「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To achieve a higher activation rate in an ion-implanted region of a silicon carbide semiconductor device.例文帳に追加

炭化珪素半導体装置のイオン注入領域において更なる高活性率化を図る。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2 using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２の形成箇所にｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TOOTHBRUSH IN WHICH NEEDLE-LIKE BRISTLES ARE IMPLANTED, AND TOOTHBRUSH MANUFACTURED BY THE SAME例文帳に追加

針状毛が植毛された歯ブラシの製造方法およびこれによって製造された歯ブラシ - 特許庁

Next, boron ion is implanted in multiple stages using the resist mask in order to form the p-type well layer.例文帳に追加

次に、レジストマスクを用いて、多段階で、ボロンをイオン注入し、Ｐ型ウエル層を形成する。 - 特許庁

RESIST COMPOSITION, RESIST LAYERED BODY, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING ION IMPLANTED SUBSTRATE例文帳に追加

レジスト組成物、レジスト積層体、レジストパターンの形成方法、及びイオン注入基板の製造方法 - 特許庁

Electrically inactive ions are implanted into the polysilicon layer 18 to amorphize a surface layer 20.例文帳に追加

ポリシリコン層１８に電気的に不活性なイオンを注入して表層２０をアモルファス化する。 - 特許庁

After this, a gate insulating film is formed and impurity ions are implanted in the vicinity of the grain boundary 119.例文帳に追加

その後、ゲート絶縁膜を形成し、結晶粒界１１９付近に不純物イオンを打ち込む。 - 特許庁

The implantation energy at that time is so set that no implanted ion penetrate the polysilicon gate 12.例文帳に追加

このときの注入エネルギーは、注入イオンがポリシリコンゲート１２を突き抜けないように設定する。 - 特許庁

Thus, the ions are not implanted into the silicon substrate 1 by penetrating through the gage electrode 3.例文帳に追加

よって、イオンがゲート電極３を突き抜けてシリコン基板１内に注入されることはない。 - 特許庁

an implanted device through which blood may be withdrawn and drugs may be infused without repeated needle sticks. 例文帳に追加

何度も針を刺すことなく、採血したり、薬物を注入したりできる埋め込み式の装置。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The spiral spaces between the neighboring implanted base portions are used as overflow openings H for abrasive fluid.例文帳に追加

この植込み基部間の螺旋状スペースは、研磨液の流出開口Ｈとして利用される。 - 特許庁

This storage cabinet 1 with a storage concave 2 opening its front side surface is implanted in a wall surface 3.例文帳に追加

前面を開口した収納凹所２を有する収納キャビネット１を壁面３に埋設した。 - 特許庁

To reduce crystal defects in a silicon layer under a BOX layer of an SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸウェーハのＢＯＸ層下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減すること。 - 特許庁

After the heat treatment (S50), a part which positions on one impurity implanted region is left, and the other impurity implanted region is exposed (S60).例文帳に追加

熱処理工程（Ｓ５０）の後、キャップ膜のうち、一方の不純物注入領域上に位置する部分を残存させる一方、他方の不純物注入領域を露出させる工程（Ｓ６０）を実施する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a hair-implanted resin molding which has been hair-implanted electrostatically before molding of the resin and never deteriorates in the appearance and the touch feeling even when molded into a three-dimensional shape after the electrostatic hair implant.例文帳に追加

樹脂成形の前に静電植毛を施し、その後に３次元形状に成形しても外観性及び触感性が低下しない植毛樹脂成形品の製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, a diamond semiconductor thin film 15 is obtained (Fig.5(f)) by activating ion-implanted impurities by annealing (Fig.5(e)) a diamond thin film 13 in which two kinds of ions are implanted.例文帳に追加

その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 - 特許庁

In addition, since the threshold controlling ion-implanted layer 6 and n-type ion-implanted layer 5 are formed continuously with the same conductivity, the occurrence of a potential barrier in the channel of the transfer transistor can be prevented.例文帳に追加

