「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of cleaning the mat M implanted with the many piles 22 on the front surface of a base fabric 21, in which the mat M is cleaned by applying impact thereto from the rear surface side in a treating liquid.例文帳に追加

基布２１の表面に多数のパイル２２を植設してなるマットＭの洗浄方法において、処理液中でマットＭの裏面側から衝撃を与えることにより洗浄する。 - 特許庁

C(carbon) is ion-implanted to a predetermined depth, deeper than an n-type source region 3 at a reserved portion to form a p-type gate region 4 in a surface layer of an n-type drift region 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、ｐ型ゲート領域４の形成予定部分に、ｎ型ソース領域３よりも深い所定深さまでＣ（炭素）をイオン注入する。 - 特許庁

At the time of forming a p^+ collector layer of NPT type IGBT using an FZ-N substrate, boron is implanted into the rear face while heating the FZ-N substrate at 400°C-500°C.例文帳に追加

ＦＺ−Ｎ基板を用いたＮＰＴ型ＩＧＢＴのｐ^+コレクタ層を形成する際、ＦＺ−Ｎ基板を４００℃〜５００℃に加熱した状態でその裏面にボロンを注入する。 - 特許庁

First ions are implanted into a P-type semiconductor substrate 111 penetrating through first polysilicon layers 115a and 115b and a first and a second oxide films 113 and 114 using a photoresist layer 116 as a mask.例文帳に追加

ホトレジスト層１１６をマスクとして、第１のポリシリコン層１１５ａ，１１５ｂ、第１の酸化膜１１３と第２の酸化膜１１４を貫通して、第１のイオン注入を行う。 - 特許庁

This shoe brush is characterized in that bristles 3 to be a brush are implanted in the upper side whole area of the root part of the thumb of a glove 1, which is formed of a mitten, by electrostatic implanting work.例文帳に追加

ミトンからなる手袋（１）の親指の付け根部分よりも上側全域にブラシ（２）となる毛（３）を静電植毛加工によって植え付けてあることを特徴とする靴用ブラシ。 - 特許庁

Thus, a transition area between bits is fixed in the part where the implanted metallic element ion is in existence, and does not connect with the adjacent bits to enable the write-in even at the high recording density.例文帳に追加

このため、注入された金属元素イオンが存在する部分でビット間の遷移領域が固定され、隣接ビットと繋がることなく、高記録密度でも書き込みが可能となる。 - 特許庁

At the same time, bolts are welded to the outside of the connection tube in an implanted manner to fix the silica-gel sealing washer to make the connection of the connection tube and the heat collection tube have pressure receiving sealing performance.例文帳に追加

同時に、連集管外部に植込方式でボルトを溶接し、それによりシリカゲル密封ワッシャーを固定し、連集管と集熱管との接続に受圧密封性を与える。 - 特許庁

In the ion implantation process of the step s2, ions 2 not forming a conductivity type region are implanted into a silicon substrate 1 to form a structure transition layer 3 of which crystal structure has changed.例文帳に追加

ステップｓ２のイオン注入工程では、シリコン基板１中に、導電型領域を形成することがないイオン２を注入し、結晶構造が変化した構造変化層３を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 78 of the transistor is formed on a surface of a semiconductor substrate 62 via an insulating film 75, and then a p-type impurity is ion-implanted to form an element isolation region 65.例文帳に追加

半導体基板６２の表面に絶縁膜７５を介してトランジスタのゲート電極７８を形成し、続いて、ｐ型の不純物をイオン注入して素子分離領域６５を形成する。 - 特許庁

To provide a wig using net, excellent in a voluminous feeling, durability and shape stability of implanted hairs, to provide a wig base used for manufacturing the wig, and to provide a method for manufacturing the wig.例文帳に追加

ネットを用い、植設した毛髪のボリューム感と、耐久性と、形状安定性とに優れたかつら、その製造に用いるかつらベース及び製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A diaphragm device 1 comprises: diaphragm blades 10 each having a slide pin 12 implanted thereto; cam plates 40 each having a cam groove 45 for guiding the slide pin 12; and wire springs 50 for energizing the slide pin 12.例文帳に追加

絞り装置１は、スライドピン１２が植設された絞り羽根１０、スライドピン１２を案内するカム溝４５を有するカムプレート４０、及び、スライドピン１２を付勢する線バネ５０を具備する。 - 特許庁

An element preventing reduction of Ag is implanted into a glass substrate by ion implantion method to provide a gas discharge display device of high picture quality while preventing its yellowing and discoloring.例文帳に追加

ガラス基板にＡｇの還元を防止する元素をイオン注入法により注入することにより、黄変や変色を防止しかつ、高画質のガス放電表示装置を得ることが出来る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which suppresses the accumulation of charges to the semiconductor layer of an SOI substrate when ions are implanted and prevents the damage of a box layer and a gate oxidized film.例文帳に追加

イオン注入時にＳＯＩ基板の半導体層への電荷の蓄積を抑制し，ＢＯＸ層およびゲート酸化膜の損傷を防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurities are ion-implanted into a semiconductor substrate, then the semiconductor substrate is thermally oxidized, thereby smoothing the shape composed of a trench and flat portions of the semiconductor substrate to increase the withstand voltage of the gate insulator film.例文帳に追加

