「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the wiring board includes a step for preparing a board 10 having a tape like base board and a metallic layer provided to the base board, and a step for jetting an etching liquid 100 on the board 10 to etch the metallic layer while transporting the board 10.例文帳に追加

配線基板の製造方法は、テープ状のベース基板と、ベース基板に設けられた金属層と、を有する基板１０を用意する工程と、基板１０を搬送しながら基板１０にエッチング液１００を噴射して金属層をエッチングする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor, capable of always maintaining a process at a fixed etching rate and accurately processing with low micro loading effects, high selectivity, high reproducibility and a method for treating the surface of a substrate to be treated, by using the apparatus for manufacturing the semiconductor.例文帳に追加

常に一定のエッチングレートでプロセスを維持することができ、低マイクロローディング効果、高選択性、高再現性、高精度加工を可能とする半導体製造装置および該半導体製造装置を用いた被処理基板表面の処理方法の提供。 - 特許庁

By applying this method, the distortion occurring in the reed screen type part of the thin metal sheet with the slit type apertures manufactured by the photo-etching process can be corrected, which enables elimination of rejection to be disposed and improvement of the manufacturing yield.例文帳に追加

この方法を用いることにより、フォトエッチング法にて製造されたスリット状の開口部を有する金属製薄板の簾部分に発生した変形を修正することができ、今まで廃棄していた不良品を無くして製造の歩留りを上げることができる。 - 特許庁

This is to provide an improved version of a silicon wafer etching method in which an acid etchant and an alkaline etchant are individually stored in a plurality of tanks, and a silicon wafer having a process modified layer formed through a lapping process and a subsequent cleaning process is sequentially immersed in the acid etchant and the alkaline etchant.例文帳に追加

複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法の改良である。 - 特許庁

To provide a method for forming a pattern of a magnetic thin film, by which the magnetic thin film having satisfactory adhesion and high precision can be formed by preventing the damage to the surface of a base electrode film for electroplating, generated when a plating mask or a plating frame using dry etching is formed.例文帳に追加

ドライエッチングを用いためっきマスクあるいはめっきフレームの形成時に生じる、電気めっき用下地電極膜表面へのダメージを防止して、密着性の良い、精度の高い磁性薄膜を形成する磁性薄膜のパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a stencil mask by which the deposition of foreign matter is prevented in a step for forming a pattern opening in a single-crystalline silicon wafer, particularly in a step for etching a middle silicon dioxide film and a high quality stencil mask is produced in a high yield.例文帳に追加

単結晶シリコンウェハにパターン開口部を形成する工程や、特に中間シリコン酸化膜をエッチングする工程での異物の付着を無くし、製造歩留まりの高い高品質のステンシルマスクを製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加

基板１上での第２層目の配線１１の上側に第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）を形成し、マスク１６を用いて第２層目の層間絶縁膜（膜１３，１４，１５）におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁

In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern.例文帳に追加

このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the opening with a tapered portion of an oxide-based interlayer insulating film, capable of obtaining wiring dimensions as designed and improved step coverage, without enlarging the diameter of the opening of the insulating film in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程において絶縁膜の径を広げることなく、設計通りの配線寸法と、かつ良好なステップカバレージとを得ることができる、テーパー部を有した酸化物系層間絶縁膜の開口部を持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching solution for a printed circuit board capable of contributing to the reduction in the production cost of a printed circuit board and environmental protection by utilizing ozone produced in a UV ink hardening furnace as an oxidizer instead of an oxidizer such as a hydrogen peroxide aqueous solution.例文帳に追加

過酸化水素水などの酸化剤に代えてＵＶインク硬化炉で生成されるオゾンを酸化剤として利用することにより、プリント配線板の製造コストの低減と環境保護とに寄与させ得るプリント配線板用エッチング液の再生方法を提供する。 - 特許庁

It is assumed that a dry etching method is employed wherein a metal conductive film containing high-fusion-point metal, the copper-containing aluminum film, and a mask layer are formed in order on an insulating film and dry-etched to form a wiring pattern of the metal conductive film and copper-containing aluminum film.例文帳に追加

絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。 - 特許庁

A polycrystal Si to be a heating resistor section, an interbedded insulation film 36, a metallic wiring pattern layer and a surface protection film 41 are formed on an SI substrate, then the interbedded insulation film 36 and surface protection film 41 are removed by a dry-etching method to open a pit 8 to form an opening.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に発熱抵抗体部となる多結晶Ｓｉ、層間絶縁膜３６、金属配線層、表面保護膜４１などを形成後、層間絶縁膜３６および表面保護膜４１をドライエッチングによって除去し、ピット８を開口させる。 - 特許庁

