「etching method」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, by etching the second semiconductor substrate 2 and then dicing the deepest part of its etching groove, the second semiconductor substrate 2 is separated from the wafer.例文帳に追加

この方法によれば、第２半導体基板２をエッチングした後に、そのエッチング溝の最深部をダイシングすることで、第２半導体基板２をウェハから分離している。 - 特許庁

A semi-additive method may be used wherein the wiring board is replaced by a board having an etching barrier layer also on the rear surface for the etching barrier layers on both surfaces to serve as seed metal layers.例文帳に追加

配線基板の代わりに裏面側にもエッチングバリア層を形成し、両面でエッチングバリア層をシードメタル層として利用したセミアディティブ法を行ってもよい。 - 特許庁

To provide a dry-etching method which can confirm that an etching selection ratio between a high melting point metal film such as an Mo film, a W film, etc., and an oxide film such as an SiO_2 film, etc., is secured.例文帳に追加

ＭｏＷ等の高融点金属とＳｉＯ_2等の酸化膜とのエッチング選択比確保を確認することが可能なドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a regeneration method and a generation device for an etching waste liquid where an Mo component and an Al component in an etching waste liquid comprising phosphoric acid are removed, so as to regenerate the same.例文帳に追加

リン酸を含むエッチング廃液中のＭｏ成分及びＡｌ成分を除去して再生する、エッチング廃液の再生方法及び再生装置を提供する。 - 特許庁

The method is characterized by etching the surface of the resin substrate with an etching solution including a Pd compound, and then contacting it with an aqueous solution including a reducing agent.例文帳に追加

Ｐｄ化合物を含むエッチング液を用いて樹脂基材表面をエッチング処理した後、還元剤を含む水溶液に接触させることを特徴とする方法。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for discriminating an etching end, which can perform an etching end discrimination for a semiconductor wafer stably, even if the semiconductor wafer has a low effective aperture rate.例文帳に追加

低開口率の半導体ウェハであっても、半導体ウェハのエッチング終点を安定に検出できるエッチング終点判定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for etching a magnetic material which makes the manufacture of a fine element possible by reducing the amount of again adhering reaction products and etching a magnetic material into a satisfactory shape.例文帳に追加

反応生成物の再付着量が少なく、エッチング形状が良好になり、微細な素子の作製を可能にする磁性材料のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, all the etching treatment parameters such as etching speed, end point detection and chamber maintenance can be characterized by the method in which the autonomous operations of the system are enabled.例文帳に追加

従って、エッチング速度、終点検出、及び室保守の様なエッチング処理パラメタは、全部がシステムの自律的動作を可能にするやり方で特徴付けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which eliminates etching process and forms dual damascene wiring without having to use an etching stopper as an interlayer film.例文帳に追加

この発明は、エッチング工程を削減し、且つエッチングストッパーを層間膜に用いずにデュアルダマシン構造の配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter etching the SOI layer 3 with an ammonia hydrogen peroxide water in the etching step, and finally forming an oxide film 9 an electrode 10 to complete the MOSFET.例文帳に追加

その後、エッチング工程において、アンモニア過水によりＳＯＩ層３をエッチングして、最後に酸化膜９及び電極１０を形成してＭＯＳＦＥＴが完成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an etching foil for an electrolytic capacitor capable of increasing electrostatic capacity by making generation and growth of an etching pit more suitable.例文帳に追加

エッチングピットの発生、成長をより好適化することにより、静電容量の増大を図ることのできる電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for an insulating film with high accuracy by performing an etching end point detection for a semiconductor wafer stably, even if the semiconductor wafer has a low effective aperture ratio.例文帳に追加

低開口率の半導体ウェハであっても、半導体ウェハのエッチング終点を安定に検出して、絶縁膜のエッチングを精度高く行うエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for a silver alloy film where, in a silver alloy film having an adhesive layer, a side etching width is reduced, and desired fine patterning is made possible.例文帳に追加

密着層を有する銀合金膜において、サイドエッチング幅を低減せしめ、所望の微細なパターニング加工を可能とする銀合金膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon anisotropically etching method and an apparatus thereof which makes a high-anisotropy and a good etched shape compatible with a high etching rate and high selectivity.例文帳に追加

異方性が高い良好なエッチング形状と、速いエッチング速度及び高い選択比とを両立できるシリコンの異方性エッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor laser element capable of preventing side etching from progressing to a side wall of a GaAs cap layer when performing etching for forming a ridge part.例文帳に追加

リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second SiN film 32b is formed by changing the film formation conditions of CVD method, so as to grow etching rate larger than that of the first SiN film 32a under the same etching conditions.例文帳に追加

第２のＳｉＮ膜は、同じエッチング条件下でエッチングレートが第１のＳｉＮ膜より大きくなるようにＣＶＤ法の成膜条件を変えて成膜されている。 - 特許庁

To provide an etching apparatus which can accurately control an etching condition and can stably form a fine wiring, and to provide a method for manufacturing an etched substrate.例文帳に追加

