「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To unnecessitate the change of a program for the operation of a hierarchical directory, which is required in a conventional manner, when the program which is operated in a computer system having the hierarchical directory and which includes API using the hierarchical directory is implanted onto a computer not having the hierarchical directory, and moreover, to operate even an existing file by the similar API.例文帳に追加

階層ディレクトリを持つ計算機システム上で動作する、階層ディレクトリを使用するＡＰＩを含むプログラムを、階層ディレクトリを持たない計算機上に移植する場合、従来必要であった階層ディレクトリを操作する箇所のプログラムの変更を不要にし、さらに、既存のファイルについても同様なＡＰＩで操作可能とすることを目的とする。 - 特許庁

In this washing brush 1, a fluid is supplied to a brush body 5 implanted with a number of brush bristles 7 on the outer surface thereof from inside, the brush body 5 is rotated by the fluid, and the fluid is discharged to the outer surface of the brush body 5 through a fluid passage 6 formed in the brush body 5.例文帳に追加

この発明の洗浄用ブラシ１は、外表面に多数のブラシ毛７…を植毛したブラシ本体５に内側から流体を供給し、その流体でブラシ本体５を回転させるとともに、その流体をブラシ本体５に形成した流体通路６を介してブラシ本体５の外表面に排出するようにした、ことを特徴としている。 - 特許庁

The semiconductor crystal 10 and a second substrate 30 are laminated to each other, and shock is applied from the outside in this state to separate the density region 12 of the semiconductor crystal 10 along the implanted layer 13, and an uppermost surface layer 12b of the density region 12 is transferred (peeled) onto the second substrate 30.例文帳に追加

窒化物系半導体結晶１０と第２の基板３０とを貼り合わせ、この状態で外部から衝撃を付与して水素イオン注入層１３に沿って窒化物系半導体結晶１０の低転位密度領域１２を分離して低転位密度領域１２の表層部１２ｂを第２の基板３０上に転写（剥離）する。 - 特許庁

To provide a method for patterning on the surface of a rock wool board which can be continuously produced with a novel surface appearance, capable of forming stripe-like grooves on a surface of the rock wool board and thereafter continuously forming a rugged pattern by a patterning roll having pins implanted to a stripe-like rugged part or a patterning roll having protruding parts.例文帳に追加

ロックウール基板の表面にストライプ状の凹溝を切削加工で形成し、その後でストライプ状の凹凸部にピンを植設した模様付けロールや突起部を有する模様付けロールで連続的に凹凸模様を形成することができる新規表面外観を有する連続的に生産可能なロックウールボードの表面模様付け方法を提供することにある。 - 特許庁

Respective products of the weight of each blade in the arrangement around the turbine disk D with a sine function and a cosine function in the arrangement of the blades are found, base end parts of the blades implanted in positions 1, 13, 25, 37 in the direction X and direction Y are corrected on the basis of the sum total of the respective products to counteract a vector V of residual unbalance.例文帳に追加

そして、タービンディスクＤの周回りの配置における各ブレードの重量とそのブレードの配置における正弦関数、余弦関数とのそれぞれ積を求め、各積の総和によってＸ方向およびＹ方向の位置１、１３、２５、３７に植え込まれるブレードの基端部を修正して残留アンバランスのベクトルＶを打消す。 - 特許庁

Because the particles of a film material composed essentially of ZnO and containing compounds of group III elements, such as Al2O3, are ionized with high efficiency and implanted in a film by optimum kinetic energy, the surface migration of the group III impurity elements, such as Al, can be accelerated and the dispersion of the impurity elements can be performed more uniformly as compared with that by the other methods.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分としＡｌ_２Ｏ_３等の３族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Ａｌ等の３族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。 - 特許庁

