「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

The sealing member 30 includes a slide member 33 having fibers with good sliding property implanted by electrostatic flocking through an adhesive layer 32 on a surface of a support layer 31 and an adhesive layer 34 with flexibility is provided on a back surface.例文帳に追加

シール材３０は、支持層３１の表面に接着膜３２を介して、摺動性の良い繊維が静電植毛された摺動部材３３を有し、裏面には、柔軟性のある接着層３４を有している。 - 特許庁

Using a first mask 2, a second conductivity-type buried well 3 is formed, and a second conductivity-type impurity ion for determining the threshold of the transistor of a memory cell is implanted in a memory cell part 1.例文帳に追加

第１のマスク２を用いて、第２導電型の埋め込みウェル３を形成し、引続き、メモリセルのトランジスタのしきい値を決定するための第２導電型の不純物イオンをメモリセル部分１に注入する。 - 特許庁

Prior to a Cu film 25 is deposited on the surface of an inter- layer insulating film 21 comprising BCB, Ti is implanted in to the surface of the inter-layer insulating film 21 comprising the BCB using a Ti ion 23 extracted from an ionized plasma of Ti.例文帳に追加

BCBで構成される層間絶縁膜２１の表面にCu膜２５を堆積する前に、Tiのイオン化プラズマから引き出されたTiイオン２３で、BCBで構成される層間絶縁膜２１表面にTiを注入する。 - 特許庁

Subsequently, ions are implanted entirely in the backside of the semiconductor wafer 20 where the N+ type region 9 is formed (Fig. 3(a)), and a P+ type region 10 is formed on the surface layer of the N+ type region 9 (Fig. 3(b)).例文帳に追加

この後、Ｎ＋型領域９が形成された半導体ウェハ２０の裏面全体にイオン注入を行い（図３（ａ））、Ｎ＋型領域９の表層部にＰ＋型領域１０を形成する（図３（ｂ））。 - 特許庁

A sacrificial oxide layer 1 and a polysilicon/silicon nitride film are deposited sequentially on a substrate 2, an opening is made therein by etching (at the part of 5, 15) and ions are implanted in order to suppress hot carriers 11 thus suppressing punch through 8 between source and drain.例文帳に追加

基板２上に犠牲酸化物層１及びポリシリコン・窒化珪素膜を順次堆積し、エッチング開口（５・１５の部分）してソースドレイン間のパンチスルー抑制用８ホツトキャリア抑制用１１のイオン注入を行う。 - 特許庁

Single-layer insulating films 3 and 5 which have different thicknesses are formed at different places on a semiconductor substrate 1, and are implanted with impurity ions to thereby form a plurality of impurity regions on the substrate 1 simultaneously.例文帳に追加

半導体基板１上の複数の箇所に、互いに膜厚が異なる単層の絶縁膜３，５をそれぞれ形成し、不純物をイオン注入して半導体基板１に複数の不純物領域を同時形成する。 - 特許庁

The resist stripper has excellent resist strippability, in particular, excellent strippability for an ion-implanted resist.例文帳に追加

アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び／又はその塩を含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a package laminated structure which is not dependent on the thickness of a semiconductor chip, and to provide a semiconductor device having a package laminated structure enabling an underfill material to be stably implanted.例文帳に追加

半導体チップの厚さに依存しないパッケージ積層構造を有する半導体装置、及び、アンダーフィル材の安定的な注入を可能とするパッケージ積層構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides.例文帳に追加

ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles.例文帳に追加

高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。 - 特許庁

A first dopant of the first conductivity type is implanted into the substrate 1 on the first main side with the gate electrode layers 3 and 3' as a mask and is diffused into the substrate 1 to form an enhancement layer.例文帳に追加

第一の導電性タイプの第一のドーパントが、前記ゲート電極層３，３’をマスクとして用いて、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、エンハンスメント層を形成する。 - 特許庁

To provide a non-destructive method for measuring in higher accuracy a crystallization ratio in the depth direction of a semiconductor region that has been changed to an amorphous region with implanted ions by measuring a reflectivity of a polycrystal silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。 - 特許庁

