「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(125ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon processing method includes: forming a mask pattern on a single-crystal silicon substrate 100 of which principal surface is (100) an equivalent face 103 or (110) an equivalent face; and applying crystal anisotropic etching to form a structure comprising (111) an equivalent face and having width W1 and length L1.例文帳に追加

シリコンの加工方法で、主面が（１００）等価面１０３或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板１００上に、マスクパターンを形成し、結晶異方性エッチングを施して、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する構造体を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a radio tag 5 and an antenna 2 for the radio tag which can manufacture the radio tag 5 having communication reliability equal to that of an antenna formed by etching, or formed of a bulk metal like a copper coil at a low cost by forming the antenna 2 having sufficient conductive performance.例文帳に追加

十分な導電性能を有するアンテナ２を形成し、エッチングや銅線コイル等のバルク金属で形成されたアンテナ同等の通信信頼性を有する無線タグ５を低コストで作製できる、無線タグ５および無線タグ用アンテナ２の形成方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the stamper including a process for forming a metal thin film 61 on a stamper original plate 50 on which a rugged pattern is formed by etching and then performing electroplating, before the metal thin film 61 is formed, the stamper original plate 50 is heat-treated at 200 to 500°C in air.例文帳に追加

エッチングにより凹凸パターンが形成されたスタンパ原版５０に、金属薄膜６１を形成して電気メッキする工程を備えたスタンパの製造方法において、金属薄膜６１を形成する前に、スタンパ原版５０を、空気中において２００℃以上５００℃以下の温度で熱処理する。 - 特許庁

In a method of manufacturing the dynamic pressure bearing, resist is formed on a dynamic pressure groove forming surface, at a portion excluding the dynamic pressure grooves having an axial width L smaller than the axial width D of the dynamic pressure groove forming surface, and at both axial ends of the dynamic pressure grooves, and the dynamic pressure grooves are formed by electrolytic etching.例文帳に追加

動圧軸受の製造方法は、動圧溝形成面の軸方向幅Ｄよりも小さい軸方向幅Ｌを有する前記動圧溝を除く部分および前記動圧溝の軸方向両端に動圧溝形成面にレジストを形成し、電解エッチングによって動圧溝を形成する。 - 特許庁

In the impression cylinder jacket or the transfer cylinder jacket for the offset sheet-fed perfecting press, an uneven structure is formed on a metal substrate by an etching method and then the metal substrate is coated with a silicone resin so as to be thin in convex portions and thick in concave portions and so as to copy after the uneven structure.例文帳に追加

金属製基板をエッチング法により凹凸構造を形成し、その上にシリコーン樹脂を凸部は薄く凹部は厚くかつ、凹凸構造を倣うようににコーティングしたオフセット枚葉両面印刷機用圧胴または渡し胴ジャケットおよびその製造方法である。 - 特許庁

To provide an apparatus for a plasma treatment of a work and a plasma treatment method of the work, in which the etching rate is increased by making the electrode parts near to each other during a plasma treatment, and a space between the electrode parts is increased when the work is taken in and out through the space between the electrode parts after the plasma treatment is completed.例文帳に追加

プラズマ処理時には電極部同士を接近させてエッチングレートを上げ、プラズマ処理が終了してワークを電極部間に出し入れするときには、電極部間の間隔を大きくできるワークのプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a stage of photoetching of a conductor by using an etching solution composition containing phosphoric acid of 65 to 75 wt.%, nitric acid of 0.5 to 15 wt.%, acetic acid of 2 to 15 wt.%, a potassium compound of 0.1 to 8.0 wt.% and water in the residual quantity.例文帳に追加

導電体を６５乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸、０．１乃至８．０重量％のカリウム化合物及び残量の水を含むエッチング液組成物を利用して写真エッチングする段階を含む。 - 特許庁

