「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for correcting an FIB wiring of a flip-chip LSI by an FIB of only a normal ion beam, by enabling removal of the upper layer interconnection and the lower layer interconnection on an FIB processing region through wet etching.例文帳に追加

ＦＩＢ加工領域上の上層配線および下層配線をウェットエッチングで除去することができるようにすることにより、通常のイオンビームのみのＦＩＢで、フリップチップＬＳＩのＦＩＢ配線修正加工が可能である、フリップチップＬＳＩの配線修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit element and its manufacturing method for making the surface area of an electrode increased, by forming a capacitor lower electrode in a symmetrically half-cylindrical shape within an intaglio pattern with a small aspect ratio and also for securing a thin filming margin and an etching margin.例文帳に追加

縦横比が小さい陰刻パターン内に、キャパシタ下部電極を対称的な半シリンダ型で形成することによって、電極の表面を増加させると同時に、薄膜化限界とエッチングマージンを確保することができる集積回路素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is employed to accurately compart the trench section 32 on the thermal ink jet print head 10 to be etched in the region of a substrate surface 34 and performs etching by protecting the element of an adjacent liquid-drop generator from being damaged by exposing the element to a silicon etchant with a rigid mask.例文帳に追加

サーマルインクジェットプリントヘッド(10)のトレンチ部分(32)を、エッチングされる基板表面(34)の領域を正確に画定し、且つシリコンエッチング液に曝されることによる損傷から近接する液滴発生器の構成要素を保護する強靱なマスクを使用してエッチングする方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and its manufacturing method eliminated inferior display at the liquid crystal display by preventing etching residues at the formation of an ITO film onto a coated insulation film, reducing contact resistance between the ITO film and an underlayer metal film.例文帳に追加

塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the crystal piece forming method of obtaining a plurality of crystal pieces 1 from an AT-cut crystal wafer like a plane plate by etching, a mask film for taking the plurality of crystal pieces 1 respectively is formed on a principal flat surface of the crystal wafer 10.例文帳に追加

ＡＴカットにて切り出した平板状の水晶ウェハ１０からエッチングにより複数の水晶片１を得る水晶片形成方法において、前記複数の水晶片１のそれぞれを取り出すためのマスク膜を前記水晶ウェハ１０における主平面形成しておく。 - 特許庁

To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.例文帳に追加

10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.例文帳に追加

基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁

This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled.例文帳に追加

この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor devices further includes a step of manufacturing the thickened resist patterns by forming the resist patterns on an underlayer and then applying the thickening material on the surfaces of the resist patterns thereby thickening the resist patterns, and a step of patterning the underlayer by etching using the thickened resist patterns.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To make the shape of the branching point of a core so that the radiation loss is reduced, relating to a method for manufacturing a Y-branching optical waveguide which is made of a polymer resin material and manufactured by using the techniques of stacking, photo-lithography, and reactive ion etching.例文帳に追加

本発明は積層技術、フォトリソグラフィー技術、反応性イオンエッチング技術を使用して高分子樹脂材料製のＹ分岐光導波路デバイスを製造する方法に関し、コアの分岐点の個所を放射損失の改善がなされた形状となるようにすることを目的とする。 - 特許庁

The method is constituted by forming an amorphous silicon film 13 on an electric insulation film 12, etching the silicon film 12 so as to taper the sectional shape of the film 13, to form a pattern, and irradiating the film 13 with an excimer laser to form a polycrystalline silicon film 13'.例文帳に追加

電気絶縁膜１２上に非晶質珪素膜１３を形成し、非晶質珪素膜１３の断面形状がテーパー状になるようにエッチングしてパターン形成し、エキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜１３を多結晶化して多結晶珪素膜１３’にする。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical switch having movable micromirrors which are supported through the beam formed integrally with the silicon substrate and enabled to move to projection positions and sinking positions by the beam includes forming an embossed beam precursor by etching one surface side of a 1st silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に一体に形成された梁を介して支持されその梁により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラーを有する光スイッチの製造方法を、第１のシリコン基板の一方面側をエッチングすることにより浮き彫り状の梁前駆体を形成する。 - 特許庁

To provide a dynamic pressure bearing and its manufacturing method causing little damage of dynamic pressure grooves even if a shaft is put in whirling operation of a conical mode, simplifying alignment accuracy for maintaining symmetry in performing electrolytic etching work and exhibiting high performance as the dynamic pressure bearing.例文帳に追加

