「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(121ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for evaluating the carrier density of a wafer containing a compound semiconductor surface layer containing In by utilizing a C-V method, a liquid electrode is brought into contact with the surface of the wafer, and an applied voltage up to a voltage exceeding 10 V is utilized for non-destructively evaluating the carrier density without utilizing optical etching.例文帳に追加

Ｉｎを含む化合物半導体表面層を含むウエハのキャリヤ密度をＣ−Ｖ法を利用して評価する方法は、そのウエハの表面に液体電極を接触させて、光エッチングを利用することなく１０Ｖを超える電圧までの印加電圧を利用して非破壊的にキャリヤ密度を評価することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a surface treatment method of a quartz glass substrate capable of obtaining a quartz glass substrate having a high flatness (subnanometer level) which can meet the demand for a lithography reflection mask substrate using an extreme ultraviolet ray (EUV) in the field of LSI or the like, and a hydrogen radical etching apparatus suitably used for the treatment method.例文帳に追加

本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a SOI wafer, before the oxide film forming process, a reactive ion etching (RIE) defect annihilation process is performed in which a defect is annihilated that exists in a region having at least up to 5 μm depth from a surface being a bonding surface of a prepared silicon substrate and that is detected by an RIE method by applying a rapid thermal treatment to the prepared silicon substrate.例文帳に追加

酸化膜形成工程の前に、前記準備したシリコン基板に急速熱処理を施すことによって、少なくとも前記シリコン基板の貼り合わせ面となる表面から５μｍの深さまでの領域に存在するＲＩＥ法により検出される欠陥を消滅させるＲＩＥ欠陥消滅工程を行うＳＯＩウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a decorative material capable of removing easily and sufficiently a metal layer of a non-metallic glossy portion, even when molding partially the metal layer such as a radio wave transmitting metal layer by a method through etching treatment, and capable of decorating a molding with a desired pattern, a manufacturing method for the decorative material, and the molding using the decorative material.例文帳に追加

エッチング処理を経る方法で電波透過性金属層などの金属層を部分的に形成する場合でも、非金属光沢部分の金属層を容易かつ十分に除去でき、成形体を所望の図柄で装飾することが容易かつ十分にできる装飾材、その装飾材の製造方法、その装飾材を用いた成形品の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a positive metal oxide patterned thin film using a photosensitive sol-gel material containing a metal alkoxide and a chelate stabilizer and using an aqueous alkali solution as an etching solution and to provide a recessed film manufactured using the method for forming a positive metal oxide patterned thin film and a composition for forming a positive metal oxide patterned thin film.例文帳に追加

金属アルコキシドとキレート安定化剤とを含む感光性ゾルゲル材料を用いて、エッチング溶液としてアルカリ水溶液を用いたポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法、該ポジ型金属酸化物パターン薄膜の形成方法を用いて作製された凹形状膜、並びにポジ型金属酸化物パターン薄膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for practical use, has weatherability, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming a zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加

実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming composition for nanoimprint, a photosensitive resist and a nanostructure excellent in etching durability to oxygen gas, preventing a transfer pattern from peeling, solving a problem about a retention time on a substrate and having excellent transferring property, to provide a pattern forming method using the composition or the like, and to provide a program to carry out the pattern forming method.例文帳に追加

酸素ガスに対するエッチング耐性に優れるとともに、転写パターンの剥離を防止し、基板上における保持時間についての問題を解消し、転写性にも優れるナノインプリント用の膜形成組成物及び感光性レジスト、ナノ構造体、これらを用いたパターン形成方法、並びにこのパターン形成方法を実現するためのプログラムを提供する。 - 特許庁

In a method of forming storage electrodes of a semiconductor device and also a method of forming a semiconductor, the composition and vapor-deposition conditions of each of a bit line hard mask nitride film and a bit line nitride film spacer are varied so that the two nitride films are formed to have different compositions and also to have different etching ratios.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、ビットラインハードマスク窒化膜と窒化膜スペーサそれぞれの成分と蒸着条件を変化させることにより、前記２つの窒化膜の組成が異なるよう形成され互いに異なる食刻比率を有するようにする半導体素子の形成方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.例文帳に追加

薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁

There are provided a surface microstructure manufacturing method for manufacturing an unevenness P3 of nano meter order through dry etching by seeding a nano diamond fine particle P2 on the test piece surface of a test piece P1 composed of silicon, gallium arsenide, and diamond and using this as a minute hard mask, and a diamond nano electrode manufacturing method using the microstructure.例文帳に追加

シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 - 特許庁

To provide; a method of manufacturing a microlens sheet, which obtains a microlens sheet of high reliability and a projection screen or the like using the same by surely forming holes for etching by a beam like laser and surely forming each microlens; a method of manufacturing a projection screen using the microlens sheet; and a projection screen.例文帳に追加

