「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Brush bodies 29 for the individual discharge nozzles 28 are implanted on a nozzle forming face 27a of the nozzle plate 27 at positions with a predetermined distance to the liquid drop discharge nozzles 28 in the direction reverse to the Y arrow.例文帳に追加

また、ノズルプレート２７のノズル形成面２７ａには、各液滴吐出ノズル２８毎に、液滴吐出ノズル２８に対して反Ｙ矢印方向に所定の間隔をおいた位置に刷毛体２９を植設した。 - 特許庁

In the ion beam guide tube in the ion implanter, the guide tube 16 is arranged in the vicinity of the semiconductor wafer being implanted in the ion implanter.例文帳に追加

イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。 - 特許庁

Ions are implanted, for example, by ionizing gas or vapor of dimer or decaborane, by direct electron impact ionization adjacent the outlet aperture (46, 176) of the ionization chamber (80, 175).例文帳に追加

イオン化チャンバー（８０，１７５）の出口開口部(４６，１７６)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。 - 特許庁

The conduits 24a, 24b are implanted between the left ventricle 12 and the descending aorta 18 where ventricular blood flows from the left ventricle 12 directly into the descending aorta 18 and bypasses an aortic valve 16.例文帳に追加

心室の血液が左室１２から直接下行大動脈１８に流れ、大動脈弁１６を迂回する導管２４ａ，２４ｂが、左室１２と下行大動脈１８との間に移植される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solid-state imaging apparatus capable of preventing crystal defects and suppressing a dark current even when ions are implanted with high energy without complicating manufacture processes.例文帳に追加

製造工程を複雑にすることなく、高エネルギーでイオン注入を行っても、結晶欠陥を防止することができ、暗電流を抑えられる個体撮像装置の製造方法を提供できる。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and its apparatus which activate an ion-implanted impurity without changing the profile of the impurity as well as without causing a problem of a pattern volatilization, etc.例文帳に追加

イオン注入した不純物のプロファイルを崩すことなく、また、パターンの揮発などの問題を起こすことなく注入された不純物を活性化する熱処理方法及びその装置を提供することにある。 - 特許庁

A silicon oxide film 30 and silicon nitride film 31 are formed on a silicon substrate 28, and with a resist pattern 32 as a mask, a channel region 25 of a transistor is ion-implanted for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

シリコン基板２８上にシリコン酸化膜３０、シリコン窒化膜３１を形成し、レジストパターン３２をマスクとしてトランジスタのチャネル領域２５にしきい値電圧調整用のイオン注入を行う。 - 特許庁

When manufacturing a solid-state image pickup element having a vertical type overflow drain structure, ions are implanted on the entire surface of a silicon substrate 1 without using a resist mask to form an overflow barrier layer 11.例文帳に追加

縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子を製造するにあたり、レジストマスクを用いることなくシリコン基板１全面にイオン注入を行い、オーバーフローバリア層１１を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth.例文帳に追加

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

After forming a gate electrode 11 on the surface of a substrate 17 through a gate insulating film 13, As is ion-implanted by using the gate electrode 11 as a mask to form a source-drain expansion region 15.例文帳に追加

基板１７上にゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１１を形成した後、ゲート電極１１をマスクにＡｓをイオン注入して、ソース・ドレイン拡張領域１５を形成する。 - 特許庁

Phosphorus atoms 26b for forming an Noffset diffused layer is implanted at a deep level, to enable making the diffusion depth of the Noffset diffused layer large, and the electrostatic breakdown strength can be improved.例文帳に追加

また、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層形成のリン原子２６ｂを深く打ち込むことで、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層の拡散深さを深くすることができて、静電破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

Thereafter, P-type impurity ions 8 for element-isolating memory cells are implanted using the gate electrode 3 and the side wall oxide film 7 as masks for the formation of P-type impurity regions.例文帳に追加

その後、ゲート電極３及びサイドウォール酸化膜７をマスクとしてメモリセルの素子分離のためのＰ型不純物のイオン注入８をすることによって、Ｐ型不純物領域９を形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device in which ions are implanted and/or a film is formed by using a plasma ion implantation method by which an element other than a target element and coarse particles are excluded.例文帳に追加