例え軸が円錐モードの振れ回り動作があったとしても動圧溝の損傷が少なく、電解エッチング加工に際して対称性を維持するための位置合わせ精度を簡便化し、動圧軸受としても高性能を発揮することのできる動圧軸受及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method, a semiconductor substrate is cleaned by a silicon etching alkali or acid solution, a surface of the cleaned semiconductor substrate is oxidized by an oxidizing composition including one or more oxidizing agent and having a pH of higher than 7, and the oxidized semiconductor substrate is textured by a texturing composition.例文帳に追加

半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ionic species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or the absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるプラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

In an electroless plating method to a polystyrene-based resin in which the polystyrene-based resin is subjected to the resin plating, the polystyrene-based resin or the polystyrene-based resin mainly consisting of styrene component is subjected to the ozone water treatment using ozone aqueous solution to the polystyrene-based resin as the etching treatment.例文帳に追加

ポリスチレン系樹脂に、樹脂めっき処理するポリスチレン系樹脂の無電解めっき処理方法であって、ポリスチレン樹脂もしくはスチレン成分が主構成成分となるポリスチレン系樹脂について、エッチング処理として、ポリスチレン系樹脂にオゾン水溶液を用いたオゾン水処理を施す。 - 特許庁

To provide a method of producing a micro structure of nitride semiconductor, which forms a microstructure containing a hole inside of a semiconductor without fluctuating the size of the hole formed under precision control in the etching step of the semiconductor even after applying a heat treating step.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後においても大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能となる窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a method for treating onychomycosis by forming with e.g. pulse laser beam, one or more small orifices traversing the entire nail plate or etching the nail plate, and administering to the nail, a composition containing e.g. an antifungal, e.g. terbinafine.例文帳に追加

全体の爪甲を横切るか爪甲をエッチングする、一つもしくはそれ以上の小さいオリフィスを例えばパルスレーザービームにより形成し、そして例えば抗真菌剤を、例えばテルビナフィンを、含有する組成物を爪に投与することにより、爪甲真菌症を処置する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and an apparatus thereof, capable of generating plasma suitable to a process by controlling the kind of radical species or ion species existing in plasma or density thereof, and switching the plasma state, depending on the presence or absence of radiation of light having a controllable radiation range.例文帳に追加

プラズマ内に存在するラジカル種及びイオン種の種類又は密度を制御し、プロセスに対して適したプラズマを生成し、かつ、照射範囲の制御可能な光の照射の有無によりプラズマ状態の切り換えをすることができるラズマエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide copper foil which has a high etching factor, has the excellent straightness of the bottom line of a circuit pattern, leaves no copper grains in circuit pattern resin, can produce a fine pattern, has excellent visibility, and has a reduced high frequency transmission loss, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

本発明は、高いエッチングファクターを持ち、回路パターンのボトムラインの直線性に優れ、なおかつ回路パターンの樹脂中に銅粒子が残ることなく、ファインパターンが作製でき、視認性に優れ、高周波伝送ロスの少ない銅箔並びにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a copper which makes possible high productivity and high authenticity in the manufacture of a high performance wiring plate, etc. an abrasive powder for copper alloy, and a polishing method using it by assuring a front surface which is as smooth as high polishing speed by a CMP and does not have etching.例文帳に追加

ＣＭＰによる高い研磨速度と平滑で腐食のない表面とを確保することにより、高性能配線板等の製造における高い生産性と信頼性を可能とする銅及び銅合金用研磨剤並びにそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming a concave structure on a substrate surface, spherical particles are disposed on a substrate, and a film made of a material different from that of the spherical particles is formed over the spherical particles, and the substrate is etched with the spherical particles and the film as an etching mask.例文帳に追加

基板上に球状粒子を配置し、前記球状粒子上に前記球状粒子とは異なる物質の膜を形成し、前記球状粒子及び前記膜をエッチングマスクとして基板のエッチング処理を行うことにより、基板表面に凹形状構造を形成する方法。 - 特許庁

To provide a ceramic insulator cleaning method by which a contaminated expensive part of a ceramic insulator can be cleaned excellently in a dry etching chamber and the service life of the expensive part can be prolonged while hardly damaging the expensive part.例文帳に追加

