「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

A large number of fitting holes 24 are formed in the upper support plate 19, and a large number of holding projections 22 are implanted at intervals in the upper surface of the lower support plate 20 so as to be vertically aligned with the corresponding fitting holes 24.例文帳に追加

上側支持板１９には嵌合孔２４が間隔をおいて多数形勢され、下側支持板２０上には対応の嵌合孔２４と上下に芯合するように多数の保持突起２２が間隔をおいて植設される。 - 特許庁

Standardization can be achieved by adjusting the intervals between the game machine obstacle nails implanted on the game platform to be measured to be the same as the standard game platform based on the differences from the standard game platform identified by such a matching-up.例文帳に追加

前記被測定遊技基盤に植設された遊技機障害釘間隔は、前記比較によって、前記基準となる遊技基盤とどの程度異なるかが判るため、同じように調整されることにより、標準化が行える。 - 特許庁

In the ion implantation method for implanting impurities into a workpiece 410, impurities are implanted into the workpiece 410 through a buffer plate 30 spaced apart therefrom.例文帳に追加

本発明のイオン注入方法は、被処理体４１０に不純物を打ち込むためのイオン注入方法であって、 前記被処理体４１０から離間された緩衝板３０を介して該被処理体４１０に前記不純物を打ち込む。 - 特許庁

A photoresist is coated and left through a gate insulation film on one face of the wafer divided by the gate electrode, and a first impurity layer 6 is formed while being masked by a resist 5a and implanted by a N-type impurity As+.例文帳に追加

フォトレジストを塗布しゲート絶縁膜を介しゲート電極を境にして基板面の一方だけにレジストを残して、このレジスト５ａをマスクにしＮ型不純物Ａｓ^＋を注入して第１不純物層６を形成する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and a heat treatment apparatus that can activate an implanted impurity while suppressing diffusion of the impurity, and can recover a crystal defect introduced during the impurity implantation.例文帳に追加

注入された不純物の拡散を抑制しつつ活性化を行うことができ、しかも不純物注入時に導入された結晶欠陥の回復をも行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The conditions of implantation are determined by simulation so that each implanted impurity becomes 1×10^17 cm^-3 in a thickness range of 0.5 micrometer from the surface.例文帳に追加

その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０^17ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。 - 特許庁

A variable aperture within an aperture adjustment device is used to shape the ion beam before the substrate is implanted by a shaped ion beam, especially to finally shape the ion beam in a position near the substrate.例文帳に追加

イオンビームの形状を変化させ、特に、基板付近で、イオンビームの最終形状を変化させ、その後、成形後のイオンビームにより、基板に対しイオン注入を実行する可変開口を有する開口調整装置を提供する。 - 特許庁

The sutures that are utilized to affix the graft material to the underlying stent structure can be modified to have a profile that allows it to lock and secure it to another stent-graft or a vessel into which it is implanted.例文帳に追加

グラフト材料を下側のステント構造体に付けるために用いられる縫合糸を、別のステントグラフト又はそれが埋植される血管にロックして固定することを可能にする輪郭を持つように変更することができる。 - 特許庁

The semiconductor substrate piece into which an impurity is previously implanted is mounted on the semiconductor substrate, so that the impurity containing part can be formed without direct implantation of impurity into the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のように、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって、半導体基板に直接不純物を注入せずに不純物含有部を形成することが可能となる。 - 特許庁

An integrated apparatus is provided for non-contact measurement of the axial length (AL), anterior chamber depth (VKT) and cornea curvature (HHK) of the eye to calculate and select an intraocular lens (IOL) to be implanted in particular.例文帳に追加

本発明は、特に、移植する眼内レンズ（ＩＯＬ）の計算及び選択を行うために、眼の軸方向長さ（ＡＬ）、前房の深さ（ＶＫＴ）、及び角膜の曲率（ＨＨＫ）を非接触的に測定するための一体化装置に関する。 - 特許庁

Moreover, the beam tune process for acquiring a specific ion beam to be implanted may be accelerated, because the adjustment of the variable aperture may be achieved simply by mechanical operation compared with prior arts.例文帳に追加

この他、公知技術と比較すると、可変開口の調整は、機械操作により容易に達成されるので、イオンビーム調整プロセスが加速されて、イオン注入を実行する特定のイオンビームのイオンビーム調整プロセスが達成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flat cell-type memory semiconductor device which is capable of preventing a cell current from deteriorating and enhancing implanted element isolation ions in dose so as to reduce a leakage current between diffusion layers enough.例文帳に追加

セル電流の低下を防止することができると共に、拡散層間のリークを低減する素子分離イオン注入のドーズ量を十分高く確保することができるフラットセル型メモリ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