プラズマイオン注入をもちいて、目的元素以外の元素および粗大粒子が混入しないイオン注入および／または成膜を行う方法および装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then, a resist pattern 5 is formed on the polycrystalline silicon film 3 and impurities 6 are implanted inside the polycrystalline silicon film 3 in an area to form the NMOS with the resist pattern 5 as a mask.例文帳に追加

次に、多結晶シリコン膜３上にレジストパターン５を形成し、このレジストパターン５をマスクとしてＮＭＯＳを形成すべき領域の多結晶シリコン膜３内に不純物６を注入する。 - 特許庁

When implanted, the proximal region of the stent and the proximal region of the valve are aligned with an original valve, and the distal region of the valve is distally spaced-apart from the original valve.例文帳に追加

植え込まれたときに、前記ステントの近位領域と前記弁の近位領域とは本来の弁と整合せしめられ、前記弁の前記遠位領域は本来の弁から遠位方向に隔離されている。 - 特許庁

After a field effect transistor 31 is formed, impurity ions are implanted diagonally to a substrate surface so that a peak Dp in concentration of the impurity ion is at a position deeper than that of a channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタ３１を形成したのち、不純物イオンの濃度のピークＤ_P がチャネル領域３３よりも深い位置にくるように、基板面に対して斜め方向から不純物イオンを注入する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is formed on a monocrystal silicon wafer 1 by a vapor growth method at about 1150°C and oxygen ions 3 are implanted from the rear face of the silicon wafer 1 to the lower part of the epitaxial layer 2.例文帳に追加

単結晶のシリコンウェーハ１上に、約１１５０℃の気相成長法によりエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２の下部に酸素イオン３をシリコンウェーハ１の裏面からイオン注入する。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

Ions are implanted to a semiconductor substrate 310 where a gate electrode 321 is formed and a boundary position of a photoelectric conversion part 316 and an overflow barrier 317 is matched with an end of the gate electrode 321.例文帳に追加

ゲート電極３２１が形成された半導体基板３１０にイオン注入を行って光電変換部３１６とオーバーフローバリア３１７の境界位置をゲート電極３２１の端部に一致させる。 - 特許庁

In a method for manufacturing the SIMOX substrate, the oxide ion is implanted to the silicon mono-crystal substrate, and the quick heating treatment and high temperature heat treatment of the substrate is carried out in a main process.例文帳に追加

また、シリコン単結晶基板に酸素イオンを注入した後、該基板を急速加熱処理し、その後高温熱処理を施すことを主工程とするＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。 - 特許庁

The practice device for implant is a three-dimensional shape having one or more angles with the angle to be an object into which the implant is implanted, preferably a triangular prism, and is formed by bonding a pseudo biomembrane and a pseudo gingiva layer.例文帳に追加

インプラント植立対象となる角度を備えた角度を１つ以上有する立体、好ましくは三角柱であって、擬似的な生体膜、擬似的な歯肉層を接着して形成される。 - 特許庁

The SIMOX substrate manufacturing method heat treats an oxygen ion-implanted silicon substrate at 1,300-1,350°C in a mixed gas atmosphere of argon with oxygen to obtain an SIMOX substrate.例文帳に追加

ＳＩＭＯＸ基板の製造方法は、酸素イオンを注入したシリコン基板をアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気において１３００〜１３５０℃の熱処理を行うことによりＳＩＭＯＸ基板を得る。 - 特許庁

To provide various methods and devices for removably coupling a sensor assembly to a catheter to measure conditions surrounding the catheter when the catheter is implanted in a patient.例文帳に追加

カテーテルを患者の体内に植え込んだ時に、そのカテーテルの周りの状態を測定するためにセンサ組立体を着脱自在にカテーテルに連結するさまざまな方法および装置を提供すること。 - 特許庁

Ions are implanted with a dammy gate electrode formed right on a channel formation region of a semiconductor substrate 1 as a mask to form a source and drain region 5 self-alignedly against the dummy gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１のチャネル形成領域直上に形成したダミーゲート電極４ａをマスクにイオン注入し、ダミーゲート電極に対して自己整合的にソース・ドレイン領域５を形成する。 - 特許庁

