「flat gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A flat tooth (51) of the gate rotor (50) includes a deformation promoting part (53) in the radial direction for promoting elastic deformation of the flat tooth (51) in the radial direction of the gate rotor (50).例文帳に追加

ゲートロータ（50）の平歯（51）は、ゲートロータ（50）の径方向における平歯（51）の弾性変形を促進させる径方向変形促進部（53）を備えている。 - 特許庁

The gate length of a memory transistor and the gate width of the third gate are larger than in a flat structure since they are assured in a direction perpendicular to the silicon substrate.例文帳に追加

メモリトランジスタのゲート長、第３ゲートのゲート幅はシリコン基板に垂直な方向に確保されているので平坦な構造と比べて大きい。 - 特許庁

FLAT PANEL DISPLAY, GATE ELECTRODE STRUCTURAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

平面ディスプレイ、ゲート電極構造体およびゲート電極構造体の製造方法 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING GATE LINES OF FLAT DISPLAY APPARATUS USING SHARED CIRCUIT例文帳に追加

共有回路を利用する平板表示装置のゲートライン駆動装置及び方法 - 特許庁

A gate 2 has a first gate inner circumference surface 13 which is connected/installed in a flat state along the non-design molding surface 12 and a second gate inner circumference surface 14 facing the first gate inner circumference surface 13.例文帳に追加

ゲート２は、非意匠成形面１２に沿って平坦な状態で連設された第一のゲート内周面１３と、この第一のゲート内周面１３に対向する第二のゲート内周面１４とを備える。 - 特許庁

A trench cut in a semiconductor substrate is filled up halfway with a polycrystalline silicon gate electrode, and an intermediate insulating film is deposited on the gate electrode to fill up the trench for making the surface of the semiconductor substrate flat.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込み平坦化する。 - 特許庁

BOTTOM GATE TYPE THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND FLAT DISPLAY DEVICE COMPRISING IT例文帳に追加

ボトムゲート型薄膜トランジスタ、それを備える平板表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gate electrode structure wherein a side surface of each electron passing hole is flat.例文帳に追加

電子通過孔の側面が平坦なゲート電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device and method for driving gate lines of a flat display apparatus using a shared circuit.例文帳に追加

共有回路を利用する平板表示装置のゲートライン駆動装置及び方法を提供する。 - 特許庁

THRESHOLD AND FLAT-BAND VOLTAGE STABILIZATION LAYER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH HIGH PERMEABILITY GATE OXIDE例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化物を有する電界効果トランジスタの閾値及びフラットバンド電圧安定化層 - 特許庁

Moreover, since the gate electrode 20 is the flat plate type, the variation of the gap sizes between the gate electrode 20 and the CNT cathodes 5 is suppressed.例文帳に追加

また、ゲート電極２０は平板型であるため、ゲート電極２０とＣＮＴ陰極５間のギャップの大きさのバラツキは抑えられている。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed only in the flat region, so that forming the gate electrode 12 into a thick film and making a film thickness after resist coating for gate electrode formation uniform are made compatible.例文帳に追加

ゲート電極１２を平坦な領域のみに形成することで、ゲート電極１２の厚膜化とゲート電極形成用のレジスト塗布後膜厚の均一化を両立可能にしている。 - 特許庁

A gate electrode controls the conductivity of the channel in a second area in the flat surface of the substrate.例文帳に追加

ゲート電極は、基板の平面内にある第２の部分においてチャネルの導電性を制御する。 - 特許庁

To perform a strength test by a testing device with a simple configuration, which loads pressure at a state close to a situation that a gate is actually used to a flat plate structure which receives hydraulic pressure of a gate, etc. in a water gate, a sluice gate, and a sluice pipe.例文帳に追加

水門、樋門、樋管におけるゲート等の水圧を受ける平板構造体に対し実際にゲートが使用される状況に近い状態での圧力を載荷する簡易な構成の試験装置により強度試験を行う。 - 特許庁

To provide a rotary type gate, which does not require an indented section while the bottom face of a waterway is left flat as it is when a radial gate is to be installed.例文帳に追加

ラジアルゲートを設置するに際し、水路の底面を平坦なままにして、陥没部を必要としない回転式ゲートを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology which can form a gate insulating film, etc., of the film thickness in which a surface is flat and uniform.例文帳に追加

表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technology capable of forming a gate insulating film, having flat surface and uniform thickness, or the like.例文帳に追加