(1) The method for forming the structure is characterized by using the medium having the laminated structure of the light absorption layer and the thermal reaction layer and forming the fine structure by a step of irradiating at least the medium with the light and a step of etching the medium.例文帳に追加

（１）光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。 - 特許庁

To provide a dry cleaning method applied to a dry etching device provided with a plasma generator employing an alumina discharge tube, which enhances the availability of the device by efficiently removing aluminum fluoride attached to the inner surface of the alumina discharge tube without disassembling a channel for a reactant gas.例文帳に追加

アルミナ放電管を用いたプラズマ生成部を備えるドライエッチング装置に適用するドライクリーニング方法において、反応ガスの流路を分解することなくアルミナ放電管内面に付着するＡｌＦを効率良く除去し、装置の稼働率を上げる。 - 特許庁

The COF tape has a wiring pattern 2 made of copper by a subtractive method on one surface of an insulating tape base 1, and the wiring 3 formed by etching is sectioned in a suitable trapezoid shape to secure necessary size precision of a top width T of the wiring.例文帳に追加

絶縁テープ基材１の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープであって、エッチングにより形成される配線３の断面形状を最適な台形状にすることで、配線のトップ幅Tの必要な寸法精度を確保する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents variations in film thicknesses of the peripheral nitride films of the trench from being generated by etching in digging deeply a trench up to a depth for complete separation so that variations in film thicknesses of the element separating films are suppressed.例文帳に追加

トレンチを完全分離の深さに深掘する際のエッチングによって、当該トレンチの周辺の窒化膜の膜厚にばらつきが生じることを抑制し、これにより素子分離膜の膜厚のばらつきを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the method monitors the ratio of a reflected light or reflected light intensity, and detects the end point of plasma etching to the film to be etched on condition that the ratio or the intensity is increased or reduced more than a prescribed threshold.例文帳に追加

そして、本発明に係る方法は、反射波の比率又は反射波強度をモニタリングするとともに、該比率又は強度が、所定閾値より増加又は減少すること等を条件として、前記被エッチング膜に対するプラズマエッチングの終点検出を行う。 - 特許庁

To provide an electrode forming method for a surface acoustic wave (SAW) device in which power resistance is improved by suppressing the occurrence of hillocks or voids without any residue when etching an Al alloy film containing metal halides low in vapor pressure.例文帳に追加

本発明の目的は、ハロゲン化物の蒸気圧が低い金属を含んでいるＡｌ合金膜のエッチングにおいて、残渣を残さずに、ヒロックやボイドの発生を抑制し耐電力性が向上する弾性表面波デバイスの電極形成方法を提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, as the etching stopper in forming a groove 10 of a pad portion and a groove 11 of a wiring portion, an SiN film 5 corresponding to a third insulating film is interposed between an oxide film 4 corresponding to a second insulating film and an oxide film 8 corresponding to a fourth insulating film.例文帳に追加

パッド部の溝１０および配線部の溝１１を形成する際のエッチングストッパーとして第３絶縁膜に相当するＳｉＮ膜５を第２絶縁膜に相当する酸化膜４と第４絶縁膜に相当する酸化膜８の間に配置する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which does not alter the overall etching characteristics of a substrate to be processed even if the bias power being applied to a wafer is partially divided and applied to a focus ring by controlling the bias power being applied to a wafer not to be affected but is kept constant.例文帳に追加

ウエハに印加されるバイアス電力の一部を分割してフォーカスリングに印加しても、ウエハに印加するバイアス電力に影響を与えず一定となるように制御し、被処理基板全体のエッチング特性に変化を与えないプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of providing a semiconductor substrate on which a gate electrode pattern is formed, implementing many-time simultaneous vapor deposition and etching processes to form an interlayer dielectric film made up of multilayer HDP oxidized films so as to embed the gate electrode pattern.例文帳に追加

ゲート電極パターンが形成された半導体基板を提供する段階と、多数回の同時蒸着及びエッチング工程を行い、前記ゲート電極パターンが埋め込まれるように多層のＨＤＰ酸化膜からなる層間絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.例文帳に追加

プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light element capable of preventing the reduction of contact area between a semiconductor layer in a waveguide ridge top and an electrode by a simple process, and preventing the semiconductor layer in the waveguide ridge top from being damaged by etching.例文帳に追加

簡単な工程により導波路リッジ頂部の半導体層と電極の接触面積の減少を防ぎ、導波路リッジ頂部の半導体層がエッチングによって損傷を受けるのを防ぐことができる半導体光素子の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyol compound for photoresists which can reduce line edge roughness (LER) and can efficiently obtain a high purity polyol compound for photoresists useful in preparing a resist composition having excellent resolving power and etching resistance.例文帳に追加

ＬＥＲを低減することができ、且つ、解像性及び耐エッチング性に優れるレジスト組成物を調製するために有用なフォトレジスト用ポリオール化合物を高い純度で効率よく得ることができるフォトレジスト用ポリオール化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming a gate trench in a semiconductor layer containing silicon by etching the semiconductor layer using, as a mask, a mask layer containing silicon nitride and a side wall film formed on a side wall of the mask layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、シリコン窒化物を含むマスク層及びマスク層の側壁に形成されたサイドウォール膜をマスクにして、シリコンを含む半導体層をエッチングし、半導体層にゲートトレンチを形成する工程を有する。 - 特許庁

This method includes a step of treating an anhydrous sulfide by using a disulfur dichloride solution between a step of forming a stripe-like mesa section by etching and a step of forming a current blocking layer.例文帳に追加

半導体レーザの製造方法において、 エッチングによってストライプ状メサ部を形成する工程と、電流ブロック層を形成する工程との間に、二塩化二硫黄液による無水系硫化物処理を行う工程を、含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device, in which a sidewall insulating film covering the side surface of a gate electrode of a first element is formed while the occurrence of a damage caused by etching on a region on which a second element of a semiconductor substrate is formed is suppressed.例文帳に追加

半導体基板の第２素子が形成される領域にエッチングによるダメージが発生するのを抑制しながら第１素子のゲート電極の側面を覆うサイドウォール絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of heat processing equipment in which cleaning operation can be carried out quickly by removing an unnecessary film, i.e. a silicon oxide film formed by TEOS (tetraethyl orthosilicate), adhering to the structure in the heat processing equipment efficiently and quickly at a high etching rate.例文帳に追加

熱処理装置内の構造物に付着した不要な膜であるＴＥＯＳによるシリコン酸化膜を高いエッチングレートで効率的に、且つ迅速に除去するようにしてクリーニング処理を迅速に行うことが可能な熱処理装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching substrate by which a plurality of substrates can be etched by preventing the sticking of a substrate connecting tape onto circuit patterns by eliminating the sticking error of the tape at the time of connecting the edge sections of adjacent substrates to each other with the tape.例文帳に追加

複数の基板をエッチングする方法において、基板接続用テープによって隣り合う各基板の縁部を連結する際に、基板接続用テープの貼り付け誤差を解消し、基板接続用テープの回路パターン上への貼付を解消することを課題とする。 - 特許庁

To provide a convenient method for producing monofluoromethane, by which monofluoromethane is produced with a high yield, which is suitable for producing high-purity monofluoromethane usable as an etching agent or a cleaning agent etc., in a thin film process of a semiconductor industry, and which is conducted with a simple apparatus and an easy operation.例文帳に追加

モノオフルオロメタン収率が高く、半導体工業の薄膜プロセスでのエッチング剤、クリーニング剤等として使用できる高純度のモノフルオロメタンの製造に適し、かつ簡易な装置と容易な操作で行える簡便なモノオフルオロメタンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical element using a thin plate having a rugged part formed on the surface of a substrate by dry etching and the like, wherein the surface of the substrate which lacks Li by its external diffusion is repaired and breakage of the substrate is suppressed.例文帳に追加

ドライエッチングなどにより基板表面に凹凸部を形成した薄板を使用する光学素子の製造方法において、Ｌｉの外拡散で欠乏した基板表面を補修すると共に、基板の破損を抑制した光学素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the shape of the photosensitive resist material is transferred to the cemented carbide by a dry etching method, micro- concaves 14 of about 0.02 μm diameter are formed in micro-concaves 12 in the surface 10b of a structural component of the cemented carbide.例文帳に追加

そして、感光性レジスト材料形状をドライエッチング法によって超硬合金に転写すると、超硬合金の機構部品表面１０ｂ表面のマイクロ凹形状１２の内部に、さらに小さな直径０．０２μｍ程度の凹形状１４が形成される。 - 特許庁

