「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting section 22 has an elongated shape extending in the extending direction of the neck section 12 and is arranged at the center of the bristled surface 20 with respect to the transverse direction and brushing bristles are implanted at both its sides.例文帳に追加

出光部２２は、ネック部１２の延伸方向に延びる細長い形状からなり、その短手方向に関し、植毛面２０の中央に配置されるとともに、両側にブラシ毛が植設されている。 - 特許庁

A semiconductor layer 1, a gate insulating film covering the layer 1, and scanning lines 3 on the gate insulating film are arranged on a substrate, after which impurity ions are implanted into the layer 1, using a resist film 406 as a mask.例文帳に追加

基板上に、半導体層１、これを覆うゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜２上に走査線３を配置した後、レジスト膜をマスクとして半導体層１に不純物イオンを注入する。 - 特許庁

In succession, after the main surface of a substrate 1 has been wet-cleaned, by using a neutral or mildly alkaline water solution that does not practically contain hydrogen peroxide, impurities are ion-implanted to the main surface of the substrate 1.例文帳に追加

続いて、基板１の主面を実質的に過酸化水素を含まない中性または弱アルカリ性の水溶液でウェット洗浄した後、基板１の主面に不純物をイオン注入する。 - 特許庁

This radially expandable prosthesis capable of being implanted inside a lumen has a tube-like wall having the inner face and the outer face, comprising elongated struts 1, 2, 4 each having a prescribed width.例文帳に追加

管腔内に植え込むことができる半径方向に拡張可能なプロテーゼは、内面及び外面を有すると共に所定幅の細長いストラット（１，２，４）で構成された管状壁を有している。 - 特許庁

One or more bent parts are provided to a pin terminal so as to make a part of the pin terminal parallel with a mounting surface, a stepped part is formed on the surface of the coil bobbin which faces the mounting surface, and the pin terminal is implanted in the recess of the coil bobbin.例文帳に追加

ピン端子に１箇所以上の屈曲部を設けて、実装面に平行な部分を形成するとともに、コイル用ボビンの実装側の面に段差を設け、凹部に前記ピン端子を植設する。 - 特許庁

The surface of an active layer 2 in a region for forming a via hole is removed partially by etching and ions are implanted in the region for forming a via hole up to a substantially constant depth from the surface of the active layer.例文帳に追加

バイアホール形成予定領域の能動層２表面の一部をエッチング除去し、バイアホール形成予定領域に能動層表面からほぼ一定の深さに不純物イオンを注入する。 - 特許庁

A plurality of blades 2 are implanted along an outer circumference of a disk 1 in such a manner that the blades 2 can be inserted and drawn out in a designated direction and retaining members 5 engaging and retaining the blades 2 are provided on one side of the designated direction of the blades 2.例文帳に追加

ディスク１の外周に沿って複数のブレード２を所定方向に挿抜自在に植設し、ブレード２の所定方向の一方側にブレード２に係合して保持する保持部材５を設ける。 - 特許庁

Thereafter, n-type impurity ions are implanted through the insulating film 17 and the side walls 16a and 16b as mask, so as to form n-type source regions 19a and 19c and an n-type drain region 19b.例文帳に追加

その後、絶縁膜１７及びサイドウォール１６ａ、１６ｂをマスクにして、Ｎ型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型ソース領域１９ａ、１９ｃ及びＮ型ドレイン領域１９ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a technique of making it possible to rationally inspect and sample a packed region with a waste water treatment apparatus packed with implantation members to be implanted with biological slimes in the packed region.例文帳に追加

充填領域に生物膜が着床する着床部材が充填された排水処理装置において、充填領域の点検やサンプリングを合理的に行うことを可能とする技術を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device which includes a semiconductor substrate and an impurity containing part formed by mounting a semiconductor substrate piece into the semiconductor subtrate in which an impurity is previously implanted.例文帳に追加

本発明は、半導体基板と、あらかじめ不純物が注入された半導体基板片を半導体基板に取り付けることによって形成された不純物含有部と、を備えた半導体素子である。 - 特許庁