表面が平坦かつ均一な膜厚のゲート絶縁膜等を形成することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

The flat panel display has: a plurality of source lines; and a plurality of gate lines perpendicular to the plurality of source lines.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイは、複数のソース線と、複数のソース線に対して垂直な複数のゲート線とを有する。 - 特許庁

To provide a flat surface display capable of making the distance between a cathode electrode and a gate electrode uniform and short.例文帳に追加

カソード電極とゲート電極との距離を均一に、かつ、短くすることができる平面ディスプレイを提供する。 - 特許庁

The flat display unit includes a plurality of data driving lines which are driven by a gate electrode driving electric circuit and a gate electrode driving electric circuit, and a plurality of video control units.例文帳に追加

フラットディスプレイユニットはゲート極駆動電気回路及びゲート極駆動電気回路により駆動される複数のデータ駆動ライン、及び複数の映像コントロールユニットを含む。 - 特許庁

In the Horinouchi (inside the moat) where the land on both sides is flat, there was a meeting terrace and samurai houses to the north where Ote-mon Gate (main gate) was, and to the south, Kura (storehouses), Umaya (horse stables), Takabeya (falcon house), and a garden. 例文帳に追加

また、その両側面の平地に設けた堀の内には、大手門のある北側に対面所や武家屋敷を、南側には蔵、馬屋、鷹部屋、庭園を配していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate electrode of a transistor 542 includes a main section 532 determining a first flat band voltage between the gate electrode and a channel region 512, and a first lateral section 535.例文帳に追加

トランジスタ５４２のゲート電極は、ゲート電極とチャネル領域５１２との間の第１のフラットバンド電圧を決定する主部５３２と第１の側部５３５とを含む。 - 特許庁

The pier-less gate is constituted so that a gate body 2 having a rotational shaft upward of a watercourse can be installed on the watercourse bottom S2 in a flat state without any uneven step in the direction of a water current by keeping a water-tight state in remain unchanged in the case the gate body is closed.例文帳に追加

水路上方に回転軸を有するゲート本体２を閉鎖時に水流方向に段差のない平坦な状態の水路底Ｓ２に水密状態を維持したまま設置できる構成である。 - 特許庁

A gate valve is provided with two flat plate-like valve elements 32a, 32b, and a rectangular parallelopiped valve casing 34.例文帳に追加

ゲートバルブは、２枚の平板状の弁体３２ａおよび３２ｂと、直方体形状の弁箱３４とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, with the shift of a flat band voltage of a gate oxide film to the negative side restrained.例文帳に追加

ゲート酸化膜のフラットバンド電圧のマイナス側へのシフトを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The flat cut surface formed by cutting the gate 24 is formed inside the virtual circle 28.例文帳に追加

ゲート部２４を切断することにより形成される平面状の切断面が仮想円２８より内側に設けられている。 - 特許庁

A number of gate electrodes 106 each having a rectangular sectional shape in a flat section are disposed in a lattice state.例文帳に追加

平断面内において長方形の断面形状を有する多数のゲート電極１０６を格子状に配置する。 - 特許庁

To provide the semiconductor device of a flat surface type multi-gate structure which can reduce a parasitic capacity.例文帳に追加

本発明は、寄生容量を低減できる平面型マルチゲート構造の半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The gate insulating film is locally formed thick in a first portion pinched in between the layers of a peripheral region of the insular flat pattern of the semiconductor film and of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 - 特許庁

Consequently, a gate rib 16 can be formed on the flat electrode 15, and a distance between a gate electrode 13 and a metal back film 106 forming a positive electrode can be lengthened.例文帳に追加

このため、平面電極１５上にゲートリブ１６を形成することが可能となり、ゲート電極１３と陽極となるメタルバック膜１０６との距離を長くすることができる。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed only in a flat region of the mesa, and a side etching amount of a channel layer 3 is increased accordingly to make a channel layer width smaller than a gate electrode width.例文帳に追加

また、ゲート電極１２をメサの平坦な領域にのみ形成し、その分チャネル層３のサイドエッチング量を大きくしてチャネル層幅がゲート電極幅よりも小さくされている。 - 特許庁

Further, a gate track 25 is formed on at least either one of flat plane 20a, 20b of the front and back of the seal 20.例文帳に追加

更にシール２０の表裏の平坦面２０ａ、２０ｂのうち、少なくともいずれか一方にゲート跡２５が形成される。 - 特許庁

This projection 21 is allocated to be projected from a control gate 5 in the flat layout on a field region 2.例文帳に追加

そして、この突出部２１を、フィールド領域２上であって、平面レイアウトにおいて、コントロールゲート５から突きだすように配置する。 - 特許庁

To provide a flat display which can reduce light leakage due to electron collision which occurs in a space between a gate electrode and an electric field control electrode.例文帳に追加

