performing H_2 plasma treatment on the semiconductor layer after the He plasma treatment.例文帳に追加

そして、ソース電極９とドレイン電極１２との間から半導体層の一部をエッチングする工程と、ソース電極９とドレイン電極１２との間から一部をエッチングされた半導体層にＨｅプラズマ処理を施す工程と、Ｈｅプラズマ処理後に、半導体層にＨ_２プラズマ処理を施す工程とを備える。 - 特許庁

To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.例文帳に追加

半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

A buried layer 34 is formed through a process of applying material of low viscosity on the ferroelectric film 32 formed through an MOCVD method, then the whole surface of the buried layer 34 is subjected to anisotropic etching to remove projection tops on the surface of the ferroelectric film 32, and then the buried layer 34 left on the surface of the ferroelectric film 32 is removed.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤにより形成した強誘電体膜３２上に、低粘度の材料を塗布して埋め込み層３４を形成し、次いで、全面を異方性エッチングして強誘電体膜３２表面の凸部頂上を除去し、次いで、強誘電体膜３２表面に残存する埋め込み層３４を除去する。 - 特許庁

In the forming method, a dispersion solution containing metal particles whose mean particle diameter is ≤100nm is coated on the surface of a base material to form a coating film, and it is dried under the condition of maintaining the range where the mean particle diameter is ≤500nm on the coating film after drying, pattern-formed into a prescribed plane shape by etching and calcined.例文帳に追加

形成方法は、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属粒子を含む分散液を、基材の表面に塗布して塗膜を形成し、乾燥後の塗膜における平均結晶粒径が５００ｎｍ以下の範囲を維持する条件で乾燥させ、エッチングによって、所定の平面形状にパターン形成した後、焼成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for manufacturing a piezoelectric vibration piece, which is capable of suppressing variations in the thickness between recessed parts generated in initial etching within a prescribed range reliably and in a short time, without adding the step of sticking a porous thick plate on a wafer in the midway of a conventional manufacturing step or other steps.例文帳に追加

従来の製造工程の途中でウェハへの貼り付け工程等を追加せずに、さらに初回のエッチングで生じた各凹陥部の厚みのばらつきを確実に且つ短時間で、あらかじめ設定された範囲内に収めることのできる圧電振動片の製造方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition simultaneously satisfying sensibility, high resolution, a pattern profile, line edge roughness and dry etching resistance, particularly in lithography using an electron beam, an X-ray or EUV light as an exposure light source, as well as a resist film and a patterning method using the composition.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、高解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method for the optical member for EUVL is characterized in that the optical plane of an optical member for EUVL made of a quartz glass material having OH concentration of ≥100 ppm, essentially consisting of SiO_2 and comprising TiO_2 is subjected to GCIB (Gas Cluster Ion Beam) etching using a source gas comprising at least either fluorine or chlorine.例文帳に追加

ＯＨ濃度が１００ｐｐｍ以上で、ＴｉＯ_2を含有し、ＳｉＯ_2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶＬ用光学部材の光学面に、フッ素または塩素の少なくとも一方を含有するソースガスを用いたＧＣＩＢエッチングを施すことを特長とするＥＵＶＬ用光学部材の表面処理方法。 - 特許庁

To favorably obtain an extinction characteristic, in metal fine particle-dispersed type polarizing glass, and to stably enhance mass-productivity, by manufacturing an aggregate of metal elementary pieces arranged with an island shape by a process using a nano-ion-print lithography and a reactive ion etching method, not through a process of drawing, reduction and the like of glass.例文帳に追加

金属微粒子分散型偏光ガラスにおいて、その消光特性を良好に得ると共に、ガラスの延伸、還元等の工程を経ずに、島状に配設された金属素片の集合体をナノインプリントリソグラフィと反応性イオンエッチング法を用いた工程で作製することにより安定な量産性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an efficient processing method and its device that realize uniform processing without bluntness of the pattern border area and can perform plural pattern processing at the same time in implementing deposition processing or etching processing of prescribed patterns using the focusing ion beam device.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、パターン境界領域の鈍りが出ない均一な加工を実現し、複数のパターン加工を同時に実行出来る効率的な加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device includes; a resist pattern forming step of forming a resist pattern by forming a resist film on a surface to be processed, with the resist composition, exposing and developing the resist film; and a patterning step of patterning the surface to be processed, by etching through the resist pattern as a mask.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing overlap of a doped region by cell channel ion implantation with a junction region by source/drain ion implantation and damage of a substrate in isotropic etching for formation of a valve pattern of a valve-shaped recess, improving refreshing characteristics of the element, and stabilizing a process.例文帳に追加