The manufacturing method of the SiC semiconductor device includes a process in which a dopant is ion-implanted on at least a part of the surface of SiC monocrystal, a process in which an Si film is formed on the surface of the SiC monocrystal after ion implantation, and a process in which the SiC monocrystal on which the Si film is formed is heated at the melting temperature of the Si film or higher.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶の表面上にＳｉ膜を形成する工程と、Ｓｉ膜が形成されたＳｉＣ単結晶をＳｉ膜の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

Further, a state of energization between a measuring electrode 7a and an implanted electrode 15 embedded in the impervious sheet 3a in order to detect breakage of a sheet body 16 comprised of the impervious sheet 3a and having water-sealing performance is measured by a corrosion resistance measuring box 10 and the measuring result is supervised by using a supervision box 11.例文帳に追加

そして、この遮水シート３ａを構成する遮水性を有するシート体１６の破損を検知するために、測定用電極７ａと遮水シート３ａ内に埋設された埋込電極１５との間の通電状態が耐食性測定ボックス１０により測定され、この測定結果が監視用ボックス１１を用いて監視される。 - 特許庁

Finally, impurities are implanted in the semiconductor layer 2 using an insulating sidewall 11 formed on the opposite side parts of the gate electrode 9 and the gate electrode 9 as an impurity implantation mask to form an offset region 10 beneath the sidewall 11 thus forming a source region 12 and a drain region 13 on the outside of the offset region 10.例文帳に追加

その後、ゲート電極９の両側部に壁状に形成した絶縁性のサイドウォール１１と、ゲート電極９とを不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入することにより、該サイドウォール１１の下方にオフセット領域１０を形成し、オフセット領域１０の外側に、ソース領域１２及びドレイン領域１３を形成する。 - 特許庁

An objective RI beam selected from RI beams generated from an RI beam factory is implanted directly into a material such as a solution held by a material holding part 50 and stopped in the material, to thereby enable supply of an RI having a lifetime or a disintegration characteristic which is optimum for a utilization purpose relative to all the elements on a periodic table.例文帳に追加

ＲＩビームファクトリーによって発生させたＲＩビームの中から選別した目的とするＲＩビームを、材料保持部５０に保持された溶液等の材料中に直接打ち込み、材料中に停止させることにより、周期表上のすべての元素について利用目的に最適な寿命や壊変特性を有するＲＩの供給を可能にする。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

A surface temperature of a semiconductor wafer into which impurities are implanted, is raised from a pre-heating temperature T1 to a target temperature T2 over a period of time from 1 to 20 milliseconds by performing a first irradiation in which light-emission output of a flashlamp is increased up to a maximal value over a period of time from 1 to 20 milliseconds.例文帳に追加

フラッシュランプの発光出力を１ミリ秒以上２０ミリ秒以下の時間をかけて最大値にまで到達させる第１照射を行うことにより、不純物が注入された半導体ウェハーの表面温度を予備加熱温度Ｔ１から目標温度Ｔ２にまで１ミリ秒以上２０ミリ秒以下にて昇温している。 - 特許庁

This ladder 10 for a quay is constituted so that horizontal three step bars 11 are installed and arranged at prescribed intervals in the vertical direction between both inside surfaces 20A of a vertically extending arranging recessed part 20 formed on a quay surface 1B of a quay 1 by being fastened to support metal fittings 12 implanted in an inside surface of the arranging recessed part 20 by bolts and nuts 13.例文帳に追加

岸壁用梯子１０は、岸壁１の岸壁面１Ｂに形成された上下方向に延びる設置凹部２０の両内側面２０Ａ間に、水平な三本のステップバー１１が、設置凹部２０の内側面に植設された支持金具１２にボルト・ナット１３で締着されて上下方向に所定間隔で架設配設されて構成されている。 - 特許庁

To provide a support for tissue regeneration capable of holding and taking cells in the uniform distribution state at the time of culture, securing the excellent reproduction and survivability, and particularly in case of the cartilage, capable of performing the fixing process such as suture when implanted to an affected part and having the sufficient mechanical strength to bear the compression (weighting) at the initial stage of the implant.例文帳に追加

