「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

In an etching liquid composition and a patterning method of a conductive film using the same and a manufacturing method of a flat panel display, the etching liquid composition contains phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, water, and additive; and the additive contains a chlorine compound, a nitrate compound, a sulfate compound, and an oxidative adjuster.例文帳に追加

エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus that has a high etching resistance and can provide a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, along with a method of manufacturing a semiconductor device that has a high etching resistance and can form a carbon-contained silicon oxide film of low dielectric constant, and a forming method of a film.例文帳に追加

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を得ることのできる基板処理装置、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い炭素含有酸化シリコン膜を形成することのできる半導体装置の製造方法、又は膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for forming an etching resistant resin layer which perfectly fills an ostium opening pattern formed in a metal sheet and does not leave bubbles in the ostium opening pattern, that is, which does not proceed an anomalous etching, and to provide a method for manufacturing a shadow mask using the forming method.例文帳に追加

金属薄板上に形成された小孔開口パターンへのエッチング耐触樹脂の充填が完全であり、且つ小孔開口パターンに気泡を残留させない、すなわち、異常エッチングを進行させないエッチング耐蝕樹脂層の形成方法、及びこの形成方法を用いたシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method for collecting heavy metals such as indium or the like with a simplified method generating a small amount of sludge by making smaller an undercut by the etching process, in regard to formation of high precision circuit of an image of the IZO film suitable for a transparent electrode of a thin film transistor liquid crystal display apparatus for flat panel display or the like.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ用薄膜トランジスター液晶表示装置等の透明電極に好適なＩＺＯ膜の画像の高精細化回路形成等に関し、エッチングによるアンダーカットを小さくし、かつ汚泥発生量の少なく簡素な方法でインジウム等の重金属を回収可能とするエッチング方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a semiconductor element capable of preventing degradation of an element characteristic and reliability caused by a plasm etching process; and a method for forming a gate of a semiconductor element capable of preventing a concentration phenomenon of an electric field in an upper corner part caused by a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマのエッチング工程によって発生する素子特性および信頼性の劣化を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法と、プラズマのエッチング工程によって発生する上部の隅部における電界の集中現象を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method capable of improving in-plane uniformity in dimension precision by preventing in-plane variations in etching machining precision caused by the absorption of water in a film to be etched, where machining characteristics are affected greatly by degassing from a material surface, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

材料表面からの脱ガスによって加工特性に大きな影響が生じる被エッチング膜の水分吸収によるエッチング加工精度の面内ばらつきを防止し、寸法精度の面内均一性の向上を図ることが可能なエッチング方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a black matrix for liquid crystal color filters, wherein etching time is not substantially increased and the sidewall form of the black matrix does not become overhanging, even if the number of continuous processing sheets is increased to 40 x 10^3 or larger, when forming the black matrix on a glass substrate by a photo-etching method.例文帳に追加

フォトエッチング法によってガラス基板上にブラックマトリックスを形成する際に、連続した処理枚数が４０×１０^3 枚以上に増えても、エッチング時間を大幅に増加させない、ブラックマトリックスの側壁形状はオーバーハング状にならない液晶カラーフィルタ用ブラックマトリックスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a pattern by which shoulder dropping of a hard mask can be prevented in an etching process for forming the pattern in an organic polymer film, and to provide a method of forming a multilayer wiring and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

有機ポリマー膜へのパターン形成におけるエッチング時のハードマスクの肩落ちを低減できるパターン形成方法、及びこれを用いた多層配線形成方法並びに半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing method of the metal mask for printing, metal mask flats having different opening dimensions are manufactured by a photolithography method, and projecting parts following printed wiring boards or module substrates are formed on the metal mask flats by an etching method.例文帳に追加

フォトリソグラフ法により開口寸法が異なるメタルマスク原板を作製し、前記メタルマスク原板にエッチング法でプリント配線基板やモジュール基板に追従する凸部を形成した印刷用メタルマスクの製造方法及び印刷用メタルマスク。 - 特許庁

To provide a plasma cleaning method by which wiring yield can be improved by stably reducing foreign matters which are generated during the course of etching a tungsten film and a method of manufacturing semiconductor device using the method.例文帳に追加

