「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

This method comprises the steps of: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first film on the insulator using printing technique; and removing a predetermined portion of the insulator by using the fist film as a mask, using photographic exposure technique or etching technique.例文帳に追加

絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 - 特許庁

This manufacturing method of the wiring board comprises the steps of forming a wiring pattern 20 by patterning a conductive layer 12 formed on the surface of a base board 10, and forming holes 30 in the base board 10 by etching the portions exposed from the wiring pattern 20 on the surface of the base board 10.例文帳に追加

配線基板の製造方法は、ベース基板１０の表面に形成された導電層１２をパターニングして配線パターン２０を形成すること、及び、ベース基板１０の表面における配線パターン２０からの露出部をエッチングしてベース基板１０に穴３０を形成することを含む。 - 特許庁

After stripe-shaped red patterns 27 are formed as the first color on a support member by using a dry etching method, a blue layer 33B is formed, and the red patterns and the blue layer are dry-etched to form blue pixels 20B, red pixels 20R, and green pixel formation regions 39.例文帳に追加

支持体上に第１色目として、ドライエッチング法を用いて、ストライプ状の赤色パターン２７を形成後、青色層３３Ｂを形成し、赤色パターン及び青色層をドライエッチングして、青色・赤色画素２０Ｂ，２０Ｒ及び、緑色画素形成領域３９を形成する。 - 特許庁

A film made of polymeric material is formed on the entire surface of a lower electrode connected to a thin transistor by a coating method, and then is etched by etching by plasma, thereby allowing selective forming of a polymeric material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成した後、プラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜をエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

To remove the native oxide without reducing the thickness of a gate sidewall insulating film, by setting the etching rate of the gate sidewall insulating film formed of a silicon nitride film which is formed by LP-CVD method by using HCD as a material gas sufficiently lower than that of the native oxide.例文帳に追加

原料ガスとしてＨＣＤを用いたＬＰ−ＣＶＤ法により形成した、シリコン窒化膜からなるゲート側壁絶縁膜のエッチングレートを、自然酸化膜のエッチングレートよりも十分に遅くし、ゲート側壁絶縁膜の薄膜化を招くことなく、自然酸化膜を除去すること。 - 特許庁

To provide a mounting method for preventing tilting when an inertial sensor element formed by etching a quartz plate of a Z plate is mounted in a container, or tilting when the container storing the sensor element is mounted in a user substrate.例文帳に追加

本発明は、Ｚ板の水晶板をエッチング加工して形成し、収納容器に実装した慣性センサー素子が、センサー素子と収納容器への実装の傾きあるいは、センサー素子を収納した容器とユーザ基板への実装時の傾きを防止するためのセンサ素子ーの実装改善を目的とする。 - 特許庁

To provide a method of producing an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode having excellent etching properties achieved by more stabilizing a surface layer oxide film of the aluminum material to solve the problem in the surface treatment before final annealing in the conventional production of the above aluminum material.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の表面処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, able to obtain an excellent surface morphology after etching the surface of a semiconductor layer composed of a binary compound mix crystal of a Group III-V compound semiconductor including different kinds of Group III elements.例文帳に追加

異なる種類のIII族元素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の２元化合物の混晶からなる半導体層の表面にエッチング処理を施す際に、そのエッチング処理後の表面モフォロジーを良好なものとすることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method includes a step of preparing a photomask blank having a light shielding film 15 on a transparent substrate 14, a step of forming a first resist pattern by drawing and developing a resist film formed on the light shielding film, and a step of performing first patterning by etching the light shielding film with the first resist pattern as a mask.例文帳に追加

透明基板１４上に遮光膜１５を有するフォトマスクブランクを準備する工程と、遮光膜上に形成したレジスト膜を描画、現像して第１レジストパターンを形成する工程と、第１レジストパターンをマスクとして遮光膜をエッチングして第１のパターニングを行う。 - 特許庁

The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.例文帳に追加

少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reliable contact plug for preventing the short-circuiting between the contact plug and bit wiring by applying a material, where the ratio of etching speed to that of a silicon nitride film becomes at least 100, to an interlayer film for forming a self-alignment contact plug.例文帳に追加

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、窒化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供することにある。 - 特許庁

This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.例文帳に追加

基板１上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜５を形成する工程、この誘電体膜５を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜５のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁

To provide a method for patterning carbon nanotube able to pattern it with an optional size which is from submicron to a few mm for a large area or a curved face, furthermore being unnecessary for troublesome etching or a negative plate, superior in wear resistance with noncontacting type and being advantageous for industrial mass production.例文帳に追加