培養時に細胞を均一な分布状態で安定に保持・生着させ、さらに良好な増殖・生存性を確保できるものであり、特に軟骨の場合には、加えて培養後、患部への移植時に縫合等の固定処理が可能であり、かつ移植初期の（加重）圧縮に耐える機械的強度を併せ持った支持体の開発。 - 特許庁

The greening method comprises implanting Japanese lawn grasses 10 in an objective ground (a planting basis K), and implanting herbaceous domestic wild grasses 20 symbiotic with the naturally renewable Japanese lawn grasses 10 and bearing flowers to make the objective ground the green space where people enjoy the flowers all year round, and the plants implanted in the objective ground are maintained.例文帳に追加

対象地盤（植栽基盤Ｋ）に日本芝１０を植え付けるとともに、この日本芝１０と共生可能であり、かつ、自然更新する日本在来の花を付ける野草２０を植え付けて、この対象地盤を緑地にすることにより、年間を通して、花を楽しむことができ、かつ、対象地盤に植え付けられた植物が維持される緑地を形成するものである。 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20.例文帳に追加

凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

The joining member is constituted of a spacer 2a comprising a steel material, formed into a cylindrical, rod-like or plate-like form, and arranged in the central part between both the junction faces, to secure the clearance in the periphery thereof, and studs 2b implanted respectively in both sides of the spacer member and fixed respectively to both of the end part members and the body member.例文帳に追加

接合部材を、筒状または棒状もしくは板状の形態とされて双方の接合端面の間の中央位置に配置されることによってその周囲に前記間隙を確保する鋼材からなるスペーサー部材２ａと、該スペーサー部材の両側にそれぞれ植設されて前記端部部材と前記本体部材の双方に対してそれぞれ定着されるスタッド２ｂにより構成する。 - 特許庁

The base plate assembly 10 for a base isolation device used for joining the base isolation device 12 to the concrete structure 14 includes a steel base plate 28 and a plurality of long nuts 30 which are implanted in the first surface of the base plate 28 and which allow fixing bolts 32 for fixing the base isolation device 12 to the base plate assembly 10 to be screwed thereto from the second surface side of the base plate 10.例文帳に追加

免震装置１２をコンクリート構造物１４に接合するための免震装置用ベースプレートアセンブリ１０は、鋼板製ベースプレート２８と、このベースプレート２８の第１面に植設され、免震装置１２をベースプレートアセンブリ１０に固定する固定用ボルト３２をベースプレート１０の第２面側から螺合させることのできる複数の長ナット３０とを備えている。 - 特許庁

Then, electrodes 8a, 8b are formed so as to get on the semi-buried insulation film 5 and the STI7, respectively, and the impurity is implanted to the imaging region A by using the electrode 8a and the semi-buried insulation film 5 as a mask, thus forming an n-type region 3 constituting a photodiode in a region in contact with the p-type region 4 in the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次に、半埋込絶縁膜５及びＳＴＩ７にそれぞれ乗り上げるように電極８ａ及び８ｂを形成し、電極８ａ及び半埋込絶縁膜５をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、半導体基板２におけるｐ型領域４に接する領域に、フォトダイオードを構成するｎ型領域３を形成する。 - 特許庁

After the surface of the sample for microscope observation, cut out from a substrate sample, is processed by FIB, the vicinity of the surface of the sample is scanned with a probe 4 of a probe microscope and ground by a mechanical method, electrochemical reaction, or an optical technique, such as oxidization or annealing, to conduct processing of removing ionic elements implanted by ion irradiation.例文帳に追加

基板サンプルより切り出された顕微鏡観察用試料の表面をＦＩＢによって加工処理した後、試料の表面近傍をプローブ顕微鏡探針４を走査して機械的方法、電気化学的反応、あるいは酸化、アニーリングといった光学的手法によって研磨することによりイオン照射によって打ち込まれたイオン元素を除去する加工を行うものである。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device 100 including a vertical MOS transistor 50 of a trench gate structure, at least impurities are implanted into an implantation region corresponding to n wells 21 forming a channel at not less than a critical implantation quantity in which the implantation region can become a complete amorphous state, thereby forming an amorphous region 20 in a complete amorphous state.例文帳に追加