セルチャネルイオン注入によるドーピング領域とソース／ドレインイオン注入による接合領域とのオーバーラップ、及び、バルブ型リセスのバルブパターン形成のための等方性エチング時の基板の損傷を防止し、素子のリフレッシュ特性の改善及び工程の安定化が可能な半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the frequency adjustment method for the SAW chip 110 to adjust the frequency characteristic of the SAW chip 110, resulting from forming an electrode 112 to a crystal substrate 111, the frequency is adjusted by etching an electrode which forms the face of the SAW chip 110 with a mixed gas of an inert gas and oxygen gas.例文帳に追加

水晶基板１１１に電極１１２を形成したＳＡＷチップ１１０の周波数特性を調整するＳＡＷチップ１１０の周波数調整方法において、ＳＡＷチップ１１０における電極形成面を、不活性ガスと酸素ガスの混合ガスによってエッチングすることにより周波数調整を行う。 - 特許庁

That is, a micro crystal defect existing in the surface layer part of the silicon wafer is actualized to be counted, by etching the silicon wafer surface selectively after forming the nitride film on the silicon wafer surface, in this method of inspecting the crystal defect in the surface layer part of the silicon wafer of the present invention.例文帳に追加

すなわち、本発明は、検査対象シリコンウェハ表面に窒化膜を形成した後、該シリコンウェハ表面を選択エッチングすることによりシリコンウェハ表層部に存在する微小な結晶欠陥を顕在化させて計数することを特徴とするシリコンウェハ表層部結晶欠陥検査方法である。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a base layer and flattened film are removed by photolithography and etching around a predetermined region 70, and there is formed a protrusion 51 that not only includes the predetermined region 70 but also has a side surface which is curved or twisted along structures 62, 64 viewed from the thickness direction of the base layer.例文帳に追加

フォトリソグラフィ及びエッチングによって、基体層及び平坦化膜を所定領域７０の周囲において除去し、所定領域７０を含むと共に、基体層の厚み方向から見て、構造物６２，６４に沿うように湾曲又は屈曲した側面を有する凸状部５１を形成する。 - 特許庁

The method is provided with a process of introducing gas containing fluorinated silicon-based gas whose F/Si ratio is larger than 0 and smaller than 4 to a vacuum container with gas containing HBr, gas containing O_2 and gas containing NF_3 and/or SF_6 for etching a single crystal silicon film 1 with an insulation film 8 of a prescribed pattern as a mask.例文帳に追加

真空容器中に、ＨＢｒを含有するガス、Ｏ_２を含有するガス、ＮＦ３及び／又はＳＦ_６を含有するガスとともに、Ｆ／Ｓｉ比が０を超えて４未満であるフッ化シリコン系ガスを含有するガスを導入し、所定パターンの絶縁膜８をマスクとして、単結晶シリコン膜１をエッチングする工程を備える。 - 特許庁

In a roughening device of a substrate for a solar battery wherein the tray for mounting a plurality of substrates for a solar battery is arranged in order to roughen surfaces of the plurality of substrates collectively by using a dry etching method, pads for fixing the substrates which are smaller than the substrates for the solar battery are arranged on the tray.例文帳に追加

複数枚の太陽電池用基板の表面をドライエッチング法で一括して粗面にするために複数枚の太陽電池用基板を載置するトレイを設けた太陽電池用基板の粗面化装置において、前記トレイ上に前記太陽電池用基板より小さい基板固定用パッドを設けた。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a trench gate structure, which is capable of removing a trench forming mask material by etching while protecting a gate insulating film and making cells finer than that in a case where a trench gate electrode is set T-shaped in cross section.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ゲート絶縁膜を保護しながらトレンチ形成用のマスク材をエッチング除去することができ、かつ、トレンチゲート電極の断面をＴ字形状とした場合よりも、セルを微細化することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Moreover, the method for manufacturing the substrate for the magnetic recording medium including a coring step of obtaining a plurality of doughnut-shaped substrates having an outer diameter ≤65 mm by coring a monocrystalline silicon wafer having a diameter 150 to 300 mm subjected to the heat history and/or etching at least onc times or more is provided.例文帳に追加

また、本発明は、一回以上の熱履歴及び／又はエッチングを経た直径１５０ｍｍ以上で３００ｍｍ以下の単結晶シリコンウェハをコア抜き加工して外径６５ｍｍ以下の複数のドーナツ状基板を得るコア抜き工程を含んでなる磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, an etching process to the single crystal silicon layer 10b of a substrate which requires a long time, and film deposition of the piezoelectric material layer 34 by a hydrothermal crystallization method are performed simultaneously, by which time required for one process is shortened, and improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost are attained.例文帳に追加

