「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode 78 of the transistor is formed on a surface of a semiconductor substrate 62 via an insulating film 75, and then a p-type impurity is ion-implanted to form an element isolation region 65.例文帳に追加

半導体基板６２の表面に絶縁膜７５を介してトランジスタのゲート電極７８を形成し、続いて、ｐ型の不純物をイオン注入して素子分離領域６５を形成する。 - 特許庁

In the ion implantation process of the step s2, ions 2 not forming a conductivity type region are implanted into a silicon substrate 1 to form a structure transition layer 3 of which crystal structure has changed.例文帳に追加

ステップｓ２のイオン注入工程では、シリコン基板１中に、導電型領域を形成することがないイオン２を注入し、結晶構造が変化した構造変化層３を形成する。 - 特許庁

To provide a wig using net, excellent in a voluminous feeling, durability and shape stability of implanted hairs, to provide a wig base used for manufacturing the wig, and to provide a method for manufacturing the wig.例文帳に追加

ネットを用い、植設した毛髪のボリューム感と、耐久性と、形状安定性とに優れたかつら、その製造に用いるかつらベース及び製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The bottom material improvement method is implemented in a manner that, after laying a biodegradable sealing sheet 12 on the surface of a sludge layer 14, ceramic balls 20 in which aerobic and anaerobic bacteria are implanted are driven into the sludge layer 14.例文帳に追加

生分解性を有するシールシート１２を汚泥層１４の表面に敷設した後、好気性及び嫌気性菌を着床させたセラミックボール２０を汚泥層１４の中に打ち込む。 - 特許庁

Also, an interlayer insulating film is formed on the surface of the p-type silicon substrate 1, a contact hole is made, ions are implanted, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a heavily-doped n-type diffused layer.例文帳に追加

また、ｐ型シリコン基板１の表面に層間絶縁膜を形成し、コンタクト孔を開口しイオン注入し、熱処理を行い高不純物濃度ｎ型拡散層を形成する。 - 特許庁

A diaphragm device 1 comprises: diaphragm blades 10 each having a slide pin 12 implanted thereto; cam plates 40 each having a cam groove 45 for guiding the slide pin 12; and wire springs 50 for energizing the slide pin 12.例文帳に追加

絞り装置１は、スライドピン１２が植設された絞り羽根１０、スライドピン１２を案内するカム溝４５を有するカムプレート４０、及び、スライドピン１２を付勢する線バネ５０を具備する。 - 特許庁

An element preventing reduction of Ag is implanted into a glass substrate by ion implantion method to provide a gas discharge display device of high picture quality while preventing its yellowing and discoloring.例文帳に追加

ガラス基板にＡｇの還元を防止する元素をイオン注入法により注入することにより、黄変や変色を防止しかつ、高画質のガス放電表示装置を得ることが出来る。 - 特許庁

When the implanting angle α is specified in this range, the impurities 23_1, 23_2 are ion implanted in the second side face 10A_2 and the fifth side face 10A_5 through the silicon oxide film 13.例文帳に追加

注入角度αをこの範囲内に規定すると、第２側面１０Ａ_２及び第５側面１０Ａ_５内には、シリコン酸化膜１３を通して不純物２３_１，２３_２がイオン注入される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which suppresses the accumulation of charges to the semiconductor layer of an SOI substrate when ions are implanted and prevents the damage of a box layer and a gate oxidized film.例文帳に追加

イオン注入時にＳＯＩ基板の半導体層への電荷の蓄積を抑制し，ＢＯＸ層およびゲート酸化膜の損傷を防止可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurities are ion-implanted into a semiconductor substrate, then the semiconductor substrate is thermally oxidized, thereby smoothing the shape composed of a trench and flat portions of the semiconductor substrate to increase the withstand voltage of the gate insulator film.例文帳に追加

半導体基板に不純物をイオン注入し熱酸化することにより、トレンチ溝と半導体基板平坦部とにより形成される形状を滑らかにするものである。 - 特許庁

In the case of improving the waterproof performance, the grommet is constructed, by forming bristle implanted parts 36, 39 formed by implanting short fibers on a face contacting the wire harness 24.例文帳に追加