タングステン膜をエッチングする過程で発生する異物を安定して低減することができ、配線歩留まりを向上させることができるプラズマクリーニング方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing such a porous polyimide body, related to the method for improving an air permeation rate, as is obtained by use of a polyimide solution or a polymic acid solution and by means of a solvent substitution induced-phase separation method or a thermally induced-phase separation method, is characterized by dry-etching treatment.例文帳に追加

ポリイミド溶液若しくはポリミック酸溶液を用いて溶媒置換誘起相分離法若しくは熱誘起相分離法により得られるポリイミド多孔質体をドライエッチング処理することを特徴とするポリイミド多孔質体の通気速度向上方法に関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer etcher and an etching method which effectively removes adsorbed and left H_2O, CH_3OH or CH_3COOH and byproducts on the surface of a semiconductor wafer after etching ends, thereby preventing the contamination of a CVD apparatus to enable a high- reproducibility stable process.例文帳に追加

エッチング終了後に半導体ウエハ表面に吸着残留したH_2O、CH_3OH、若しくはCH_3COOH及び副生成物を効果的に除去しCVD装置の汚染を防止することで、再現性の高い安定したプロセスを可能にするバッチ式エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of etching a thin-film circuit in a quite efficient manner while ensuring etching selectivity when the thin-film circuit is formed on a semiconductor substrate, without causing any corrosion on a switching element or a wiring material which are used for the semiconductor substrate and the thin-film circuit.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜回路を形成する際のエッチング選択性、さらに、半導体基板や薄膜回路に使用されるスイッチング素子や配線材料を全く腐食することなく、極めて効率よく薄膜回路をエッチングする方法を提供すること。 - 特許庁

This thermal etching method for thermally etching the polished surfaces of oxide nuclear fuel pellets in a furnace with inert atmospheric gas, is characterized by raising the furnace temperature at a rate of 3,000°C/hr or more to a retention temperature or maximum temperature.例文帳に追加

不活性雰囲気ガスの炉内で酸化物核燃料ペレットの研磨された表面を熱エッチングする熱エッチング方法であって、保持温度もしくは最高温度に向けて３０００℃／ｈｒ以上の速度で炉内温度を昇温することを特徴とする熱エッチング方法。 - 特許庁

To provide a novel technique capable of reducing an etching time in forming a wiring layer or the like by etching a metal layer of a wide material composition, and thereby improving processing accuracy and preventing damage, in a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、広範囲な材料組成のメタル層をエッチングして配線層等を形成する際の、エッチング時間の短縮化を図り、それによって加工精度の向上及びダメージの抑制を図ることが可能な新規な技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a fine semiconductor integrated circuit having a thin film resistor in which a wiring pattern is formed by dry etching without an additional formation process for a protective film and without needing particular conditions for etching conditions for forming a contact hole.例文帳に追加

保護膜の形成工程を追加したり、コンタクト孔を形成するためのエッチング条件を特別な条件にすることなく、ドライエッチングにより配線パターンを形成しながら、薄膜抵抗体を有する微細な半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

And the method for manufacturing the semiconductor device has a process for etching at least from one main surface side of the semiconductor substrate, and the end point of etching is set to the point when the movable part provided on the semiconductor substrate is displaced.例文帳に追加

又、発明に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体基板の一方の主面側からエッチングを行う工程を有し、前記エッチングの終点を前記半導体基板上に設けられた可動部位が変位した時点とすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a halftone film type gray tone mask and its manufacturing method by which a light shielding film and a translucent film can be made from film materials having the same or similar etching characteristics without applying an etching stopper film and misalignment of patterns in a translucent portion can be prevented.例文帳に追加

エッチングストッパー膜を設けなくても、遮光膜及び半透光膜をエッチング特性が同じか或いは近似した膜材料で構成することができ、半透光部のパターンずれを防止できるハーフトーン膜タイプのグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for washing a substrate capable of performing high-quality washing treatment by performing an etching process and a rinsing process respectively in the state of covering the whole area of the surface of the substrate with etching reagent or pure water.例文帳に追加

