「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

While a region in which a first-conductivity-type impurity ion is present is masked, a second-conductivity-type impurity ion is implanted onto the entire surface of the metal film 7 on the silicon substrate 1 after the first process with prescribed energy.例文帳に追加

次に、第１導電型の不純物イオンを存在させる領域をマスクした状態で、第１工程後のシリコン基板１上の金属膜７の全面に、第２導電型の不純物イオンを所定のエネルギーで注入する。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved.例文帳に追加

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

After a reaction preventing film 7, consisting of a metal nitride film such as a TiN film, is formed on the film 6, P-type impurities, such as B and N-type impurities such as P are selectively ion-implanted in the film 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜６上にＴｉＮ膜などの金属窒化膜からなる反応防止膜７を製膜した後、多結晶Ｓｉ膜６に選択的にＢなどのｐ型不純物やＰなどのｎ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

An outer edge part of a gate electrode is spaced at least about 0.5 μm apart from a source-drain region or the like wherein phosphorus as a gettering element is implanted for preventing segregation of nickel in an area near an outer edge part of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の外縁部を、ゲッタリング元素としての燐が注入されたソース・ドレイン領域等から少なくとも約０．５μｍ離隔するようにして、ゲート電極の外縁部近傍に於けるニッケルの偏析を防止する。 - 特許庁

After impurities are implanted toward a front layer of the semiconductor substrate 1 having the gate structure 13 on which the first heat treatment takes place, a non-monocrystal silicon film 18 without impurities added is provided to cover the gate structure 13.例文帳に追加

この第１の加熱処理が施されたゲート構造１３を有する半導体基板１の表層部に向けて不純物を注入した後、ゲート構造１３を覆って不純物無添加の非単結晶シリコン膜１８を設ける。 - 特許庁

Further, the sludge is decomposed in a short term by installing plates implanted with alga produced by adding 5% to 70% of crushed shells to concrete to which the geopolymer is mixed as a gathering place for fish, in a so-called sludge area on the sea bottom.例文帳に追加

また、ジオポリマーを混入したコンクリートに粉砕貝殻を５％から７０％加えて着藻草板として製作したものを、漁礁として海底の所謂ヘドロ地域へ設置することにより汚泥を短期間に分解する。 - 特許庁

To provide a scleral prosthesis which is implanted alone or multiply in a patient's eye to partially or completely restore the accommodative power to a presbyopic eye, and to provide a system including the scleral prosthesis.例文帳に追加

単一の又は複数の強膜プロテーゼを患者の眼内へインプラントすることで、部分的に又は全体的に、老眼に調節力を回復させることができる強膜プロテーゼ、および強膜プロテーゼを含むシステムを提供する。 - 特許庁

The sheet-like member 3 is, for example, a textile sheet having a base texture part 31 and a plurality of bristle parts 33 erected from the base texture part 31, where the plurality of bristle parts 33 are implanted in the panel surface 1a in an exposed state.例文帳に追加

シート状部材３は、例えば、地組織部３１と、該地組織部３１から立ち上がった複数の立毛部３３とを有する繊維シートであり、複数の立毛部３３を露出させた状態でパネル面１ａに埋設されている。 - 特許庁

To provide a turbine moving blade for inserting a damper pin into a side face of a platform and further reducing stress concentration of a pin hole groove of the damper pin for high damping and vibration stress reduction at a blade implanted part.例文帳に追加

本発明は、高減衰と翼植え込み部の振動応力の低減のために、プラットフォーム側面にダンパーピンを挿入し、さらにダンパーピンのピン穴溝の応力集中を低減させるタービン動翼を提供するものである。 - 特許庁

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution.例文帳に追加

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

Ion 116 are implanted dense with the gate 106 and sidewalls 112 and 114 as the mask, and a dense doped region 118 as a source/drain is formed in the substrate 100 at both sides of the second sidewall 114.例文帳に追加

次にゲート１０６と第１及び第２のサイドウォール１１２，１１４をマスクとして濃イオン注入１１６を施し、第２のサイドウォール１１４両側の基板１００内にソース／ドレインとする濃ドーピング領域１１８を形成する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

To achieve safe use of an implantation type human body function controller as being implanted in vivo by facilitating the learning of information pertaining to the control state of the apparatus.例文帳に追加

