「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Ions are implanted into the main surface of the semiconductor substrate SUB using the resist pattern PR1 as a mask.例文帳に追加

そのレジストパターンＰＲ１をマスクとして半導体基板ＳＵＢの主表面にイオンが注入される。 - 特許庁

The methods and devices are applicable both to external defibrillation and to defibrillation by an implanted device.例文帳に追加

該方法及び装置は外部式の除細動及び移植式の除細動の両方に適用可能。 - 特許庁

An impurity ion is ion implanted into a surface layer of a pad electrode 9a exposed on a protection film 11.例文帳に追加

保護膜１１から露出したパッド電極９ａの表面層に不純物イオンをイオン注入する。 - 特許庁

A sealant of an ultraviolet thermosetting plastic is implanted between the lens unit and the element to fix both of them.例文帳に追加

レンズユニットと撮像素子間に紫外線熱硬化樹脂の封止剤を注入し、両者を固定する。 - 特許庁

The conductive polymers may be implanted adjacent to or seeded with nerve cells.例文帳に追加

伝導性ポリマーは、神経細胞に隣接して移植され得るか、または神経細胞とともに播種され得る。 - 特許庁

To provide a microelectro-optomechanical device implanted with a dopant and a method of manufacturing for the same.例文帳に追加

ドーパントが注入されたマイクロ電気光学機械デバイスおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A cuboid shaped key 27 corresponding to the key groove 8d is implanted in the projected part 26d.例文帳に追加

前記凸部２６ｄにはキー溝８ｄと対応する直方体状のキー２７が植え込まれている。 - 特許庁

Then, a first thermal treatment is carried out to remove interstitial silicon atoms which are generated when ions are implanted.例文帳に追加

次いで第一の熱処理を行い、イオン注入の際に生じた格子間シリコン原子を除去する。 - 特許庁

In the case boron doping to P channel transistors is not desired the ion is implanted with the additional mask.例文帳に追加

また、Ｐチャネルトランジスタにボロンを入れたくない場合には、マスクを追加した状態でイオン注入する。 - 特許庁

To reduce the danger of restenosis of a vessel in a stent implanted region.例文帳に追加

ステントが移植された領域において管の再狭窄の危険性を減少させるステントを提供すること。 - 特許庁

By using the resist pattern 21 as a mask, P-type impurity (e.g., boron (B)) ions are implanted.例文帳に追加

その後、そのレジストパターン２１をマスクとして用いて、ｐ型不純物（例えば、ボロン（Ｂ））のイオン注入を行う。 - 特許庁

Since helium ions are implanted to the wafer 10 for an active layer, an exfoliation temperature reaches 800 to 1,100°C.例文帳に追加

ヘリウムを活性層用ウェーハ１０にイオン注入したので、剥離温度は８００〜１１００℃となる。 - 特許庁

Then, impurity ions are implanted, and the embedded type impurity diffused region is formed in the cell array region.例文帳に追加

そして、不純物イオンを打ち込み、セルアレイ領域に埋込型不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

P-type impurities 210 are ion implanted with a large inclination angle of 25° for forming pocket areas 211.例文帳に追加

ｐ型不純物２１０を大きな傾斜角度２５°でイオン注入し、ポケット領域２１１を形成する。 - 特許庁

Impurity ions 6 are implanted into the surface of the silicon substrate 1 through the intermediary of the silicon nitride film 16.例文帳に追加

そして不純物イオン６をシリコン窒化膜１６を介してシリコン基板１の主面にイオン注入する。 - 特許庁

After a gate electrode is formed, a first-conductivity-type dopant is ion-implanted with high concentration, heat treatment is made, a second-conductivity-type dopant is ion-implanted, a sidewall is formed on a gate side, the first-conductivity-type dopant is ion-implanted, and then heat treatment is made for manufacturing the field effect transistor.例文帳に追加

ゲート電極の形成後、第一導電型の不純物を高濃度にイオン注入し、続いて熱処理、第二導電型の不純物のイオン注入、ゲート側面への側壁形成、第一導電型の不純物のイオン注入を行ったのち、熱処理を行って電界効果型トランジスタを製造する。 - 特許庁

Further, a salicide film is formed on the other impurity implanted region with a protection film as a part of the cap film remaining on the one impurity implanted region (S70).例文帳に追加