更に、長時間を要する基板の単結晶シリコン層１０ｂに対するエッチング処理と水熱合成法による圧電体層３４の成膜とを同時に行うことで、一方の工程に要する時間を短縮することが可能となり、生産効率の向上と製造コストの削減とを図ることができる。 - 特許庁

The sample preparing method includes the process for forming an island-like structure by applying groove processing to a substrate, the process for applying isotoropic etching processing to the island-like structure to form needle-like bodies and the process for forming an analyzing target at least to the leading end parts of the needle-like bodies in a film-like state.例文帳に追加

本発明の試料の作製方法は、基板に溝加工を施す事により島状構造体を形成する工程と、前記島状構造体に等方性エッチング処理を施し針状体を形成する工程と、前記針状体の少なくとも先端部に分析対象を膜状に形成する工程と、を備える。 - 特許庁

In a method of cleaning the reaction vessel of an epitaxial growth device, vapor-phase etching by gas including hydrogen chloride is performed for cleaning within the reaction vessel of an epitaxial growth device; and then the temperature of a susceptor within the reaction vessel is set between 400°C and 800°C, to circulate a gas including silane within the reaction vessel.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を４００℃以上８００℃以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。 - 特許庁

The method comprises a process for coating an uneven wafer surface with a photoresist layer, to cover the undesirable characteristics in the structure of the wafer for coating to a uniform height and for obtaining the substantially flat upper surface of the photoresist layer; and a process for etching the photoresist 40, having substantially the same rate and an insulating layer 30.例文帳に追加

第１に、凸凹なウェーハ表面上にフォトレジスト層を塗布してウェーハの望ましくない構造的特徴を覆って均一な高さにコーティングし、実質的に平坦なフォトレジスト層の上部表面を得る工程と、第２に、実質的に同率にフォトレジスト４０および絶縁層３０をエッチングする工程と、から成る。 - 特許庁

The method for manufacturing an integrated circuit device according to an embodiment comprises the steps of: etching a metal member by using a gas containing halogen; forming a silicon oxide film so as to cover an etched surface of the metal member, without exposing the etched metal member to the atmosphere; and removing the silicon oxide film.例文帳に追加

実施形態に係る集積回路装置の製造方法は、ハロゲンを含むガスを用いて金属部材をエッチングする工程と、エッチングされた前記金属部材を大気に曝すことなく、前記金属部材のエッチング面を覆うようにシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing semiconductor, after forming a metal interconnection layer 100 on a substrate 10, and after flattening the surface of the layer 100, an insulative stopper film 16 superior to etching resistance is formed on the surface of the layer 100, and sequentially a new metal wiring layer 200 is formed on the film 16.例文帳に追加

基板１０上に金属配線層１００を形成した後、その金属配線層１００表面を平坦化した後、その金属配線層１００表面に耐エッチング性に優れた絶縁性のストッパー膜１６を成膜してからそのストッパー膜１６上に新たな金属配線層２００を順次形成する。 - 特許庁

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface.例文帳に追加

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the influence of damages given to a low-k film by a dry etching plasma used for forming via holes or wiring grooves or ashing performed for peeling a photoresist can be eliminated at the time of forming metallic wiring of Cu, etc., by burying the wiring in the low-k film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜にＣｕなどの金属配線を埋め込み形成する際に、ビアホールや配線溝を形成するためのドライエッチング用プラズマあるいはフォトレジストを剥離するためのアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For the method of manufacturing the semiconductor element, more specifically, a technique is disclosed in which a reflection preventing film containing silicon is formed, and then, coating of a hard mask layer and an etching processes are executed only once by performing an O_2 plasma process to simplify processes, thereby reducing time and cost.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくはシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ_２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程は１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる技術を示す。 - 特許庁

The method for forming a reticle includes a process of providing a reticle blank having a quartz layer, attenuation phase change layer and metal layer, a process of coating the reticle blank with a resist, a process of patterning the resist into a plurality of levels, and a process of etching the reticle blank in accordance with the multilevel resist pattern.例文帳に追加

本発明のレチクル形成方法は、石英層、減衰位相変化層および金属層を有するレチクルブランクを提供する工程と、該レチクルブランクをレジストで覆う工程と、該レジストを複数レベルにパターンニングする工程と、該マルチレベルレジストパターンに従って該レチクルブランクをエッチングする工程とを包含する。 - 特許庁

In this method for manufacturing the lithographic printing plate support, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution 14 containing at least, nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid and an etching process in an aqueous alkali solution, to an aluminum plate 11 in that order.例文帳に追加

