「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter ions of impurities are implanted in regions interposing a plurality of pixels P therebetween at positions different from the formation regions of the first pixel separation wells PS1 to form second pixel separation wells PS2.例文帳に追加

その後、第１の画素分離ウェルＰＳ１の形成領域と異なる位置において複数の画素Ｐを間に挟む領域に不純物をイオン注入して、第２の画素分離ウェルＰＳ２を形成する。 - 特許庁

Use of a tannin and a non-tannin material phytocomposition applied to the seedling seeds or seedling asexual multiplication members, or to implanted seedlings strongly promotes the seedling initial growth.例文帳に追加

タンニン及び非タンニン物質の植物組成物を、稚苗用種子若しくは稚苗用無性増殖メンバー又は移植された稚苗に適用し、稚苗の初期生育を大きく促進することが出来る。 - 特許庁

Further, a p-type impurity is ion-implanted into an upper layer of the gate electrode 78 of the transistor using a mask 51 having an opening 50 narrower than a gate electrode width to form an LDD region 90.例文帳に追加

また、トランジスタのゲート電極７８の上層にゲート電極幅よりも狭い開口部５０を有するマスク５１を用いてｐ型の不純物をイオン注入してＬＤＤ領域９０を形成する。 - 特許庁

Then, by using the photoresist 30 for an implantation mask, N-type impurities 31 such as phosphorus are vertically implanted under an implantation condition that energy is 300 to 700 keV and a dosage is 1E12 to 1E14 ions/cm^2.例文帳に追加

次に、フォトレジスト３０を注入マスクに用いて、リン等のＮ型不純物３１を、エネルギーが３００〜７００ｋｅＶ、ドーズ量が１Ｅ１２〜１Ｅ１４ions／ｃｍ^2の注入条件で垂直注入する。 - 特許庁

The eccentric level of a molding tool itself is set to be close to 0 by increasing the precision of manufacturing and assembling the constituent members of the molding tool, when microholes are perforated in the molded product by pins implanted in the molding tool.例文帳に追加

金型に設けられたピンによって成形品に微小な孔を穿設する時に、金型の構成部材の製作精度および組み立て精度を高くして金型自体の偏心量を０に近付ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which is capable of dispensing with a process such as a resist separating process where the surface of a silicon substrate is liable to be oxidized, by a method wherein a natural oxide film is removed when ions are implanted.例文帳に追加

イオン注入時に自然酸化膜を除去しておき、レジスト剥離工程等のシリコン基板表面が酸化され易い工程を省略可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a subcutaneously implanted type body fluid flow volume regulator capable of surely adjusting the flow volume of body fluid flowing through a flow path to an appropriate volume and preventing the generation of excessive drainage.例文帳に追加

流路を流れる体液の流量を確実に適正な大きさに調整することができ、過排液が生ずることを防止することできる皮下埋設型体液流量調整装置を提供すること。 - 特許庁

To form a shielding film even on the halftone defect of a photomask implanted with Ga so that the repair of the halftone defect with high accuracy without peeling the shielding film by cleaning and heat is made possible.例文帳に追加

Ｇａの注入されたフォトマスクのハーフトーン欠陥上にも遮蔽膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのない、高精度なハーフトーン欠陥の修正を可能にする。 - 特許庁

Pile yarn 21, made of polyamide-based synthetic fiber is implanted in a fiber base material 11 and a backing layer 31, having many through holes 33 formed, is fitted to the reverse surface side of the fiber base material 11.例文帳に追加

繊維基材１１にポリアミド系合成繊維からなるパイル糸２１を植設し、前記繊維基材１１の裏面側に多数の貫通孔３３が形成されたバッキング層３１を取着した。 - 特許庁

Thereafter, a thick gate side wall 9 is formed on the thin insulating film 7, and ions are implanted through the thick gate side wall 9 as a mask to provide the optimum source/drain regions to the wide-space element.例文帳に追加

この後、薄い絶縁膜７の上にさらに厚いゲート側壁９を形成し、これをマスク材として広スペース素子に最適なソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The resist is coated again and left on the wafer formed by the first impurity layer, and a second impurity layer 7 is formed while being masked by a resist 5b and ion-implanted by a P-type impurity.例文帳に追加