基板表面の全域をエッチング液または純水で覆った状態でエッチング工程およびリンス工程をそれぞれ行うことができ、これにより高品質な洗浄処理を行えるようにした基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。 - 特許庁

To provide a die machining method which enables a minute removal work in a shaping object region of a mold surface, is capable of a compact etching work, and can improve the working accuracy by suppressing etching in an unintended region.例文帳に追加

型表面の整形対象領域における微小な除去加工を可能とし、かつ、コンパクトなエッチング加工が可能であるとともに、意図しない領域のエッチングを抑制して加工精度の向上を図ることができる金型加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus, capable of providing a boron nitride film having a high etching resistance and having a low permittivity, or to provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of providing a boron nitride film having a high etching resistance and having a low permittivity.例文帳に追加

高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To decrease the number of etching processes and to avoid the occurrence of etching damage when a suitable threshold voltage is actualized by adjusting an effective work function of a complementary transistor employing a high dielectric constant film with respect to a semiconductor device and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率膜を用いた相補型トランジスタの実効仕事関数を調整して適切なしきい値電圧を実現する際に、エッチング工程数を低減するとともに、エッチングダメージの発生を回避する。 - 特許庁

In the method of forming the printed circuit board, the printed circuit board for which a conductive layer is formed on a resin layer is prepared, conductor wiring and the dummy wiring are formed by metal-etching the conductive layer, and the dummy wiring is removed by resin etching.例文帳に追加

樹脂層の上に導電層が形成されたプリント配線板を用意し、前記導電層を金属エッチングすることにより導体配線およびダミー配線を形成し、前記ダミー配線を樹脂エッチングによって除去するプリント配線板の形成方法。 - 特許庁

The etching solution is regenerated by incorporating an anion, which does not form a nonaqueous salt with Fe^2+ and Fe^3+ and forms a nonaqueous salt with Cu^2+, into the iron chloride (III) etching solution and by a regeneration method including three steps of a separation step, an oxidation step, and an anion replenishment step.例文帳に追加

Ｆｅ^2+およびＦｅ^3+と非水溶性の塩を形成せず、かつＣｕ^2+と非水溶性の塩を形成するアニオンを塩化鉄（III）エッチング液に含有せしめ、分離工程、酸化工程、アニオン補給工程の３工程を含む再生方法により再生する。 - 特許庁

The method for fabricating the spacers for holding a plurality of sheets of the magnetic disks disposed in a hard disk drive for magnetic recording at prescribed intervals comprises subjecting the surfaces of the spacers to an etching treatment with an etching treating liquid, then forming conductive films on the surfaces of the spacers.例文帳に追加

磁気記録用ハードディスク装置内に設けられた複数枚の磁気ディスクを所定の間隔に保持するためのスペーサを加工する方法において、該スペーサの表面をエッチング処理液でエッチング処理した後に、該スペーサの表面に導電性被膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head capable of accurately etching the bottom part of an upper layer core for constituting the thin film magnetic head and preventing the over-etching of the peak part of the upper layer core and re-deposition to the side face of the upper layer core.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドを構成する上層コアの裾部分を精度良くエッチングすることができ、かつ、上層コアの頂部のオーバーエッチングや上層コアの側面への再デポジションを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode which can be treated in a short time without any precise atmospheric control and obtain the aluminum material with uniform etching characteristic and large effective area by the etching through the subsequent final annealing.例文帳に追加

精確な雰囲気制御を要することなく、短時間で処理でき、その後の最終焼鈍によりエッチング特性が均一でエッチングによる拡面率の大きいアルミニウム材が得られる、電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the substrate equipped with the anti- reflection layer provides the substrate (a), deposits amorphous silicon on the substrate (b), and etches the amorphous silicon layer and the substrate with an etching solution, and removes the amorphous silicon layer with the etching solution (c).例文帳に追加

本発明のアンチリフレクション層を具える基板の製造方法は、(a) 基板を提供し、(b) 基板上にアモルファスシリコンを堆積させ、(c) エッチング液でアモルファスシリコン層及び基板をエッチングし、且つアモルファスシリコン層をエッチング液により除去することを特徴とする。 - 特許庁