大面積や曲面などに対してもサブミクロから数ミリまでの任意の大きさのパターニングが可能であり、しかも面倒なエッチング処理や原版を必要とせず、非接触方式で耐摩耗性に優れ、大量生産に適した工業的に有利なカーボンナノチューブのパターニング方法を提供する - 特許庁

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which an suppress an increase in the contact resistance of an Al alloy wire in a connection hole, by preventing products of reaction on Al from being formed, when etching for forming the connection hole in an interlayer insulating film is carried out.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成するためのエッチングを施す際にＡｌとの反応生成物の形成を防止することにより、接続孔内におけるＡｌ合金配線のコンタクト抵抗の増加を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring board with wiring excellent in a corrosion resistance formed on the surface of the board comprising a porous material by a wet process such as etching or the like without increase in a relative permittivity and influence of a structure disorder, and to provide a method for forming the wiring.例文帳に追加

比誘電率の上昇や構造破壊をおよぼすことなく、多孔質材料からなる基板の表面に耐食性の優れた配線をエッチング等のウェットプロセスによって形成した配線基板、および、この配線を形成する配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for chemical and mechanical planarization capable of surely eliminating a residue of a silicon dioxide, without requiring reverse mask etching work or re-removing work, improving the grinding control capability, reducing the cost and improving the yield.例文帳に追加

確実に二酸化珪素の残留の課題を解消できると共に、反マスクエッチング作業や再除去作業を要しないようにすることができ、研磨制御能力を向上でき、コストを低減させることができとともに、歩留まりをも向上できる化学機械平坦化方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the manufacturing method has a step, in which the second nitride semiconductor layer 18 is etched so that the etching is automatically stopped, in a state where the second nitride semiconductor layer 18 remains, by making the second nitride semiconductor layer 18 react with an alkali etchant, while irradiating the second nitride semiconductor layer 18 with a light.例文帳に追加

続いて、第２の窒化物半導体層１８に光を照射しつつアルカリ性のエッチャントと反応させることにより、第２の窒化物半導体層１８が残存した状態で自動的にエッチングが停止するように第２の窒化物半導体層１８をエッチングする。 - 特許庁

The method of manufacturing a diode device (30) such as PIN diodes comprises a step for forming an upper and lower regions (38, 40) having opposite conductivities, and a step for anisotropically etching into the upside to form a pit (32) having side walls (56, 58 and 60) extending and converging toward the downside.例文帳に追加

PINダイオードのようなダイオードデバイス(30)を製造する方法であって、反対の導電性からなる上部領域と下部領域(38,40)を形成すること、及び底面に近づきながら収束する側壁(56,58,60)を有するピット(32)を形成するために上面内へ異方性エッチングすることを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a large number of reproducible, hyperbolic drum type elements by using an ion beam etching process, and a hyperboloidal drum type structure that is adjustable in size of an active layer and that is usable for manufacturing optical devices and an electronic devices of nano-scale.例文帳に追加

イオンビームエッチング法を利用して再演性のある双曲面ドラム型素子を大量に製造する方法、及び活性層の大きさの調節が可能であって、ナノ規模の光素子及び電子素子の製造に活用することができる、双曲面ドラム型構造を提供する。 - 特許庁

To provide a structure of an electronic device capable of properly etching a sacrificial layer to release a movable part even if a gap becomes smaller in an electronic device with the movable part having a gap from a function structure body constituting a function element, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

機能素子を構成する機能構造体が下方に間隙を有する可動部を備えてなる電子装置において、上記間隙が小さくなっても可動部をリリースするための犠牲層エッチングを適度に行うことができる電子装置の構造及び製法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming an insulating film, either an LaAlO_x film or PrAlO_x film, on a silicon substrate, a step of forming a gate electrode on the insulating film, and a step of wet-etching the insulating film by using a liquid chemical of 9-10 in pH.例文帳に追加

シリコン基板の上に、ＬａＡｌＯ_ｘ膜およびＰｒＡｌＯ_ｘ膜のいずれか一方の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程と、この絶縁膜をｐＨ９〜１０の薬液を用いてウェットエッチングする工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a semiconductor device with a good yield by preventing damage and contamination of a wafer and an etching device caused due to grinding dusts generated in a mechanical grinding process, in a semiconductor wafer ground up to extremely-small thickness, in particular, an extremely-thin wafer with an annular projecting part formed thereon.例文帳に追加

極薄にまで研削された半導体ウエハ、特に環状凸部が形成された極薄ウエハにおいて、機械的研削工程で発生した研削屑によるウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を防止し、半導体装置を歩留まりよく製造しうる方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method comprises applying a photosensitive resist 4 on one side of a substrate 1, carrying out laser lithography to the photosensitive resist 4, developing the drawn image to form a mask pattern 5 having a desired opening pattern 5a, and etching the substrate 1 through the mask pattern 5 to a desired depth to obtain a mold 11.例文帳に追加