また、しきい値制御イオン注入層６をｎ型イオン注入層５と同じ導電型で連続して形成することにより、転送トランジスタのチャネルにおいてポテンシャルバリアの発生を防止できる。 - 特許庁

Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.例文帳に追加

そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

In the scroll compressor, a raw material of the tip seal is formed in a sheet shape, and the implanted part is formed in a bottom part of the tip seal by cutting the raw material of forming the implanted part by the electrostatic implantation in a predetermined width.例文帳に追加

また、スクロールコンプレッサにおいて、チップシールの素材をシート状に形成し、静電植毛によって植毛部を形成した素材を所定幅に切断してチップシールの底部に植毛部を形成する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in a piezoelectric single-crystal substrate 1 under prescribed conditions to form an ion-implanted layer 100 at a position of prescribed depth from one principal surface of the piezoelectric single-crystal substrate 1 (S101).例文帳に追加

圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。 - 特許庁

After that, a diamond semiconductor thin film 15 is obtained (Fig.5(f)) by activating ion-implanted impurities by annealing (Fig.5(e)) a diamond thin film 13 in which two kinds of ions are implanted.例文帳に追加

その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 - 特許庁

Then, arsenic ions are implanted with a POS side masked with a resist, while boron ions are implanted with an NMOS side masked with a resist, and thermally processed for diffusing impurities in a gate/drain region and gate electrode.例文帳に追加

そして、ＰＭＯＳ側をレジストでマスクしてヒ素イオンを注入し、ＮＭＯＳ側をレジストでマスクしてホウ素イオンを注入し、熱処理して、ゲート／ドレイン領域及びゲート電極の不純物を拡散する。 - 特許庁

With photoresist 6 being a mask, a first conductivity type impurity is ion-implanted in a separated implanted region of a silicon layer 3 to form an impurity region having higher impurity concentration than a channel region.例文帳に追加

フォトレジスト６をマスクとして、シリコン層３の分離注入領域に第１導電型の不純物をイオン注入しチャネル領域よりも高い不純物濃度を有する不純物領域を形成する。 - 特許庁

Accordingly, when ions for forming the source/drain region of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor are implanted, the ions can be implanted into the active region 7 that is further inside than the width W_U2 of the upper electrode 22.例文帳に追加

そのため、ＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入の際に、上部電極２２の幅Ｗ_U2よりも内側の活性領域７にも、イオンを注入可能である。 - 特許庁

The release film comprises a substrate film 1 the surface of which an ion-implanted layer is formed by plasma-based ion implantation and a release layer formed on the ion-implanted layer of the substrate film.例文帳に追加

プラズマイオン注入法により、表面部にイオン注入層が形成された基材フィルムと、該基材フィルムのイオン注入層上に形成された剥離層とを有することを特徴とする剥離フィルム。 - 特許庁

The semiconductor substrate has an Si substrate 1, the SiGe layer SG formed on the surface of the substrate 1, and an implanted region 1a, into which hydrogen ions or helium ions are implanted near the surface of the substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１と、該Ｓｉ基板上のＳｉＧｅ層ＳＧとを備え、前記Ｓｉ基板表面近傍に、水素イオンあるいはヘリウムイオンが注入された注入領域１ａを有する。 - 特許庁

It is an object of several embodiments of the present invention to provide apparatus and methods for the calibration of one or more implanted pressure transducers (25) implanted in the body of medical patients.例文帳に追加

本発明の複数の実施形態の目的は、医療患者の体内に埋め込まれた一つ以上の埋め込まれた圧力変換器（２５）の較正のための複数の装置および方法を提供することである。 - 特許庁

To provide general apparatus and methods for the calibration of implanted pressure transducers (25).例文帳に追加

本発明は、複数の埋め込まれた圧力変換器（２５）の較正のための装置および方法一般に関する。 - 特許庁

To provide a system and a method for determining implanted device positioning and obtaining pressure data.例文帳に追加