植込型人体機能制御装置の制御状態に関する情報を容易に知ることができるようにすることで植込型人体機能制御装置を体内に植え込こんだ状態で使用する者が安心してその装置を使用すること。 - 特許庁

A measuring method for pressure of vapor leaked from electrolytic solution contained in a casing is presented, which is the detection method for tightness of the casing of power source supplying electric power to the implanted medical device.例文帳に追加

埋め込み型医療装置に電力を供給するための電源に対するケーシングの密閉性を検出する方法であって、ケーシング内に収容された電解液から漏れ出る蒸気の圧力を測定する方法が開示される。 - 特許庁

Moreover, island-shaped semiconductor layers 104 and 105a are formed as active layers, and p-type and n-type impurities in proper concentration are implanted by masks 107 and 108 so as to form a channel which can control the threshold voltage.例文帳に追加

また島状半導体層１０４、１０５ａを形成して活性層とし、マスク１０７、及び１０８によって、ｐ型及びｎ型の適切な濃度の不純物を注入して、しきい値電圧を制御できるチャネルを形成する。 - 特許庁

In succession, while a photoresist 8 and the film 107 are used as a mask, p-type dopant ions are ion-implanted, activation annealing operation is then executed, and a p-type diffused region 12 is formed in the lower part of the trench 9.例文帳に追加

引き続き、フォトレジスト８，第１の層間絶縁膜１０７をマスクにして、ｐ型ドーパントイオンをイオン注入した後、活性化アニールを施すことで、トレンチ９の下方にｐ型不純物拡散領域１２を形成する。 - 特許庁

A polysilicon 103 is grown on a semiconductor substrate and ion-implanted to be patterned, so as to form a gate electrode by etching away the gate polysilicon 103 using the films 104, 105 after successively depositing an oxide film 104 and a nitride film 105.例文帳に追加

半導体基板上にゲートポリシリコン１０３を成長させてイオン注入を行い、酸化膜１０４、窒化膜１０５を順次堆積した後、パターニングし、これらをマスクにしてゲートポリシリコンをエッチングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

A porous silicon implant 60 impregnated with an efffective substance, such as a micromineral required for healthy physiology, is implanted subcutaneously and is entirely corroded away over the following months/year to release the micromineral in a controlled manner.例文帳に追加

有効物質、例えば健康生理機能のために必要な微量ミネラルを含浸させた多孔質シリコンインプラント６０を皮下に移植し、微量ミネラルを制御的に放出するためにその後数ヶ月／年にわたり完全に腐蝕させる。 - 特許庁

As a result, since the impurity from one direction ((3) or (4)) of the impurity to be implanted from four directions, variations of an impurity concentration of the pocket ion region PKn2 can be suppressed.例文帳に追加

その結果、４方向から注入される不純物のうち一方向（（３）もしくは（４））からの不純物が注入されないため、ポケットイオン領域ＰＫｎ２の不純物濃度のばらつきを抑え、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

In the first implantation step, n-type or p-type conductivity-type ions are implanted in regions or gate electrodes 9 and 10 of a semiconductor substrate 1, wherein a gate insulating film 5 and a film 6 for the gate electrodes 9 and 10 are formed.例文帳に追加

第１注入工程ではゲート絶縁膜５と、ゲート電極９、１０となる膜６と、が形成された半導体基板１のゲート電極９、１０となる部分に、ｎ型又はｐ型の導電型のイオンを注入する。 - 特許庁

Ions are implanted into the semiconductor substrate SB, at an incidence angle oblique with respect to a normal of the main face so as to permeate through the thermally-oxidized film TS and to reach a region directly underneath the polysilicon electrode PS in the semiconductor substrate SB.例文帳に追加

熱酸化膜ＴＳを透過し、かつ半導体基板ＳＢにおけるポリシリコン電極ＰＳの真下の領域に達するように、主面の法線に対して斜めの入射角で、半導体基板ＳＢにイオンが注入される。 - 特許庁

Next, an n-type impurity is ion-implanted through the opening with the second insulator 720 possessed, and an n+ source layer 630 is formed in the main face 61S of the p-base layer 621 by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第２絶縁体７２０を有した状態で上記開口を介してｎ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、ｐベース層６２１の主面６１Ｓ内にｎ^+ソース層６３０を形成する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁

The gate electrode 13 and the sidewall 14 are used as a mask, arsenic ions (As^+) are implanted into the silicon substrate 11 at comparatively low implantation energy, and a first shallow source region 35a and a first shallow drain region 35b are formed.例文帳に追加