While a region in which a first-conductivity-type impurity ion is present is masked, a second-conductivity-type impurity ion is implanted onto the entire surface of the metal film 7 on the silicon substrate 1 after the first process with prescribed energy.例文帳に追加

次に、第１導電型の不純物イオンを存在させる領域をマスクした状態で、第１工程後のシリコン基板１上の金属膜７の全面に、第２導電型の不純物イオンを所定のエネルギーで注入する。 - 特許庁

To provide an ion implanting apparatus wherein the measuring accuracy of the dose implanted in a sample can be improved and the intra- or inter- wafer implantation uniformity (reproducibility) can be improved.例文帳に追加

本発明は、試料に注入されるドーズ量の測定精度を向上させると共に、ウェーハ内注入均一性やウェーハ間注入均一性（再現性）を向上させることが可能なイオン注入装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

After a reaction preventing film 7, consisting of a metal nitride film such as a TiN film, is formed on the film 6, P-type impurities, such as B and N-type impurities such as P are selectively ion-implanted in the film 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜６上にＴｉＮ膜などの金属窒化膜からなる反応防止膜７を製膜した後、多結晶Ｓｉ膜６に選択的にＢなどのｐ型不純物やＰなどのｎ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

An outer edge part of a gate electrode is spaced at least about 0.5 μm apart from a source-drain region or the like wherein phosphorus as a gettering element is implanted for preventing segregation of nickel in an area near an outer edge part of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の外縁部を、ゲッタリング元素としての燐が注入されたソース・ドレイン領域等から少なくとも約０．５μｍ離隔するようにして、ゲート電極の外縁部近傍に於けるニッケルの偏析を防止する。 - 特許庁

After impurities are implanted toward a front layer of the semiconductor substrate 1 having the gate structure 13 on which the first heat treatment takes place, a non-monocrystal silicon film 18 without impurities added is provided to cover the gate structure 13.例文帳に追加

この第１の加熱処理が施されたゲート構造１３を有する半導体基板１の表層部に向けて不純物を注入した後、ゲート構造１３を覆って不純物無添加の非単結晶シリコン膜１８を設ける。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

A polysilicon 103 is grown on a semiconductor substrate and ion-implanted to be patterned, so as to form a gate electrode by etching away the gate polysilicon 103 using the films 104, 105 after successively depositing an oxide film 104 and a nitride film 105.例文帳に追加

半導体基板上にゲートポリシリコン１０３を成長させてイオン注入を行い、酸化膜１０４、窒化膜１０５を順次堆積した後、パターニングし、これらをマスクにしてゲートポリシリコンをエッチングしてゲート電極を形成する。 - 特許庁

A porous silicon implant 60 impregnated with an efffective substance, such as a micromineral required for healthy physiology, is implanted subcutaneously and is entirely corroded away over the following months/year to release the micromineral in a controlled manner.例文帳に追加

有効物質、例えば健康生理機能のために必要な微量ミネラルを含浸させた多孔質シリコンインプラント６０を皮下に移植し、微量ミネラルを制御的に放出するためにその後数ヶ月／年にわたり完全に腐蝕させる。 - 特許庁

As a result, since the impurity from one direction ((3) or (4)) of the impurity to be implanted from four directions, variations of an impurity concentration of the pocket ion region PKn2 can be suppressed.例文帳に追加

その結果、４方向から注入される不純物のうち一方向（（３）もしくは（４））からの不純物が注入されないため、ポケットイオン領域ＰＫｎ２の不純物濃度のばらつきを抑え、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

In the first implantation step, n-type or p-type conductivity-type ions are implanted in regions or gate electrodes 9 and 10 of a semiconductor substrate 1, wherein a gate insulating film 5 and a film 6 for the gate electrodes 9 and 10 are formed.例文帳に追加

第１注入工程ではゲート絶縁膜５と、ゲート電極９、１０となる膜６と、が形成された半導体基板１のゲート電極９、１０となる部分に、ｎ型又はｐ型の導電型のイオンを注入する。 - 特許庁

Ions are implanted into the semiconductor substrate SB, at an incidence angle oblique with respect to a normal of the main face so as to permeate through the thermally-oxidized film TS and to reach a region directly underneath the polysilicon electrode PS in the semiconductor substrate SB.例文帳に追加

熱酸化膜ＴＳを透過し、かつ半導体基板ＳＢにおけるポリシリコン電極ＰＳの真下の領域に達するように、主面の法線に対して斜めの入射角で、半導体基板ＳＢにイオンが注入される。 - 特許庁