乾式エッチング装置内の汚染された絶縁体部品に対して優れた洗浄効果を有し、セラミック絶縁体部品自身がほとんど損傷せずに高価なセラミック絶縁体部品の寿命を延長させることができるセラミック絶縁体の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device or the like by which productivity efficiency can be improved than before and a semiconductor device can be efficiently manufactured, and the unnecessary etching of a base film can be prevented so as to manufacture a high-performance semiconductor device at a high yield.例文帳に追加

従来に比べて生産効率を向上させて、効率良く半導体装置を製造できるとともに、下地膜の不所望なエッチング等を防止して高性能な半導体装置を歩留まり良く製造することのできる半導体装置の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element for performing control in a shape of a process at the time of the formation of a ridge stripe and control in etching depth, and for preventing the deterioration of a characteristic and a yield caused by the existence of an ending point detecting layer.例文帳に追加

リッジストライプ形成の際の加工形状の制御性とエッチング深さの制御性とを両立させることができ、かつ、終点検出層が存在することによる特性劣化や歩留りの低下を防ぐことができる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method comprises the steps of: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first film on the insulator using printing technique; and removing a predetermined portion of the insulator by using the fist film as a mask, using photographic exposure technique or etching technique.例文帳に追加

絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 - 特許庁

In the method for forming a wiring of an MOSFET, wiring layers 22 and 24 formed on an insulating film 20 are etched by dry etching to form groups of wiring lines which are arranged, in each group, to have a set spacing therebetween and are extended in the same direction.例文帳に追加

本方法は、ＭＯＳＦＥＴの配線形成方法であって、絶縁膜２０上に成膜された配線層２２、２４をドライエッチング法によりエッチングして、配線と配線との間が設定配線間スペースで配列され、同じ方向に延在する複数本の配線からなる配線群を形成する。 - 特許庁

For the surface patterning method of etching the surface of a silicon substrate 1 by using a hard mask 3A, the hard mask 3A is provided with an uneven pattern 3b of depth t1 shallower than the film thickness (t) of the hard mask 3A together with an opening pattern 3a facing the etched part of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ハードマスク３Ａを用いてシリコン基板１の表面をエッチング加工する表面パターニング方法であって、ハードマスク３Ａには、シリコン基板１のエッチング部分に臨む開口パターン３ａと共に、このハードマスク３Ａの膜厚ｔよりも浅い深さｔ１の凹凸パターン３ｂが設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate for mounting the light emitting element includes a stage of forming a metal projection part 22b at the position where the light emitting element is mounted by selectively etching a surface metal layer 22 laminated on a metal substrate 10 and a stage of forming an electrode 23a nearby the metal projection 22b.例文帳に追加

金属基板１０に積層された表面金属層２２を選択的にエッチングして発光素子の搭載位置に金属凸部２２ｂを形成する工程と、その金属凸部２２ｂの近傍に電極部２３ａを形成する工程と、を含む発光素子搭載用基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a simple retrieval method and a device with high retrieval efficiency which can retrieve highly-pure Xe by functionally removing water, CO_2, FC and the like from waste gases from semiconductor production processes, such as the plasma etching, that contain low-concentration Xe.例文帳に追加

低濃度のＸｅが含まれるプラズマエッチング等の半導体製造プロセス排ガス中より、水分、ＣＯ_２およびＦＣ等を機能的に除去して高純度なＸｅを回収することが可能な、簡便で捕集効率の高い回収方法および回収装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern forming material from which a high resolution negative pattern is obtained using supercritical carbon dioxide without deteriorating dry etching resistance, and also to provide a pattern forming material and a developing method which enable a fine pattern to be formed without pattern falling.例文帳に追加

本発明の目的は、ドライエッチング耐性を低下させることがなく、高解像度のネガ型パタンが超臨界の二酸化炭素で得られるパタン形成材料を提供し、微細なパタンをパタン倒れなしに形成できるパタン形成材料及び現像方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device avoiding the problem of causing etch stop owing to reduced aperture diameters and the problem of increased contact resistance owing to reduced contact areas caused by the tapered bottom part in the case of forming a through hole by dry-etching a thick insulating film.例文帳に追加

