「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and device for producing fiber-implanted steel sheet capable of stably mass-producing a fiber-implanted steel sheet with desired external appearance quality and bending property in an industrial scale.例文帳に追加

所望の外観品質や曲げ加工性を有する植毛鋼板を、工業的規模で安定して量産することができる植毛鋼板の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

An extension region 17 is formed, where P-type impurity ions is vertically implanted into the Si substrate 12, and a first pocket region 18 is formed, where N-type impurity ions is implanted.例文帳に追加

ほぼ垂直方向からＳｉ基板１１にＰ型不純物イオンが注入されたエクステンション領域１７、Ｎ型不純物イオンが注入された第１ポケット領域１８を形成する。 - 特許庁

In the case a small quantity of boron is to be doped also to the pixel part, initially boron is ion implanted into all regions without any mask and subsequently it is ion implanted into all parts except the pixel part by arranging the mask.例文帳に追加

また、画素部にも少しボロンをドープする場合には、最初にマスクなしで全面にボロンをイオン注入後した後、マスクを配置して画素部以外にボロンをイオン注入する。 - 特許庁

A hair implanted layer 5 implanted inclined in supply direction of the fiberglass mat 1 is fixed to the upper surface of the slider 3 so that it may contact the lower face of the fiberglass mat 1 in the stocker 2.例文帳に追加

スライダ３の上面には、ガラスマット１の供給方向に傾けて稙毛した植毛層５をストッカ２中の最下層のガラスマット１の下面に接触するように固定する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor substrate, hydrogen ions are implanted into a nitride-based semiconductor crystal 10 provided on a first substrate 20 to form a hydrogen ion implanted layer 13 in a low dislocation density region 12.例文帳に追加

第１の基板２０上に設けられた窒化物系半導体結晶１０に水素イオンを注入して、低転位密度領域１２内に水素イオン注入層１３を形成する。 - 特許庁

Boron atoms are implanted by an accelerating voltage passing atoms through a nitride film 4 by using a resist film as a mask, and phosphorus atoms are implanted by an accelerating voltage which does not allow atoms to pass through the nitride film 4.例文帳に追加

レジストをマスクに、ボロン原子を窒化膜４を貫通する加速電圧でイオン注入を行い、また、リン原子を窒化膜４を貫通しない加速電圧でイオン注入を行いう。 - 特許庁

To provide a nucleus-implanted egg that is a nucleus-implanted egg having 2 haploid genome sets derived from mammal ova and shows excellent production efficiency of adults.例文帳に追加

本発明の目的は、哺乳動物の卵子由来の半数ゲノムを２セット有する核移植卵であって、成体の作出効率に優れた核移植卵を提供することにある。 - 特許庁

First element ions are implanted into a dose area of a polysilicon semiconductor film, and then a second element which is heavy and gives no influence to potential is implanted thereto.例文帳に追加

注入イオンを第１元素として、この第１元素のイオンを注入するポリシリコン半導体膜のドーズ領域に、重くかつ電荷に影響のない第２元素を注入する。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁

In the electrode structure for the semiconductor device, an electrode layer comprising a region into which p-type impurities are implanted, and another region into which n-type impurities are implanted, and an impurities poured layer formed on the surfaces of these regions and into which the p-type or the n-type impurities are implanted, are formed.例文帳に追加

半導体装置の電極構造において、ｐ型の不純物を注入した領域と、ｎ型の不純物を注入した領域とを含む電極層と、これらの領域の表面に形成され、かつ、ｐ型、あるいは、ｎ型の不純物を注入した不純物注入層を形成する。 - 特許庁

After the gate electrode 3 of the transfer transistor is formed on a p-type silicon substrate 1, the p-type ion-implanted layer 4 of the photodiode is formed and, in addition, the n-type ion-implanted layer 5 of the photodiode and the threshold controlling ion-implanted layer 6 of the transfer transistor are formed simultaneously.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１上に転送トランジスタのゲート電極３を形成後に、フォトダイオードのｐ型イオン注入層４を形成し、さらにフォトダイオードのｎ型イオン注入層５と転送トランジスタのしきい値制御イオン注入層６とを同時にイオン注入により形成する。 - 特許庁