次に、ゲート電極１３及びサイドウォール１４をマスクとして、シリコン基板１１内に、砒素イオン（Ａｓ^+ ）を比較的低い注入エネルギーで注入して、浅い第１のソース領域３５ａ及びドレイン領域３５ｂを形成する。 - 特許庁

Electrons are supplied to the active layer of the semiconductor light emitting element by the entered electron beam, holes are implanted from an anode electrode, and the electrons and the holes are recombined with each other, and light having a predetermined wavelength is emitted.例文帳に追加

半導体発光素子の活性層には、入射した電子線により電子が供給され、アノード電極からホールが注入され、これら電子とホールは活性層において再結合して所定の波長光が放出される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a self-alignment structure of high precision is formed, and an impurity element forming a diffusion layer is ion-implanted in a semiconductor layer, to improve characteristics.例文帳に追加

高精度のセルフアライメント構造を形成して半導体層に拡散層を形成する不純物元素のイオン注入を行うことにより、特性の向上を図る半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a gate electrode 4 is formed of silicon on a silicon substrate 1 through a gate insulating film 3, the silicon substrate 1 is implanted with impurities to form a diffusion layer 7 becoming a source or a drain in regions sandwiching the gate electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を介してシリコンからなるゲート電極４を形成した後、シリコン基板１に不純物を注入して、ゲート電極４を挟む領域にソースまたはドレインとなる拡散層７を形成する。 - 特許庁

A large quantity of hydrogen ions is implanted into the gate electrode 15 becoming a mask and the gate insulation film 14 by acceleration implanting plasma decomposed ions of phosphorus diluted with hydrogen by a ion doping method without performing mass separation.例文帳に追加

このときイオンドーピング法を用い、燐の水素希釈ガスをプラズマ分解したイオンを質量分離を行わずに加速注入することで、マスクとなるゲート電極１５とゲート絶縁膜１４中に多量の水素イオンが注入される。 - 特許庁

It is pointed out by Scholars in Japan that such education in Korea has implanted in Korean minds the images of 'Korea, a culturally advanced nation' and 'Japan, a culturally inferior nation' and has formed the foundation of the theory that all of the culture in Japan originated in Korea. 例文帳に追加

日本の学者等によって、韓国のこのような教育が「文化先進国の朝鮮」と「文化劣等国の日本」という意識を韓国民に植え付け韓国起源説の根拠となっているとも指摘されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the positioning of the natural stones 12 along an inner surface for a form 17 for the retaining wall 10, a plurality of anchor members 13, which are implanted and erected in a prefabricated bar 14, are inserted for fixation into a groove part 12a which is filled with an adhesive 15.例文帳に追加

擁壁用型枠１７の内面に沿って自然石１２…を位置決めする際には、組立鉄筋１４に植立されたアンカー部材１３…を、接着剤１５が充填された溝部１２ａ…の中に挿入して固定する。 - 特許庁

N-type epitaxial layer 102 having appropriate resistance is deposited on an N-type substrate 101 which is doped to high concentration, and a p-type dose is implanted with a gate 205 masked to form p-type body 210 and P well region 103.例文帳に追加

高濃度ドープにされたＮ型基板１０１上に適切な抵抗率のＮ型エピタキシヤル層１０２を堆積しゲート２０５部をマスクしてＰ型ドーズを注入し、Ｐ型ボデー２１０及びＰ井戸領域１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a support body for regenerative medical treatment to make an anchorage for regenerating a tissue or organ when implanted in a patient in the regenerative medical treatment, a support body for revascularization, a support body for neurotization, and a method of medical treatment using these.例文帳に追加

再生医療において患者に移植したときに組織又は器官の再生の足場になる再生医療用支持体、血管再生用支持体、神経再生用支持体、及び、これらを用いた治療方法を提供する。 - 特許庁

Deposition of the film 117, a CMP(chemical and mechanical polishing) and the like are performed to form a surface flattened film 122 of the flat surface and hydrogen of a required dose for the adjustment of the threshold voltages, is ion-implanted in the film 122 from over the film 122.例文帳に追加

絶縁膜の堆積とＣＭＰ（化学的機械研磨）等を行って表面が平坦な表面平坦化膜１２２を形成し、その上からしきい値電圧調整に必要なドーズ量の水素をイオン注入する。 - 特許庁

