「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the semiconductor device comprises steps of forming the first film, made of polycrystalline silicon containing impurity, by thermally treating an amorphous silicon film provided on an insulating film and reducing the thickness of the first film by etching back the first film.例文帳に追加

また、絶縁膜上に設けたアモルファスシリコン膜を熱処理して、不純物を含んだ多結晶シリコンからなる第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜をエッチバックして、前記第１の膜の膜厚を減らす工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed circuit board comprises the steps of forming the photoresist layer by coating a liquid-like photoresist on the conductive board, laminating a film on the photoresist layer to manufacture a laminate for the printed circuit board, then exposing the circuit pattern, removing the film, alkali developing, and etching the pattern.例文帳に追加

導電性基板上に、液状フォトレジストを塗布しフォトレジスト層を形成し、次いでフォトレジスト層上にフィルムをラミネートしプリント配線板用積層板を作製し、次いで回路パターンの露光、該フィルムの除去、アルカリ現像、エッチングを行うことを特徴とするプリント配線板の作製方法。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition having a low refractive index and also less development residue and allowing formation with high resolution of a pattern excellent in dry etching resistance, a pattern forming material, and a photosensitive film, a pattern formation method, a pattern film, a low refractive index film, an optical device and a solid imaging element using the same.例文帳に追加

屈折率が低く、更には、現像残渣が少なく、ドライエッチング耐性に優れたパターンを高解像度で形成可能な感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that does not generate etching residues, when an inorganic insulating film coated with an organic insulating film is etched and suppressing the corrosion of copper and a copper alloy such as a metallic wiring, a metallic layer, or the like, to provide a manufacturing method for the semiconductor device, and to provide a photosensitive-resin composition and an electronic component.例文帳に追加

有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成せず、金属配線や金属層などの銅及び銅合金の腐食を抑制する半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device where, from a metal-containing mixed acid aqueous solution such as a metal-containing acid waste solution generated, e.g. from an etching stage for metal such as aluminum in a semiconductor production workshop or the like, the metal is separated, and further, the phosphoric acid is recovered at a high yield.例文帳に追加

半導体製造工場などにおけるアルミニウムなどの金属エッチング工程などから発生する金属含有酸廃液のような金属含有混酸水溶液から、金属を分離するとともにリン酸を高い収率で回収する方法および装置の提供。 - 特許庁

To provide an evaluation method for simple, easy and high-sensitivity selection of ion-exchange resin, that is suitable for manufacturing ultrapure water for reducing the degree of etching on the surface of a silicon material, when the ultrapure water, used as cleaning water, is to be produced during the manufacturing of semiconductor or liquid crystals.例文帳に追加

半導体や液晶製造用の洗浄水として使用される超純水を製造するに際し、シリコン物質表面のエッチング度合が低い超純水を製造するのに適したイオン交換樹脂を簡易かつ高感度に選定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that while securing sufficient EM resistance for wiring, reduces inter-wiring-layer and inter-line leaks, increases a TDDB life, and secures a high selection ratio during via-hole etching to have high-reliability wiring, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the etching characteristics of the aluminum material after final annealing are insufficient due to the heterogeneity in the way of dissolving of a surface layer of the aluminum material when the surface layer of the aluminum material is dissolved by washing, in a method of manufacturing an aluminum material for electrolytic capacitors.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造法において、アルミニウム材表面層を洗浄により溶解させる際に、アルミニウム材表層の溶け方が不均質であるため最終焼鈍後のアルミニウム材のエッチング特性が不十分であるという問題点を解決する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor apparatus comprises the first step of forming the combined substrate by bonding the plurality of the semiconductor substrates together, the second step of forming the recess by etching the combined substrate, and the third step of mounting the semiconductor device in the recess.例文帳に追加

複数の半導体基板を貼り合わせて合わせ基板を形成する第１の工程と、前記合わせ基板をエッチングして凹部を形成する第２の工程と、前記凹部に半導体素子を実装する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

The method further includes a step of forming an etching mask in the trench to mask partially the basal surface of the trench, and successively a step of removing the semiconductor material of the substrate exposing in the basal surface which has been partially masked and demarcating a second side wall which deepens the trench and has been narrowed.例文帳に追加