さらにレジストを塗布し、第１不純物層が形成された基板面上にレジストを残し、このレジスト５ｂをマスクにＰ型不純物をイオン注入して第２の不純物層７を形成する。 - 特許庁

To provide a scrubbing tool in which a soft member is readily and rigidly fixed to a bristle tuft-implanted substrate piece without requiring complicated steps such as bonding and drying, and which has excellent scrubbing performance.例文帳に追加

接着、乾燥などの煩雑な工程を要することなく繊維束植設基片に対して軟質部材を容易にかつ強固に固定できると共に、摺洗能力に優れた摺洗具を提供する。 - 特許庁

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing.例文帳に追加

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。 - 特許庁

To obtain the annealing time sufficient for recovering crystallinity of a part where ions are implanted and reducing the junction depth, without having to use many laser light sources, when forming a very shallow junction.例文帳に追加

極浅接合の形成に際し、多数のレーザ光源を用いることなく、イオンが打ち込まれた部分の結晶性を回復し且つ接合深さを浅くするのに必要十分なアニール時間を得る。 - 特許庁

Also, a phosphorus ion 21 is implanted on condition that it stays on the insulating film 13 for the implantation mask at the P-type region forming position 9 and it stays in the SOI layer 5 at the N-type region forming position 11.例文帳に追加

また、リンイオン２１を、Ｐ型領域形成位置９では注入マスク用絶縁膜１３に留まり、Ｎ型領域形成位置１１ではＳＯＩ層５に留まる条件で注入する。 - 特許庁

A fourth photo resist 26 having a fourth opening K4 (phosphor-implanted area) is formed in an area overlying partly over the P-type impurity area 25 on a silicon oxide film 23.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜２３上に、Ｐ型の不純物領域２５と部分的にオーバーラップする領域に第４の開口部Ｋ４（リン注入領域）を有する第４のホトレジスト２６を形成する。 - 特許庁

To prevent local temperature rising from exceeding the permissible threshold by minimizing the time required for temperature rising in order to check that the temperatures of the respective parts of an implanted bone attains the temperature suitable for sterilization.例文帳に追加

移植骨の各部の温度が殺菌に適する温度に達したことを確認するための昇温に要する時間を最小化し、局部的温度上昇が許容限度を超えないようする。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and its apparatus which activate an ion-implanted impurity without changing the profile of the impurity as well as without causing a problem of a pattern volatilization, etc.例文帳に追加

イオン注入した不純物のプロファイルを崩すことなく、また、パターンの揮発などの問題を起こすことなく注入された不純物を活性化する熱処理方法及びその装置を提供することにある。 - 特許庁

A silicon oxide film 30 and silicon nitride film 31 are formed on a silicon substrate 28, and with a resist pattern 32 as a mask, a channel region 25 of a transistor is ion-implanted for adjusting a threshold voltage.例文帳に追加

シリコン基板２８上にシリコン酸化膜３０、シリコン窒化膜３１を形成し、レジストパターン３２をマスクとしてトランジスタのチャネル領域２５にしきい値電圧調整用のイオン注入を行う。 - 特許庁

When manufacturing a solid-state image pickup element having a vertical type overflow drain structure, ions are implanted on the entire surface of a silicon substrate 1 without using a resist mask to form an overflow barrier layer 11.例文帳に追加

縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子を製造するにあたり、レジストマスクを用いることなくシリコン基板１全面にイオン注入を行い、オーバーフローバリア層１１を形成する。 - 特許庁

To provide an ion implanting device of latter acceleration and former acceleration methods, capable of maintaining uniformly the dose of ions implanted into a wafer in the range from the surface of the wafer to a prescribed vertical depth.例文帳に追加

ウェーハに注入されるイオンのドーズ量がウェーハの表面から垂直で一定な深さの範囲で均一に維持されるようにする後加速及び先加速方式のイオン注入装置を提供する。 - 特許庁

To provide an evaluating method for measuring the thickness of a region where crystallinity is disturbed and the degree in disturbance of the crystallinity in non-destructive manner when a semiconductor region is implanted with impurity ion of high concentration.例文帳に追加