トレンチゲート構造の縦型ＭＯＳトランジスタ５０を含む半導体装置１００の製造方法であって、チャネルが構成されるＮウェル２１に対応する注入領域に、少なくとも不純物を、注入領域が完全に非晶質状態となる臨界注入量以上にイオン注入して、完全に非晶質化された非晶質領域２０を形成する。 - 特許庁

An insulating film 211 is provided on one surface side of a single crystal semiconductor substrate 200 to implant hydrogen ion into the single crystal semiconductor layer 200 from the side of the insulating film 211 to form a separating layer 212 therein, then, the hydrogen ion is implanted into the single crystal semiconductor substrate 200 from the side of the insulating film 211 to form a defective layer 213 in an interface with the insulating film 211.例文帳に追加

単結晶半導体基板２００の一方面側に絶縁膜２１１を設け、絶縁膜２１１側から単結晶半導体層２００中に水素イオンを注入し、内部に剥離層２１２を形成し、絶縁膜２１１側から単結晶半導体基板２００中に水素イオンを注入し、絶縁膜２１１との界面に欠陥層２１３を形成する。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

In a lithium secondary battery which is provided with a positive electrode 13, a negative electrode 16 containing a negative electrode active material which can store/discharge a lithium ion, and a lithium ion conductive nonaqueous electrolyte or a polymer electrolyte, the negative electrode active material has carbon substance particles and a metal which rises an intrusion/ separation characteristic of the lithium ion implanted in the particles and metallic oxide particles.例文帳に追加

正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極活物質を含む負極と、リチウムイオン導電性の非水系電解液あるいはポリマー電解質を有するリチウム二次電池において、前記負極活物質が炭素物質粒子と該粒子内に埋込まれたリチウムイオンの侵入脱離性を高める金属及び金属酸化物粒子を有することを特徴とする。 - 特許庁

In the reflective liquid crystal display device having: first and second substrates placed opposite to each other; a liquid crystal sealed in between the first and second substrates; a plurality of pixel electrodes formed on the first substrate; and a resist film which is formed under the pixel electrode and whose surface is ion-implanted, metal patterns indicating addresses are formed under the resist film.例文帳に追加

相互に対向して配置された第１及び第２の基板と、前記第１及び第２の基板間に封入された液晶と、前記第１の基板上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極の下に形成される表面がイオン注入されたレジスト膜とを有する反射型液晶表示装置において、前記レジスト膜の下にアドレスを示す金属のパターンを形成する。 - 特許庁

A thin film transistor manufacturing method comprises a first step in which an auxiliary conductor pattern is provided so as to connect conductor patterns which are electrically insulated from each other, a second step in which impurity ions are implanted using the conductor patterns and the auxiliary conductor pattern as an ion implantation mask, and a third step in which the auxiliary conductor pattern is removed.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタの製造方法において、電気的に孤立した複数の導体パターンを相互に連結する補助導体パターンを設ける段階と、前記導体パターン及び前記補助導体パターンをイオン注入マスクとして利用して不純物イオン注入を実施する段階と、前記補助導体パターンを除去する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing an SiC high breakdown voltage semiconductor in high yield and throughput by enabling vapor epitaxial growing of a semiconductor single crystal silicon carbide (SiC) film by using a polycrystal silicon carbide (SiC) substrate having ion-implanted impurity atoms as a source in addition to recovering micropipe defects of a single crystal silicon carbide (SiC) in a short time.例文帳に追加

単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）のマイクロパイプ欠陥を短時間で修復することに加えて、不純物原子をイオン注入した多結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板をソースとして半導体単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）膜を気相エピタキシャル成長することを可能とし、ＳｉＣ高耐圧半導体が高い歩留まりとスループットで生産可能となる方法を提供する。 - 特許庁