A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench.例文帳に追加

本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。 - 特許庁

The first insulation film 4 and the second insulation film 5 are formed to cover an LDD region 2c, and its film thickness is set to adjust the amount of impurities implanted to the LDD region 2c.例文帳に追加

第１の絶縁膜４及び第２の絶縁膜５は、ＬＤＤ領域２ｃを覆うように形成され、同ＬＤＤ領域２ｃに注入される不純物の量を調整すべく、その膜厚が設定されている。 - 特許庁

The invention relates to a system to modify refractivity of a cornea of an eye, and includes a ring shape first component (22) adapted to be implanted at a first depth in the cornea (14).例文帳に追加

本発明は、眼の角膜の屈折特性を調節するためのシステムに関するものであって、角膜（１４）内の第１深さのところに埋設され得るよう構成されたリング形状の第１部材（２２）を具備している。 - 特許庁

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate.例文帳に追加

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。 - 特許庁

To increase light intensity of fluorescence with a wavelength in a predetermined wavelength range with respect to excitation light with a wavelength in a predetermined wavelength range, compared with a nanodiamond in which a hydrogen ion or a helium ion is implanted.例文帳に追加

ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。 - 特許庁

The national strategy based on the national goal was specified to protect and expand the interests which were implanted in Manchuria and the Korean Empire and the development of resources of a nation which was extending to the Southeast Asia and China. 例文帳に追加

そしてこの国家目標に基づく国家戦略としては、満州及び大韓帝国に扶植した利権と東南アジア・中国に拡張しつつある民力の発展の擁護と拡張であると定められたのだった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A fountain key supporting base 3 is supported so as to be rotatable on a first supporting pin 8 implanted on a frame between an ink fountain forming state and a state in which the fountain key supporting base 3 is separated from an ink fountain roller 1.例文帳に追加

壷キー支持台３はフレームに植設した第１の支持ピン８に、インキ壷を形成する状態と壷キー支持台３をインキ壷ローラ１から離間させた状態との間を回動自在に支持されている。 - 特許庁

To provide a medical device, particularly a medical device capable of being implanted which can be coated for minimizing or substantially eliminating a definite biological living body reaction against the introduction of the medical device into a living body.例文帳に追加

生体への医療装置の導入に対する一定の生物学的な生体反応を最少にするか実質的に無くすために被覆可能である医療装置、特に移植可能な医療装置を提供する。 - 特許庁

To provide a medical device which can be coated to minimize or substantially eliminate certain biological reaction against the introduction of the medical device into a living body, especially a medical device which can be implanted.例文帳に追加

生体への医療装置の導入に対する一定の生物学的な生体反応を最少にするか実質的に無くすために被覆可能である医療装置、特に移植可能な医療装置を提供する。 - 特許庁

In succession, a second oxide layer is grown on all the surface, by which the thickest oxide layer 22 gets thicker, the oxide layer scarcely grows on the ion-implanted region 18 to become a thinnest part 24, and the other part becomes a part 26 of intermediate thickness.例文帳に追加

続いて２度目の酸化物層を全面に成長させることにより、最大厚部２２は更に厚く、イオン注入領域１８上は成長が進まず最小厚部２４となり、他は中間厚部２６となる。 - 特許庁

With respect to a semiconductor device 1 in the complete depletion-type SOI(Silicon On Insulator) transistor, impurities are implanted in a channel formation portion 10 with nonuniform concentrations in the direction of the length of a gate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置１は、完全空乏型のＳＯＩ（Silicon on Insulator）トランジスタにおいて、チャネル形成部１０における不純物濃度が、ゲート２の長さ方向に沿って不均一に注入されているものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can reduce a region, where ions can not be implanted by an oblique ion implantation method because the shadow of a block layer falls on the region, and can improve the integration rate of a semiconductor chip.例文帳に追加