ゲート電極と電界制御電極との間の空間において発生する電子衝突による漏れ発光を軽減する - 特許庁

After depositing an Ni film 205 on the entire surface of a substrate containing a silicon gate 202, the silicon gate 202 is removed partially by CMP treatment, or the like, thus allowing an Ni layer 206 that has a flat upper surface and is uniform in thickness to remain directly above the silicon gate 202.例文帳に追加

シリコンゲート２０２を含む基板全面上にＮｉ膜２０５を堆積後、ＣＭＰ処理等によってシリコンゲート２０２の一部を除去し、上面が平坦で膜厚が均一なＮｉ層２０６をシリコンゲート２０２の直上に残す。 - 特許庁

The thin-film semiconductor device comprises a semiconductor film which contains a channel region, a source region, and a drain region, and has an insular flat pattern, a gate insulating film laminated on or under the semiconductor film, and a gate electrode which is arranged facing the channel region via the gate insulating film.例文帳に追加

チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。 - 特許庁

To provide a flat panel display capable of achieving high luminance, a gate electrode structure, and its manufacturing method.例文帳に追加

高輝度を実現することができる平面ディスプレイ、ゲート電極構造体およびゲート電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Rain dropped from the pivot hole to the pivot lever reaches the flat plate part 70 without being interfered with the disk part 68, travels on the flat plate part 70 and is discharged from a water discharge gate 88.例文帳に追加

このため、ピボット孔からピボットレバーへ向けて落下した雨水が、円板部６８に干渉されることなく平板部７０に到達し、平板部７０上をつたって排水ゲート８８から排水される。 - 特許庁

Through subsequent high fusing point metal film formation and silicide formation steps, CoSi_2 formed on the polycrystalline silicon control gate 7 is made into a flat film without including any projection toward a gate oxide film 4.例文帳に追加

その後の高融点金属膜形成工程,シリサイド形成工程により、多結晶シリコン制御ゲート７上に形成されたＣｏＳｉ_２は、ゲート酸化膜４に向う突起を有さず平坦な膜となる。 - 特許庁

Moreover, the top of the trench gate conductor layer 4 is made substantially flat or convex, and the top of this trench gate conductor 4 is made equal to or slightly higher than the main face of the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、前記トレンチゲート導体層の上面を、略平坦或いは凸状に形成し、このトレンチゲート導体層の上面を、前記半導体基板主面と同等若しくはそれよりも高く形成する。 - 特許庁

A first frame forming layer 32 is made flat by ensuring that respective upper end surfaces of a gate electrode 21G, a metal frame 21GF for the gate electrode, and an electric power supply wire metal frame VF, and a first insulating film Z1 formed in its exclusive domain is maintained flat so as to coincide with each other.例文帳に追加

ゲート電極２１Ｇ、ゲート電極用メタルフレーム２１ＧＦ、電源線メタルフレームＶＦと、その排他的領域に形成される第１の絶縁膜Ｚ１とのそれぞれの上端面が一致するように平坦化することで、第１フレーム形成層３２の平坦化した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for mask ROM which can apply a dual-gate process and a silicide process used, in a logic process, to flat cell type mask ROM.例文帳に追加

ロジック工程で使用するデュアルゲート工程及びシリサイド工程をフラットセルタイプのマスクロムに適用できるマスクロムの製造方法を提供する。 - 特許庁

However, the garan built on flat land, such as To-ji Temple and Sai-ji Temple built in the east and west of Rajomon Gate of Heian-Kyo, followed the layout of the Nara period. 例文帳に追加

しかし、平安京の羅城門の東西に建てられた東寺・西寺など平地の伽藍では奈良時代の配置が踏襲された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate electrode 12 composing the TFT is made into a flat and non-linear shape and is placed on the polycrystalline thin film 3, so that either one of the ends of the gate electrode does not overlap with the grain boundary.例文帳に追加

ＴＦＴを構成するゲート電極１２を、多結晶薄膜３上において平面的に直線状でない形状に配置することにより、いずれか一方の電極端については粒界と重ならないようにする。 - 特許庁

To provide a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) structure including an intermediate layer between a Si-containing gate electrode and a high-k gate dielectric, so that a threshold voltage and a flat-band voltage of the structure are stabilized.例文帳に追加

構造の閾値電圧及びフラットバンド電圧を安定化させることができる、Ｓｉ含有ゲート電極と高ｋゲート誘電体との間の中間層を含む相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）構造 - 特許庁