The SRAM has source/drain electrodes of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 to which impurities are implanted in the semiconductor substrate between the gate electrodes 106; and a silicide blocking film 110 formed on a top of the structure in the transmission transistor area, and a silicide film 112 formed on a top of the gate electrode and a surface of the source/drain electrodes of the drive transistor.例文帳に追加

前記ゲート電極１０６の間の半導体基板内に、不純物が注入された前記伝送トランジスター２０と前記駆動トランジスター１０のソース／ドレーン電極を有し、前記伝送トランジスター領域の構造物の上部にシリサイドブロッキング膜１１０と、前記駆動トランジスターのゲート電極の上部及びソース／ドレーン電極の表面にシリサイド膜１１２を形成する。 - 特許庁

The first quantum dot 12 and the second quantum dot 13 varying in sizes are formed on a substrate 11 composed of a conductive crystal and a resonance effect is induced between the quantum levels at which state density functions are equaled to each other, allowing the exciton existing within the first quantum dot 12 to be implanted into the quantum level of the second quantum dot 13.例文帳に追加

導電性の結晶により構成される基板１１上に、大きさの異なる第１の量子ドット１２及び第２の量子ドット１３を形成して状態密度関数が互いに等しくなる量子準位間で共鳴効果を起こさせ、第１の量子ドット１２内に存在する励起子を第２の量子ドット１３の量子準位へ注入させる。 - 特許庁

A MOS field-effect transistor is provided with a SOI substrate 30, where contact holes 13-1 and 13-2 are each bored in source/drain diffused layers 10 and 11 from above extending over an adjacent element isolation oxide film 7 so as to reach to a silicon substrate 1, and impurity ions are implanted into the exposed surface region of the silicon substrate 1 for the formation of P-N junctions.例文帳に追加

ＳＯＩ基板３０を用いたＭＯＳ型電界効果トランジスタにおいて、コンタクト孔１３−１，１３−２をソース・ドレイン拡散層１０，１１上から隣接する素子分離用の酸化膜７上に亘って、シリコン基板１に到達する深さに形成し、露出されたシリコン基板の表面領域に不純物をイオン注入してＰＮ接合を形成することを特徴としている。 - 特許庁

The optical lens 1 is formed so as to have refractive power, and four through holes 2a as conduits for improving the flow of the aqueous humor, and a plurality of circular recesses 2b for reducing the contact area of the lens with the crystalline lens in the eye are formed on the side facing the crystalline lens as if to surround the optical lens 1 in the intermediate portion 2 when it is intraocularly implanted.例文帳に追加

光学レンズ部１は屈折力を持つように形成し、中間部２には眼内にインプラントした場合に水晶体側となる面に、房水の流れを良くするための導水路である４つの貫通孔２ａと、眼内で水晶体との接触面積を削減するための複数個の円形状の窪み２ｂを光学レンズ部１を取り囲むように形成する。 - 特許庁

Because N is added to the layer 4, lattice constant is small and wavelength is long, in addition, band gap energy is small because of the large electronegativity of N, and band discontinuity in a conduction band increases, overflow in implanted carrier remarkably decreases, and temperature characteristics are improved, as compared with a light emitting device where a GaInAsP/InP based material that is a conventional material is used.例文帳に追加

活性層４は、Ｎが添加されたことにより、格子定数が小さく、波長が長波長となり、また、Ｎがその電気陰性度が大きいことにより、バンドギャップエネルギーが小さく、かつ、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、従来の材料系であるＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いた発光素子に比べて、注入キャリアのオーバーフローが激減し、温度特性が向上している。 - 特許庁

To provide a plate denture attachment usable for a long time for easily recovering the initial function with the exchange of detachable parts by fitting a component to be fixed as an upper structure of a natural tooth as a supporting tooth or the root of an artificial tooth implanted in a jaw bone to a component disposed and fixed to the bed side of a plate denture.例文帳に追加