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

To provide a rational sewage treatment technique which is capable of improving treatment efficiently by smoothing the movement of carriers implanted with microorganisms of waste water treatment equipment formed by movably packing the carriers into a treating vessel.例文帳に追加

微生物を着床させた担体が処理槽内を移動可能に充填された汚水の処理装置において、担体の移動を円滑化することで処理効率を向上させることができる合理的な汚水処理技術を提供する。 - 特許庁

As a consequence, an n-type impurity is not implanted into the part of the p-type silicon layer 3 positioned between the bottom face of an element-isolation insulation film 5 and the upper face of a box layer 2, and therefore it is possible to avoid the reduction of the isolation withstand voltage.例文帳に追加

従って、素子分離絶縁膜５の底面とＢＯＸ層２の上面との間に位置している部分のｐ型のシリコン層３内に、ｎ型の不純物が注入されないため、分離耐圧が低下することを回避できる。 - 特許庁

Standardization can be achieved by adjusting the intervals between the game machine obstacle nails implanted on the game platform to be measured to be the same as the standard game platform based on the differences from the standard game platform identified by such a matching-up.例文帳に追加

前記被測定遊技基盤に植設された遊技機障害釘間隔は、前記比較によって、前記基準となる遊技基盤とどの程度異なるかが判るため、同じように調整されることにより、標準化が行える。 - 特許庁

To have sufficient general usefulness by coping with another request in a nail angle measuring instrument for a game machine for measuring the angle of the nails, which are implanted to the surface of the game board of the game machine such as a pachinko game machine, with respect to the board surface.例文帳に追加

パチンコ機等の遊技機の遊技盤面に対し植設された釘の盤面に対する角度を測定するための遊技機用釘角度測定装置において、他の要請についても対処でき、十分な汎用性を有せしめる。 - 特許庁

The barrier (12) is porous to allow moieties of the macromolecular bio-compatible material (14), when implanted, to be exposed through the barrier (12), whereby the surface of the barrier (12) is experienced by the body as an essentially non-foreign object by a body.例文帳に追加

埋め込まれた場合に生体適合性高分子材料（１４）の一部がバリアを通して曝露されるようにバリア（１２）は多孔性であり、これによって、身体はバリアの表面を本質的に異物ではないと認識する。 - 特許庁

A worm wheel 23 is equipped with a boss part 23a inserted in a spindle implanted in a gear housing, a tooth part 23c having a plurality of tooth faces 23b formed on the outer peripheral face, and a connecting part 23d formed straddling the tooth part 23c and the boss part 23a.例文帳に追加

ウォームホイール２３は、ギヤハウジングに植設した支軸に挿通するボス部２３ａと、外周面に複数の歯面２３ｂが形成された歯部２３ｃと、歯部２３ｃとボス部２３ａに跨って形成された連結部２３ｄとを備えている。 - 特許庁

Tips are implanted outward from the inside on the tip of the bit 50 so that the tip draws plural concentric circles around the axis O, the outermost peripheral tip is composed of a cutter tip 51, and other than that is composed of the cylindrical tip 52.例文帳に追加

ビット５０先端には内側から外側にむかって軸心Ｏに対し先端が複数の同心円を描いてチップが植設され、最外周のチップはカッタチップ５１でそれ以外は円筒形状チップ５２で構成されている。 - 特許庁

A brush having pile yarns containing polishing powder implanted thereon is arranged in rubbing contact with the image carrier of the electrophotographic image forming apparatus as a cleaning brush or a charging brush 4, etc., to polish the surface of the image carrier.例文帳に追加

研磨紛を混入したパイル糸を植毛したブラシを、クリーニングブラシ又は帯電ブラシ４などとして、電子写真方式の画像形成装置の像担持体と接触摺擦するよう配置することにより、像担持体表面を研磨する。 - 特許庁

Each of the offensive smell removing devices D is constituted of a container 10 comprising an almost hollow cylindrical body and the microorganism implanted activated carbon fiber body 11 interposed between the inner and outer walls 10a and 10b of the container 10.例文帳に追加

そして、該臭気除去装置Ｄは、略中空状筒体でなる容器１０と、該容器１０の内壁１０ａと外壁１０ｂ間に介装した微生物（バイオ）を植付けた活性炭素繊維体１１とで構成している。 - 特許庁