防水性能を向上させる場合にあっては、ワイヤハーネス２４に対し接触する面に、短繊維を植毛してなる植毛部３６、３９を設けてグロメット２１を構成する。 - 特許庁

Next, a supporting substrate 101 on which a p^+-layer 104 is formed is heated and a boric ion included in the p^+-layer 104 is infiltrated into the implanted substrate 102 through a silicon oxide film 105.例文帳に追加

次に、Ｐ^＋層１０４が形成された支持基板１０１を加熱して、Ｐ^＋層１０４に含まれるボロンイオンをシリコン酸化膜１０５を介して注入基板１０２に浸透させる。 - 特許庁

To provide a method for uniformly making amorphous a trench which is easily shaded when ions are implanted for making amorphous and the surface of a tapered silicon projected body.例文帳に追加

非晶質化のためのイオン注入の際に影のできやすい溝やテーパ状シリコン突出体の表面を均一に非晶質化する方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

Thereafter the impurity ions are implanted using the side wall 7a as a mask to form a source-drain regions, and the oxide film 5 and the SIPOS film located on the gate oxide film 3 are removed by etching.例文帳に追加

その後、サイドウォール７ａをマスクに不純物イオンを注入してソース・ドレイン領域を形成し、ゲート酸化膜３上の酸化膜５及びＳＩＰＯＳ膜をエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

To perform control such that when a silicide layer is formed on a surface of a semiconductor wafer, an end of the silicide layer is not formed on a region into which impurity ions of high concentration are implanted.例文帳に追加

半導体ウェハ表面にシリサイド層を形成する際に、シリサイド層の端部が高濃度の不純物イオンが注入された領域上に形成されないように制御する。 - 特許庁

To suppress occurrence of leakage current at the end of a gate electrode, and suppress the drop in the dose of impurities implanted in a substrate, in ion implantation at formation of a source/drain diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極端部のリーク電流の発生を抑制し、かつ、ソース／ドレイン拡散層形成時のイオン注入において、基板に注入される不純物のドーズ量の低下を抑制する。 - 特許庁

As shown in (Fig.a), channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulation film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.例文帳に追加

（ａ）に示されるように、素子分離絶縁膜１２に囲まれた半導体基板１１に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い（１３）、ゲート酸化膜１４を形成する。 - 特許庁

After a p-type pocket layer 14 is formed on the front surface of a semiconductor substrate 11, a thin sidewall insulating film 15 having a width of about 10 nm is formed, and P ions are implanted.例文帳に追加

Ｐ型ポケット層１４を半導体基板１１の表面に形成した後、幅が１０ｎｍ程度の薄いサイドウォール絶縁膜１５を形成し、Ｐのイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element of good characteristics by keeping the SiC surface clean and smooth after annealing for activating ion-implanted impurities.例文帳に追加

イオン注入された不純物を活性化するためのアニール後のＳｉＣ表面を清浄かつ平滑に保持し、良好な特性の炭化けい素半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

Thereafter, the N well 16 is covered with the resist and N-type impurity ions are implanted to form a rediffusion region which is continuous with a source and drain region 39a in a P well 17.例文帳に追加

その後、Ｎウェル１６がレジストで覆われ、Ｎ型の不純物イオンが注入され、Ｐウェル１７内のソース・ドレイン領域３９ａと連続する再拡散領域が形成される。 - 特許庁

Then, an N-type impurity is implanted by energy passing through the polysilicon film 31 and arriving from the surface of a silicon substrate 2 up to a position which is deeper than the thickness of the polysilicon film 31.例文帳に追加

そして、ポリシリコン膜３１を突き抜け、さらにシリコン基板２の表面からポリシリコン膜３１の厚さよりも深い位置まで達するエネルギーでＮ型不純物を注入する。 - 特許庁

The standard sample for the evaluation of antibacterial effects which can be used as a standard for the evaluation comprises a substrate 5 comprising a silicon wafer implanted with silver by an ion-implantation method.例文帳に追加