維持歯となる天然歯又は顎骨に埋入された人工歯根の歯根の上部構造として固着される構成要素と有床義歯の義歯床側に配備されて固着される構成要素とを互いに嵌合させて用い、着脱自在な部品交換で容易に初期の機能を回復させることができる長期使用可能な有床義歯用アタッチメントを提供する。 - 特許庁

Except for regions of a capacitor first electrode 107, a ferroelectric film 108 and a capacitor second electrode 109, an aluminum film 110 is implanted with oxygen ions 111 through a resist 112 to form an aluminum oxide film 113, and it is then dipped in a phosphoric acid mixed liquid to remove the non-oxidated aluminum film, thus forming a hydrogen barrier film around the ferroelectric capacitor only.例文帳に追加

キャパシタ第１電極１０７、強誘電体膜108、及びキャパシタ第２電極１０９の領域以外のアルミニウム膜１１０をレジスト１１２を介してに酸素イオン１１１を注入して酸化アルミニウム膜を１１３を形成し、続いてリン酸混合液中に入れ酸化されないアルミニウム膜を除くことにより、強誘電体キャパシタ周囲のみに水素バリア膜を形成する。 - 特許庁

A user can adjust a pushing force operating and moving the artificial lens using changes in depression angles and elevation angles from a horizontal view to a head lowered view, and leadingly control the accommodation diopter of the eyeball implanted with the artificial lens, or controls the position of the artificial lens using an extrinsic magnetic field so as to control the light refraction diopter of the eyeball.例文帳に追加

使用者は平視から低頭の間の俯角仰角の変化を利用して人工水晶体に作用し移動させる押動力を調整して主動的に人工水晶体を植え込んだ眼球の遠近調節度数を制御でき、或いは外在の磁場を利用して人工水晶体の位置を制御することで眼球の光の屈折度数を制御することができる。 - 特許庁

The distance between a skin surface 42 on which hair is implanted and the convex lens 24 is set at a prescribed distance by contacts 25 and 26 connected to a touch sensor circuit 28, and the laser beams are emitted from the convex lens 24 to the skin surface 42 at the set interval.例文帳に追加

さらに、タッチセンサ回路２８に接続された接触子２５、２６は、育毛対象の皮膚面４２と凸レンズ２４との間隔を所定の離間距離に設定し、この離間距離おいて凸レンズ２４から皮膚面４２にレーザ光を放出させるようにすることで、ビーム径が所定のサイズに拡大された照射スポット４３を育毛対象の皮膚面４２上に形成することができる。 - 特許庁

The fine particles of pH-responsive water-swelling polymer, having such a particle diameter to instantaneously cause water swelling in a physiological environment having less moisture (e.g. subcutaneous or submucosa), facilitate injection (injected by a finer injection needle), have less risk of transition to another organ due to foreign body reaction after injection, and are suitable for in-vivo implanted material which is subcutaneous or submucosa.例文帳に追加

水分が少ない生理的環境下（例えば皮下、粘膜下）で即座に含水膨張する粒子径のｐＨ応答吸水膨潤性高分子微粒子は、注入が容易であり（より細い注射針で注入が可能である）、注入後の異物反応による他臓器への移行リスクが小さく、皮下または粘膜下への生体内埋め込み材料として適している。 - 特許庁

This minus ion air cleaner has a minus ion generating brush 2 implanted and provided with a multiplicity of a fabric 2c adhered with fine powder formed by densely fixing the fine powder of a material generating the minus ions (OH") by coming into contact with atomized moisture to the surface of fiber material and fiber bristles 2b, an atomized moisture forming means 3 and a motor 4 for rotating the minus ion generating brush 2.例文帳に追加