Further, by compensating the setting of the ion implantation device depending on the estimated dose amount, the dose amount of ions implanted to a semiconductor substrate can be brought close to target dose amount.例文帳に追加

また、推定したドーズ量に応じてイオン注入装置の設定を補正することにより、半導体基板に対して注入するイオンのドーズ量を目標のドーズ量に近づけることができる。 - 特許庁

Thereafter ions of impurities are implanted in regions interposing a plurality of pixels P therebetween at positions different from the formation regions of the first pixel separation wells PS1 to form second pixel separation wells PS2.例文帳に追加

その後、第１の画素分離ウェルＰＳ１の形成領域と異なる位置において複数の画素Ｐを間に挟む領域に不純物をイオン注入して、第２の画素分離ウェルＰＳ２を形成する。 - 特許庁

Use of a tannin and a non-tannin material phytocomposition applied to the seedling seeds or seedling asexual multiplication members, or to implanted seedlings strongly promotes the seedling initial growth.例文帳に追加

タンニン及び非タンニン物質の植物組成物を、稚苗用種子若しくは稚苗用無性増殖メンバー又は移植された稚苗に適用し、稚苗の初期生育を大きく促進することが出来る。 - 特許庁

Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.例文帳に追加

また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁

To form a shielding film even on the halftone defect of a photomask implanted with Ga so that the repair of the halftone defect with high accuracy without peeling the shielding film by cleaning and heat is made possible.例文帳に追加

Ｇａの注入されたフォトマスクのハーフトーン欠陥上にも遮蔽膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのない、高精度なハーフトーン欠陥の修正を可能にする。 - 特許庁

Pile yarn 21, made of polyamide-based synthetic fiber is implanted in a fiber base material 11 and a backing layer 31, having many through holes 33 formed, is fitted to the reverse surface side of the fiber base material 11.例文帳に追加

繊維基材１１にポリアミド系合成繊維からなるパイル糸２１を植設し、前記繊維基材１１の裏面側に多数の貫通孔３３が形成されたバッキング層３１を取着した。 - 特許庁

Thereafter, a thick gate side wall 9 is formed on the thin insulating film 7, and ions are implanted through the thick gate side wall 9 as a mask to provide the optimum source/drain regions to the wide-space element.例文帳に追加

この後、薄い絶縁膜７の上にさらに厚いゲート側壁９を形成し、これをマスク材として広スペース素子に最適なソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第１不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト５ｂをマスクにＰ型不純物をイオン注入して第２の不純物層７を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of sufficiently securing a thickness of an insulating film arranged between a contact plug and an implanted gate electrode, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、コンタクトプラグと埋め込み型のゲート電極との間に配置される絶縁膜の厚さを十分に確保可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This in ground termiticide bait tube device for insect detection and control includes a first outer housing tube fixedly implanted into the ground and a second inner tube removably receivable within the outer housing.例文帳に追加

昆虫を検出し抑制するための地中シロアリ駆除／誘引管装置は、地中に固定して埋設される第一外管と外側ハウジング内に脱着可能に収められる第二内管を有する。 - 特許庁

After a via-hole 8 is formed in a carbon containing silicon oxide film 5, an electron receptor is absorbed or implanted at least to the carbon containing silicon oxide film 5 exposed to the walls of the via-hole 8.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜５にビアホ−ル８を形成した後、少なくともビアホ−ル８の壁面に露出した炭素含有シリコン酸化膜５に電子受容体を吸着させ又は注入する。 - 特許庁

A first conductive silicon film 30 is deposited on a gate insulating film 23 formed on a silicon substrate 20, and impurity ions are implanted into the surface of the first conductive silicon film 30 (Fig.2(a)).例文帳に追加

シリコン基板２０上に形成したゲート絶縁膜２３上に第１の導電性シリコン膜３０を堆積し、第１の導電性シリコン膜３０の表面に不純物イオンを注入する（図２（ａ））。 - 特許庁