斜めイオン注入工程においてブロック層の影となってイオン注入できない領域を低減でき、半導体素子の集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The connecting metal fitting 3 has a pair of upper and lower slender sandwiching plates 5 and 6, two bolts 7 are implanted at an interval in the lower side sandwiching plate 5, and a hole 8 for passing these bolts is bored in the upper side sandwiching plate 6.例文帳に追加

連結金具３は上下一対の細長い挟持板５、６を有し、下側の挟持板５には、間隔をあけて２本のボルト７が植設され、上側の挟持板６には、これらボルトが通る孔８があいている。 - 特許庁

A coating (6) of a comparatively soft metal is applied by electrical discharge surface treatment at a part (5) undergoing a specific pressure from a disc (7) in an implantation part (4) of the blade (1) to be implanted in a disc (7) of the compressor of the gas turbine.例文帳に追加

ガスタービンエンジンの圧縮機のディスク（７）に植込まれる翼（１）の植込み部（４）において、ディスク（７）から面圧を受ける部分（５）に、放電表面処理を用いて比較的軟らかい金属をコーティング（６）する。 - 特許庁

This band, particularly, an adjustable band 10 can be implanted, by being arranged around an anatomical passage, for example, a stomach 12 or the other lumen, and has the non-mechanical attachment mechanism for mutually connecting two end parts 40 and 42.例文帳に追加

解剖学的通路、例えば胃（１２）又は他の管腔の周りに配置される植え込み可能な帯、特に可調式帯（１０）は、２つの端部（４０，４２）を互いに連結する非機械的取付け機構を有する。 - 特許庁

Each device is inserted into each row of the implanting holes to be implanted with the second bristle tuft and shifted in a specified direction and in a specified order.例文帳に追加

第２の植毛機に少なくとも２本の毛分け具を付設しておき、各毛分け具を第２のブリッスル束を植毛すべき植毛穴の各列に挿入し、それらの毛分け具を特定の方向に特定の順序に移動させる。 - 特許庁

To respond to complicatedly recessed/projecting surface of a coated object, in a brush implanted with bristles having polishing property, simultaneously executing polishing, base polishing, and sanding work when executing work for cleaning dirt, float and peel of a coating film, or the like on the object to be coated.例文帳に追加

塗装する被塗物に対して、汚れ、塗膜の浮き・剥れ等の洗浄作業を行なう時に、研磨、足付け、サンディング作業を同時に行なえる研磨性を有した毛を植設したブラシを提供することにある。 - 特許庁

A control part 41 of the console 4 is constituted to stop the wireless communication between the communication part 26 and the communication part 46 when the pacemaker is implanted in the heart of the subject based on the pacemaker presence/absence information.例文帳に追加

コンソール４の制御部４１は、ペースメーカ有無情報に基づき、被験者の心臓にペースメーカが装着されている場合に通信部２６と通信部４６との間での無線通信を停止させるようになっている。 - 特許庁

An enhancement region is implanted through a spaced narrow window early in a process and is located in a JFET common conduction region which is formed later by and between the spaced base strips.例文帳に追加

エンハンスメント領域を、そのプロセスの初期段階に離間された浅い窓を通して注入し、かつ、後に、離間されたベースストリップによりおよびその間に形成されるＪＦＥＴの一般の伝導領域に設置する。 - 特許庁

The rotary brush 20 comprises brush elements 22 repetitively implanted in the rotating shaft 21 in its peripheral direction so that they are dense at the inward side of the rotating shaft 21 in its radial direction and thin at the outward side thereof.例文帳に追加

回転ブラシ２０において、ブラシエレメント２２の密度が回転軸２１に対する半径方向の内方側で密に、外方側で粗になる植設状態を、回転軸２１の周方向で繰り返してなるもの。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element, having maximum luminance higher than a conventional one by quenching little a triplet exiton by an implanted carrier, even if color purity is enhanced and electric current density is enhanced.例文帳に追加

色純度が高く、かつ、電流密度を高くしても、注入されたキャリヤによって三重項励起子がクエンチされにくい、したがって、従来のものより最高輝度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface.例文帳に追加