エッチング条件を精密に制御することが可能で、ファイン配線も安定して形成することができるエッチング装置およびエッチング基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This etching method is for etching the metal consisting principally of tantalum exposing it to chlorine-based gas containing oxygen in the range of 0.2 to 4%.例文帳に追加

タンタルを主成分とする金属を、０．２％よりも多く且つ４％以下の酸素を含有する塩素系ガスに晒してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 - 特許庁

This etching method of an acceleration cavity includes processes of: (I) immersing the acceleration cavity in an etchant in a vessel; and (II) etching the acceleration cavity in a state where the pressure in the vessel is increased.例文帳に追加

（I）容器内のエッチング液に加速空胴を浸漬する工程、及び、（II）前記容器内を加圧した状態で前記加速空胴をエッチングする工程を包含する。 - 特許庁

The manufacturing process of the ink jet head comprises the etching step for boring nozzle holes in a filmlike resin material by wet etching using ink jet method.例文帳に追加

フィルム状の樹脂材料にインクジェット法を用いたウエットエッチング法によりノズル孔を形成するエッチング工程を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

To enhance productivity by simplifying the production process in a method for etching a crystal based semiconductor substrate such as a single crystal silicon wafer by touching it to etching liquid.例文帳に追加

単結晶シリコンウエハなどの結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする方法において、製造工程を簡略化し、生産性を高める。 - 特許庁

In the plasma etching method, the gas containing C_4F_6 and O_2 and CO is used as a processing gas for plasma etching to suppress surface roughness of a photoresist.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング方法は、処理ガスとして、Ｃ_４Ｆ_６とＯ_２とＣＯとを含むガスを用いてプラズマエッチングすることで、フォトレジストの表面荒れを抑えることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents wraparound of an etching solution toward a surface opposite to a surface to be etched of a substrate or a support substrate during spin etching.例文帳に追加

スピンエッチング時、基板又は支持基板の被エッチング面とは反対側の面へのエッチング液の回り込みを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a dielectric device, an etching gas containing at least one type of a chlorine-based gas and a fluorocarbon-based gas is used as an etching gas.例文帳に追加

上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。 - 特許庁

A semiconductor device manufacturing method comprises selectively etching an In-Sn-Zn-O-based semiconductor layer by dry etching using a gas containing chlorine such as Cl_2, BCl_3 and SiCl_4.例文帳に追加

Ｃｌ_２または、ＢＣｌ_３または、ＳｉＣｌ_４などの塩素を含むガスを用いたドライエッチングによりＩｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体層を選択的にエッチングする。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and high frequency bias power is applied to a ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

To provide a dry etching device which is capable of preventing reaction product gas from adhering to a view port by a simple method and determining the end point of the etching stably.例文帳に追加

簡単な方法でエッチングの反応生成ガスがビューポートへ付着するのを防止し、安定したエッチングの終点判定ができるドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor storage device, highly selective anisotropic etching SAS(self-aligned source) etching is performed on a silicon oxide by using a resist 56, laminated gates 46, and thermally oxidized films 58 as a mask.例文帳に追加

レジスト５６、積層ゲート４６および熱酸化膜５８をマスクとしてシリコン酸化物に対する選択性の高い異方性エッチング（ＳＡＳエッチング）を行なう。 - 特許庁

A method for etching the LSI device includes a step of etching a diffusion preventive film (SiC) 17 with a plasma for the low dielectric constant film (SiOC) 18 of a wafer 4 installed on a support base 5 of a plasma treating apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の支持台５に載置されているウエハ４の低誘電率膜（ＳｉＯＣ）１８に対して、拡散防止膜（ＳｉＣ）１７をプラズマでエッチングする。 - 特許庁

To provide a method for regenerating an etching waste liquid produced in a low-temperature etching process, which avoids blockage of a transportation path between a crystallization tank and an etching tank, without providing a special blockage-avoiding means between the tanks.例文帳に追加

晶析槽とエッチング槽との間に特殊な閉塞回避手段を付設することなく、両者間の移送路の閉塞を回避することができる低温エッチングにおいて生成したエッチング廃液を再生する方法の提供。 - 特許庁

To provide a dry etching method that improves a mask selection ratio and further obtains both high selectivity and a vertical processing shape in etching processing on a silicon substrate, particularly, etching processing for fabricating a solid structure.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング加工、特に立体型構造体を作製するためのエッチング加工において、マスク選択比の向上を可能とし、さらには高選択性と垂直加工形状との両立を可能とするドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a sensor of semiconductor structure at a low cost capable of preventing trouble such as insufficient etching or over etching in etching of a sacrificial layer and dispensing with complicated processes in a semiconductor sensor manufacturing process.例文帳に追加