この方法はさらに、トレンチ内にエッチング・マスクを形成してトレンチの基底面を部分的にマスクするステップと、これに続いて、部分的にマスクされた基底面の露出した基板の半導体材料を除去して、トレンチを深くする狭められた第２の側壁を画定するステップとを含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming silicon oxide films 12, 13 on a silicon substrate 11, selectively etching the films 12, 13 to an extent that the substrate 11 exposes, and epitaxial growing silicon germanium films 15, 16 on the exposed substrate 11.例文帳に追加

シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２，１３を形成する工程と、このシリコン酸化膜１２，１３をシリコン基板１１が露出するまで選択エッチングする工程と、露出したシリコン基板１１上にシリコンゲルマニウム膜１５，１６をエピタキシャル成長する工程を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a color filter comprises a protective film forming process of forming a protective film on a semiconductor substrate; a recessed part forming process of forming a recessed part by dry-etching the formed protective film; and a filter forming process of forming a color filter layer on the formed recessed part.例文帳に追加

半導体基板上に保護膜を形成する保護膜形成工程、形成された保護膜をドライエッチングにより加工して凹部を形成する凹部形成工程、及び形成された凹部にカラーフィルタ層を形成するフィルタ形成工程とを有するカラーフィルタの製造方法である。 - 特許庁

Next, after a fifth insulating film is deposited by a CVD method on a fourth insulating film covering the laminated gate electrode 20, anisotropic etching is performed for the fifth insulating film and the fourth insulating film and a first side wall 27 is formed on the side of the laminated gate electrode 20.例文帳に追加

次に、積層型ゲート電極２０を覆う第４の絶縁膜の上にＣＶＤ法により第５の絶縁膜を堆積した後、第５の絶縁膜及び第４の絶縁膜に対して異方性エッチングを行なって積層型ゲート電極２０の側面に第１のサイドウォール２７を形成する。 - 特許庁

The method for patterning the organic thin-film that includes a step for forming the organic thin film on a substrate, a step for selectively printing a masking material on a part of the organic thin film, a step for dry-etching a portion exposed out of the organic thin film, and a step for removing the masking material.例文帳に追加

基板上に有機薄膜を形成するステップ、有機薄膜の一部分上にマスク物質を選択的にプリンティングするステップ、有機薄膜のうち露出された部分をドライエッチングするステップ、及びマスク物質を除去するステップを含む有機薄膜のパターニング方法である。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 formed with an opening and a thin diaphragm 2 from a (110) plane accompanied with an etching process, is arranged on a glass seat (a glass substrate) 20 having a pressure-introducing opening 20a, and then the semiconductor substrate 1 and the glass seat 20 are jointed by a positive electrode jointing method.例文帳に追加

（１００）面からエッチング処理に伴って開口部及び薄肉のダイアフラム部２が形成されてなる半導体基板１を圧力導入孔２０ａを有するガラス台座（ガラス基板）２０上に配設し、半導体基板１とガラス台座２０とを陽極接合法によって接合する。 - 特許庁

Single crystal silicon TR elements 5 are separately manufactured in liquid by anisotropic etching after formation of TR circuits for liquid crystal driving and are arranged in holes formed in the high polymer thick film 6 by an intra- liquid arranging method, and a smoother is formed to fill steps and gaps.例文帳に追加

単結晶シリコントランジスタ素子５は、液晶駆動用のトランジスタ回路を形成した後、異方性エッチングによって液体中に分離作製し、液体中配列法で高分子厚膜６に形成した穴に配列させ、平滑化剤を形成して段差や隙間を埋める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which forms a protection film on a side wall of a via hole in the middle of etching process of a trench in order to reduce a faceting of the via hole, while which makes it possible to effectively protect an object to be protected by selecting its forming process properly.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ビアホールに於ける肩落ちを低減させる為、トレンチのエッチング加工途中でビアホールの側壁に保護膜を形成するのであるが、その形成工程段階を適切に選定することで、保護対象を有効に保護できるようにする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of coating a TiN film 41 of an antireflection film on an Al shielding film 10, forming a black dye-filled polyimide film 11 thereon, opening the film 11 on a position for forming the marker 15, and thereafter opening the film 41 by anisotropically etching.例文帳に追加