さらに、一方の不純物注入領域上にキャップ膜の部分としてのプロテクション膜が残存している状態で、他方の不純物注入領域上にサリサイド膜を形成する工程（Ｓ７０）を実施する。 - 特許庁

Then, after the bonded wafer 1, in which the two ion-implanted layers 4 and 6 are formed, is coupled with a base wafer 7, a thin bonded single-crystal silicon film 5 is peeled from the bonded wafer 1 by peeling the peelable ion-implanted layer 4.例文帳に追加

そして、それら２つのイオン注入層４，６が形成されたボンドウェーハ１をベースウェーハ７に結合した後、ボンドウェーハ１から結合シリコン単結晶薄膜５を剥離用イオン注入層４にて剥離する。 - 特許庁

A titanium film 4 and a titanium nitride film 5 are formed in order on the inner surface of a contact hole 3, and germanium ions are implanted in the film 5 on the sidewall of the hole 3 to reduce the film thickness of this ion-implanted part of the film 5.例文帳に追加

コンタクトホール３の内面にチタン膜４及び窒化チタン膜５を順次形成し、コンタクトホール３の側壁の窒化チタン膜５に対し、ゲルマニウムイオンを注入してこの部分の膜厚を縮小させる。 - 特許庁

It is preferable, as needed, that the energy of the ion beam is varied, a mask is used, the ion beam or the optical fiber is turned, ions are implanted from a plurality of directions or a plurality of kinds of ions are simultaneously implanted.例文帳に追加

必要に応じて、イオンビームのエネルギーを変化させたり、マスクを用いたり、イオンビームまたは光ファイバを回転させたり、複数の方向からイオンを注入したり、複数種のイオンを同時に用いたりしても好ましい。 - 特許庁

Thereafter, ions are implanted into the cathode surface side of the N--type semiconductor substrate 45, by which an ion-implanted layer 23 which is gradually decreased in thickness as it approaches the periphery of the substrate 45 is formed (S3a).例文帳に追加

その後、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側にイオンを注入して、前記ｎ^-型半導体基板４５の外周側に近づくに連れて厚さの薄いイオン注入層２３を形成する(Ｓ３ａ)。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a heater from floating by bending a heater lead at a boundary part of an implanted part and a non-implanted part of the heater lead in a welding device of a heater tab and the heater lead for a cathode ray tube.例文帳に追加

陰極線管用ヒーターリードとヒータータブの溶接装置において、ヒーターリードの埋没部分と非埋没部分の境界部でヒーターリードが折れ曲がった状態となりヒーターが浮き上がった形状になることを防止する。 - 特許庁

To provide a device to transfer an electric power into a body through a skin using an implanted actuator, a primary coil and a secondary coil, wherein the implanted device is as simple as possible and of a minimum volume.例文帳に追加

体内埋込型アクチュエータと一次コイルと二次コイルを用いて体内に経皮的に電力を伝送する装置において、体内の装置をできる限り、簡単かつ最小の体積にすることを課題とする。 - 特許庁

In a method of manufacturing the marked semiconductor substrate, at least one of oxygen ions, nitrogen ions, and carbon ions are implanted nearby under the upper surface of the semiconductor substrate to form the marking consisting of an ion-implanted layer.例文帳に追加

半導体基板の表面下近傍に、酸素イオン、窒素イオンおよび炭素イオンの少なくとも1つのイオンを注入して、イオン注入層からなるマーキングを形成する、マーク付き半導体基板の製造方法。 - 特許庁

Kind and density of the ion to be implanted are selected such that it compensates for a dopant in a ground layer material to cause the ground layer material to be insulative in an area where the implanted ion of substantial density develops.例文帳に追加

注入されるイオンは、グランド層物質内のドーパントを補償して、十分な濃度の注入イオンが生じる領域内において、グランド層物質を絶縁性にするように、種類と濃度が選択される。 - 特許庁

To provide a wig base implanted with human hair or artificial hair, free from being noticeable, and having a structure of preventing implanted human hair or artificial hair from slipping off, and to provide a wig.例文帳に追加

本発明の課題は、人毛又は人工毛が植毛されるかつらベースにおいて、かつらベースが目立たず、植毛された人毛又は人工毛がずれない構成とするかつらベース及びかつらを提供することである。 - 特許庁

