「implanted」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A dummy gate insulating film 407 and a dummy gate electrode 409 are formed and impurities are implanted in a polycrystalline silicon film 405 by a self alignment to form source and drain regions 405S and 405D in the film 405.例文帳に追加

ダミーゲート絶縁膜４０７及びダミーゲート電極４０９を形成し、多結晶シリコン膜４０５に自己整合的に不純物を注入してソース領域４０５Ｓ及びドレイン領域４０５Ｄを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be suppressed in variation of threshold voltage by separating the active region of a field effect transistor and the ion-implanted region of a body contact without forming a parasitic MOS.例文帳に追加

電界効果トランジスタの活性領域とボディコンタクト部のイオン注入領域とを寄生ＭＯＳ部を設けることなく分離させて、閾値電圧の変動を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a package laminated structure which is not dependent on the thickness of a semiconductor chip, and to provide a semiconductor device having a package laminated structure enabling an underfill material to be stably implanted.例文帳に追加

半導体チップの厚さに依存しないパッケージ積層構造を有する半導体装置、及び、アンダーフィル材の安定的な注入を可能とするパッケージ積層構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides.例文帳に追加

ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。 - 特許庁

To provide a production process of a semiconductor device that can remove a resist film in a short time, the resist film having a cured layer after having implanted a high dose amount of ion, almost without oxidizing the semiconductor substrate and without generating particles.例文帳に追加

高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

With the use of a silicon substrate 20 having a crystal face orientation of 110 and a thickness of 500 μm, germanium Ge is ion-injected to a surface of the silicon substrate 20, whereby a layer 30a having the Ge implanted is formed.例文帳に追加

結晶面方位１１０の厚さ５００μｍのシリコン基板２０を用いて、このシリコン基板２０の表面にゲルマニウムＧｅをイオン注入することによって、Ｇｅが打ち込まれた層３０ａを形成する。 - 特許庁

The ion implanted layer 23 is turned to a P--type impurity layer 24 by forced oxidation, and a silicon thermal oxide film 21b is formed on the surface of the cathode side of the substrate 45 (S4a).例文帳に追加

そして、前記イオン注入層２３を押込み酸化してｐ^-型不純物層２４を形成すると共に、前記ｎ^-型半導体基板４５のカソード面側表面にシリコン熱酸化膜２１ｂを形成する(Ｓ４ａ)。 - 特許庁

A first dopant of the first conductivity type is implanted into the substrate 1 on the first main side with the gate electrode layers 3 and 3' as a mask and is diffused into the substrate 1 to form an enhancement layer.例文帳に追加

第一の導電性タイプの第一のドーパントが、前記ゲート電極層３，３’をマスクとして用いて、第一のメインサイドで基板１の中に注入され、基板１の中に拡散され、エンハンスメント層を形成する。 - 特許庁

To provide a non-destructive method for measuring in higher accuracy a crystallization ratio in the depth direction of a semiconductor region that has been changed to an amorphous region with implanted ions by measuring a reflectivity of a polycrystal silicon.例文帳に追加

多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。 - 特許庁

The first insulation film 4 and the second insulation film 5 are formed to cover an LDD region 2c, and its film thickness is set to adjust the amount of impurities implanted to the LDD region 2c.例文帳に追加

第１の絶縁膜４及び第２の絶縁膜５は、ＬＤＤ領域２ｃを覆うように形成され、同ＬＤＤ領域２ｃに注入される不純物の量を調整すべく、その膜厚が設定されている。 - 特許庁

The invention relates to a system to modify refractivity of a cornea of an eye, and includes a ring shape first component (22) adapted to be implanted at a first depth in the cornea (14).例文帳に追加

本発明は、眼の角膜の屈折特性を調節するためのシステムに関するものであって、角膜（１４）内の第１深さのところに埋設され得るよう構成されたリング形状の第１部材（２２）を具備している。 - 特許庁

To provide a method for forming a gate film, wherein when a nitrogen is implanted in a silicon substrate for suppressing an oxidation speed, the thickness of oxide film formed by the oxidation process can be made smaller with good controllability.例文帳に追加

本発明は、窒素をシリコン基板中に注入して酸化速度を抑制する際に、酸化処理によって形成される酸化膜厚を制御性良く薄くできるゲート膜形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Metal ions are implanted into nano-diamond ND to form magnetic nano-diamond grains, and a functional group (a) for applying hydrophilicity thereto and a functional group (b) for improving dispersibility in a medium are included in the nano-diamond surface.例文帳に追加

ナノダイヤモンドＮＤに金属イオンをイオン注入して、磁気ナノダイヤモンド粒子を作成し、さらにナノダイヤモンド表面に親水性を付与する官能基（ａ）と媒質中への分散性を高める官能基（ｂ）を含有させた。 - 特許庁