基板１の一方の面に感光性レジスト４を塗布し、この感光性レジス４トにレーザ描画を行い、その後、現像を施して、所望の開口パターン５ａを有するマスクパターン５を形成し、このマスクパターン５を介して基板１を所望の深さまでエッチングしてモールド１１とする。 - 特許庁

In the manufacturing method, the tip 3a of the optical fiber 3 is moved towards a liquid face 2a of an etching liquid 2, and during the movement, a light detecting part 7 detects reflected light of an incident light emitted from the other end of the optical fiber 3 that reflected on the tip of the optical fiber.例文帳に追加

本発明の製造方法は、光ファイバ３の先端３ａを、エッチング液２の液面２ａに接近するように移動させ、その移動中において、光ファイバ３の他端から入射された光のうち光ファイバの先端において反射した反射光を光検出部７にて検出する。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a circuit board capable of forming a circuit of fine pattern by improving etching characteristic of a copper layer or copper foil, as well as a laminate of an insulating substrate and a copper layer or a copper foil for a wiring board which is suitable for fine pattern, along with a printed wiring board using the same.例文帳に追加

ファインピッチ化に適した配線板用銅箔又は銅層と絶縁基板との積層体及びそれを用いたプリント配線板、さらには、銅箔または銅層のエッチング性を向上させてファインパターンの回路を形成することができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide such a method of processing a piezoelectric vibrating-reed that a connection part between the piezoelectric vibrating-reed and a wafer has sufficient strength after processing for outer shape by etching, and a part projecting from a visible outline of the piezoelectric vibrating-reed does not remain when the piezoelectric vibrating-reed from the wafer is folded and cut off.例文帳に追加

圧電振動片とウエハとの接続部分がエッチングによる外形加工後は十分な強度を有し、圧電振動片をウエハから折り取ったときに、圧電振動片の外形線から突出する部分が残らない圧電振動片の加工方法を提供する。 - 特許庁

A silicon layer 103 is patterned using a preparation method similar to a conventional one utilizing a well-known lithographic technique and etching technique, after forming a p-type silicon layer 132 and a germanium layer 107 in one part of the silicon layer 103, so as to form a silicon core 131.例文帳に追加

シリコン層１０３上の一部にｐ型シリコン層１３２およびゲルマニウム層１０７を形成した後で、よく知られたリソグラフィ技術とエッチング技術を利用した従来と同様な作製方法を用いてシリコン層１０３をパターニングし、シリコンコア１３１を形成する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for processing development, capable of developing a resist pattern having a rectangle shape whose tip is not rounded, and capable of processing with sufficient accuracy a film to be etched, when etching the under layer film to be etched using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

先端が丸みを帯びない矩形形状を有するレジストパターンを現像することができ、レジストパターンをマスクに用いて下層の被エッチング膜をエッチング処理により加工する際に、被エッチング膜を精度よく加工することができる現像処理方法及び現像処理装置を提供する。 - 特許庁

The device manufacturing method includes a step of disposing a mask closely onto the base material 2 having a modified part 2a subjected to modification beforehand and position-selectively forming a film 6 in a gas phase so as to cover the modified part 2a and then a step of performing chemical etching of only the modified part 2a.例文帳に追加

予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of suppressing the reduction of the thickness of an insulating film for a side wall upon forming a silicide block layer, and suppressing the generation of dispersion in the etching of a gate electrode or the width of the side wall.例文帳に追加

本発明の目的は、シリサイドブロック層の形成時におけるサイドウォール用絶縁膜の膜厚の減少を抑制することができ、ゲート電極のエッチングやサイドウォール幅のばらつきの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The method of forming the buried wire includes steps of etching a wire groove with an opening for exposing a wire 1 on a lower layer, then peeling the residuals 5 on the wire by plasma excitation, and then cleaning the wire-exposed surface by a gaseous organic gas 6 without exposing in the atmosphere.例文帳に追加

下層の配線１を露出させるための開口を伴う配線溝孔エッチング後に、プラズマ励起により配線上の残渣５を剥離処理したのち、大気中に晒すことなく、気体状態の有機系ガス６により配線の露出部表面の清浄化処理を行う。 - 特許庁

Further, the method comprises steps of generating plasma in the chamber by a plasma generating means by introducing gas for etching into the chamber, and increasing plasma density in the chamber by the high plasma density means to etch the Al thin film by the use of the density-increased plasma.例文帳に追加