In the method for patterning, a photo-curable resin 24 is applied on a face of the member 10 to be etched with the hollow 13 on which the dry etching is applied, and a mold 50 having a pattern corresponding to a mask 24a with taper-shaped side face to be formed on the member to be etched is pressed on the photo-curable resin.例文帳に追加

空洞１３を有する被エッチング部材１０のドライエッチングを施す面に光硬化性樹脂２４を付与し、被エッチング部材上に形成すべきテーパー形状の側面を有するマスク２４ａに対応したパターンを有するモールド５０を光硬化性樹脂に押し付ける。 - 特許庁

To provide a method for producing a mold for nano-imprints, which forms a metal mold by reproducing a pattern on a resin layer when the production of a resin reproduction plate by methods such as an imprint while utilizing a high degree of freedom of the shape of a fine pattern using a silicon etching master is difficult.例文帳に追加

シリコンエッチングマスタを用いることによる微細パターン形状の自由度の高さを活かしつつ、インプリント等の方法で樹脂複製版を作製するのが困難な場合に、樹脂層にパターンを複製して金属モールドを形成するナノインプリント用モールドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the metallic member for the picture display unit, which has holes corresponding to picture elements of the picture display unit, comprises the steps of: forming holes in a metallic substrate by irradiation with thermal energy; and etching the formed holes.例文帳に追加

本発明は、画像表示装置の画素に相当する穴部を有する金属部材の製造方法であって、金属基板への熱エネルギーの照射によって穴加工する工程と、該穴加工の後にエッチング加工を行う工程を含む画像表示装置用金属部材の製造方法である。 - 特許庁

This collecting method comprises the steps of: removing the insoluble In compound from the filter having trapped the insoluble In compound in the oxalic etching solution containing oxalic acid and In by dissolving the insoluble In compound into an inorganic acid; and collecting the In, In alloy or In compound, which has dissolved in the inorganic acid.例文帳に追加

シュウ酸とＩｎとを含有するシュウ酸エッチング液中の不溶性Ｉｎ化合物を捕捉したフィルターから、無機酸によって前記不溶性Ｉｎ化合物を溶解させて除去し、無機酸に溶解したＩｎ若しくはＩｎ合金、又はＩｎ化合物を回収することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents current driving capability by preventing parasitic resistance from increasing while taking into consideration an influence of etching on a semiconductor substrate on an NMOS transistor, and thus prevents the operation speed of a semiconductor integrated circuit from decreasing.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタに対する半導体基板のエッチングによる影響を考慮して、寄生抵抗の増大を防止することで電流駆動能力の低下を防止し、半導体集積回路の動作速度の低下を防止した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the photoelectric conversion device 1 comprises processes of: joining silicon bases 4a to the element base 3, providing the photoelectric conversion elements 2 onto the element base 3; and forming the lenses 4 by etching the silicon bases 4a on the surface of the element base 3 opposite to its other surface where the photoelectric conversion elements 2 are provided.例文帳に追加

シリコン基体４ａと素子基体３とを接合する工程と、素子基体３に光電変換素子２を設ける工程と、シリコン基体４ａを光電変換素子２とは反対の面側においてエッチング加工し、レンズ４を形成する工程とを有する、光電変換装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the light emitting diode includes a step of removing the area provided for forming the antennas 2 by etching the surface electrodes 3 and surface semiconductor layer 4 of the chip 1, and a step of forming the antennas 2 by packing a dielectric substance in the etched-off portions.例文帳に追加

発光ダイオードの製造方法は、発光チップ１の表面電極３と表面半導体層４をエッチングして、誘電体アンテナ２を設ける領域を除去する工程と、エッチングして除去された部分に誘電体を充填して誘電体アンテナ２を設ける工程とからなる。 - 特許庁

To provide a mask for manufacturing an observation sample of an electron microscope which surely controls the etching quantity of a member having an observed region or easily searches the observed region, and a manufacturing method and a manufacturing apparatus of the observation sample using the mask.例文帳に追加