A dopant 120 is implanted, at the same time, into a polysilicon region 130 used for forming the gate electrode of an NMOS transistor and a source line 77 in the flash memory array region 90.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成するために使用することになる多結晶シリコン領域１３０とフラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線７７とに一緒に同時にドーパント１２０を打ち込む。 - 特許庁

After ions are implanted into the source and drain of the PMOS transistor, the PMOS gate structure is masked to etch the NMOS sidewall structure 102 into a reduced thickness, while leaving the PMOS sidewall structure 101 unchanged.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン注入後、ＰＭＯＳゲート構造がマスキングされて、ＮＭＯＳ側壁構造（１０２）がエッチングされて厚みが減少する一方、ＰＭＯＳ側壁構造（１０１）は変化しないまま残る。 - 特許庁

An enhancement region is implanted through a spaced narrow window early in a process and is located in a JFET common conduction region which is formed later by and between the spaced base strips.例文帳に追加

エンハンスメント領域を、そのプロセスの初期段階に離間された浅い窓を通して注入し、かつ、後に、離間されたベースストリップによりおよびその間に形成されるＪＦＥＴの一般の伝導領域に設置する。 - 特許庁

The rotary brush 20 comprises brush elements 22 repetitively implanted in the rotating shaft 21 in its peripheral direction so that they are dense at the inward side of the rotating shaft 21 in its radial direction and thin at the outward side thereof.例文帳に追加

回転ブラシ２０において、ブラシエレメント２２の密度が回転軸２１に対する半径方向の内方側で密に、外方側で粗になる植設状態を、回転軸２１の周方向で繰り返してなるもの。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element, having maximum luminance higher than a conventional one by quenching little a triplet exiton by an implanted carrier, even if color purity is enhanced and electric current density is enhanced.例文帳に追加

色純度が高く、かつ、電流密度を高くしても、注入されたキャリヤによって三重項励起子がクエンチされにくい、したがって、従来のものより最高輝度の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。 - 特許庁

Doping of an extension region of a source and a drain is carried out by cluster ion implantation, and annealing to promote activation of implanted impurities is carried out at a temperature which is not lower than 1,200°C, and in a time which is not shorter than 0.01 seconds.例文帳に追加

ソースとドレインのエクステンション領域のドーピングをクラスターイオン注入で行い、注入された不純物の活性化を促進させるアニールを１２００℃以上かつ０．０１秒未満の条件で行う。 - 特許庁

This band, particularly, an adjustable band 10 can be implanted, by being arranged around an anatomical passage, for example, a stomach 12 or the other lumen, and has the non-mechanical attachment mechanism for mutually connecting two end parts 40 and 42.例文帳に追加

解剖学的通路、例えば胃（１２）又は他の管腔の周りに配置される植え込み可能な帯、特に可調式帯（１０）は、２つの端部（４０，４２）を互いに連結する非機械的取付け機構を有する。 - 特許庁

Each device is inserted into each row of the implanting holes to be implanted with the second bristle tuft and shifted in a specified direction and in a specified order.例文帳に追加

第２の植毛機に少なくとも２本の毛分け具を付設しておき、各毛分け具を第２のブリッスル束を植毛すべき植毛穴の各列に挿入し、それらの毛分け具を特定の方向に特定の順序に移動させる。 - 特許庁

For this condition, the phosphorus ions are implanted in the substrate in an N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region, but the phosphorus ions are stopped in the thick gate oxide film 5b in a P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region and do not reach the substrate 1.例文帳に追加

この条件では、リンイオンは、低耐圧のＮＭＯＳ領域では基板に注入されるが、高耐圧のＰＭＯＳ領域では、厚いゲート酸化膜５ｂ中に止まり、シリコン基板１に達しない。 - 特許庁

On an insulating substrate 1, a backing oxide film 2 and an a-Si film 3 are formed, impurity ions are implanted, laser light is irradiated for melting/re-crystallization, and thus a p-type polycrystalline silicon film 3 is formed and machined into an island shape.例文帳に追加

絶縁基板１の上に下地酸化膜２とａ−Ｓｉ膜３を成膜し、不純物イオンを打ち込み、レーザ光を照射して溶融・再結晶化し、ｐ型の多結晶シリコン膜３を生成、島状に加工する。 - 特許庁

To respond to complicatedly recessed/projecting surface of a coated object, in a brush implanted with bristles having polishing property, simultaneously executing polishing, base polishing, and sanding work when executing work for cleaning dirt, float and peel of a coating film, or the like on the object to be coated.例文帳に追加