更に、チャンバーにエッチング用ガスを導入しながら、プラズマ発生手段によってチャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ高密度化手段によって、チャンバー内のプラズマの密度を向上させることで、この密度が向上されたプラズマを用いてＡｌ薄膜をエッチングするようにした。 - 特許庁

To provide an integrated circuit element and its manufacturing method for making the surface area of an electrode increased, by forming a capacitor lower electrode in a symmetrically half-cylindrical shape within an intaglio pattern with a small aspect ratio and also for securing a thin filming margin and an etching margin.例文帳に追加

縦横比が小さい陰刻パターン内に、キャパシタ下部電極を対称的な半シリンダ型で形成することによって、電極の表面を増加させると同時に、薄膜化限界とエッチングマージンを確保することができる集積回路素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method is employed to accurately compart the trench section 32 on the thermal ink jet print head 10 to be etched in the region of a substrate surface 34 and performs etching by protecting the element of an adjacent liquid-drop generator from being damaged by exposing the element to a silicon etchant with a rigid mask.例文帳に追加

サーマルインクジェットプリントヘッド(10)のトレンチ部分(32)を、エッチングされる基板表面(34)の領域を正確に画定し、且つシリコンエッチング液に曝されることによる損傷から近接する液滴発生器の構成要素を保護する強靱なマスクを使用してエッチングする方法。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and its manufacturing method eliminated inferior display at the liquid crystal display by preventing etching residues at the formation of an ITO film onto a coated insulation film, reducing contact resistance between the ITO film and an underlayer metal film.例文帳に追加

塗布系の絶縁膜上のＩＴＯ膜の成膜に際し、エッチング残渣を生じさせず、且つ、ＩＴＯ膜と下層金属膜との間のコンタクト抵抗を低減することにより、液晶表示面での表示不良を無くすことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the crystal piece forming method of obtaining a plurality of crystal pieces 1 from an AT-cut crystal wafer like a plane plate by etching, a mask film for taking the plurality of crystal pieces 1 respectively is formed on a principal flat surface of the crystal wafer 10.例文帳に追加

ＡＴカットにて切り出した平板状の水晶ウェハ１０からエッチングにより複数の水晶片１を得る水晶片形成方法において、前記複数の水晶片１のそれぞれを取り出すためのマスク膜を前記水晶ウェハ１０における主平面形成しておく。 - 特許庁

To provide a dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor such that a smooth etched-surface still can be obtained in a lower degree of vacuum (high pressure) of 10^-3 Pa order, and which can further make aluminum oxide etch, such as a sapphire substrate or an alumina substrate.例文帳に追加

10^-3Paオーダーという比較的低い真空度（高い圧力）でも平滑なエッチング面が得られるような窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチング方法であって、更にサファイア基板やアルミナ基板といったアルミ酸化物までエッチング可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a micromachining process using a sacrificial layer 103 to manufacture a microstructure floating over a substrate, the manufacturing method of a microstructure includes a step of laminating an anti-sticking film 101 removable by dry etching before or after the lamination of the sacrificial layer.例文帳に追加

基板から浮上する微細構造物を製造するために犠牲層１０３を利用するマイクロマシニング工程において、上記犠牲層の積層前後に乾式エッチングにより除去可能な粘着防止膜１０１を積層する段階を含む微細構造物の製造方法が提供される。 - 特許庁

This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled.例文帳に追加

この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

The manufacturing method for the optical switch having movable micromirrors which are supported through the beam formed integrally with the silicon substrate and enabled to move to projection positions and sinking positions by the beam includes forming an embossed beam precursor by etching one surface side of a 1st silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に一体に形成された梁を介して支持されその梁により突出位置及び没入位置に移動可能に構成された可動マイクロミラーを有する光スイッチの製造方法を、第１のシリコン基板の一方面側をエッチングすることにより浮き彫り状の梁前駆体を形成する。 - 特許庁

The method for producing langasite based single crystal substrate comprises a step for polishing one major surface of langasite based single crystal substrate, and a step for wet etching the polished major surface of the substrate and the backside thereof using a solution containing at least one kind of phosphoric acid, acetic acid and nitric acid.例文帳に追加

ランガサイト系単結晶基板の一方の主面を研磨する工程と、研磨した基板の主面およびその裏面を、リン酸、酢酸、硝酸の少なくとも一種と塩酸とを含む溶液で湿式エッチングする工程と、を備えるランガサイト系単結晶基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor devices further includes a step of manufacturing the thickened resist patterns by forming the resist patterns on an underlayer and then applying the thickening material on the surfaces of the resist patterns thereby thickening the resist patterns, and a step of patterning the underlayer by etching using the thickened resist patterns.例文帳に追加

下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