厚い絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールなどを形成する場合、開口径が小さくなるとエッチング停止が生じる問題や底部ほど先細りして接触面積が小さくなり接触抵抗が増大する問題を回避する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method of etching a plurality of substrates transported horizontally by means of a conveying means, the adjacent substrates are connected to each other by only sticking the substrate connecting tape to blank sections in the edge sections of the substrates in the direction perpendicular to the transporting direction of the substrates.例文帳に追加

搬送手段で水平に搬送される複数の基板をエッチングする方法において、隣り合う各基板の搬送方向に対する直角方向の縁部に位置する余白部分にのみ基板接続用テープを貼り付けて基板を互いに連結する基板のエッチング方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed wiring board in which scattered pieces of copper can be securely removed without excessively etching a copper layer of an inner layer disposed at a via bottom nor a copper layer surface on the side of a multilayer stacked plate surface when vias are formed in a multilayer stacked plate by direct laser machining.例文帳に追加

ダイレクトレーザー加工で多層積層板にビアを形成する場合に、ビア底に位置する内層の銅層や多層積層板表面側の銅層表面を過剰にエッチングすることなく銅の飛散り物を確実に除去できるプリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of processing a plasma CVD apparatus which can obtain a high productivity by performing simultaneously cleaning in a reaction chamber and processing a semiconductor substrate by safe process with a low cost without etching in the reaction chamber or without taking a time and effort in handling.例文帳に追加

反応室内がエッチングされたり、取り扱いに手間がかかったりすることのない安全で低コストのプロセスによって、反応室内をクリーニングと半導体基板の処理を同時に実施して高い生産性を得ることができるプラズマＣＶＤ装置の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a method of fabrication, in which the contact resistance of an Al alloy interconnection can be prevented from increasing in a contact hole by preventing formation of reaction products with Al when a contact hole is made in an interlayer insulation film by etching.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element of high luminance without deterioration, in which electrodes are oppositely installed, separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, and a light emitting region is not damaged, and also to provide a manufacturing method of the light emitting element.例文帳に追加

電極が対向して設けられるとともに、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する窒化物半導体発光素子であっても、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a negative pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, which has a chemical structure with high durability against dry etching and shows excellent resolution without swelling in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a standard developer.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、標準現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。 - 特許庁

Layers 602, 606, 610 of SiON as a Fresnel lens material are deposited by a known method and the chemical composition for depositing material is selectively altered to form middle etching stopping layers 604, 608 at appropriate positions.例文帳に追加

本発明の一態様による製作方法では、公知の方法でフレネルレンズ材であるＳｉＯＮ層６０２，６０６，６１０をそれぞれ堆積した後、堆積された材料の化学組成を選択的に変化させることにより、中間エッチング停止層６０４，６０８が適当な位置に形成される。 - 特許庁

A lattice pattern formed on the encoder scale and a shaft hole are etched by using the same photomasks or photomasks accurately locatable with each other in combination with a photolithography used to manufacture a semiconductor integrated circuit and the like and an etching method using an ion or a plasma.例文帳に追加

半導体集積回路などの製造に用いられるフォト・リソグラフィ法と、イオン又はプラズマを用いるエッチング法を組み合わせて、エンコーダ・スケールに形成された格子パターンと軸穴部を、同一のフォトマスク、又は互いに正確に位置決め可能なフォトマスクを用いてエッチング加工を行う。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microstructure of a nitride semiconductor capable of forming the microstructure including a vacancy inside the semiconductor without greatly changing the size of a hole formed by precise control in an etching step of the semiconductor after performing a heat treatment process.例文帳に追加

半導体のエッチング工程で精密に制御して形成した孔のサイズを、熱処理工程を施した後に大きく変動させることなく、半導体の内部に空孔を含む微細構造の形成が可能な窒化物半導体の微細構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁

This method submerges a crystal silicon substrate in an alkaline solution and provides anisotropic etching on a surface of the substrate to form a projection-recess structure on the surface for concave-convex substrate fabrication.例文帳に追加

アルカリ性溶液中に結晶系シリコン基板を浸漬し、該基板の表面を異方性エッチングすることにより、該基板の表面に凹凸構造を形成して凹凸基板を製造する方法であって、アルカリ性溶液に、以下の一般式（１）で表わされる添加剤が含有されている。 - 特許庁