The ion accelerated at 150 kV and the impurities accelerated at 30 kV which are not ion go out of the second accelerator 8 and enter into a wafer treatment chamber 11, to be implanted into a wafer W put on a mounting platform 12.例文帳に追加

１５０ｋＶで加速されたイオンと３０ｋＶで加速されたイオンでない不純物とが第２加速器８から出て行き、ウエハ処理室１１に入り、載置台１２に載置されたウエハＷに打ち込まれる。 - 特許庁

To suppress the distribution of an extended diffusion layer in the channel direction upon the formation of the extended diffusion layer by preventing an ion-implanted impurity from penetrating an offset sidewall.例文帳に追加

エクステンション拡散層を形成する際に、イオン注入される不純物がオフセットサイドウォールを突き抜けることを防止して、エクステンション拡散層がチャネル方向へ分布することを抑制することである。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

Since an ion beam IB from an ion generation part 8 is thus blocked by the open-close mechanism 11, the ion beam IB is implanted into a beam stop 20 in a target chamber 16, so that no particle is produced.例文帳に追加

したがって、イオンビーム発生部８からのイオンビームＩＢは開閉機構１１で遮断されるため、イオンビームＩＢがターゲットチャンバ１６内のビームストップ２０に打ち込まれてパーティクルが発生することは無い。 - 特許庁

Then, the source region 19, the first drain region 21A, and a second drain region 21B are activated in an atmosphere of nitrogen for about an hour at a temperature to activate the implanted region.例文帳に追加

その後、注入領域が活性化する温度の窒素雰囲気で１時間程度の熱処理を行なうことにより、ソース領域１９並びに第１及び第２のドレイン領域２１Ａ、２１Ｂを活性化する。 - 特許庁

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。 - 特許庁

When improving the sound shielding/absorbing performance, the grommet is constructed by forming the bristle implanted part for shielding/absorbing sound formed, by implanting short fibers at least on the outer face which includes a circular groove 30.例文帳に追加

遮音吸音性能を向上させる場合にあっては、少なくとも環状溝３０を含む外面に、短繊維を植毛してなる遮音吸音用の植毛部を設けてグロメットを構成する。 - 特許庁

A state setting step is set using the attribute containing the position of the trial particles formed corresponding to a molecule as the state of system, and the set trial particles of prescribed number is implanted.例文帳に追加

状態設定ステップは、分子に対応して構成された試行粒子の位置を範疇に含む属性を系の状態として設定し、設定された試行粒子を所定個数分だけターゲットに注入する。 - 特許庁

The plate member is formed of a steel having flanges bonded along the upper edge and lower edge, and stud dowel implanted on the flanges are buried in and bonded to the concrete of the upper floor slab or lower floor slab.例文帳に追加

板状部材は、鋼板からなるものであり、上辺及び下辺に沿ってフランジが接合され、このフランジに植設されたスタッドジベルを上床版又は下床版のコンクリートに埋め込んで接合する。 - 特許庁

Thereafter, a second sidewall is formed on the side of the first sidewall, and an impurity is implanted into the surface of the substrate by using the first and second sidewalls and the gate electrode as masks to form a second impurity diffused layer.例文帳に追加

その後、第１側壁の側面に、第２側壁を形成し、第１及び第２側壁及びゲート電極をマスクとして、基板表面に不純物を注入し、第２不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide an artificial bone having a dynamic property equal to an autogenous bone, excellent in tissue invasiveness and bone conductivity, and capable of being absorbed and replaced by an autogenous bone when implanted in a living body.例文帳に追加

生体骨と同等の力学的特性を有するとともに、組織侵入性及び骨伝導能に優れ、生体内に埋植した場合に生体骨へ吸収置換する人工骨を提供する。 - 特許庁

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing.例文帳に追加

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。 - 特許庁

To obtain the annealing time sufficient for recovering crystallinity of a part where ions are implanted and reducing the junction depth, without having to use many laser light sources, when forming a very shallow junction.例文帳に追加

極浅接合の形成に際し、多数のレーザ光源を用いることなく、イオンが打ち込まれた部分の結晶性を回復し且つ接合深さを浅くするのに必要十分なアニール時間を得る。 - 特許庁