Ａｌ遮光膜１０上に反射防止膜であるＴｉＮ膜４１を被覆し、その上に黒色染料入りポリイミド膜１１を形成し、マーカ１５を形成する箇所の上の黒色染料入りポリイミド膜１１を開口し、その後、ＴｉＮ膜４１を異方性エッチングで開口する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an imprint mold which is capable of forming a fine mold pattern with high pattern accuracy and is capable of finally removing a thin film pattern formed for etching processing on a substrate, without damaging the mold pattern.例文帳に追加

インプリント用モールドの製造において微細なモールドパターンを高いパターン精度で形成することができ、しかも基板をエッチング加工するために形成した薄膜パターンを最終的にモールドパターンにダメージを与えないように除去できるインプリント用モールドの製造方法を提供する。 - 特許庁

By conducting a process of partially forming a mask on the surface of a substrate and a process of forming concave portions by etch-removing a portion of the surface of the substrate which is not covered with the mask by a dry etching method in this order, concave-convex portions are formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。 - 特許庁

In the above method, annealing treatment of the SiO_2 film formed on the surface of the workpiece is performed in the atmosphere in which oxygen active species and hydroxyl group active species are made principal, and reforming is performed so that there is no seam in the SiO_2 film, and further, etching tolerance of the SiO_2 film can be improved.例文帳に追加

このように、被処理体の表面に形成されたＳｉＯ_２ 膜を酸素活性種と水酸基活性種とを主体とする雰囲気中でアニール処理することにより改質を行ったので、ＳｉＯ_２ 膜中にシームがなく、しかもそのエッチング耐性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a method of producing a phase shift mask by which an etched state of the surface of a quartz substrate as the base is decreased and a rough surface or production of a rough pattern are suppressed when etching of a coating film consisting of a phase shift mask material such as oxide nitride of molybdenum silicon is completed.例文帳に追加

モリブデン−シリコンの酸窒化物のような位相シフトマスク材料からなる被膜のエッチング終了後における下地である石英基板表面のエッチングを低減して表面荒れや凹凸の発生を抑制した位相シフトマスクの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

A method of manufacturing an integrated circuit device comprises steps of etching a trench in a substrate; and forming DRAM cells which include a build-up capacitor 24 at a lower edge and a perpendicular-type MOSFET having a gate conductor 30 covering the build-up capacitor 24 and a boron doped channel.例文帳に追加

集積回路デバイスを製造する方法は、基板内のトレンチをエッチングするステップと、下部端にある蓄積キャパシタ２４と、これを覆うゲート導体３０およびホウ素ドープ・チャネルを有する垂直型ＭＯＳＦＥＴと、を有するＤＲＡＭセルを形成するステップとを有する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises an etching process, using an etchant 5 that includes H_2SO_4 of 86 wt.%-97.9 wt.%, HF of 0.1 wt.%-10 wt.%, and H_2O of 2 wt.%-4 wt.%, wherein ozone of 10 ppm or higher is dissolved therein.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a radio tag antenna capable of mass-producing the radio tag antennas with high performance that can sufficiently supply power to an IC at a small number of steps at a lower cost by eliminating defects of a technology using etching and a technology employing hot stamp at the same time.例文帳に追加

エッチングを用いる手法及びホットスタンプを用いる手法の不具合を一挙に解消し、少ない工程数で、より安価に、しかもＩＣへの電力供給が十分に行える高性能の無線タグ用アンテナを量産することが可能な無線タグ用アンテナの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for treating the inside surface of a glass tube by heating the glass tube through moving a heat source relatively against the glass tube and along the length of the glass tube while flowing an etching gas inside the glass tube, comprises a speed-reduction stage that reduces the moving speed of the heat source, in both end parts of the glass tube.例文帳に追加

ガラス管の長手方向に沿って相対的に移動させることによりガラス管を加熱して、ガラス管の内面を表面処理するガラス管の表面処理方法において、前記ガラス管の両端部で、前記熱源の移動速度を低下させる減速工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a coupling ratio can be maintained higher than or equal to a specified value in the case of micronization, increase of the number of processes is restrained to a minimum, insulating resistance is increased, generation of electric field concentration is restrained and etching residue is not left, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