塗装する被塗物に対して、汚れ、塗膜の浮き・剥れ等の洗浄作業を行なう時に、研磨、足付け、サンディング作業を同時に行なえる研磨性を有した毛を植設したブラシを提供することにある。 - 特許庁

A control part 41 of the console 4 is constituted to stop the wireless communication between the communication part 26 and the communication part 46 when the pacemaker is implanted in the heart of the subject based on the pacemaker presence/absence information.例文帳に追加

コンソール４の制御部４１は、ペースメーカ有無情報に基づき、被験者の心臓にペースメーカが装着されている場合に通信部２６と通信部４６との間での無線通信を停止させるようになっている。 - 特許庁

On one end of a pin spindle 1, a spacer 4 made of shape memory alloy is hooked and mated with the pin spindle for correlating a deformation of the above spacer 4 with a move of the axis center direction of the pin spindle 1, while a pin 7 made of carbide is implanted in another end of the pin spindle 1.例文帳に追加

ピン軸１の一方に形状記憶合金製のスペーサー４を係着し、該スペーサー４の変形をピン軸１の軸心方向の移動に関与させ、他方に超硬合金製のピン７を植設する。 - 特許庁

To provide a composition comprising a peptide compound that can be stored at an elevated temperature for a long time and is particularly useful in a feeding apparatus that can be implanted for the delivery of a medicine for a long time.例文帳に追加

長期間高められた温度で貯蔵されることが出来、そして医薬の長期間送り出しのための植え込み可能な送り出し器具において特に有用なペプチド化合物の配合物を提供すること。 - 特許庁

Flat brushes 2 and 3 on which brush hairs 5 and 6 are diagonally upwardly implanted are attached to the right side and the left side of an umbrella inserting part 1 into which an umbrella is inserted, and the brush hairs 5 and 6 are set at such length that they are applied to each other from the right and the left.例文帳に追加

傘を挿入する傘挿入部１の左右に、ブラシの毛５、６が斜め上を向けて植毛されている平面状ブラシ２、３を付け、ブラシの毛５、６が左右より互いに触れ合う長さにしてある。 - 特許庁

To prevent a step of an inter layer insulating film which is caused from ununiformity of a concentration of a P type impurity ion-implanted into the inter layer insulating film in a P+pickup area and failure of a bridge between bit lines related to it.例文帳に追加

Ｐ＋ピックアップ領域の層間絶縁膜内にイオン注入されるＰ型不純物の濃度の不均一によって生じる層間絶縁膜の段差及びそれに係るビットライン間ブリッジの不良を防止する。 - 特許庁

The sealing member 30 includes a slide member 33 having fibers with good sliding property implanted by electrostatic flocking through an adhesive layer 32 on a surface of a support layer 31 and an adhesive layer 34 with flexibility is provided on a back surface.例文帳に追加

シール材３０は、支持層３１の表面に接着膜３２を介して、摺動性の良い繊維が静電植毛された摺動部材３３を有し、裏面には、柔軟性のある接着層３４を有している。 - 特許庁

Using a first mask 2, a second conductivity-type buried well 3 is formed, and a second conductivity-type impurity ion for determining the threshold of the transistor of a memory cell is implanted in a memory cell part 1.例文帳に追加

第１のマスク２を用いて、第２導電型の埋め込みウェル３を形成し、引続き、メモリセルのトランジスタのしきい値を決定するための第２導電型の不純物イオンをメモリセル部分１に注入する。 - 特許庁

Prior to a Cu film 25 is deposited on the surface of an inter- layer insulating film 21 comprising BCB, Ti is implanted in to the surface of the inter-layer insulating film 21 comprising the BCB using a Ti ion 23 extracted from an ionized plasma of Ti.例文帳に追加

BCBで構成される層間絶縁膜２１の表面にCu膜２５を堆積する前に、Tiのイオン化プラズマから引き出されたTiイオン２３で、BCBで構成される層間絶縁膜２１表面にTiを注入する。 - 特許庁

Subsequently, ions are implanted entirely in the backside of the semiconductor wafer 20 where the N+ type region 9 is formed (Fig. 3(a)), and a P+ type region 10 is formed on the surface layer of the N+ type region 9 (Fig. 3(b)).例文帳に追加

この後、Ｎ＋型領域９が形成された半導体ウェハ２０の裏面全体にイオン注入を行い（図３（ａ））、Ｎ＋型領域９の表層部にＰ＋型領域１０を形成する（図３（ｂ））。 - 特許庁