植え込んだ装置の位置の特定および圧力データの取得のためのシステムおよび方法を提供する。 - 特許庁

To make an intracorporeal implanted artificial device stay within the body while preventing adhesion between the instrument and the biological tissue.例文帳に追加

体内埋め込み型の人工装置を体内に定着させつつ生体組織との癒着を防止する。 - 特許庁

A mask layer 15 is formed on a part of a SiC substrate 11, and N, as an impurity, is implanted.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１の上の一部にマスク層１５を形成し、不純物としてＮを注入する。 - 特許庁

IMPLANTABLE DEVICE, SYSTEM GENERATING LOCAL ELECTROMAGNETIC FIELD IN IMPLANTED OBJECT AREA AND COIL ARRANGEMENT例文帳に追加

埋込み可能なデバイス、埋込み物の領域中に局在的な電磁場を発生させるシステム、及びコイル配置 - 特許庁

A total stock control module 264 renews recording on the total stock of the implanted individual medical instruments.例文帳に追加

在庫量管理モジュール２６４が、植込まれた個々の医用機器の在庫量に関する記録を更新する。 - 特許庁

Consequently, the intervertebral joints are stabilized, and the artificial ligament of a capsule shape prevents the debris form spreading to the surrounding tissues from the implanted site.例文帳に追加

カプセル型の人工靱帯により、埋植サイトから周辺組織への破片の散乱を防止する。 - 特許庁

To provide a method for decomposing oil and fat content or the like in a short time by using a microbe-implanted filter.例文帳に追加

微生物着床フィルターを用いて油脂分等を短時間で分解する方法を提供しようとする。 - 特許庁

Before or after ions are implanted, N2 annealing is performed at a low temperature of 650°C-750°C.例文帳に追加

そして、このイオン注入前又はイオン注入後に、６５０℃〜７５０℃という低温のＮ２アニールを行う。 - 特許庁

In order to form a P body 4a, boron ions are implanted into the pattern 3b from its edge by self alignment.例文帳に追加

Ｐボディ４ａを形成するために、ポリシリコンパターン３ｂのエッジからセルフアラインでボロンを注入する。 - 特許庁

To provide a gastric band which is to be surgically implanted and has a releasable locking attachment to surround a stomach.例文帳に追加

取り外し可能な固定付属具を有する、胃を取り囲む、外科的に埋め込まれる胃バンドを提供する。 - 特許庁

The annealing step anneals the thin film in which the ions were implanted to generate a resistance element.例文帳に追加

アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。 - 特許庁

Fine silver particles 120 are formed by aggregating or dispersing implanted silver through heat treatment.例文帳に追加

熱処理を行なって、注入した銀を凝集または拡散して、銀微粒子１２０を形成する。 - 特許庁

After the copper electric conductor is planarized, at least one element is ion-implanted into these surface layers.例文帳に追加

銅導電体の平坦化後に、これの表面層に少なくとも１つの元素がイオン注入される。 - 特許庁

The implanted bone is housed in a hermetically closed container for sterilization and is subjected to heat sterilization by irradiation with microwaves.例文帳に追加

移植骨を、密閉された殺菌用容器に収納してマイクロ波照射により加温殺菌する。 - 特許庁

To provide a method of implanting ions into semiconductor substrate by which ions are implanted accurately into a semiconductor substrate in the direction parallel to the surface of the substrate.例文帳に追加

半導体基板表面と平行な方向に対して精度よくイオン注入を行なう。 - 特許庁

As and the P are implanted into the NMOS region to form a deep SD region 14 of NMOS.例文帳に追加

Ａｓを、次にＰをＮＭＯＳ領域に注入し、ＮＭＯＳの深いＳＤ領域１４を形成する。 - 特許庁

To prevent charge-up of a substrate caused by electric charge of an implanted element without complicating an ion implanter constitution.例文帳に追加

装置構成を複雑化することなく、注入元素の電荷による基板のチャージアップを防止する。 - 特許庁