In the management method of the etching liquid, film thickness of the transparent conductive film 3 of the color filter or the dummy substrate is continuously measured to calculate accumulated total film thickness; and when the accumulated total film thickness reaches a predetermined accumulated total film thickness (1), the etching liquid is supplemented or exchanged.例文帳に追加

カラーフィルタ又はダミー基板の透明導電膜３の膜厚を連続測定して累計膜厚を算出し、累計膜厚が、予め設定された累計膜厚（１）に達した時点で、エッチング液を補充、或いは更新するエッチング液の管理方法。 - 特許庁

To provide a copper foil with a resistor layer and a copper clad laminate that shorten a time for circuit formation by etching, improve etching properties, prevent short-circuiting and a defect in circuit width from occurring, and achieve incorporation of a resistor in a component, and to provide a method of manufacturing the copper laminate.例文帳に追加

エッチングによる回路形成の時間の短縮、エッチング性の向上、ショートや回路幅の不良の発生を防止できると共に、抵抗体の部品内蔵化が達成できる抵抗層付き銅箔並びに銅張積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide management method of an etching liquid, by which a removal defect of a transparent conductive film caused by overlooking a time point for supplement or exchange of the etching liquid is not generated when a dummy substrate is subjected to acid treatment in regeneration of a color filter or dummy substrate; and to provide a glass substrate-regenerating device.例文帳に追加

カラーフィルタ又はダミー基板の再生にて、ダミー基板を酸処理に投入した場合、エッチング液の補充或いは更新の適切な時点を見過ごし、透明導電膜の除去不良を発生させないエッチング液の管理方法、ガラス基板再生装置。 - 特許庁

A manufacturing method of a solar cell using a wafer which is provided by slicing a Si ingot includes a step in which the wafer is submerged in an isotropic wet etching liquid for etching, where a modified layer 200 on the surface generated due to plicing of the wafer is is removed.例文帳に追加

Ｓｉインゴットがスライスされたウエハを用いて太陽電池を製造する製造方法において、ウエハを等方性ウエットエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、ウエハがスライスされた時に生じる表面の加工変質層を除去する工程を含む。 - 特許庁

The method of etching the multilayer film comprising at least one kind of metal film and at least one kind of oxide film provided on a substrate uses, as etching gases, a gas generating a radical in plasma and a gas generating an ion in plasma.例文帳に追加

基板上に設けられた少なくとも１種の金属膜と少なくとも１種の酸化物膜とからなる多層膜をエッチングする方法であって、エッチングガスとして、プラズマ中でラジカルを発生するガスとプラズマ中でイオンを発生するガスとを用いて行う。 - 特許庁

In this method of etching by soaking an aluminum foil in an electrolytic solution containing chlorine ions and then applying alternating current to the aluminum foil, the aluminum foil for an electrical double-layer capacitor collector body is manufactured by etching with 60 Hz or lower frequency.例文帳に追加

塩素イオンを含有する電解液中にアルミニウム箔を浸漬し、このアルミニウム箔に交流電流を印加してエッチング処理する方法において、周波数６０Ｈｚ以下でエッチングして電気二重層コンデンサ集電体用アルミニウム箔を製造している。 - 特許庁

A metal film and a photoresist film are formed on a substrate 1, and an aperture is formed by the photolithographic method on the photoresist film, and then a metal mask is formed by etching the metal film, and the oscillator 9 is molded by etching the substrate 1.例文帳に追加

基板１上に金属膜とフォトレジスト膜とを形成し、フォトレジスト膜にフォトリソグラフィー法によって開口部を形成し、次いで金属膜をエッチングすることによって金属マスクを形成し、基板１をエッチングすることによって振動子９を成形する。 - 特許庁

To provide a method for etching a multilayer electrically conductive film capable of uniformly etching the whole body of a multilayer electrically conductive film coposed of a silver series thin film and a transparent oxide thin film essentially consisting of indium oxide, suppressing residues and side etches and improving the pattern precision thereof.例文帳に追加