レーザ等のビームによるエッチング用穴の形成を確実に行うとともに、各マイクロレンズを確実に形成して、信頼性の高いマイクロレンズシートおよびそれを用いた投写スクリーン等を得ることのできるマイクロレンズシートの製造方法およびそのマイクロレンズシートを用いた投写スクリーンの製造方法、並びに投写スクリーンを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a magnetoresistance effect element 20 is a dry etching method of a magnetoresistance effect element composed of a magnetic multilayer film containing at least two layers, wherein a second mask material to be a conductor with a reaction with the other atom is doubly overlapped on the lower layer of a first mask material comprising a non-organic-based material.例文帳に追加

この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 - 特許庁

To provide a zinc oxide-based transparent conductive film-forming material usable for a target for film formation of a transparent conductive film which holds conductivity endurable for pracrtical use, has weather resistance, and has a suitable etching rate in patterning, a method for manufacturing the same, a target using the same, and a method for forming zinc oxide-based transparent conductive film.例文帳に追加

実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

An insulation film is used, composed of an Si nitride film formed by the low pressure CVD method as an intermediate insulation film 107 which is inserted between insulation films 106, 108 having first and second contact holes 161, 162 and used for a mask in etching the second contact holes 162, and an Si nitride film formed by the plasma CVD method.例文帳に追加

第１及び第２のコンタクト孔１６１、１６２が形成された絶縁膜１０６、１０８間に挿入され、第２のコンタクト孔１６２をエッチングする際のマスクに用いられる中間絶縁膜１０７として減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とから構成された絶縁膜を用いる。 - 特許庁

The manufacturing method for the inkjet recording head includes a process of preparing the Si substrate where the heating elements and an orifice plate with ejection ports for ejecting ink formed therein are set at one primary face side, a process of forming the ink supply ports by etching the other primary face of the Si substrate by the method and by forming through-holes in the Si substrate.例文帳に追加

発熱体とインクを吐出するための吐出口が設けられたオリフィスプレートとが一方の主面側に設けられたＳｉ基板を用意する工程；及びＳｉ基板の他方の主面を前記方法によってエッチングしてＳｉ基板に貫通孔を設けることによりインク供給口を形成する工程を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法。 - 特許庁

To provide a mask blank for charged particle beam exposure which improves the yield of mask manufacture, by removing selectively the eaves of a curvature adjustment layer generated when forming an opening by the wet etching method, in the manufacture of the mask for charged particle beam exposure using an SOI substrate with a curvature adjustment layer, and to provide a mask for charged particle beam exposure and a pattern exposure method.例文帳に追加

反り調整層を有したＳＯＩ基板を用いた荷電粒子線露光用マスクの製造にて、ウェットエッチング法により開口部形成を行った際に発生する反り調整層のひさしを選択的に除去し、マスク製造の歩留まりを向上させる荷電粒子線露光用マスクブランク、荷電粒子線露光用マスク、パターン露光方法を提供する。 - 特許庁

This diffraction grating formation method includes at least a process of forming stripe mask patterns 104 with a constant period and different coating widths on a substrate 100, and a process of transferring the mask patterns 104 onto the substrate 100 by an etching method having chemical anisotropic selectivity for a material constituting the substrate 100, in a method for forming diffraction gratings 106 (106a, 106b) with periodic irregularity.例文帳に追加

本発明に係る回折格子の形成方法は、周期的な凹凸を有する回折格子の形成方法において、基板上に周期が一定で被覆幅の異なるストライプ状のマスクパターンを形成する工程と、前記基板を構成する材料に対して化学的異方選択性を有するエッチング方法を用いて前記マスクパターンを該基板に転写する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of a printed wiring board wherein an interlayer insulating layer formed by dispersing scaly grains into a curing resin is formed on a board, and a wiring pattern and via holes can easily and accurately be transferred to the inter layer insulating layer by an imprint method, using a mold having bumps and dips corresponding to the wiring pattern and the via holes without using an optical transferring method and complicated etching treatment.例文帳に追加

硬化樹脂中に鱗片状粒子を分散させてなる層間絶縁層を基板上に形成し、光学的な転写方法や煩雑なエッチング処理を用いることなく、配線パターンやバイアホールに対応する凹凸を有するモールドを用いたインプリント法によって、配線パターンやバイアホールを層間絶縁層に容易かつ正確に転写できるプリント配線板の製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which an suppress an increase in the contact resistance of an Al alloy wire in a connection hole, by preventing products of reaction on Al from being formed, when etching for forming the connection hole in an interlayer insulating film is carried out.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board with wiring excellent in a corrosion resistance formed on the surface of the board comprising a porous material by a wet process such as etching or the like without increase in a relative permittivity and influence of a structure disorder, and to provide a method for forming the wiring.例文帳に追加