A lever 41 is supported so as to be freely rotatable on a second supporting pin 40 implanted on the frame and is connected to the fountain key supporting base 3 through the second pin 51 provided on the fountain key supporting base 3 side.例文帳に追加

レバー４１はフレームに植設した第２の支持ピン４０に回動自在に支持され、壷キー支持台３側に設けられた第２のピン５１を介して壷キー支持台３に連結されている。 - 特許庁

The resist 104 is left unremoved, a resist 106 is applied, an exposure and development process are carried out to form an opening, and then ions are implanted using the resists 104 and 106 and a gate electrode 105 as masks.例文帳に追加

レジスト１０４を残したまま、レジスト１０６を塗布した後、露光・現像を行って開口部を形成し（図２（ｅ））、レジスト１０４，１０６及びゲート電極１０５をマスクにイオン注入を施す。 - 特許庁

The portable oral cavity information device capable of transmitting information on the personal identification is implanted or pasted in a restoration material, a prosthesis, an alveolar bone, an implant, or a tooth.例文帳に追加

個人認証に関する情報を送信できる口腔内情報携帯装置は、対象者の口腔内に装置される修復物、補綴物及び歯槽骨、インプラント、歯牙等に埋込んだり、又は、貼り付ける。 - 特許庁

When the implant structure 9 is implanted within the body, the outer surface of the second accommodating body 2 adheres to the biological tissue that comes into contact with it and facilitates fixation of the implant structure 9 within the body.例文帳に追加

埋め込み構造体９を体内に埋め込むと、第２収容体２の外表面は、接触した生体組織との間で癒着を生じるため、埋め込み構造体９は体内に定着し易くなる。 - 特許庁

The channel is annealed in a non-oxided atmosphere, then, the impurity is distributed in a higher concentration near an interface with a gate insulating film rather than near an interface with an implanted insulating film in the SOI layer.例文帳に追加

また、非酸化雰囲気中でチャネルアニールすることにより、前記ＳＯＩ層中の埋め込み絶縁膜との境界付近よりもゲート絶縁膜との境界付近に、前記不純物を高濃度に分布させる。 - 特許庁

As a result, many nails can be implanted in the game board, and the movement of game balls in a game region gives further variation to improve the amusement of the player.例文帳に追加

その結果、遊技盤に釘をより多く植設することができ、遊技領域での遊技球の運動に、より一層変化をもたせることができ、遊技者の興趣性の向上を図ることができる。 - 特許庁

The implantation of the N-type dopants and the implantation of the P-type dopants are performed so that an overlapped region 9, into which those dopants are repeatedly implanted, is surely formed (Fig. 1 (c)).例文帳に追加

Ｎ型不純物の注入、およびＰ型不純物の注入は、それらの不純物が重複して注入される重複領域９が必ず形成されるように実行される（図１（ｃ））。 - 特許庁

To provide a medical device capable of being coated, especially capable of being implanted, for minimizing or substantially eliminating a biological organism's reaction to an introduction of the medical device to the organism.例文帳に追加

生体への医療装置の導入に対する生物学的な生体反応を最少にするか実質的に無くすために被覆可能である医療装置、特に植え込み可能な医療装置を提供する。 - 特許庁

A fourth photo resist 26 having a fourth opening K4 (phosphor-implanted area) is formed in an area overlying partly over the P-type impurity area 25 on a silicon oxide film 23.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜２３上に、Ｐ型の不純物領域２５と部分的にオーバーラップする領域に第４の開口部Ｋ４（リン注入領域）を有する第４のホトレジスト２６を形成する。 - 特許庁

To prevent local temperature rising from exceeding the permissible threshold by minimizing the time required for temperature rising in order to check that the temperatures of the respective parts of an implanted bone attains the temperature suitable for sterilization.例文帳に追加

移植骨の各部の温度が殺菌に適する温度に達したことを確認するための昇温に要する時間を最小化し、局部的温度上昇が許容限度を超えないようする。 - 特許庁