抗菌効果を評価するための標準となる抗菌効果評価用標準試料であって、イオン注入法によりシリコンウェーハからなる基体５に銀が注入されてなる。 - 特許庁

Specifically, in the pocket implantation process, the energy of the impurity ion 31 to be implanted is controlled based on an angle θ between the side of the gate electrode 13 and the substrate 11.例文帳に追加

具体的には、ポケット注入工程において、注入される不純物イオン３１のエネルギーは、ゲート電極１３の側面と基板１１のなす角度θに基づき制御される。 - 特許庁

By an ion implanting method, hydrogen ions are implanted into a raw-material substrate 100 from its top-surface side, and peeling regions 1 are formed in one-portions of the raw-material substrate 100 whose same depth is predetermined.例文帳に追加

イオン注入法により原料基板１００の上面側から水素イオンを注入し、原料基板１００の所定深さの一部に剥離領域１を形成する。 - 特許庁

After that, the low-concentration region (604a) implanted with impurities is subjected to heat treatment at about 300°C for about 1 hour in a nitrogen atmosphere, and thereby the impurities are activated.例文帳に追加

しかる後に、不純物を打ち込んだ低濃度領域（６０４ａ）を窒素雰囲気中で温度が約３００℃の条件で約１時間の熱処理を行なって、不純物を活性化する。 - 特許庁

Biomedical applications of these hydrogels include applications wherein the hydrogel is implanted in the body of a patient and an environmental condition at the implantation site causes the hydrogel to expand it in situ.例文帳に追加

これらのヒドロゲルの生物医学的用途には、ヒドロゲルを患者の体内に移植し、移植部位の環境条件によってヒドロゲルをイン・シトゥで膨張させる用途が含まれる。 - 特許庁

(d) Then, a combined substrate 30 is formed by superposing the first substrate obtained in (c) on a second substrate 20, and (e) thereafter the combined substrate 30 is divided at a portion of the ion implanted layer 13.例文帳に追加

次いで、（ｃ）に示す第１基板を第２基板２０に重ね合わせて結合基板３０を形成し（ｄ）、その後、結合基板３０をイオン注入層１３の部分で分割する（ｅ）。 - 特許庁

Bristles 36 abutting on the paper sheets 9 are implanted on the paper misalignment prevention member 35.例文帳に追加

また、用紙ずれ防止部材３５には、用紙９と当接する毛３６が植毛されており、毛３６は、用紙９の搬送方向Ｇにおいて、用紙９に対して鋭角となるように設けられている。 - 特許庁

Then, after a side wall 7 and a high concentration ion implanted layer 9 for source and drain are formed, a second RTA treatment is conducted to form a heavily doped source and drain layer 9a.例文帳に追加

その後、サイドウォール７及び高濃度ソース・ドレイン用イオン注入層９を形成した後、第２のＲＴＡ処理を行なって高濃度ソース・ドレイン拡散層９ａを形成する。 - 特許庁

Brush-like whiskers 3 are electrically conductively implanted on the periphery in the fine line 2 positioned on the lower surface of the shank of the shoe between the U-shaped one hook 1 and the other hook 5.例文帳に追加

該Ｕ字形のフック１ともうひとつのフック５との間の靴の土踏まずの下面に位置する細線２には、その周囲にブラシ状のヒゲ３を通電可能に植毛する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an SOI substrate, which effectively and efficiently makes an interface of an ion-implanted layer brittle without bringing about exfoliation of surfaces bonded to each other and breakage of the substrate.例文帳に追加

貼り合わせ面の剥離や、基板の破損を生じることなく、イオン注入界面を効果的かつ効率的に脆化することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thermal processing is performed, thereby re-crystallizing the region made amorphous in a solid phase state, and the impurities implanted in the amorphous region are activated.例文帳に追加

熱処理を行うことにより、アモルファス化された領域を、固相状態で再結晶化させるとともに、アモルファス化されていた領域に注入されている不純物を活性化させる。 - 特許庁