半導体センサ製造工程において、犠牲層エッチング時の問題である、エッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止すること、並びに複雑なプロセスを必要とせず、低コストで半導体構造を用いたセンサを製造すること。 - 特許庁

In the method for regenerating an etching solution in which the double salt of cuprous chloride-hydrochloric acid contained in an etching solution after the etching of a printed circuit board is reduced into cupric chloride by an oxidizer and is reutilized, as the above oxidizer, ozone is used.例文帳に追加

プリント配線板をエッチングした後のエッチング液に含まれる塩化第一銅・塩酸複塩を酸化剤により塩化第二銅に還元して再利用するエッチング液の再生方法において、前記酸化剤としてオゾンを用いる。 - 特許庁

To provide an etching device and its method in which uniform etching machinability can be attained even when a plurality of substrates having different machining patterns are etched continuously while taking account of the instability of the etching system.例文帳に追加

エッチング装置の不安定性を考慮しつつ、複数の加工パターンの異なる被処理基板を連続的にエッチング処理する場合であっても、均一なエッチング加工性を得ることができるエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of a resin film which is possible to anisotropically etch the film in a short time to a thickness direction and to obtain a nice etching shape and uniformly neat etching.例文帳に追加

本発明は、短時間でエッチングされる膜の厚さ方向に対して異方的にエッチングすることができ、かつ、エッチング形状がきれいで均一に整ったエッチングをすることができる樹脂膜のエッチング方法を提供するものである。 - 特許庁

The etching method includes: a liquid arrangement process for disposing an etching liquid activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching liquid.例文帳に追加

光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング液を被処理体上に配置する液配置工程と、前記被処理体と前記エッチング液との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with recessed parts for a microlens which can fully promote isotropic etching by preventing an etching mask film from being removed or broken at the time of wet etching.例文帳に追加

本発明は、ウェットエッチングの際にエッチングマスク膜が除去されたり破れたりするのを防止して、十分に等方性エッチングを進行させることのできる、マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the manufacturing method, an etching rate of the second guide layer 22 is calculated on the basis of a change in AlCl emission intensity in the etching of the monitor layer 20 and the second guide layer 22 by dry etching using a chlorine type gas.例文帳に追加

本製造方法では、塩素系ガスによるドライエッチングによってモニタ層２０及び第２ガイド層２２がエッチングされる際のＡｌＣｌの発光強度の変化に基づいて、第２ガイド層１８のエッチングレートが算出される。 - 特許庁

To provide a method for recovering cerium as high purity cerium ammonium nitrate capable of being used for preparing an etching reagent from waste liquid which is discharged from an etching process where chromium is etched with an etching solution containing cerium ammonium nitrate.例文帳に追加

硝酸セリウムアンモニウムを含むエッチング液でクロムをエッチングする工程から排出された廃液から、セリウムをエッチング液の調製に用い得る高純度の硝酸セリウムアンモニウムとして回収する方法を提供すること。 - 特許庁

To solve problems such as the occurrence of etching spots or the deterioration of surface roughness due to the local increase of the etching speed caused by the stress or the impurity that is existed on the surface of a glassy carbon when processing the glassy carbon by a dry etching method.例文帳に追加

ガラス状カーボンをドライエッチング法にて加工した場合、ガラス状カーボン表面に存在する応力や不純物によって、局所的なエッチング速度の増加が生じ、エッチング斑や面粗度悪化が発生してしまう。 - 特許庁

In an etching method of a silicon wafer, silicon wafers, having a process degenerated surface layer are sequentially impregnated with in an acid-etching solution having a chemical composition of a reaction rate limiting type including a hydrofluoric acid and a nitric acid fully stored in two to six etching tanks sequentially, and the wafers are etched.例文帳に追加

２〜６槽のエッチング槽に満たされたフッ酸及び硝酸を含む反応律速型の化学組成を有する酸エッチング液に加工変質層を有するシリコンウェーハを順次浸漬させてウェーハをエッチングする方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and a semiconductor manufacturing apparatus, wherein etching finish point is set at high precision, even if an etching rate changes variously for high accuracy etching process with good reproducibility.例文帳に追加

エッチングレートが様々に変化してもエッチング終了点を高精度に設定することができ、高精度なエッチング処理を再現性良く行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of dry etching a transparent substrate and a method of inspecting a photomask in which a phase shift mask functions with high precision.例文帳に追加

透明基板のドライエッチング方法及びホトマスクの検査方法に関し、位相シフトマスクの高精度化を図ることを目的とする。 - 特許庁

ETCHING METHOD, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, CLEANING METHOD THEREOF AND QUARTZ MEMBER THEREFOR例文帳に追加

エッチング方法，化学気相成長装置，化学気相成長装置のクリ—ニング方法，及び化学気相成長装置用の石英部材 - 特許庁