観察対象領域を有する部材のエッチング量を確実に制御でき、あるいは、観察対象領域を容易に探すことができる電子顕微鏡の観察用試料作製用マスク、並びに、このマスクを用いた観察用試料の作製方法および作製装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents the formation of a nonpermissible notch in a gate during a gate etching process and maintains a trench (a cut portion of a gate footing) in the footing of the gate to the minimum, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor which is quite effective to technology at the level of 0.18 μm.例文帳に追加

ゲートエッチングプロセスの間に、許容不可能なノッチがゲートに形成されることを回避し、ゲートの基部のくぼみ（ゲート基部の切削部）を最小に維持された半導体デバイスおよび０．１８μｍ以上の技術に非常に有効である半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mesa type piezoelectric vibrator which prevents the generation of stage cutting of an electrode in a level difference of a thick part and a thin part at a drawing electrode forming time, and which has high reliability in a method of manufacturing a mesa type piezoelectric vibrator of etching a piezoelectric substrate with an electrode pattern used as a protective film.例文帳に追加

電極パターンを保護膜として圧電基板をエッチングするメサ型圧電振動子の製造方法において、引出電極形成時に肉厚部分と肉薄部分との段差に電極の段切れが発生することを防止し、信頼性高いメサ型圧電振動子を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in transparency to radiation and dry etching resistance and capable of forming a resist pattern excellent in resolution, sensitivity, flatness and heat resistance, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device with a fine pattern having a high degree of integration using the resist composition.例文帳に追加

放射線に対する透明性、ドライエッチング耐性に優れ、解像度、感度、平坦性、耐熱性に優れるレジストパターンを形成できるレジスト組成物、ならびに、該レジスト組成物を用いる微細で集積度の高いパターンを持つ半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide an acid-unstable group effective for a fluorine-containing compound; a fluorine-containing compound, a fluorine-containing polymerizable monomer, and a fluorine-containing polymer compound, all of them having an acid-unstable group or groups with high transparency and etching resistance; a photoresist using them; and a pattern formation method.例文帳に追加

含フッ素化合物にとって効果的な酸不安定基を提供し、さらに酸不安定基自体に高い透明性、エッチング耐性を持たせた含フッ素化合物、重合性単量体、高分子化合物、又はそれらを用いたフォトレジスト及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the noncontact data carrier has a process for applying printing resist to the metallic foil surface of the base material, on which the resin base material and a metallic foil are laminated, the etching process and a process for removing only the resist from the antenna connection terminals 131, 132.例文帳に追加

また、本発明の非接触データキャリアの製造方法は、樹脂基材と金属箔が積層された基材の金属箔面上に印刷レジストを塗布する工程と、エッチングする工程と、アンテナ接続端子上のレジストのみを除去する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a pattern substrate includes a step of exposing a resist through the halftone mask and developing the resist to form resist patterns 81, 82, 83 in different film thicknesses, and etching films 6, 7 on the substrate through the resist patterns 81, 82, 83.例文帳に追加

また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。 - 特許庁

To provide a mounting method for preventing tilting when an inertial sensor element formed by etching a quartz plate of a Z plate is mounted in a container, or tilting when the container storing the sensor element is mounted in a user substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｚ板の水晶板をエッチング加工して形成し、収納容器に実装した慣性センサー素子が、センサー素子と収納容器への実装の傾きあるいは、センサー素子を収納した容器とユーザ基板への実装時の傾きを防止するためのセンサ素子ーの実装改善を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties achieved by more stabilizing a surface layer oxide film of the aluminum material to solve the problem in the surface treatment before final annealing in the conventional production of the above aluminum material.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements.例文帳に追加

異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition satisfying demands for a wide exposure latitude, reduction of a skirt-like pattern profile, favorable pattern features and excellent dry etching durability, and allowing formation of a pattern having fewer defects after development, and to provide a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