半導体基板に不純物をイオン注入し熱酸化することにより、トレンチ溝と半導体基板平坦部とにより形成される形状を滑らかにするものである。 - 特許庁

In the case of improving the waterproof performance, the grommet is constructed, by forming bristle implanted parts 36, 39 formed by implanting short fibers on a face contacting the wire harness 24.例文帳に追加

防水性能を向上させる場合にあっては、ワイヤハーネス２４に対し接触する面に、短繊維を植毛してなる植毛部３６、３９を設けてグロメット２１を構成する。 - 特許庁

Next, a supporting substrate 101 on which a p^+-layer 104 is formed is heated and a boric ion included in the p^+-layer 104 is infiltrated into the implanted substrate 102 through a silicon oxide film 105.例文帳に追加

次に、Ｐ^＋層１０４が形成された支持基板１０１を加熱して、Ｐ^＋層１０４に含まれるボロンイオンをシリコン酸化膜１０５を介して注入基板１０２に浸透させる。 - 特許庁

To provide a method for uniformly making amorphous a trench which is easily shaded when ions are implanted for making amorphous and the surface of a tapered silicon projected body.例文帳に追加

非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝やテーパ状シリコン突出体の表面を均一に非晶質化する方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

When the implanting angle α is specified in this range, the impurities 23_1, 23_2 are ion implanted in the second side face 10A_2 and the fifth side face 10A_5 through the silicon oxide film 13.例文帳に追加

注入角度αをこの範囲内に規定すると、第２側面１０Ａ_２及び第５側面１０Ａ_５内には、シリコン酸化膜１３を通して不純物２３_１，２３_２がイオン注入される。 - 特許庁

Thereafter the impurity ions are implanted using the side wall 7a as a mask to form a source-drain regions, and the oxide film 5 and the SIPOS film located on the gate oxide film 3 are removed by etching.例文帳に追加

その後、サイドウォール７ａをマスクに不純物イオンを注入してソース・ドレイン領域を形成し、ゲート酸化膜３上の酸化膜５及びＳＩＰＯＳ膜をエッチング除去する。 - 特許庁

Biomedical applications of these hydrogels include applications wherein the hydrogel is implanted in the body of a patient and an environmental condition at the implantation site causes the hydrogel to expand it in situ.例文帳に追加

これらのヒドロゲルの生物医学的用途には、ヒドロゲルを患者の体内に移植し、移植部位の環境条件によってヒドロゲルをイン・シトゥで膨張させる用途が含まれる。 - 特許庁

(d) Then, a combined substrate 30 is formed by superposing the first substrate obtained in (c) on a second substrate 20, and (e) thereafter the combined substrate 30 is divided at a portion of the ion implanted layer 13.例文帳に追加

次いで、（ｃ）に示す第１基板を第２基板２０に重ね合わせて結合基板３０を形成し（ｄ）、その後、結合基板３０をイオン注入層１３の部分で分割する（ｅ）。 - 特許庁

Bristles 36 abutting on the paper sheets 9 are implanted on the paper misalignment prevention member 35.例文帳に追加

また、用紙ずれ防止部材３５には、用紙９と当接する毛３６が植毛されており、毛３６は、用紙９の搬送方向Ｇにおいて、用紙９に対して鋭角となるように設けられている。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

Thereafter, the N well 16 is covered with the resist and N-type impurity ions are implanted to form a rediffusion region which is continuous with a source and drain region 39a in a P well 17.例文帳に追加

その後、Ｎウェル１６がレジストで覆われ、Ｎ型の不純物イオンが注入され、Ｐウェル１７内のソース・ドレイン領域３９ａと連続する再拡散領域が形成される。 - 特許庁

Then, an N-type impurity is implanted by energy passing through the polysilicon film 31 and arriving from the surface of a silicon substrate 2 up to a position which is deeper than the thickness of the polysilicon film 31.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜３１を突き抜け、さらにシリコン基板２の表面からポリシリコン膜３１の厚さよりも深い位置まで達するエネルギーでＮ型不純物を注入する。 - 特許庁

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method.例文帳に追加

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。 - 特許庁

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11.例文帳に追加

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。 - 特許庁

By an ion implanting method, hydrogen ions are implanted into a raw-material substrate 100 from its top-surface side, and peeling regions 1 are formed in one-portions of the raw-material substrate 100 whose same depth is predetermined.例文帳に追加

イオン注入法により原料基板１００の上面側から水素イオンを注入し、原料基板１００の所定深さの一部に剥離領域１を形成する。 - 特許庁

After that, the low-concentration region (604a) implanted with impurities is subjected to heat treatment at about 300°C for about 1 hour in a nitrogen atmosphere, and thereby the impurities are activated.例文帳に追加