アルミニウム板１１に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中１４での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、および、アルカリ水溶液中でのエッチング処理をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is accumulated in a HDP-CVD method, and continuously a polysilicon film 6 is accumulated in the thickness, in which the polysilicon film 6 in a region over a projecting part region is removed in a first CMP process, meanwhile the polysilicon film 6 in a recessed part region remains, and further the polysilicon film 6 functions as a mask of etching process in the later stage.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＤＶ法によるシリコン酸化膜５の堆積に続いて、第１のＣＭＰ処理時に凸部領域の上部領域のポリシリコン膜６が除去され、凹部領域のポリシリコン膜６が残存し、かつポリシリコン膜６が後段のエッチング処理のマスクとして機能する膜厚でポリシリコン膜６を堆積する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the uneven substrate for forming the uneven structure by dipping the crystal semiconductor substrate 1 in an alkaline solution containing a surfactant and etching the surface of the substrate, an adhesive 2 is adhered in a dotted manner on the surface of the substrate 1 before dipping the substrate 1 in the alkaline solution.例文帳に追加

界面活性剤を含むアルカリ性溶液中に結晶系半導体基板１を浸漬し、該基板の表面をエッチングすることによって凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法において、前記基板１をアルカリ性溶液中に浸漬する前に、基板１の表面に点状に粘着剤２を付ける。 - 特許庁

On an n-type clad layer 11 of a thickness of T2 which is mode of a C component, quantum dots 1 mode of an A component are formed in a cylindrical shape of a diameter Dqd and height Tqd in a form of being embedded in a matrix made of a D component by a lithography or etching method with the size, position, and distribution density being controlled.例文帳に追加

Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラフィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄ_qd、高さＴ_qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制御して形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of semiconductor device comprises a process (a) for forming the organic reflection preventing film 10 on the surface of a semiconductor substrate 1, a process (b) for applying organic solvent 11 on the surface of semiconductor substrate 1 to effect washing by wet etching the surface of the organic reflection preventing film 10, and a process (c) for forming a resist film 12 after the process (b).例文帳に追加

半導体基板１の表面に有機反射防止膜１０を形成する工程（ａ）と、半導体基板１の表面に有機溶剤１１を塗布し有機反射防止膜１０の表面をウエットエッチング洗浄する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、レジスト膜１２を形成する工程（ｃ）とを含む。 - 特許庁

In addition, since the manufacturing method is based on such a unique idea that thermocouples are not combined, but many thermocouples are produced by patterning a sheet obtained by sticking different kinds of conductive materials to each other by etching, the semiconductor technology can be applied and fine thermocouples can be mass-produced inexpensively with a high productive efficiency.例文帳に追加

さらに、熱電対を組み立てるのではなく、異なる導電性材料を貼り合わせたシートから多数の熱電対をエッチングでパターン化するという独特の発想に基づいているため、半導体技術を応用でき、微細な熱電対を高い生産効率と低いコストで大量に生産できる。 - 特許庁

Further the photonic crystal can be manufactured by a method for providing cavities of similar shapes concentric to the in-plane direction by lithography and etching in multiple layer films having a periodic refractive-index structure in a lamination direction or by a method for providing a periodic refractive-index structure of the in-plane and lamination directions by self cloning on a base of a similar shape concentric to the in-plane direction.例文帳に追加

また、本フォトニック結晶は、積層方向の屈折率周期構造を有する多層膜に対して、リソグラフィとエッチングにより面内方向の同心的な相似形状の空洞を設ける方法、または、面内方向の同心的な相似形状を形成したベース上に、自己クローニングにより面内方向と積層方向の屈折率周期構造を設ける方法で製造することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the problems are prevented such as a short circuit, an adhesion failure, and focus deviation etc., due to over-etching of wiring because the areas of overlapping regions for connection are randomly different, in a method for forming fine wiring which is a test pattern and wide leads connected to it on a semiconductor substrate by double exposure using two masks.例文帳に追加

テストパターンである微細配線とそれに繋がる幅広の引き出し配線とを２枚のマスクを用いた２重露光により半導体基板上に形成する方法において、繋ぎ合わせるオーバーラップ領域の面積がランダムに異なっていたため発生していた、配線のオーバーエッチングにより短絡、密着性不良、フォーカスずれ等の諸問題を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film has the process of forming at least one undercoat layer on one surface or each of both surfaces of a transparent film base material, the process of forming the transparent conductive layer on the undercoat layer by a sputtering method, the process of etching the transparent conductive layer to keep patternized, and the process of annealing and crystallizing the patternized transparent conductive layer.例文帳に追加

透明なフィルム基材の片面または両面に、少なくとも１層のアンダーコート層を形成する工程、前記アンダーコート層上に、スパッタリング法により透明導電体層を形成する工程、前記透明導電体層を、エッチングしてパターン化する工程、および前記パターン化された透明導電体層をアニール化処理して結晶化させる工程を有することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 特許庁