To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.例文帳に追加

この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁

Then after a GaN layer 16 having a prescribed film thickness is grown on the GaN layer 14 by an HVPE method, the self-supporting substrate is formed by removing the GaAs substrate 10 and the GaN buffer layer 12 of a growth substrate 1 by polishing and etching or the like.例文帳に追加

つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。 - 特許庁

To provide a formation method for an inter-metal layer insulating film of a semiconductor element by which element characteristics are effectively prevented from deteriorating by preventing the formation of an inter-metal wiring abnormal film caused by etching for a part of metal wiring when an inter-layer insulating film is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜形成時に金属配線の一部がエッチングされることで金属配線間の異常膜が形成されるのを防止し、素子特性の劣化を有効に防止できる半導体素子の金属層間絶縁膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film carrier tape that reduces the full-etching warping or curling of a conductive layer which becomes one of the warping indexes of the conductive layer at the time of patterning the conductive layer by widening the selection width for the chemical structure of a polyimide film, and also to provide a method of manufacturing the tape.例文帳に追加

ポリイミドフィルムにおける化学構造の選択の幅を広げ、導電層にパターニングを行った際の、反りの指標の一つとなる導電層フルエッチング時のそりやカールを低減させることができるフィルムキャリアテープおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device further comprises the steps of: forming an amorphous Si layer 26 on the opposite surface side of the epitaxial semiconductor layer 4 after the etching step; and forming an anti-reflection film and a color filter on the amorphous Si layer 26 in this order.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming an organic bottom anti-reflective coating over an etch target layer, a step of forming a photoresist pattern over the organic bottom anti-reflective coating, and a step of etching the organic bottom anti-reflective coating using a sulfur-containing gas.例文帳に追加

被エッチング層上に有機反射防止膜を形成するステップと、該有機反射防止膜上に感光膜パターンを形成するステップと、硫黄が含有されたガスを用いて、前記有機反射防止膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing an ink jet head in which failure of production is reduced through a production process for blocking progress of silicon etching and a silicon channel plate is provided while reducing the cost, and to provide an ink jet head and an ink jet recorder.例文帳に追加

本発明は、シリコンエッチングが進行しないようにする製造工程によって製造不良が低減し、低コスト化を図れるシリコン流路板を提供するインクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッド及びインクジェット記録装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.例文帳に追加

このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁

To provide a method for forming a substrate, in which a desired fine uneven structure having a comparatively large area can be formed on a surface of the substrate, by paying attention to mask formation by a nano-inprint process allowing a mask having a comparatively large area to be obtained and chemical etching allowing a large area to be processed.例文帳に追加

比較的大面積化が可能なナノインプリントプロセスによるマスクの形成と、大面積の処理が可能な化学エッチングとに着目することで，基板の表面に比較的大面積の所望の微細凹凸構造を形成可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method which can control a reflection electric power generated when an etching primary process and a deposition primary process are switched or when on and off of a high frequency electric power which is supplied to a plasma generation device or an electrode are switched.例文帳に追加

エッチング主体の工程とデポジション主体の工程を切り換えたときや、プラズマ発生装置または電極に供給する高周波電力のＯＮ／ＯＦＦを切り換えたときに発生する反射電力を抑制できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

The method includes a step to form a buried oxide layer BOX at the logic circuit part 18 of a substrate, which is not masked by a first mask, by injecting oxygen and a step to apply etching to isolation trenches inside the array part 17 and the logic circuit part 18 by a second mask.例文帳に追加

酸素を注入して、第１のマスクによってマスクされていない基板の論理回路部分１８に埋設酸化物層ＢＯＸを形成するステップと、第２のマスクでアレイ部分１７と論理回路部分１８内の分離トレンチにエッチングを施すステップを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device including a p-type group III nitride semiconductor layer 8, comprises: etching or dicing a laminate structure including the p-type group III nitride semiconductor layer 8 from a front surface or a back surface thereof to a depth not reaching the p-type group III nitride semiconductor layer 8; and dividing the laminate structure into individual semiconductor devices by cleaving the remaining thickness.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８を含む積層構造の表面または裏面からｐ型のIII族窒化物半導体層８に達しない深さまでエッチングまたはダイシングし、残った厚みをへき開して個々の半導体装置に分割する。 - 特許庁