Electrons are implanted from the side of the n-type silicon oxide film 2 and holes are implanted from the side of the p-type silicon nitride film 3 to emit light on the interface between the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 - 特許庁

The compositions can be injected into a patient and polymerized in situ or can be polymerized ex vivo and implanted.例文帳に追加

この組成物は、患者に注入してインサイチュで重合できるか、またはエキソビボで重合して移植できる。 - 特許庁

A wire 31 is implanted in a mock-up 30 in a direction the same as a direction of embedding a fixture of an implant.例文帳に追加

モックアップ３０に、インプラントのフィクチャーを埋入する方向と同じ方向にワイヤ３１を植立させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including an implanted region and a protective layer, and to provide a method of forming the semiconductor device.例文帳に追加

注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法を提供すること。 - 特許庁

Fibers 4 are implanted in the undersurface of the face plate part 1 and the outer side surfaces of the edge side pieces 2 of the ceiling panel main body 3.例文帳に追加

天井パネル本体３の面板部１の下面と縁側片２の外側面とに繊維４を植設する。 - 特許庁

The oscillation providing section 1b of the ultrasonic therapeutic apparatus 1 is applied to the affected part of a patient 12 who has an implant 11 implanted.例文帳に追加

インプラント１１を埋め込んだ患者１２の患部に超音波治療器１の振動付与部１ｂをあてがう。 - 特許庁

A pigment of the prescribed liquid is accumulated in an end part of a hair implanted region 140 of a picture display region 100.例文帳に追加

絵柄表示領域１００の植毛領域１４０の先端部には、処方液の色素が蓄積される。 - 特許庁

The leg implant member is implanted and fixed as a dental root in the alveolar bone and comprised of a leg structure.例文帳に追加

そして、脚部インプラント体は歯根として歯槽骨に埋入されて固定され、かつ脚構造を成している。 - 特許庁

To provide a filter catheter system for retrieving a previously implanted medical filter and a method of using the retrieval system.例文帳に追加

予め埋め込まれた医療用フィルタを回収するためのフィルタ回収システム及び回収システムの提供。 - 特許庁

The fixation element can fix the applicator to tissue and/or a stabilization element implanted within a patient.例文帳に追加

固定要素はアプリケーターを組織および／または患者内に埋め込まれた安定化要素に固定することができる。 - 特許庁

A resist layer is formed on the p-type substrate 1, and n-type impurity ions are implanted into the p-type substrate 1 from above the resist layer.例文帳に追加

次に、ｐ型基板１上に、レジストを形成し、レジスト上方からｎ型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Boron is ion-implanted in a substrate through this aperture 6, to form a p-type layer 7 for preventing punch-throughs in the substrate.例文帳に追加

そして、この開口部６から、ボロンをイオン注入して、パンチスルー防止用のｐ型層７を形成する。 - 特許庁

Accordingly, this increases the contact resistance of the bottom portion of a contact hoe into which ions are not implanted after the contact hole is made.例文帳に追加

その結果、コンタクト開口後のイオン注入を行わなかったコンタクト孔底部の接触抵抗は、高くなる。 - 特許庁

Further, the subcutaneously implanted access port 10 can be identified in response to perceiving the at least one feature.例文帳に追加

さらに、皮下に埋め込まれたアクセスポート１０は、少なくとも１つの特徴を知覚するのに応じて識別される。 - 特許庁

A lock lever 38 is coupled with the end of the lock pin 39, and a bolt 391 is implanted orthogonal thereto.例文帳に追加

ロックピン３９の端部にはロックレバー３８を結合するとともにボルト３９１を直交して植立させる。 - 特許庁

To shorten the ashing time of an ion implanted resist and make the ashing efficient, by a new lift pin of a wafer stage.例文帳に追加

ウェーハステージの新規なリフトピン動作により、イオン注入レジストのアッシング時間を短縮、効率化できる。 - 特許庁

The user interface 140 may further display information relating to the fluid pressure in the implanted device.例文帳に追加

ユーザーインターフェイス１４０は、植え込まれた装置内の流体圧力に関連した情報を表示することもできる。 - 特許庁

A region 12b is a region where ions are implanted through the oxide film 3 and serves as a channel stopper region.例文帳に追加

また、１２ｂが酸化膜３を通してイオン注入された領域で、チャネルストッパ領域となる箇所である。 - 特許庁