微細化されてもカップリング比を一定以上に保つことができ、かつ、工程数の増加を最小限に留め、より絶縁抵抗を向上し、電界集中の発生を抑制した、エッチング残渣が残らない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming a nanohole for the CNT growth includes the steps of forming a generator layer, an oxide layer formed of a catalyst metal as a catalyst layer for the CNT growth and an insulating layer on a main surface of a substrate for the CNT growth in their order, and etching the insulating layer to form the nanohole for the CNT growth therein.例文帳に追加

ＣＮＴ成長用基板の主面上に母線層、ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にＣＮＴ成長用の微細ホールを形成する。 - 特許庁

This method includes a step of forming the resist film, through which an opening having an aspect ratio of 1.8-2.4 is made on the silicon oxide film and a step of forming a hole, having an aspect ratio of 4.0-4.5 through the silicon oxide film by etching the oxide film, using the resist film as a mask.例文帳に追加

このエッチング方法は、シリコン酸化膜上にアスペクト比が１．８〜２．４の開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとしてシリコン酸化膜をエッチングすることにより、該シリコン酸化膜にアスペクト比が４．０〜４．５のホールを形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

In the method, the side peripheral surface of the glass disk 10 is polished by contacting to an etching liquid of the side peripheral surfaces 12, 14 of a glass disk stack 1 where the glass disk 10 and a spacer 20 are alternately stacked, and the side peripheral surface of the spacers 20 are retreated from the side peripheral surface of the glass disks 10.例文帳に追加

ガラスディスク１０とスペーサ２０とが交互に積層されたガラスディスク積層体１の側周面１２，１４がエッチング液に接することによってガラスディスク１０の側周面を研磨加工する方法であって、スペーサ２０の側周面は、ガラスディスク１０の側周面より後退している。 - 特許庁

To restrain short-circuiting from occurring between wirings by a method, where etching is prevented from proceeding beyond the lower wiring when a contact is formed so as to connect an upper wiring and a lower wiring together, even if the contact is designed in a case where the allowance of the overlap of a contact with the lower wiring is small.例文帳に追加

上層配線と下層配線とを接続するコンタクトを形成する際に、下層配線との被り余裕がない状態で設計されている場合でもエッチングを下層配線よりも下に進ませないようにし、配線間のショートを引き起こさないようする。 - 特許庁

Also, the manufacturing method of the liquid crystal display device includes: a step for forming a metal layer on a substrate, and etching the metal layer so as to form a black matrix and the alignment mark; and a step for successively forming R (red), G (green), and B (blue) color filter layers on the substrate on which the black matrix has been formed.例文帳に追加

また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上に金属膜を形成しエッチングして、ブラックマトリックスおよび整列マークを形成する段階と、前記ブラックマトリックスが形成された基板上にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）カラーフィルタ層を順次に形成する段階とを含む。 - 特許庁

This method forms a mask pattern 13a on the treatment film, forms a hardened portion 12a on the treatment film by injecting energy such as an electron beam to the treatment film with the mask pattern set as a mask, and then forms a groove 12b by providing anisotropic etching to the hardened portion of the treatment film with the mask pattern set as a mask.例文帳に追加

この上にマスクパターン１３ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜に向けて電子線等のエネルギー注入を行って被加工膜に硬化部位１２ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜の硬化部位を異方性エッチングし溝１２ｂを形成する。 - 特許庁

To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a portion projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.例文帳に追加

圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁

In this joining method of a silicon base material, a base material 11 formed of silicon is prepared, Si-H bonds are imparted to a surface of the base material 11 by applying etching by a hydrofluoric acid-containing solution to the surface of the base material 11, whereby a first silicon base material 1 is provided.例文帳に追加

本発明のシリコン基材の接合方法は、シリコンで構成された基材１１を用意し、この基材１１の表面にフッ酸含有液によるエッチングを施すことにより、基材１１の表面にＳｉ−Ｈ結合を付与し、第１のシリコン基材１を得る。 - 特許庁

The method further comprises the subsequent steps of: forming a conductive film; anisotropically etching the conductive film thereby to form word lines 111a to 111d on side faces of the third insulator 106a to 106c; and forming a second contact plug 115b for connecting to a capacitor on an apex portion of the third insulator 106b.例文帳に追加