A sacrificial oxide layer 1 and a polysilicon/silicon nitride film are deposited sequentially on a substrate 2, an opening is made therein by etching (at the part of 5, 15) and ions are implanted in order to suppress hot carriers 11 thus suppressing punch through 8 between source and drain.例文帳に追加

基板２上に犠牲酸化物層１及びポリシリコン・窒化珪素膜を順次堆積し、エッチング開口（５・１５の部分）してソースドレイン間のパンチスルー抑制用８ホツトキャリア抑制用１１のイオン注入を行う。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by a method of having the steps of: implanting P and O into a SiN layer; and reacting P and O implanted into the SiN layer with H_2O to etch the SiN layer.例文帳に追加

ＳｉＮ層にＰおよびＯを注入する工程と、前記ＳｉＮ層に注入されたＰおよびＯをＨ_2Ｏと反応させ、前記ＳｉＮ層をエッチングする工程とを有する方法により、半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide an ion-implanted group-III nitride semiconductor substrate with a small warpage; and to provide a bonding substrate for a group-III nitride semiconductor layer using the same, and a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor device.例文帳に追加

反りが小さいイオン注入ＩＩＩ族窒化物半導体基板、ならびにかかる基板を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A drift region and a source/drain ion implanted region are formed on the surface part of a substrate, a trench is made deeper than the drift region in the substrate and a channel 36 is formed along the bottom face part of the trench.例文帳に追加

本発明は、基板表面部にドリフト領域とソース／ドレインイオン注入領域とを形成させ、その基板にドリフト領域より深くトレンチを形成させ、そのトレンチの底面部分に沿ってチャネル３６を形成させる。 - 特許庁

The resist stripper has excellent resist strippability, in particular, excellent strippability for an ion-implanted resist.例文帳に追加

アンモニア、過酸化水素、水を含んでなり、さらに炭酸、フッ酸、有機酸の群から選ばれる少なくともひとつの酸及び／又はその塩を含んでなるレジスト剥離液では、レジスト剥離性に優れ、特にイオン注入されたレジストの剥離性に優れる。 - 特許庁

A fountain key supporting base 3 is supported so as to be rotatable on a first supporting pin 8 implanted on a frame between an ink fountain forming state and a state in which the fountain key supporting base 3 is separated from an ink fountain roller 1.例文帳に追加

壷キー支持台３はフレームに植設した第１の支持ピン８に、インキ壷を形成する状態と壷キー支持台３をインキ壷ローラ１から離間させた状態との間を回動自在に支持されている。 - 特許庁

To provide a medical device, particularly a medical device capable of being implanted which can be coated for minimizing or substantially eliminating a definite biological living body reaction against the introduction of the medical device into a living body.例文帳に追加

生体への医療装置の導入に対する一定の生物学的な生体反応を最少にするか実質的に無くすために被覆可能である医療装置、特に移植可能な医療装置を提供する。 - 特許庁

Since the ions 15 are ion species of an element having enhanced oxidation action, the implantation of the ions 15 causes conversion from the polycrystalline silicon layer 3 to the ion-implanted polycrystalline silicon layer 16 having a higher oxidation rate.例文帳に追加

イオン１５は増速酸化作用のある元素のイオン種であるため、イオン１５の注入によって多結晶シリコン層３から、より酸化レートが高い性質のイオン注入多結晶シリコン層１６に変換される。 - 特許庁

The national strategy based on the national goal was specified to protect and expand the interests which were implanted in Manchuria and the Korean Empire and the development of resources of a nation which was extending to the Southeast Asia and China. 例文帳に追加

そしてこの国家目標に基づく国家戦略としては、満州及び大韓帝国に扶植した利権と東南アジア・中国に拡張しつつある民力の発展の擁護と拡張であると定められたのだった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To increase light intensity of fluorescence with a wavelength in a predetermined wavelength range with respect to excitation light with a wavelength in a predetermined wavelength range, compared with a nanodiamond in which a hydrogen ion or a helium ion is implanted.例文帳に追加

ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。 - 特許庁

A first laser pulse at a wavelength of ≤850 nm is made incident on a first surface of the semiconductor substrate having impurities implanted to a surface layer portion of the first surface, to heat the first surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１の表面の表層部に不純物が注入された半導体基板の第１の表面に、波長８５０ｎｍ以下の第１のレーザパルスを入射させて、半導体基板の第１の表層部を加熱する。 - 特許庁

Systems are implanted by testing external or implantable devices at different tissue sites, observing physiologic and device responses, and selecting sites with preferred performance for implanting the systems.例文帳に追加

システムは異なる組織部位で外部または移植可能なデバイスを試験し、生理学的な反応およびデバイスの反応を観察し、システムを移植するための好ましい性能を有する部位を選択することにより移植される。 - 特許庁