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etching methodの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 6852



例文

To provide a manufacturing method of a semiconductor chip capable of suppressing processing shape variations caused by etching in a plasma dicing method for semiconductor wafers.例文帳に追加

半導体ウェハのプラズマダイシング工法において、エッチングによる溝の加工形状のバラツキを抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of preventing the loss of a bit line by changing an etching method.例文帳に追加

エッチング方法を変化させてビットラインの損失を防止する半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DRY ETCHING WIRING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED IN THIS WAY例文帳に追加

配線層のドライエッチング方法、半導体装置の製造方法および該方法によって得られた半導体装置 - 特許庁

ETCHING METHOD OF GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING THE SAME例文帳に追加

III−V族窒化物半導体層のエッチング方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁

例文

To provide a method of manufacturing semiconductor devices including a new etching method of compound oxide films containing rare earths.例文帳に追加

希土類含有複合酸化物膜の新規なエッチング方法を含む、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

MOLDING WITH MULTI-COLOR DESIGN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND LASER ETCHING TRANSFER FOIL USED IN THIS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

多色意匠を有する成形品とその製造方法、およびその製造方法に用いるレーザーエッチング転写箔 - 特許庁

A method of manufacturing the thin-film magnetic head is characterized in that etching of the sensor film is carried out by switching the incident angle of an etching beam, and when an incident angle in a normal direction with respect to a sensor film surface is 0 degree, etching is carried out under the condition that the incident angle of the etching beam is smaller toward the latter process.例文帳に追加

センサ膜のエッチングはエッチングビームの入射角度を切り替えながら行い、センサ膜面に対する法線方向を入射角度0とすると、そのエッチングビームの入射角度は後になるほど小さくなる条件にてエッチングを行う。 - 特許庁

To provide a device and etching method therefor with which the controllability and productivity of an etching process are improved by having the etching rate improved, while the concentration of the etchant used is maintained constant during the etching process.例文帳に追加

エッチング工程の遂行時、エッチング液の濃度を一定に維持し、エッチング率が向上させて工程制御及び生産性が向上させる半導体素子製造用湿式エッチング装置及びこれを利用した半導体素子の湿式エッチング方法を提供する。 - 特許庁

The method includes an ion etching step, in which the surface of an optical element is irradiated with an ion beam for etching, and a chemical etching step, in which the ion-etched surface is soaked in a prescribed solution that reacts with the materials of the optical element and dissolved for etching.例文帳に追加

光学素子の表面にイオンビームを照射することによりエッチングを行うイオンエッチングステップと、イオンエッチングされた表面を、光学素子の材料と反応する所定の溶液に浸して溶解させることによりエッチングを行うケミカルエッチングステップとを備える。 - 特許庁

例文

The method includes first etching at least a portion of the third layer, by using the second layer as an etching stop layer, exposing at least a portion of the second layer, and second etching at least the exposed portion of the second layer, by using the first layer as an etching stop layer.例文帳に追加

第2膜をエッチングストップ層として使用して、第3膜の少なくとも一部を第1エッチングして、第2膜の少なくとも一部を露出させ、第1膜をエッチングストップ層として使用して、第2膜の少なくとも露出した部分を第2エッチングする。 - 特許庁

例文

To provide a method and an apparatus for dry etching that can improve etching efficiency at the time when dry etching of resist is performed, can improve working efficiency by shortening an etching time, and can prevent the damage of a processing object and the deterioration of its properties.例文帳に追加

レジストをドライエッチングする際のエッチング効率を向上させることができ、エッチング時間を短縮して作業効率を向上させ、被処理物が損傷したり特性が劣化することを抑制することができるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method, and the like, capable of performing favorable plasma etching treatment compared with a conventional manner, by which progress of side etching is inhibited and of suppressing generation of bowing, and further in-plane uniformity of etching shape is improved.例文帳に追加

サイドエッチングの進行を抑制してボーイングの発生を抑制することができるとともに、エッチング形状の面内均一性の向上を図ることができ、従来に比べて良好なプラズマエッチング処理を行うことのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide an etching simulation method and an etching simulation device where the flow velocity of an etching solution and the concentration of a waste solution on a substrate are predicted, and, additionally, the local flow in the vicinity of a pattern, the progression velocity of etching in a cavity, the shape change thereof or the like are predicted.例文帳に追加

基板上のエッチング液の流速や廃液濃度を予測するのに加えて、パターン近傍の局所的な流れやキャビティのエッチング進行速度と形状変化等を予測するエッチング・シミュレーション方法及びエッチング・シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

In the substrate penetration etching method, a buffer layer 62 and a metal layer 64 are formed on a first surface of the substrate 50, an etching mask pattern is formed on a second surface of the substrate facing the first surface, and the substrate 50 is subjected to the penetration etching with the pattern as the etching mask.例文帳に追加

基板貫通エッチング方法は、基板50の第1面上にバッファ層62と金属層64を形成し、前記第1面と反対となる前記基板の第2面上にエッチングマスクパターンを形成した後、これをエッチングマスクとして前記基板50を貫通エッチングする。 - 特許庁