その後、導電性膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、第３絶縁体１０６ａ乃至１０６ｃの側面にワード線１１１ａ乃至１１１ｄを形成し、第３絶縁体１０６ｂの頂部にキャパシタへ接続するための第２コンタクトプラグ１１５ｂを形成する。 - 特許庁

The method has an interlayer insulating film forming step of forming an interlayer insulating film 12, a wiring groove forming step of etching the interlayer insulating film 12 to form a wiring groove 13, and a wiring forming step of filling Al-Cu alloy in the inside of the wiring groove 13 to form a wiring 18.例文帳に追加

層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。 - 特許庁

The method of treating a semiconductor substrate includes: (a) a process for preparing the semiconductor substrate, where the front is subjected to mirror polishing and the rear is not subjected to the mirror polishing; and (b) a process for etching the rear to reduce the roughness on the rear and reducing the warpage of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の処理方法は、（ａ）表面が鏡面研磨され、裏面が鏡面研磨されていない半導体基板を準備する工程と、（ｂ）裏面をエッチングして、該裏面の粗さを減少させるとともに、半導体基板の反りを減少させる工程とを有する。 - 特許庁

To provide a stamper for pattern transfer in which the edge shape of a pattern formed on the surface thereof by film deposition or etching has satisfactory linearity, and capable of corresponding to a fine pattern accompanying the increase of the density and capacity in an information recording medium or the like, and to provide its production method.例文帳に追加

成膜又はエッチングによりスタンパ表面に形成されたパターンの端形状が良好な直線性を有し、情報記録媒体等の高密度、高容量化に伴う微細パターンに対応可能な、パターン転写用スタンパ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To restrain the formation of a recess in a device separation region and to restrain the deterioration of the accuracy of dimension due to undercut of an oxide film mask, by enabling to remove a part of an oxide film existing on side walls of stepped parts by only anisotropic etching, with respect to a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、段差部側壁に在る酸化膜を異方性エッチングのみで除去することを可能にして、素子分離領域に沈み込みが発生することを抑止し、また、酸化膜マスクのアンダーカットに依る寸法制度の劣化を抑止できるようにする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the lead frame wherein the thin metal bar formed with a resist film is dipped in an etchant to form a prescribed pattern, a lead frame base material 11 which has finished with etching process is passed between rollers 15 and 16 which are located opposite to each other to crush the end parts in the width direction of the material.例文帳に追加

レジスト膜が形成された薄板金属条材をエッチング液に浸漬して所定のパターンを形成するリードフレームの製造方法において、エッチング処理が完了したリードフレーム基材１１を、対向配置されたローラ１５、１６の間を通過させて、その幅方向端部を押し潰す。 - 特許庁

The metallic foil 1 is manufactured by a method including at least such processes that resist ink is pattern- printed on a metallic sheet raw roll by rotary printing, a surface of the pattern- printed metallic foil sheet raw roll is processed by etching, and the resist ink is removed.例文帳に追加

こうした金属箔シート１は、金属箔シート原反上に、輪転印刷によってレジストインキをパターン印刷する工程と、パターン印刷された金属箔シート原反の表面をエッチング加工する工程と、レジストインキを除去する工程とを少なくとも有する方法で製造される。 - 特許庁

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed.例文帳に追加

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。 - 特許庁

This manufacturing method is designed to determine whether or not an oxide film 13 in a portion A is completely removed by checking electrical conduction between checking conducting films (non-doped polysilicon film 17) 17b and 17c in portions B and C which have not been dry-etched, whereby dry etching can be performed in an appropriate amount.例文帳に追加

ドライエッチングされなかったＢ、Ｃ部分のチェック用導電膜（ノンドープポリシリコン膜）１７ｂと１７ｃ間の電気的な導通をチェックすれことにより、Ａ部分のノンドープポリシリコン膜１７が完全に除去されたか否かを正確に判断し、適量のドライエッチングを施す。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of fine structure in which an alignment accuracy, an accuracy of processing technology by step and repeat exposure, finishing size of resist mask, yield by etching technology, etc. are overcome; and to provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the semiconductor elements of the fine structures are highly integrated.例文帳に追加

本発明では、アライメント精度、縮小投影露光による加工技術の精度、レジストマスクの仕上り寸法、エッチング技術等による歩留まりを克服し、微細構造の半導体素子、及び微細構造の半導体素子が高集積化された半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