To provide a revascularization material being implanted in a living body, having a structure similar to the blood vessel tissue and having superior elasticity and elastic recovery rate.例文帳に追加

本発明は、生体内に埋め込み可能であり、血管組織に類似した構造を有し、かつ弾性率、弾性回復率に優れた血管再生材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a magnetic layer 13 is formed on the top surface of a substrate 11 as a base body across a base layer 12, metal element ions are implanted into the magnetic layer 13 to the overall thickness.例文帳に追加

下地基体である基板１１の表面に下地層１２を介して磁性層１３を形成した後、磁性層１３の層厚全体にわたって金属元素イオンを注入する。 - 特許庁

The converged ion beams are irradiated to a single-crystal semiconductor substrate, without interposing an amorphous layer having an element constituting the semiconductor substrate, and the ions are implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

収束されたイオンビームを、単結晶の半導体基板に、半導体基板を構成する元素からなるアモルファス層を介すことなく照射し、半導体基板にイオンを注入する。 - 特許庁

Then, the indium ions in the In ion implanted layer 12 are diffused to form an In deposition layer 13 near an interface between the TiN film 10 and the gate insulation film 9.例文帳に追加

次に熱処理によりＩｎイオン注入層１２中のインジウムを拡散させ、ＴｉＮ膜１０のゲート絶縁膜９との界面付近にＩｎ析出層１３を形成する。 - 特許庁

To provide a fixed side sliding material capable of ensuring a favorable design property, reducing sliding resistance and maintaining excellent wear resistance by a bristle-implanted section formed by piling.例文帳に追加

パイルで形成される植毛部によって、良好な意匠性の確保、摺動抵抗の軽減、および優れた耐摩耗性の維持を図ることのできる固定側摺動材を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode lead implanted in an organism, which is flexible, which can be reduced in diameter, and which enables the desired part of a lead body to be maintained in a desired shape matching any site of the body.例文帳に追加

柔軟でしかも細経化することができ、しかもリードボディの所望箇所を部位に応じた所望形状に維持できるようにした生体植設用電極リードの提供。 - 特許庁

Then, a P-type impurity having a middle concentration is ion-implanted to the P-type region 11 with the field oxide film 12 as an implantation mask for forming a P-type region 15 having an intermediate impurity concentration.例文帳に追加

次に、フィールド酸化膜１２を注入マスクとして、Ｐ型領域１１に中濃度のＰ型不純物をイオン注入し、中不純物濃度のＰ型領域１５を形成する。 - 特許庁

Then, the resist 104 that is previously cured is hardly shrunk when the resist 106 is exposed to light and developed, so that implanted ions are blocked and restrained from diffusing long in the lateral direction by the resist 104.例文帳に追加

すると、予め硬化されたレジスト１０４は、レジスト１０６を露光・現像する際に収縮しないため、注入されるイオンを遮蔽し、横方向拡散長を抑制する。 - 特許庁

To provide a stent for a vascular channel, which is capable of suppressing applying stimulation and load to the vascular channel by being easily deformed following the deformation of the vascular channel such as the blood vessel where the stent is implanted.例文帳に追加

植え込まれる血管等の脈管の変形に倣って容易に変形し、脈管に対し刺激や負荷を与えることを抑えることができる脈管用ステントの提供。 - 特許庁

The microelectro-optomechanical system(MEMS) optical device has a substrate having an implanted light reflection optical layer and a mounting substrate which is movably mounted with the mirror.例文帳に追加

マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光デバイスは、注入光反射光学層を備えた基板を有するミラーと、該ミラーが移動可能に取り付けられる取付け基板とを含んでいる。 - 特許庁

A cardiac pacing system 100 includes a leadless cardiac pacemaker 102 that contacts electrically with a cardiac muscle 104 of a heart chamber, is implanted, and is composed to perform leadless pacing.例文帳に追加

本発明に係る心臓ペーシングシステム１００は、心腔の心筋１０４と電気的に接触して植え込まれ、リードレスペーシングを行うように構成されたリードレス心臓ペースメーカー１０２を備える。 - 特許庁