Moreover, when the n-type impurity is ion-implanted at a high temperature, a region being ion-implanted is heated to 180°C or higher by substrate heating or laser irradiation, a silicon pair between boron and lattice is sufficiently disassociated and the n-type impurity is ion-implanted under existence of an even stress.例文帳に追加

また、Ｎ型不純物の添加を高温イオン注入で行う場合は、基板加熱やレーザー照射などでイオン注入する領域を１８０℃以上に加熱し、ボロン・格子間シリコンペアを十分解離させ、一様な応力が存在する状態の下で、Ｎ型不純物のイオン注入を行う。 - 特許庁

By forming the above structure; holes are implanted through two paths of a first path which is directly implanted from the upper face of the InGaAsP active layer 3, and a second path which is implanted from the side face of the InGaAsP active layer 3 through the InGaAsP intermediate layer 7 from the first p-InP clad layer 4.例文帳に追加

上記構造とすることにより、正孔は、InGaAsP活性層３の上面から直接注入される第１経路と、第１ｐ−InPクラッド層４からInGaAsP中間層７を介してInGaAsP活性層３の側面から注入される第２経路との２つの経路を経由して注入される。 - 特許庁

Then, B is implanted into the PMOS region to form a deep SD region 16 of PMOS.例文帳に追加

次に、ＢをＰＭＯＳ領域に注入し、ＰＭＯＳの深いＳＤ領域１６を形成する。 - 特許庁

IMPROVEMENT TO IMPLANT, SYSTEM AND METHOD USING IMPLANTED PASSIVE CONDUCTOR FOR ROUTING ELECTRICAL CURRENT例文帳に追加

電流を通す埋込み受動導体を使用するインプラント、システムおよび方法に対する改良 - 特許庁

ION IMPLANTATION METHOD OF TITANIA PARTICLE, AND METHOD OF MANUFACTURING ION IMPLANTED TITANIA THIN FILM ELECTRODE例文帳に追加

チタニア粒子のイオン注入方法及びイオン注入したチタニア薄膜電極の製造方法 - 特許庁

The auxiliary stirring shaft may be hung over between the stirring claws and the brackets implanted in the rotating driving shaft.例文帳に追加

撹拌補助軸を、撹拌爪と、回転駆動軸に植設したブラケットとの間に懸架してもよい。 - 特許庁

A pair of guide holders 230, 240 is implanted in the connect panel 200 on both sides of the connector 210.例文帳に追加

連結パネル２００には、コネクタ２１０の両側に１対のガイドホルダ２３０、２４０が植設される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SIMOX (separation by implanted oxygen) which can exactly control the thickness of an SOI film.例文帳に追加

SOI膜の厚みを正確にコントロールすることができるSIMOXウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The contact member 3 has a brush stand 31, and fibers 32 implanted in the brush stand 31.例文帳に追加

接触部材３は、ブラシ台３１と、このブラシ台３１に植え込まれた繊維３２とを有している。 - 特許庁

Next, second impurities are implanted into the residual amorphous region with a second impurity concentration.例文帳に追加

続いて第二の不純物が、第二の不純物濃度で残留アモルファス領域内に打ち込まれる。 - 特許庁

The implanted bone after the sterilization is stored in the container and is unsealed within an operating room just prior to use.例文帳に追加

殺菌後の移植骨は容器に保管され、使用直前に手術室内で開封される。 - 特許庁

The shunt 10 can be implanted at a location V along or within a patient's spinal column.例文帳に追加

シャント１０は患者の脊柱に沿う或いは脊柱内の部位Ｖに埋め込むことができる。 - 特許庁

The silicon is approximately uniformly implanted from the front surface of an AlN layer to the depth of 0.2μm.例文帳に追加

シリコンはＡｌＮ層の表面から０．２μｍの深さに渡ってほぼ均一に注入された。 - 特許庁

A shield with an aperture in slit shape is placed before a front surface of a semiconductor substrate to be ion implanted.例文帳に追加