しかる後に、不純物を打ち込んだ低濃度領域（６０４ａ）を窒素雰囲気中で温度が約３００℃の条件で約１時間の熱処理を行なって、不純物を活性化する。 - 特許庁

Impurity ions are implanted into the Si substrate 1 through the thin part of the SiO2 film 7 in a region adjacent to the trench 5 to from a diffusion layer 8.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 膜７の薄い部分を介してＳｉ基板１に不純物をイオン注入して、Ｓｉ基板１におけるトレンチ５の近傍の領域に不純物を導入し拡散層８を形成する。 - 特許庁

To prevent the degradation of the performance of a transistor caused by interface level rising due to the entry of nitrogen atoms that have been implanted in a silicon oxide film, reaching an interface between the film and a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン酸化膜中に導入した窒素原子がシリコン基板との界面にまで到達し、界面準位を増大させてトランジスタの性能を損なうということがないようにする。 - 特許庁

The through hole 31b is formed by etching a part where Ar ion is implanted from a surface, which is formed at the same time when the through hole 31a is formed by etching.例文帳に追加

一方、貫通孔３１ｂは、表面からＡｒイオンを注入された部分がエッチングされて形成されたもので、貫通孔３１ａの形成時のエッチングによって同時に形成される。 - 特許庁

Then, after a side wall 7 and a high concentration ion implanted layer 9 for source and drain are formed, a second RTA treatment is conducted to form a heavily doped source and drain layer 9a.例文帳に追加

その後、サイドウォール７及び高濃度ソース・ドレイン用イオン注入層９を形成した後、第２のＲＴＡ処理を行なって高濃度ソース・ドレイン拡散層９ａを形成する。 - 特許庁

Brush-like whiskers 3 are electrically conductively implanted on the periphery in the fine line 2 positioned on the lower surface of the shank of the shoe between the U-shaped one hook 1 and the other hook 5.例文帳に追加

該Ｕ字形のフック１ともうひとつのフック５との間の靴の土踏まずの下面に位置する細線２には、その周囲にブラシ状のヒゲ３を通電可能に植毛する。 - 特許庁

To perform control such that when a silicide layer is formed on a surface of a semiconductor wafer, an end of the silicide layer is not formed on a region into which impurity ions of high concentration are implanted.例文帳に追加

半導体ウェハ表面にシリサイド層を形成する際に、シリサイド層の端部が高濃度の不純物イオンが注入された領域上に形成されないように制御する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

As shown in (Fig.a), channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulation film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.例文帳に追加

（ａ）に示されるように、素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

After a p-type pocket layer 14 is formed on the front surface of a semiconductor substrate 11, a thin sidewall insulating film 15 having a width of about 10 nm is formed, and P ions are implanted.例文帳に追加

Ｐ型ポケット層１４を半導体基板１１の表面に形成した後、幅が１０ｎｍ程度の薄いサイドウォール絶縁膜１５を形成し、Ｐのイオン注入を行う。 - 特許庁

In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.例文帳に追加

コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁

To provide a vehicular lighting device which can increase a contact area between a sealant 150 implanted into a groove portion 115 and air, thereby shortening the time required for curing the sealant 150.例文帳に追加

溝部１１５に注入されたシール材１５０と空気との接触面積をより大きくすることができるので、シール材１５０の硬化に要する時間を短くすることができる。 - 特許庁

A cardiac pacing system 100 includes the leadless cardiac pacemaker 102 which is implanted in electric contact with the cardiac muscle 104 of a heart chamber and is configured to perform leadless pacing.例文帳に追加

本発明に係る心臓ペーシングシステム１００は、心腔の心筋１０４と電気的に接触して植え込まれ、リードレスペーシングを行うように構成されたリードレス心臓ペースメーカー１０２を備える。 - 特許庁

For example, As+ 7 for forming the pocket region 8 and BF2+ 10 for forming the LDD region 11 for the p-type FET are implanted in the entire surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

例えばｐ型ＦＥＴ形成のためのポケット領域８形状用Ａｓ^＋７、及びＬＤＤ領域１１形成用ＢＦ_２^＋１０を半導体基板１全面に注入する。 - 特許庁

On the game board, a large number of nails for appropriately dispersing and adjusting the falling direction of game balls or the like are implanted, and also various kinds of members (accessories) such as a pinwheel unit are disposed.例文帳に追加

遊技盤には、遊技球の落下方向を適宜分散、調整等するために多数の釘が植設されているとともに、風車ユニット等の各種部材（役物）が配設されている。 - 特許庁

Next, after the substrate 1 is covered with a resist film, F2+ 14 for forming the pocket region 15 and As+ 16 for forming the LDD region for the n-type FET are also implanted in the entire surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

次にレジストで被覆後、ｎ型ＦＥＴ側はポケット領域１５形成用ＢＦ_２^＋１４及びＬＤＤ域形成用Ａｓ^＋１６で打返す過程を用いている。 - 特許庁

The bearing component 16 is non-fixed or non- stationary relative to one of the radial component 12 and the metacarpal component 14 when the wrist prosthesis is assembled such as when implanted into a patient.例文帳に追加

軸受部品１６は、手首プロテーゼが患者に移植されるときに組み立てられるとき、撓骨部品１２及び中手骨部品１４の一方に対して非固定又は非静止型である。 - 特許庁