半導体領域に高濃度の不純物イオンを注入したときの結晶性の乱れた領域の厚みや結晶性の乱れの程度を非破壊で測定しうる評価方法を提供する。 - 特許庁

Brush bodies 29 for the individual discharge nozzles 28 are implanted on a nozzle forming face 27a of the nozzle plate 27 at positions with a predetermined distance to the liquid drop discharge nozzles 28 in the direction reverse to the Y arrow.例文帳に追加

また、ノズルプレート２７のノズル形成面２７ａには、各液滴吐出ノズル２８毎に、液滴吐出ノズル２８に対して反Ｙ矢印方向に所定の間隔をおいた位置に刷毛体２９を植設した。 - 特許庁

This in ground termiticide bait tube device for insect detection and control includes a first outer housing tube fixedly implanted into the ground and a second inner tube removably receivable within the outer housing.例文帳に追加

昆虫を検出し抑制するための地中シロアリ駆除／誘引管装置は、地中に固定して埋設される第一外管と外側ハウジング内に脱着可能に収められる第二内管を有する。 - 特許庁

After a via-hole 8 is formed in a carbon containing silicon oxide film 5, an electron receptor is absorbed or implanted at least to the carbon containing silicon oxide film 5 exposed to the walls of the via-hole 8.例文帳に追加

炭素含有シリコン酸化膜５にビアホ−ル８を形成した後、少なくともビアホ−ル８の壁面に露出した炭素含有シリコン酸化膜５に電子受容体を吸着させ又は注入する。 - 特許庁

A first conductive silicon film 30 is deposited on a gate insulating film 23 formed on a silicon substrate 20, and impurity ions are implanted into the surface of the first conductive silicon film 30 (Fig.2(a)).例文帳に追加

シリコン基板２０上に形成したゲート絶縁膜２３上に第１の導電性シリコン膜３０を堆積し、第１の導電性シリコン膜３０の表面に不純物イオンを注入する（図２（ａ））。 - 特許庁

The ion accelerated at 150 kV and the impurities accelerated at 30 kV which are not ion go out of the second accelerator 8 and enter into a wafer treatment chamber 11, to be implanted into a wafer W put on a mounting platform 12.例文帳に追加

１５０ｋＶで加速されたイオンと３０ｋＶで加速されたイオンでない不純物とが第２加速器８から出て行き、ウエハ処理室１１に入り、載置台１２に載置されたウエハＷに打ち込まれる。 - 特許庁

To suppress the distribution of an extended diffusion layer in the channel direction upon the formation of the extended diffusion layer by preventing an ion-implanted impurity from penetrating an offset sidewall.例文帳に追加

エクステンション拡散層を形成する際に、イオン注入される不純物がオフセットサイドウォールを突き抜けることを防止して、エクステンション拡散層がチャネル方向へ分布することを抑制することである。 - 特許庁

After the flattening operation, the etching stopper film remaining on the silicon oxide film is used as a mask to etch the silicon oxide film, and using this silicon oxide film and the gate electrode as masks, ion is implanted into the silicon layer.例文帳に追加

平坦化後、シリコン酸化膜上に残ったエッチングストッパ膜をマスクとして、シリコン酸化膜のエッチングを行い、このシリコン酸化膜、及び、ゲート電極をマスクとして、シリコン層にイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of sufficiently securing a thickness of an insulating film arranged between a contact plug and an implanted gate electrode, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、コンタクトプラグと埋め込み型のゲート電極との間に配置される絶縁膜の厚さを十分に確保可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Then, the source region 19, the first drain region 21A, and a second drain region 21B are activated in an atmosphere of nitrogen for about an hour at a temperature to activate the implanted region.例文帳に追加

その後、注入領域が活性化する温度の窒素雰囲気で１時間程度の熱処理を行なうことにより、ソース領域１９並びに第１及び第２のドレイン領域２１Ａ、２１Ｂを活性化する。 - 特許庁

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。 - 特許庁

When improving the sound shielding/absorbing performance, the grommet is constructed by forming the bristle implanted part for shielding/absorbing sound formed, by implanting short fibers at least on the outer face which includes a circular groove 30.例文帳に追加

遮音吸音性能を向上させる場合にあっては、少なくとも環状溝３０を含む外面に、短繊維を植毛してなる遮音吸音用の植毛部を設けてグロメットを構成する。 - 特許庁

A state setting step is set using the attribute containing the position of the trial particles formed corresponding to a molecule as the state of system, and the set trial particles of prescribed number is implanted.例文帳に追加