被イオン注入半導体基板前面にスリット形状の穴を有する遮蔽板を設ける。 - 特許庁

A nitride insulating film is formed in a region of the insulating film 112 in which nitrogen is implanted.例文帳に追加

絶縁膜１１２のうちの窒素が注入された領域には、窒化絶縁膜が形成される。 - 特許庁

To provide an implanted cardiosaver system which can treat electrogram signals from the heart of a patient.例文帳に追加

患者の心臓からの電気信号を処理できる心臓救済器システムを有することである。 - 特許庁

To provide simple and inexpensive technologies for swift engraftment of a base material implanted in a living body.例文帳に追加

生体内に埋植した基材が迅速に生着する簡便かつ安価な技術を実現する。 - 特許庁

Thereafter, a protection layer (platinum) 5-14 is formed on an ion-implanted diamond thin film 5-13.例文帳に追加

その後、イオン注入ダイヤモンド薄膜５−１３上に保護層（白金）５−１４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device contains a hetero element implanted with an energy of less than 100 eV.例文帳に追加

100eV未満のエネルギーで導入された異種元素を備えていることを特徴とする半導体素子。 - 特許庁

The egg fertilized in vitro implanted in the uterus of the birth mother with no further complications 例文帳に追加

更なる複雑化なしで出生母の子宮に植えつけられた試験管内での受精卵 - 日本語WordNet

Ions are implanted into the central part 12 of a substrate 1 consisting of a magnesium oxide single crystal.例文帳に追加

酸化マグネシウム単結晶からなる基板１の中央部分１２に、イオン注入を行う。 - 特許庁

Then, hydrogen ions are implanted into the epitaxial layer 41 and a second substrate (base substrate) 45 is bonded thereto.例文帳に追加

次に、エピタキシャル層４１に水素イオンを注入し、第２の基板（ベース基板）４５と張り合せる。 - 特許庁

In the ion implantation process (S1), He^+ ions are implanted into a single-crystal base material 1 of the piezoelectric material.例文帳に追加

イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe^+イオンを注入する。 - 特許庁

Ions are implanted into the semiconductor layer on both sides of the gate electrode to form drain/source regions.例文帳に追加

半導体層のゲート電極を挟む位置にイオン注入してドレイン／ソース領域を形成する。 - 特許庁

Ions of the dopant are implanted into the semiconductor substrate 12 and the masking members 14A to 14F.例文帳に追加

このような半導体基板１２とマスキング部材１４Ａ〜１４Ｆに、ドーパントのイオンを打ち込む。 - 特許庁

Then, ions can be implanted up to a depth different from that in the ion implantation performed previously (process (b)).例文帳に追加

すると、先に行ったイオン注入と異なる深さまでイオンを注入することができる（ｂ）。 - 特許庁

A first RTA process is performed after phosphorus ions are implanted into part of a polysilicon film.例文帳に追加

ポリシリコン膜の一部にリンのイオン注入を行なってから第１回目のＲＴＡを行なう。 - 特許庁

The electrode formation region is implanted with ion such as phosphorus as impurity ion injection regions 22 to 25.例文帳に追加

電極形成領域にリン等をイオン注入し、不純物イオン注入領域２２〜２５とする。 - 特許庁

Ions are implanted into the semiconductor substrate to form lightly doped areas using the gate electrode as a mask.例文帳に追加

電極をマスクとして基板中にイオンを注入し、低濃度にドープした領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method for recycling a weatherstrip in which polyamide resin pile is implanted in vulcanized rubber.例文帳に追加

ゴム加硫物にポリアミド樹脂製のパイルが植毛されたウェザーストリップのリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation.例文帳に追加

炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

Ions are implanted in two processes ((c) and (f)) for avoiding defects in the impurity diffused region.例文帳に追加

イオン注入を２回に分けて行う（（ｃ）、（ｆ））ことで、不純物拡散領域の欠損を防止する。 - 特許庁