Next, an n-type impurity is ion-implanted through the opening with the second insulator 720 possessed, and an n+ source layer 630 is formed in the main face 61S of the p-base layer 621 by performing heat treatment thereafter.例文帳に追加

次に、第２絶縁体７２０を有した状態で上記開口を介してｎ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、ｐベース層６２１の主面６１Ｓ内にｎ^+ソース層６３０を形成する。 - 特許庁

To silicify a metal film uniformly within a plane even if arsenic (As) is ion-implanted into a source/drain region with high concentration in a semiconductor device manufacturing method having a process for forming a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、ソース／ドレイン領域に砒素（Ａｓ）が高濃度でイオン注入される場合であっても、金属膜のシリサイド化が面内で均一になされるようにする。 - 特許庁

The gate electrode 13 and the sidewall 14 are used as a mask, arsenic ions (As^+) are implanted into the silicon substrate 11 at comparatively low implantation energy, and a first shallow source region 35a and a first shallow drain region 35b are formed.例文帳に追加

次に、ゲート電極１３及びサイドウォール１４をマスクとして、シリコン基板１１内に、砒素イオン（Ａｓ^+ ）を比較的低い注入エネルギーで注入して、浅い第１のソース領域３５ａ及びドレイン領域３５ｂを形成する。 - 特許庁

Electrons are supplied to the active layer of the semiconductor light emitting element by the entered electron beam, holes are implanted from an anode electrode, and the electrons and the holes are recombined with each other, and light having a predetermined wavelength is emitted.例文帳に追加

半導体発光素子の活性層には、入射した電子線により電子が供給され、アノード電極からホールが注入され、これら電子とホールは活性層において再結合して所定の波長光が放出される。 - 特許庁

After a gate electrode 4 is formed of silicon on a silicon substrate 1 through a gate insulating film 3, the silicon substrate 1 is implanted with impurities to form a diffusion layer 7 becoming a source or a drain in regions sandwiching the gate electrode 4.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート絶縁膜３を介してシリコンからなるゲート電極４を形成した後、シリコン基板１に不純物を注入して、ゲート電極４を挟む領域にソースまたはドレインとなる拡散層７を形成する。 - 特許庁

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution.例文帳に追加

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

Ion 116 are implanted dense with the gate 106 and sidewalls 112 and 114 as the mask, and a dense doped region 118 as a source/drain is formed in the substrate 100 at both sides of the second sidewall 114.例文帳に追加

次にゲート１０６と第１及び第２のサイドウォール１１２，１１４をマスクとして濃イオン注入１１６を施し、第２のサイドウォール１１４両側の基板１００内にソース／ドレインとする濃ドーピング領域１１８を形成する。 - 特許庁

The template assembly is used for performing the radiation treatment in the animal body by implanting one or more hollow needles at the target position in the animal body, and has a needle fixing component for fixing one or more needles implanted in the animal body, and the needle fixing component can be sutured on the skin of the animal body.例文帳に追加

前記テンプレート組立体は、前記動物体に対して前記埋め込まれた針の１本以上を固定するための針固定部品を有し、前記針固定部品は前記動物体の皮膚に縫合可能である。 - 特許庁

A worm wheel 23 is equipped with a boss part 23a inserted in a spindle implanted in a gear housing, a tooth part 23c having a plurality of tooth faces 23b formed on the outer peripheral face, and a connecting part 23d formed straddling the tooth part 23c and the boss part 23a.例文帳に追加

ウォームホイール２３は、ギヤハウジングに植設した支軸に挿通するボス部２３ａと、外周面に複数の歯面２３ｂが形成された歯部２３ｃと、歯部２３ｃとボス部２３ａに跨って形成された連結部２３ｄとを備えている。 - 特許庁

The accessory 1 has a recording medium 2 which records data of an implanted medical apparatus in a body and a case body 3 which stores the recording medium 2 and which has a string 11b or a connecting part 3a which connects a connecting device 12a.例文帳に追加

その装飾品１は、体内入込式の医療具のデータを記憶した記録媒体２と、記録媒体２が収納されて紐１１ｂあるいは連結具１２ａが連結される連結部３ａ，を有するケース体３と、を備えている。 - 特許庁

After needling is carried out in a state that a nonwoven fabric 3 is laid over the rear face of the mat main body 2 wherein piles 8 are implanted on the base cloth 7, a polymer adhesive 4 is made to be impregnated from the non-lamination face side of the nonwoven fabric 3.例文帳に追加

基布７の上にパイル８が植設されたマット本体２の裏面に不織布３を重ね合わせた状態でニードリングを行った後、該不織布３の非積層面側から高分子接着剤４を含浸せしめる。 - 特許庁