銀系薄膜３と酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２とで構成される多層導電膜５の全体を均等にエッチングでき、残渣とサイドエツチが抑制され、そのパターン精度を向上させる多層導電膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an aluminum material for an electrolytic capacitor electrode capable of producing crystal oxide or the like which are a nucleus of a sufficient etching pit in a short time without requiring accurate atmosphere control or the like, and obtaining excellent etching characteristics and a large electrostatic capacity.例文帳に追加

精確な雰囲気制御等を要することなく、短時間で十分なエッチングピットの核となる結晶性酸化物等を生成でき、エッチング特性に優れ高静電容量を得ることの出来る電解ゴンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method by which upper layer aluminum based films can be etched in good shape, and lower layer silicon base films can be etched with good controllability, in the etching of a laminated structure constituted of the upper layer aluminum based films an the lower layer silicon based films.例文帳に追加

上層のＡｌ系膜と下層のＳｉ系膜との積層構造をエッチングするにあたり、形状性よく上層のＡｌ系膜をエッチングすることができ、さらに下層のＳｉ系膜を制御性よくエッチングすることができるエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for etching an oxide film, an etching gas containing C_5F_8 gases is changed to a plasma state, under which condition an oxide film on a substrate is etched with a flow rate of a CO gas set to 20-90 sccm, thus solving the above problem.例文帳に追加

Ｃ_5Ｆ_8ガスとＣＯガスとを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ状態にして基板上の酸化膜をエッチングするにあたり、ＣＯガスの流量を２０〜９０ｓｃｃｍにすることを特徴とする酸化膜のエッチング方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

The method further includes a step of etching the sacrificial layer (34) to form a movable portion of the MEMS device, wherein the remaining portion of the protection layer protects the remaining portion of the metal layer during the step of etching of the sacrificial layer to form the movable portion of the MEMS device (10).例文帳に追加

方法は、犠牲層（３４）をエッチングしてＭＥＭＳデバイスの可動部分を形成するステップをさらに含み、犠牲層をエッチングしてＭＥＭＳデバイス（１０）の可動部分を形成するステップの間、保護層の残り部分が金属層の残り部分を保護する。 - 特許庁

Furthermore, according to a second aspect, a method of manufacturing the thin-film solar cell comprises a step of etching part of a photoelectric conversion layer by anisotropic etching to create a texture during formation of the photoelectric conversion layer of a silicon thin-film solar cell.例文帳に追加

また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、第２の局面によれば、シリコン薄膜太陽電池の光電変換層形成時に、異方性エッチングにより光電変換層の一部をエッチングし、テクスチャを作成する工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gradation photomask substrate on which a fine pattern can be formed with high precision by wet etching of high productivity while an etching solution and manufacturing steps such as a film forming step and a photoprocess are reduced as much as possible, the gradation photomask, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

エッチング液、成膜工程、フォトプロセス等の製造工程をできるだけ少なくして、生産性の高い湿式エッチングにより微細なパターンを高精度に形成可能な階調フォトマスク基板及び階調フォトマスク、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing an aluminum foil for an electrode of an electrolytic capacitor includes steps of: soaking an aluminum slab; hot-rolling and cold-rolling to form an aluminum foil; then subjecting the aluminum foil to at least one AC electrolytic etching; further subjecting to at least to one chemical etching; and thereafter performing final annealing.例文帳に追加

アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に少なくとも１回の交流電解エッチングを施し、さらに少なくとも１回のケミカルエッチングを施し、その後に最終焼鈍する。 - 特許庁

The etching processing method includes (a) a step of performing etching processing of the surface of a SiC substrate 2, both surfaces of which have been mirror-polished with reactive plasma, and at the same time, irradiating the surface or the backside of the SiC substrate 2 with a laser light 14.例文帳に追加

本発明に係るエッチング処理方法は、（ａ）表裏両面を鏡面研磨されたＳｉＣ素基板２の表面を反応性プラズマによりエッチング処理するとともに、ＳｉＣ基板２の表面または裏面にレーザ光１４を入射する工程を備える。 - 特許庁