The ion-implantation is carried out at 0.05-50 μA/cm^2 ion current and the thickness of the ion implanted layer is changed by continuously changing the acceleration voltage in the ion-implantation.例文帳に追加

また、注入電流が０．０５μＡ／ｃｍ^２〜５０μＡ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入を行い、イオン注入時の加速電圧を連続的に変化させて、イオン注入層の厚みを変える。 - 特許庁

By applying, within the plasma, the pulsative voltage containing positive pulse voltage and negative pulse voltage to the insulator from the pulse power source 8, the ions contained in the plasma are implanted into the insulator.例文帳に追加

当該プラズマ中で、絶縁物にパルス電源８から正のパルス電圧と負のパルス電圧とを含むパルス状電圧を印加することにより、プラズマ中に含まれているイオンを絶縁物に注入する。 - 特許庁

The method for manufacturing the SIMOX wafer having a process of oxygen ion implantation has a process in which hydrogen ions are implanted by doses of 10^15-10^17/cm^2 either before or after the oxygen ion implantation process.例文帳に追加

酸素イオンを注入する工程を有するSIMOXウェーハの製造方法において、前記酸素イオン注入工程の前後いずれかで、水素イオンを、10^15〜10^17／cm^２のドーズ量で注入する工程を有する。 - 特許庁

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times.例文帳に追加

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。 - 特許庁

Hydrogen ions are implanted in the surface (major surface) of a single crystal Si substrate 10 at a dose of 1.5×101^7 atoms/cm^2 to form a hydrogen ion implantation layer (ion implantation damage layer) 11.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基１０の表面（主面）にドーズ量１．５×１０１^7ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2以上で水素イオンを注入し、水素イオン注入層（イオン注入ダメージ層）１１を形成する。 - 特許庁

To provide a device to inspect, prior to implanting ions, the angle of wafer ion-implanted on the holder and movable Faraday alignment in the implantation chamber, to control the ion beam.例文帳に追加

イオン注入に先立って、イオンビームを調整するために用いられる、ホルダ上のイオン注入されるウェハの角度と、注入室内の移動ファラデーのアラインメントとを検査するための装置を提供する。 - 特許庁

The occurrence of a vessel stimulating state in a stent implanted region can therefore be prevented to considerably reduce the danger of restenosis in the region.例文帳に追加

従って、ステントが移植された領域における管の刺激状態の発生を防ぐことができ、それによってかかる領域における再狭窄の危険性を相当減少させることが可能となる。 - 特許庁

The ion implantation holes 16 of a photo resist decide to which transistor gate 13 are to be ions implanted and the ion implantation holes 15 of an aluminum film are used to accurately decide the position/area of ion implantation.例文帳に追加

イオン注入孔２４が密なところと疎なところでは、ガラスマスク上のイオン注入孔の寸法は同一であるのに、フォトレジストのイオン注入孔２４の寸法が互いに同一にならない。 - 特許庁

Subsequently, H^+ ions are implanted down to a depth below the interface of the strained SiGe layer 16 and the silicon substrate 10 and a trench 26 reaching the inside of the silicon substrate 10 is made by STI.例文帳に追加

その後、歪ＳｉＧｅ層１６とシリコン基板１０との界面よりも下の深さにまでＨ^＋イオンを注入して、ＳＴＩによって、シリコン基板１０内に達するトレンチ２６を形成する。 - 特許庁

The pump is implanted in the aorta or pulmonary artery using vascular attachment cuffs such as flexible cuffs for suturing at each end with the pump output directly in line with the artery.例文帳に追加

このポンプは、ポンプ出力が動脈と一直線になる状態で各々の端部で縫合する柔軟なカフのような導管取付カフを用いて大動脈または肺動脈内に埋め込まれる。 - 特許庁

Impurities are implanted in a semiconductor layer 2 using gate electrodes 4 and 5 of second shape formed on a gate insulating film 3 deposited on the semiconductor layer 2 as an impurity implantation mask.例文帳に追加

半導体層２の上に積層されたゲート絶縁膜３の上に形成した、第２の形状のゲート電極４，５を不純物注入マスクとし、半導体層２に対して不純物を注入する。 - 特許庁

Since a brush base part 34 covering the part where the brush hair 36 of the cleaning brush 30 is implanted is made of silicone rubber, the surface of the watercolour palette is not damaged at the time of cleaning.例文帳に追加