To have sufficient general usefulness by coping with another request in a nail angle measuring instrument for a game machine for measuring the angle of the nails, which are implanted to the surface of the game board of the game machine such as a pachinko game machine, with respect to the board surface.例文帳に追加

パチンコ機等の遊技機の遊技盤面に対し植設された釘の盤面に対する角度を測定するための遊技機用釘角度測定装置において、他の要請についても対処でき、十分な汎用性を有せしめる。 - 特許庁

The barrier (12) is porous to allow moieties of the macromolecular bio-compatible material (14), when implanted, to be exposed through the barrier (12), whereby the surface of the barrier (12) is experienced by the body as an essentially non-foreign object by a body.例文帳に追加

埋め込まれた場合に生体適合性高分子材料（１４）の一部がバリアを通して曝露されるようにバリア（１２）は多孔性であり、これによって、身体はバリアの表面を本質的に異物ではないと認識する。 - 特許庁

Tips are implanted outward from the inside on the tip of the bit 50 so that the tip draws plural concentric circles around the axis O, the outermost peripheral tip is composed of a cutter tip 51, and other than that is composed of the cylindrical tip 52.例文帳に追加

ビット５０先端には内側から外側にむかって軸心Ｏに対し先端が複数の同心円を描いてチップが植設され、最外周のチップはカッタチップ５１でそれ以外は円筒形状チップ５２で構成されている。 - 特許庁

A large number of brush fibers 9 obtained by forming brass wires of a 0.15 mm diameter to have a waveform of 5.5 mm pitches are bundled in high density to make a group 7 of brushes, and a plurality of groups 7 of the brushes are implanted into a rotary base 8 to form a brush part.例文帳に追加

直径０．１５ｍｍの真鍮線を５．５ｍｍピッチの波形に形成してなるブラシ繊維９を高密度に多数束ねてブラシ群７とし、該ブラシ群７を回転基板８に多数植設してブラシ部を形成する。 - 特許庁

Each of covered areas of 40b1, 40b2, 42b1, and 42b of gate insulating layers 40 and 42 exposed each from both sides of gate layers 38I and 38II is ion-implanted into a mask, and the LDD area and source/drain area are formed at the same time.例文帳に追加

ゲート層３８Ｉ，３８ＩＩ両側からそれぞれ露出するゲート絶縁層４０，４２の各被覆領域４０ｂ_1，４０ｂ_2，４２ｂ_1, ４２ｂをマスクにイオン注入を行い、ＬＤＤ領域とソース／ドレイン領域を同時に形成する。 - 特許庁

The A layer includes: a base 14 made of extremely-thin and moisture-permeable film-like material; a primary adhesive layer 15 formed on the whole of the back surface of the base 14 to be applied to the user's body; and hair material 9 implanted into one end part of the base.例文帳に追加

Ａ層は極薄かつ透湿性のフィルム状素材からなるベース１４と、ベース１４の裏面全面に形成され人体に貼付される第１粘着層１５と、ベースの一端部に植え付けられたヘア材９とからなる。 - 特許庁

A measuring method for pressure of vapor leaked from electrolytic solution contained in a casing is presented, which is the detection method for tightness of the casing of power source supplying electric power to the implanted medical device.例文帳に追加

埋め込み型医療装置に電力を供給するための電源に対するケーシングの密閉性を検出する方法であって、ケーシング内に収容された電解液から漏れ出る蒸気の圧力を測定する方法が開示される。 - 特許庁

Moreover, island-shaped semiconductor layers 104 and 105a are formed as active layers, and p-type and n-type impurities in proper concentration are implanted by masks 107 and 108 so as to form a channel which can control the threshold voltage.例文帳に追加

また島状半導体層１０４、１０５ａを形成して活性層とし、マスク１０７、及び１０８によって、ｐ型及びｎ型の適切な濃度の不純物を注入して、しきい値電圧を制御できるチャネルを形成する。 - 特許庁

To achieve safe use of an implantation type human body function controller as being implanted in vivo by facilitating the learning of information pertaining to the control state of the apparatus.例文帳に追加

植込型人体機能制御装置の制御状態に関する情報を容易に知ることができるようにすることで植込型人体機能制御装置を体内に植え込こんだ状態で使用する者が安心してその装置を使用すること。 - 特許庁

To provide a turbine moving blade for inserting a damper pin into a side face of a platform and further reducing stress concentration of a pin hole groove of the damper pin for high damping and vibration stress reduction at a blade implanted part.例文帳に追加

本発明は、高減衰と翼植え込み部の振動応力の低減のために、プラットフォーム側面にダンパーピンを挿入し、さらにダンパーピンのピン穴溝の応力集中を低減させるタービン動翼を提供するものである。 - 特許庁