霧化水分と接触してマイナスイオン（ＯＨ^-）を発生する物質の微粉末を繊維素材の表面に密に固着した微粉末付着布２ｃと繊維毛２ｂを多数植設した円筒体２ａからなるマイナスイオン発生ブラシ２、霧化水分生成手段３およびマイナスイオン発生ブラシ２を回転させるモーター４を有するマイナスイオン空気清浄装置。 - 特許庁

The planetary gear has a pair of pins implanted in each side face and the supporting member has a restricting groove for restricting the rotation of the planetary gear with the engagement of the pair of pins.例文帳に追加

主軸と一体に回転可能な太陽歯車と、前記太陽歯車に噛合する少なくとも１の遊星歯車と、前記遊星歯車を支持し、一体回転する案内部材と、前記太陽歯車、遊星歯車及び案内部材を支持する支持部材とを備え、前記遊星歯車はその両側面にそれぞれ一対のピンが植設されており、前記支持部材は前記一対のピンが係合し、前記遊星歯車の自転を規制する規制溝が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that has a MOS transistor 10 and an LDMOS 20, wherein impurities are prevented from being implanted in a semiconductor substrate 4 penetrating a second gate electrode 28 that the LDMOS 20 has and characteristics of the semiconductor device are prevented from varying without affecting the characteristics of the semiconductor device.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０とＬＤＭＯＳ２０とを有する半導体装置の製造方法において、半導体装置の特性に影響を与えることなく不純物がＬＤＭＯＳ２０に備えられる第２ゲート電極２８を貫通して半導体基板４に注入されることを防止することができ、半導体装置の特性が変動することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pad insulating film 3 of approximately 2 to 5 nm in thickness is formed on the upper surface of the FIN type semiconductor portion 10, and cluster ions are implanted in one side surface of the FIN type semiconductor portion 10 obliquely at a first implantation angle θ1 and then in the other side surface of the FIN type semiconductor portion 10 thereafter obliquely at a second implantation angle θ2 symmetrically with the first implantation angle θ1.例文帳に追加

ＦＩＮ状の半導体部１０の上面に２〜５ｎｍ程度の厚さのパッド絶縁膜３を形成し、ＦＩＮ状の半導体部１０の一方の側面に、第１注入角度θ１を有する斜め方向からクラスタイオンを注入した後、ＦＩＮ状の半導体部１０の他方の側面に、第１注入角度θ１と対称の第２注入角度θ２を有する斜め方向からクラスタイオンを注入する。 - 特許庁

The semiconductor device having a trench isolation structure is constituted by forming at least one well region and an MOS type transistor at the high power supply voltage circuit part, and a carrier capturing region composed of a silicon region whose crystallinity is broken by argon ion implantation of high energy or the like and a region into which heavy metal such as gold is implanted is formed and disposed at an end of a well region so as to prevent a latch-up.例文帳に追加

トレンチ分離構造を有する半導体装置において、高電源電圧回路部には少なくとも一つのウエル領域とＭＯＳ型トランジスタが形成されて成り、ウエル領域の端部にラッチアップを防止するために高エネルギーのアルゴンイオン注入などにより結晶性を破壊されたシリコン領域や、金などの重金属を注入した領域からなるキャリア捕獲領域を形成し、配置する。 - 特許庁

The process for fabricating a piezoelectric actuator comprises a step for forming an insulating film 25 on a substrate 10, a step for forming a piezoelectric film 13 on the insulating film 25, a step for forming a lower electrode 31 by implanting ions selectively at least into a region of the piezoelectric film 13 becoming the lower electrode, and a step for forming an upper electrode 16 on the piezoelectric film 13 implanted with ions.例文帳に追加

基板１０上に絶縁膜２５を形成する工程と、絶縁膜２５上に圧電体膜１３を形成する工程と、圧電体膜１３の少なくとも下電極となる領域に、イオンを選択的に打ち込んで下電極３１を形成する工程と、イオンが打ち込まれた圧電体膜１３上に、上電極１６を形成する工程を含んでなる圧電アクチュエータの製造方法である。 - 特許庁