比誘電率の上昇や構造破壊をおよぼすことなく、多孔質材料からなる基板の表面に耐食性の優れた配線をエッチング等のウェットプロセスによって形成した配線基板、および、この配線を形成する配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step of preparing a photomask blank having a light shielding film 15 on a transparent substrate 14, a step of forming a first resist pattern by drawing and developing a resist film formed on the light shielding film, and a step of performing first patterning by etching the light shielding film with the first resist pattern as a mask.例文帳に追加

透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。 - 特許庁

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties by solving the problem at issue as to surface treatment before final annealing in the conventional production of an aluminum material for an electrolytic capacitor and making a surface layer oxide film in the aluminum material more stable.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reliable contact plug for preventing the short-circuiting between the contact plug and bit wiring by applying a material, where the ratio of etching speed to that of a silicon nitride film becomes at least 100, to an interlayer film for forming a self-alignment contact plug.例文帳に追加

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、窒化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供することにある。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.例文帳に追加

基板１上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁

To provide a method for patterning carbon nanotube able to pattern it with an optional size which is from submicron to a few mm for a large area or a curved face, furthermore being unnecessary for troublesome etching or a negative plate, superior in wear resistance with noncontacting type and being advantageous for industrial mass production.例文帳に追加

大面積や曲面などに対してもサブミクロから数ミリまでの任意の大きさのパターニングが可能であり、しかも面倒なエッチング処理や原版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗性に優れ、大量生産に適した工業的に有利なカーボンナノチューブのパターニング方法を提供する - 特許庁

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for chemical and mechanical planarization capable of surely eliminating a residue of a silicon dioxide, without requiring reverse mask etching work or re-removing work, improving the grinding control capability, reducing the cost and improving the yield.例文帳に追加

確実に二酸化珪素の残留の課題を解消できると共に、反マスクエッチング作業や再除去作業を要しないようにすることができ、研磨制御能力を向上でき、コストを低減させることができとともに、歩留まりをも向上できる化学機械平坦化方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the wiring board comprises the steps of forming a wiring pattern 20 by patterning a conductive layer 12 formed on the surface of a base board 10, and forming holes 30 in the base board 10 by etching the portions exposed from the wiring pattern 20 on the surface of the base board 10.例文帳に追加

配線基板の製造方法は、ベース基板１０の表面に形成された導電層１２をパターニングして配線パターン２０を形成すること、及び、ベース基板１０の表面における配線パターン２０からの露出部をエッチングしてベース基板１０に穴３０を形成することを含む。 - 特許庁

After stripe-shaped red patterns 27 are formed as the first color on a support member by using a dry etching method, a blue layer 33B is formed, and the red patterns and the blue layer are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

支持体上に第１色目として、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の赤色パターン２７を形成後、青色層３３Ｂを形成し、赤色パターン及び青色層をドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ及び、緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

A film made of polymeric material is formed on the entire surface of a lower electrode connected to a thin transistor by a coating method, and then is etched by etching by plasma, thereby allowing selective forming of a polymeric material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成した後、プラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜をエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

To remove the native oxide without reducing the thickness of a gate sidewall insulating film, by setting the etching rate of the gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film which is formed by LP-CVD method by using HCD as a material gas sufficiently lower than that of the native oxide.例文帳に追加

原料ガスとしてＨＣＤを用いたＬＰ−ＣＶＤ法により形成した、シリコン窒化膜からなるゲート側壁絶縁膜のエッチングレートを、自然酸化膜のエッチングレートよりも十分に遅くし、ゲート側壁絶縁膜の薄膜化を招くことなく、自然酸化膜を除去すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an optical element having a fine structure whose aspect ratio is high and whose etching shape is a rectangle by making a film to be etched on a lower layer have the same cycle as that of a resist pattern even in using the resist pattern whose cross section is corrugated in the cycle finer than the wavelength of the visible region.例文帳に追加

可視域の波長より微細な周期で、断面が波型をなすレジストパターンを用いても、下層の被エッチング膜に同じ周期をも持たせ、しかも、アスペクト比が高くてエッチング形状が矩形を成す微細構造を有する光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a channel-etched inverted-staggered thin film transistor includes a process of etching an oxide semiconductor film and a conductive film with a mask layer formed using a multi-gradation mask, which is an exposure mask allowing transmitted light to have a plurality of intensities.例文帳に追加

チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。 - 特許庁

To provide a piezoelectric resonator chip with high reliability capable of realizing high performance and high stability of the electric characteristics of a piezoelectric resonator by eliminating the effect of mask deviation in the case of executing frequency adjustment by means of dry etching, and to provide a frequency adjustment method for the piezoelectric resonator chip.例文帳に追加