To provide a dry etching method which does not need aftertreatment for corrosion and an anti-corrosion measure for an etching apparatus, and reduces such an etching damage as to deteriorate magnetic properties of a magnetic material, when etching the magnetic material by using a masking material made from a non-organic material.例文帳に追加

非有機材料からなるマスク材を用いて磁性材料をエッチングする場合に、アフターコロージョン処理、エッチング装置に対する耐腐食性対策が不要で、磁気特性を劣化させてしまうエッチングダメージを減少させることができるドライエッチング方法を提案する。 - 特許庁

The etching method includes: a layer formation process for forming an etching gas layer including an etching material activated chemically by irradiation of light on the body to be treated; and a light irradiation process for applying the light to an interface between the body to be treated and the etching gas layer.例文帳に追加

光の照射を受けて化学的に活性化するエッチング材料を含んだエッチングガス層を被処理体上に形成する層形成工程と、前記被処理体と前記エッチングガス層との界面に前記光を照射する光照射工程とを含む。 - 特許庁

To provide a metal etching product with a high aspect ratio and a fine pitch which can obtain a remarkably high etching factor as design at high precision since etching can be performed to a depth direction while preventing side etching by the sidewall of an opening part, and to provide its production method.例文帳に追加

開孔部側壁によってサイドエッチングを防ぎつつ、深度方向にエッチングすることができるので、精度良く設計通りに飛躍的な高エッチングファクターが得られ、高アスペクト比かつファインピッチな金属エッチング製品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method for vertically processing a groove or a hole by solving the occurrence of tapering-off of the groove or the hole in etching of a metal film composed of a TiN film.例文帳に追加

TiN膜からなる金属膜のエッチングにおいて、溝または穴の先細りの発生を解決し垂直に加工するエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To enable a mask etching process to be carried out at a lower cost by a method, where a heat distribution and a membrane mask are each enhanced in controllability and dimensional controllability respectively in a membrane mask etching process.例文帳に追加

メンブレンマスクのエッチングプロセス中の熱分布の制御性、および、メンブレンマスクの寸法制御性を高めて、マスクエッチングの低コスト化を図ること。 - 特許庁

To provide an etching method which prevents a pattern by ensuring a remaining film after etching of resist, which becomes a mask by making a counter-resist selection ratio high.例文帳に追加

対レジスト選択比を高くすることにより、マスクとなるレジストのエッチング後残膜を確保し、パターンの肩落ちを防ぐエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching system of quartz crystal plates which is capable of efficiently and extremely thinly working the quartz crystal plates, and a plasma etching method.例文帳に追加

水晶板を効率よく極薄に加工することができる水晶板のプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a mask with which ending of etching treatment is easy during the etching treatment to form a silicon mask and a production method of the mask.例文帳に追加

シリコンマスクを形成するエッチング処理時に、エッチング処理を最適な時期に終了させることが容易なマスク、及びマスクの製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a facility etching termination detecting apparatus and an etching termination detecting method, for detecting a termination point in a plasma treatment for a wafer.例文帳に追加

ウェハへのプラズマ処理の終了時点を検出する設備エッチング終末点検出装置及びそのエッチング終末点検出方法を提供する。 - 特許庁

The method of forming the FeRAM integrated circuit comprises etching a PZT ferroelectric layer by high-temperature BCl_3 etching which provides substantial selectivity with respect to a hard mask.例文帳に追加

本方法はハードマスクに対する実質的な選択性を与える高温BCl_3エッチングによりPZT強誘電体層をエッチングすることを含んでいる。 - 特許庁

To provide an etching method with high flexibility in which a taper angle of a side surface can easily and stably be controlled when a film to be etched is subjected to wet etching.例文帳に追加

被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a shadow mask material free from the generation of the unevenness in strips after etching and excellent in etching properties in an Fe-Ni invar shadow mask material.例文帳に追加

Fe−Ni系インバ−シャドウマスク材において、エッチング後のスジムラの発生しないエッチング性に優れたシャドウマスク材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming an electrode substrate in which an etching angle and an etching amount are not brought into instability and to provide an electrode substrate constitution.例文帳に追加

エッチング角度およびエッチング量に不安定をきたすことをなくする、電極下地形成方法および電極下地構成を提供すること。 - 特許庁

To provide a method which enables reproducible and highly efficient etching by eliminating etched products generated during the etching in the previous wafer treatment.例文帳に追加

エッチング処理中に、前のウエハ処理によって発生したエッチング生成物を除去することにより再現性のよい高効率のエッチング加工が可能とする。 - 特許庁

To provide a device and method for dry etching, simplifying a gas supply system and capable of improving the anisotropy of an etching shape.例文帳に追加

ガス供給系の簡略化を図るとともに、エッチング形状の異方性を向上することができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To detect the state (abnormal or normal) of etching treatment from a light emission spectrum distribution upon etching treatment by a simple method without assuming a substance.例文帳に追加

物質を想定することなく、簡易な方法で、エッチング処理の際の発光スペクトル分布から、エッチング処理の状態(異常、正常)を検出する。 - 特許庁

To provide an endpoint detecting device, a dry etching device and a dry etching method capable of detecting an endpoint even for a low aperture-ratio material to be etched.例文帳に追加