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。 - 特許庁

N-type dose is selectively implanted with a mask to form an N source 201, further a trench for the gate is etched with a mask to form an insulating film 204, on which a polysilicon is deposited and flattened except for the gate 205.例文帳に追加

マスクにより選択的にＮ型ドーズを注入してＮソース２０１を形成し、更にマスクしてゲート用トレンチをエツチングして絶縁膜２０４を成膜の上ポリシリコンを堆積しゲート２０５を残して平坦化する。 - 特許庁

After ions are implanted into the source and drain of the PMOS transistor, the PMOS gate structure is masked to etch the NMOS sidewall structure 102 into a reduced thickness, while leaving the PMOS sidewall structure 101 unchanged.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン注入後、ＰＭＯＳゲート構造がマスキングされて、ＮＭＯＳ側壁構造（１０２）がエッチングされて厚みが減少する一方、ＰＭＯＳ側壁構造（１０１）は変化しないまま残る。 - 特許庁

Doping of an extension region of a source and a drain is carried out by cluster ion implantation, and annealing to promote activation of implanted impurities is carried out at a temperature which is not lower than 1,200°C, and in a time which is not shorter than 0.01 seconds.例文帳に追加

ソースとドレインのエクステンション領域のドーピングをクラスターイオン注入で行い、注入された不純物の活性化を促進させるアニールを１２００℃以上かつ０．０１秒未満の条件で行う。 - 特許庁

For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1.例文帳に追加

この条件では、リンイオンは、低耐圧のＮＭＯＳ領域では基板に注入されるが、高耐圧のＰＭＯＳ領域では、厚いゲート酸化膜５ｂ中に止まり、シリコン基板１に達しない。 - 特許庁

While a p-channel MISFET is covered with a mask layer RM, ion (including at least a kind of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr) is implanted to the n-type source region and n-type drain region of n-channel MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

On an insulating substrate 1, a backing oxide film 2 and an a-Si film 3 are formed, impurity ions are implanted, laser light is irradiated for melting/re-crystallization, and thus a p-type polycrystalline silicon film 3 is formed and machined into an island shape.例文帳に追加

絶縁基板１の上に下地酸化膜２とａ−Ｓｉ膜３を成膜し、不純物イオンを打ち込み、レーザ光を照射して溶融・再結晶化し、ｐ型の多結晶シリコン膜３を生成、島状に加工する。 - 特許庁

Irregularities 19 are provided on the rear of a wafer by wet etching, and then phosphorus (P) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 190 keV, and an average projection range is, for instance 0.24 μm.例文帳に追加

ウエットエッチングにより、ウエハの裏面に凹凸部１９が形成された後、加速エネルギーが例えば１９０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．２４μｍの条件で、例えばリン（Ｐ）がイオン注入される。 - 特許庁

To provide a method for dyeing a plush fabric for beddings comprising a ground fabric and plush implanted therein and giving plush fabrics for beddings with graceful and magnificent appearance and sophisticated feeling.例文帳に追加

基布とこの基布に植設された立毛とからなる寝装品用立毛生地の染色方法であって、優美で華麗な外観を呈し、高級感のある寝装品用立毛生地が得られる染色方法を提供する。 - 特許庁

A first laser pulse at a wavelength of ≤850 nm is made incident on a first surface of the semiconductor substrate having impurities implanted to a surface layer portion of the first surface, to heat the first surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の表面の表層部に不純物が注入された半導体基板の第１の表面に、波長８５０ｎｍ以下の第１のレーザパルスを入射させて、半導体基板の第１の表層部を加熱する。 - 特許庁

Systems are implanted by testing external or implantable devices at different tissue sites, observing physiologic and device responses, and selecting sites with preferred performance for implanting the systems.例文帳に追加

システムは異なる組織部位で外部または移植可能なデバイスを試験し、生理学的な反応およびデバイスの反応を観察し、システムを移植するための好ましい性能を有する部位を選択することにより移植される。 - 特許庁