広い露光ラテテュード、パターン裾引き低減、良好なパターン形状、優れたドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができる感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。 - 特許庁

To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.例文帳に追加

多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁

To provide a polyesterimide having a low liner thermal expansion coefficient, a high glass transition temperature, a low water absorption, film toughness sufficient for various applications, and etching characteristics, and useful as an electric insulation film or the like in various kinds of electronic devices; and to provide a precursor thereof, and a method for producing them.例文帳に追加

本発明は低線熱膨張係数、高ガラス転移温度、低吸水率、各種用途に十分な膜靭性、およびエッチング特性を有する、各種電子デバイスにおける電気絶縁膜等として有益な、ポリエステルイミドとその前駆体およびこれらの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.例文帳に追加

塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for recovering copper from a copper-etching waste liquid containing sulfuric acid, hydrogen peroxide, and a hydrogen peroxide stabilizer without producing sludge, wasting electricity, and considering variations in current efficiency caused by variations in a composition of copper and hydrogen peroxide.例文帳に追加

スラッジの発生がなく、かつ電気量の浪費がなく、銅と過酸化水素との組成変動による電流効率の変動も配慮する必要がない、硫酸、過酸化水素及び過酸化水素安定剤を含有する銅エッチング廃液から銅を回収する方法の提供。 - 特許庁

To provide an etchant for copper oxide and an etching method, wherein when copper oxide, particularly CuO (II), as a thermal reaction type resist material is exposed to a laser beam, the etchant can selectively etch the exposed and unexposed parts thereof.例文帳に追加

熱反応型レジスト材料として銅の酸化物を用いてレーザー光で露光した場合、特に、ＣｕＯ(ＩＩ)を熱反応型レジスト材料として、その露光・未露光部を選択的にエッチングすることのできる酸化銅用エッチング液及びエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes steps of: selectively depositing a phase change resist having high light transmittance onto a dielectric to form a pattern; etching away portions of the dielectric not covered by the resist; and depositing a metal seed layer on the etched portions of the dielectric.例文帳に追加

方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。 - 特許庁

To provide a method for selectively fixing hydrogen chloride and hydrogen fluoride in chlorofluorocarbon decomposition gas or dry etching exhaust gas by a dry process using a sodium compound, and collecting and reusing chlorine component as a solid substance of sodium chloride and fluorine component as sodium fluoride and/or acidic sodium fluoride.例文帳に追加

フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩化水素、および、フッ化水素を、ナトリウム化合物を用いて乾式法により選択的に固定化し、塩素分は塩化ナトリウムの固形物として、フッ素分はフッ化ナトリウム、および／または、酸性フッ化ナトリウムとして回収・再利用する方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device for using a mask material that has excellent dry etching resistance and can be formed at low temperature to achieve a fine via hole and a high yield in a semiconductor via hole-machining process, and achieving a high-performance ultra-high-frequency semiconductor device.例文帳に追加

半導体ヴィアホール加工工程において、ドライエッチング耐性良好、かつ低温において形成可能なマスク材料を使用することにより、ヴィアホール微細化や高歩留まり化を達成させ、高性能な超高周波半導体装置が実現できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a working method which is capable of realizing sharp working of not producing bluntness in corner parts and bent parts in as-designed pattern boundary regions when the corner parts and end bent parts are subjected to deposition processing or etching processing of prescribed patterns by using a convergent ion beam device and a device therefor.例文帳に追加

本発明の目的課題は、集束イオンビーム装置を用いて所定パターンのデポジション加工またはエッチング加工を施す場合に、設計どおりのパターン境界領域であって、角部・曲部に鈍りが出ないシャープな加工を実現出来る加工方法並びにその装置を提供することである。 - 特許庁

In a dry cleaning method, a resist is provided on a plurality of portions of a metal layer formed on a semiconductor device and the metal layer is etched, and after the remaining metal-contaminated resistor is ashed through reactive ion etching(RIE), downstream type microwave process is performed so as to make the remaining resist easily removable.例文帳に追加