洗浄ブラシ３０の刷毛３６が植え込まれた部分を覆う刷毛台部３４はシリコンゴム製であるから、水彩パレットを洗浄するときに水彩パレットの表面に傷を付けることがない。 - 特許庁

Ions are implanted using an L-shaped silicon nitride film 16 formed on the side of a gate electrode 3 and a silicon oxide film covering the silicon nitride film 16 as a mask to form source/drain regions 9.例文帳に追加

ゲート電極３の側面に形成されたＬ字型のシリコン窒化膜１６と、シリコン窒化膜１６を覆っていたシリコン酸化膜とをマスクとしてイオン注入を行ってソース／ドレイン９を形成する。 - 特許庁

After a nitride silicon film 9 covering an NMOS transistor 50A and a PMOS transistor 50B on a silicon wafer 1 is formed, argon ions are implanted to the nitride silicon film 9 to relax its internal stress.例文帳に追加

シリコン基板１上のＮＭＯＳトランジスタ５０ＡとＰＭＯＳトランジスタ５０Ｂを覆う窒化シリコン膜９を形成した後、その窒化シリコン膜９にアルゴン・イオンを注入してその内部応力を緩和する。 - 特許庁

To make ion implantation possible even when a raw material of ions intended to be implanted into a substrate is a solid such as chromium, iron or carbon, and to achieve a sufficient effect by ion implantation.例文帳に追加

基体に注入したいイオンの原料がクロム、鉄、炭素のような固体状のものであってもイオン注入を可能にし、且つ十分なイオン注入効果が得られるようにすることにある。 - 特許庁

Then an impurity element 11 is implanted in the microcrystal semiconductor film 4 so that impurity density continuously and monotonously decreases from a side opposite to the gate electrode 2 toward the gate electrode 2.例文帳に追加

そして、不純物濃度がゲート電極２とは反対側からゲート電極２側に向かって連続的に単調減少するように、微結晶半導体膜４に対して不純物元素１１を注入する。 - 特許庁

After a muddy layer 2 is formed by implanting hydrogen ions into a single crystal SiC substrate 1, a base substrate 3 is fixed to the side of the single crystal SiC substrate 1 implanted with the hydrogen ions and heat treated.例文帳に追加

単結晶ＳｉＣ基板１に水素イオンを注入して泥弱層２を形成した後、単結晶ＳｉＣ基板１の水素イオンを注入した面側にベース基板３を貼り付け、熱処理をする。 - 特許庁

Wherein, as a diffuse reflection body 9, transparent raising 11 implanted in a transparent film body 10 or fluffy raising 11 of light transmission may be employed besides transparent adherent materials.例文帳に追加

ここに、乱反射体９としては透明な粘着性材料のほか、透明な被膜体１０に植設する透明な起毛１１や、光を透過できる綿毛状の起毛１１なども選択されるものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-resistance SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer, for reducing oxygen dispersed inside a wafer by heat treatment in a high-temperature and oxidizing atmosphere and preventing the generation of thermal donor.例文帳に追加

高温かつ酸化性の雰囲気での熱処理によりウェーハに内方拡散した酸素を低減でき、サーマルドナーの発生を抑制できる高抵抗ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In each end of side frames 5 which are provided on both sides of a head board 8 and a foot board 9 of a bed 1, a receiving pipe 10 is implanted, into which one of legs 11 of a side supporter 2 is inserted.例文帳に追加

ベッド１のヘッドボード８寄り側とフットボード９寄り側に形成したサイドフレーム５に受けパイプ１０を植設し、この受けパイプ１０に、サイドサポータ２の支柱部１１を差し込むようにする。 - 特許庁

A stud bolt 16 arranged in the wheel installing cylinder 12 is implanted and fixed on the base end side in the wheel installing cylinder 12, and the tip side projects toward the outside in the axial direction from an annular step part 12C.例文帳に追加

車輪取付筒１２に設けるスタッドボルト１６は、基端側が車輪取付筒１２内に植設して固定され、先端側が環状段部１２Ｃから軸方向外側に向けて突出している。 - 特許庁