ドライエッチングにより周波数調整する場合に、マスクずれの影響をなくし、圧電振動子の電気的特性の高性能化や高安定化が実現できるより信頼性の高い圧電振動片、および圧電振動片の周波数調整方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for efficiently treating a gas which contains a fluorocompound and carbon monoxide and is discharged e.g. in the step of dry cleaning the inside surface of a semiconductor production apparatus in the semiconductor industry or in the step of etching various formed films such as an oxide film.例文帳に追加

例えば、半導体工業で、半導体製造装置の内面等をドライクリーニングする工程や、酸化膜等の各種成膜をエッチングする工程などで排出されるフッ素含有化合物及びＣＯを含むガスを効率よく処理する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk substrate and an optical master disk having a shape with which a land prepit(LPP) and neighboring grooves thereof do not affect groove recording quality when pits and grooves having different depths are formed in the same master disk by using plasma etching and an ashing process.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the opening 131 and the volume of the resonant cavity 140 can be highly accurately adjusted to desired values by etching using a photolithography method, the resonance frequencies (resonant frequencies) of the resonant cavity 140 can be easily made uniform in the plurality of sensor elements 100.例文帳に追加

共鳴空洞１４０の開口１３１および容積は、フォトリソグラフィ法を利用したエッチング等により精度よく所望の大きさとすることができるため、複数のセンサ素子１００において共鳴空洞１４０の共振周波数（共鳴周波数）を容易に揃えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, having a sidewall structure for which damages in the shape of the gate electrode and short circuit between the gate electrode and a metal electrode in a contact hole can be prevented at etching of a self-aligned contact hole without sacrificing reliability of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの信頼性を損なうことなく、自己整合コンタクトホールのエッチング時におけるゲート電極形状の損傷、ゲート電極とコンタクトホール内の金属電極とのショートを防止し得るサイドウォール構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the throughput of removal of foreign particles in a hole or in a wiring trench which are adhered at the time of etching or resist removal, and to remove an oxide film on the surface of lower wiring which is exposed from the hole or the wiring trench with respect to a method for manufacturing a semiconductor device including a cleaning step.例文帳に追加

洗浄工程を含む半導体装置の製造方法に関し、エッチング時やレジスト除去時に付着したホール内又は配線溝内の異物除去のスループットを向上するとともに、ホールや配線用溝から露出した下側配線表面の酸化膜を除去すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a DRAM capacitor which easily ensures the adhesiveness of a lower electrode and a peripheral insulating film, prevents an increase in leakage current of a capacitor in this portion, prevents the collapse of the lower electrode in wet-etching, and improves the reliability of the device, and to provide the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

下部電極と周辺絶縁膜との密着性を容易に確保し、この部分でのキャパシタのリーク電流の増大を防止し、また、ウエットエッチング時の下部電極の倒壊を防止し、ひいてはデバイスの信頼性を向上したＤＲＡＭ型のキャパシタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device, in order to provide a semiconductor substrate (202), to form a dielectrics layer (204) on the semiconductor substrate (202) and to expose part of a surface of the semiconductor substrate (202), a process is contained wherein a trench or a via (206) is formed on the dielectrics layer (204) by etching.例文帳に追加

半導体デバイスを製造する方法は、半導体基板（２０２）を提供し、半導体基板（２０２）の上に誘電体層（２０４）を形成し、半導体基板（２０２）の表面の一部を露出させるため、誘電体層（２０４）にトレンチ又はバイア（２０６）をエッチングする工程を含む。 - 特許庁

In the method for manufacturing a section observation sample by covering an upper portion of a workpiece with a shielding plate, and etching a non-covered part by ion beams, an angle formed by the surface to be machined in the workpiece before machining and the bottom surface of the shielding plate is sharp.例文帳に追加

被加工物の上部を遮蔽板で覆い、遮蔽されない部分をイオンビームでエッチング加工して断面観察試料を作製する方法において、加工前の被加工物の加工対象面と遮蔽板の底面とのなす角度が鋭角である断面観察試料の作製方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display unit capable of preventing the end of a gate line, the end of a data line, and the surface of a drain electrode from being damaged and from having a reversed tapered structure during the period of the progress of an etching process for forming a contact hole and thereby improving electrical characteristics and the reliability of the liquid crystal display unit.例文帳に追加

接触孔形成のためのエッチング工程進行時に、ゲート線の端部、データ線の端部及びドレーン電極の表面が損傷及び逆テーパ構造となることを防止し、液晶表示装置の電気的特性及び信頼性を向上する製造方法の提供。 - 特許庁