低開口率の被エッチング材料に対しても終点検出ができる終点検出装置、ドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A microfabrication method for a substrate comprises a thin film formation step, a V-shaped trench formation step, a thin film etching step, a substrate etching step, and a thin film elimination step.例文帳に追加

基板の微細加工方法は、薄膜形成過程と、V字溝形成過程と、薄膜エッチング過程と、基板エッチング過程と、薄膜除去過程と、からなる。 - 特許庁

To provide a sheet-type etching device that attains superior planarity on the wafer surface as a whole, using a simple device configuration, and to provide a sheet-type etching method.例文帳に追加

簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching device and etching method which efficiently manufacture a printed-wiring board having a micro conductor pattern of a cross-sectional shape closer to a rectangle.例文帳に追加

より矩形に近い断面形状の微細な導体パターンを有するプリント配線板を効率よく製造するエッチング装置およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In a method for etching a material layer, a carbon layer is formed on at least one part of the material layer so that the part of the material layer can be protected from etching.例文帳に追加

物質層を蝕刻する方法において、カーボン層は物質層の少なくとも一部の上に形成されて蝕刻から前記物質層の部分を保護する。 - 特許庁

In a step 12, a chemical liquid, containing at least an etching liquid, is jetted on the selected specified regions by an ink- jetting method to perform a wet etching control.例文帳に追加

ステップ12において、この選定された特定領域に対し、インクジェットにより少なくともエッチング液を含む薬液を吹き付け、ウェットエッチング制御を行う。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon carbide film capable of obtaining a patterned carbide silicon film without etching the silicon carbide film having difficulty in etching.例文帳に追加

エッチングが困難な炭化シリコン膜をエッチングすることなく、パターニングされた炭化シリコン膜を得ることが可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can perform etching of prescribe shape under prescribed etching conditions, without depending on the type of a mask.例文帳に追加

マスクの種類に依存することなく、所定のエッチング条件で所定形状のエッチングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of dry etching the film 3 and the film 4 under the condition in which the films 3 and 4 have substantially the same etching rate, and forming a straight gate opening 7.例文帳に追加

SiO_2膜3とHSQ膜4をそれらがほぼ同じエッチング・レートを持つ条件下でドライエッチングし、ストレート状のゲート開口部7を形成する。 - 特許庁

To provide a method to manufacture a microfabricated object by fabricating the surface of a fluorite by chemical etching using ICP or RIE dry etching.例文帳に追加

蛍石の表面をICP又はRIEドライエッチングを使用した化学的エッチングで加工して微細加工物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ceramic circuit board, and its producing method, in which the etching time can be shortened while exhibiting excellent heat resistant cycle and etching properties.例文帳に追加

耐熱サイクル性及びエッチング性に優れており、更に、エッチングに要する時間を短縮できるセラミック回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus capable of easily controlling an etching shape without changing a process condition or a mask condition; and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

プロセス条件やマスク条件を変えることなく、容易にエッチング形状を制御することができるエッチング装置及び半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like.例文帳に追加

基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部3,4の曲率半径を大きくする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a color filter, in which the occurrence of damage (scrap) of a support in dry etching processing and generation of an etching product are suppressed.例文帳に追加

ドライエッチング処理時の支持体ダメージ(削れ)の発生、及びエッチング生成物の発生が抑制されたカラーフィルタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a device and method for detecting a luminescence endpoint indicative of an endpoint in a peel-off of materials in a microwave plasma etching device in which a plasma chamber is employed separated from an etching chamber.例文帳に追加

エッチングチャンバから分離されたプラズマ・チャンバを採用するマイクロ波プラズマ・エッチング装置で、材料剥離のルミネセンスの終点を検出する。 - 特許庁

To provide an etching method and an etching process device which obtain a patterning shape which is more uniform and does not have variations due to locations on a substrate.例文帳に追加

基板上の場所によってばらつきのないより均一な膜のパターニング形状を得るエッチング方法およびエッチング処理装置、を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method, by which free rotation around the axis of carbon-carbon single bond in a resist at the time of etching is suppressed.例文帳に追加

エッチング時におけるレジスト中の炭素−炭素間の一重結合を軸とした自由回転の抑制を図りうるエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

SILICON-CONTAINING FILM FORMING COMPOSITION FOR ETCHING MASK, SILICON-CONTAINING FILM FOR ETCHING MASK, AND SUBSTRATE PROCESSING INTERMEDIATE AND PROCESSED SUBSTRATE PROCESSING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

エッチングマスク用ケイ素含有膜形成用組成物、エッチングマスク用ケイ素含有膜、及び、これを用いた基板加工中間体及び被加工基板の加工方法 - 特許庁

To provide a composition for etching which does not foul an apparatus, is inexpensive, contains no strong alkali and enables ruthenium to be etched, and to provide a method of etching using the composition.例文帳に追加

装置を汚染せず低コストで、強アルカリを使用することなくルテニウムをエッチングできるエッチング用組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus with which it becomes possible to form a pattern having a high aspect ratio and a uniform inner diameter.例文帳に追加

高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。 - 特許庁




  
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