状態設定ステップは、分子に対応して構成された試行粒子の位置を範疇に含む属性を系の状態として設定し、設定された試行粒子を所定個数分だけターゲットに注入する。 - 特許庁

The plate member is formed of a steel having flanges bonded along the upper edge and lower edge, and stud dowel implanted on the flanges are buried in and bonded to the concrete of the upper floor slab or lower floor slab.例文帳に追加

板状部材は、鋼板からなるものであり、上辺及び下辺に沿ってフランジが接合され、このフランジに植設されたスタッドジベルを上床版又は下床版のコンクリートに埋め込んで接合する。 - 特許庁

As a result of this setup, an ion beam is focused into an ion beam 1b as shown, and while the ions the continuously implanted much limited in doses per unit time, a wafer 7 is cooled down, and accumulated charge is discharged.例文帳に追加

これにより、イオンビームは１０ｂで示すように絞られ、単位時間当たりのドーズ量が大きく制限されつつ、イオン注入は継続して行われ、ウェハ７が冷却され、チャージ電荷が放電される。 - 特許庁

Thereafter, a second sidewall is formed on the side of the first sidewall, and an impurity is implanted into the surface of the substrate by using the first and second sidewalls and the gate electrode as masks to form a second impurity diffused layer.例文帳に追加

その後、第１側壁の側面に、第２側壁を形成し、第１及び第２側壁及びゲート電極をマスクとして、基板表面に不純物を注入し、第２不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide an artificial bone having a dynamic property equal to an autogenous bone, excellent in tissue invasiveness and bone conductivity, and capable of being absorbed and replaced by an autogenous bone when implanted in a living body.例文帳に追加

生体骨と同等の力学的特性を有するとともに、組織侵入性及び骨伝導能に優れ、生体内に埋植した場合に生体骨へ吸収置換する人工骨を提供する。 - 特許庁

That means, the quantity of electrons to be outputted from the drain D changes due to the input of both application potential to a gate electrode GE and reverse spin quantity to be implanted from the reverse spin implanting section R.例文帳に追加

すなわち、ゲート電極ＧＥへの印加電位と、逆スピン注入部Ｒから注入される逆向きスピン量の双方の入力によって、ドレインＤから出力される電子量が変化する。 - 特許庁

To provide a thermal processing apparatus and a thermal processing method, capable of performing both of activation of implanted impurities and restoration of introduced defects while suppressing damages to be given to a substrate.例文帳に追加

基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。 - 特許庁

In the ion beam guide tube in the ion implanter, the guide tube 16 is arranged in the vicinity of the semiconductor wafer being implanted in the ion implanter.例文帳に追加

イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。 - 特許庁

The conduits 24a, 24b are implanted between the left ventricle 12 and the descending aorta 18 where ventricular blood flows from the left ventricle 12 directly into the descending aorta 18 and bypasses an aortic valve 16.例文帳に追加

心室の血液が左室１２から直接下行大動脈１８に流れ、大動脈弁１６を迂回する導管２４ａ，２４ｂが、左室１２と下行大動脈１８との間に移植される。 - 特許庁

Ions are implanted, for example, by ionizing gas or vapor of dimer or decaborane, by direct electron impact ionization adjacent the outlet aperture (46, 176) of the ionization chamber (80, 175).例文帳に追加

イオン化チャンバー（８０，１７５）の出口開口部(４６，１７６)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing MOS-FET semiconductor device which makes a concentration of impurity of a surface side of channel area of a perfect depletion type SOI layer higher than that of an implanted insulating film side.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩ層のチャネル領域の表面側の不純物濃度が、埋め込み絶縁膜側に比べて高濃度となるＭＯＳ−ＦＥＴ半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A brush body 1 on which brushes 2 are implanted and forming a part of a handle and a narrow and long case 3 formed its one side into an open face are foldably connected at mutual one ends via a pivot 6.例文帳に追加

ブラシ２を植設し柄の一部を形成するブラシ本体１と、一方の側面を解放面にした細長いケース３とを、一方端相互を枢軸６を介して折り畳み可能に連結する。 - 特許庁