半導体デバイス上に形成された金属層の複数の部分上にレジストを設け、該金属層をエッチングし、このとき残留する金属汚染されたレジストをＲＩＥアッシングした後、ダウンストリーム型マイクロ波プロセスを行って残留レジストを除去しやすくする。 - 特許庁

This treating method comprises heating the copper-etching waste liquid containing sulfuric acid, hydrogen peroxide, and a hydrogen peroxide stabilizer composed of an organic compound to 60-80°C, keeping the liquid in the same temperature range for 0.5-10 hours to decompose hydrogen peroxide, and then recovering a copper component as metallic copper through electrolysis.例文帳に追加

硫酸、過酸化水素及び有機化合物からなる過酸化水素安定剤を含有する銅エッチング廃液を６０〜８０℃に加熱し同温度範囲に０．５〜１０時間維持して過酸化水素を分解した後に、電気分解して銅成分を金属銅として回収する。 - 特許庁

To allow an electrode short circuit to occur by cutting the surface of an HSG silicon layer together with a natural oxidation film and producing HSG grain peeling due to lack of mechanical strength of a lower electrode when a wet etching process is performed before formation of a dielectric film in a manufacturing method of a capacitor utilizing HSG formation.例文帳に追加

ＨＳＧ形成を利用したキャパシタの製造方法で、誘電体薄膜の形成前にウェットエッチング工程を行うと自然酸化膜と一緒にＨＳＧシリコン層の表面も削られて、下部電極の機械的強度不足によりＨＳＧ粒剥がれが発生して電極短絡が起こる。 - 特許庁

The method is composed of a first process for plasma-etching a member to be etched 17, which is arranged in the reaction chamber 11, by using SiCl_4 or BCl_3 and a second process for introducing a plasma of gas, comprising oxygen into the reaction chamber 11, after the first process.例文帳に追加

反応室１１内に配置された被エッチング部材１７に対し、ＳｉＣｌ_４ またはＢＣｌ_３ を用いてプラズマエッチング処理する第１工程と、この第１工程の後、反応室１１内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第２工程とからなっている。 - 特許庁

This manufacturing method of the guide wire includes a step where a coil made of a metallic material and a core material 11 of a metallic wire are welded with a laser, and by the control of a time of dipping the core material 11 in etching solution 16, the tip portion of the core material 11 is worked into a tapered shape.例文帳に追加

ガイドワイヤーの製造方法は、金属材料で作られたコイルと金属ワイヤーのコア材１１をレーザで溶接され、コア材１１がエッチング液１６に浸る時間を制御することにより、コア材１１の先端部分をテーパ形状に加工する工程を含む。 - 特許庁

In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.例文帳に追加

半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁

To provide a substrate material for forming a lower layer film superior in resistance to etching by reactive ions such as oxygen plasma, while reflectivity of exposure light of short wavelength of excimer laser or the like such as KrF and ArF is low for instance, and to provide a method for forming a multi-layer resist pattern using the substrate material.例文帳に追加

例えばＫｒＦ、ＡｒＦ等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, a step of forming the vibration plate, a step of grinding the silicon single crystal substrate, and a step of forming a mask for etching the silicon single crystal substrate can be skipped, so that a method for manufacturing an inkjet type recording head 1 reduced in manufacturing cost can be obtained.例文帳に追加

したがって、振動板の形成工程、シリコン単結晶基板を研削する工程およびシリコン単結晶基板をエッチングするためのマスク膜を形成する工程を省略でき、製造コストの低減したインクジェット式記録ヘッド１の製造方法を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of a light emitting element mounting substrate includes a process of selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 to form a metal protruded part 22b at a mounting position of a light emitting element; and a process of forming an electrode 23a in the vicinity of the metal protruded part 22b.例文帳に追加

金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